JPS6191981A - ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ - Google Patents
ホロ−陰極型金属イオンレ−ザInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
社業上の１１ 野
本発明は、光３原色を同時に発振できるホロー陰極型金
屈イオンレーザに関し、特に、発振開始までの立ち上り
を良くし、また金属溜の金属イオン発生材料を長時間に
わたり有効に蒸気化して利用するとともに、ホロー陰極
内で生じたスパッタリング生成物を陰極外に放出し、絶
えず陰極内面をクリーニングし、そのレーザ出力光の安
定化とレーザ管の長寿命化を可能としたホロー陰極型金
属イオンレーザに関するもの。
屈イオンレーザに関し、特に、発振開始までの立ち上り
を良くし、また金属溜の金属イオン発生材料を長時間に
わたり有効に蒸気化して利用するとともに、ホロー陰極
内で生じたスパッタリング生成物を陰極外に放出し、絶
えず陰極内面をクリーニングし、そのレーザ出力光の安
定化とレーザ管の長寿命化を可能としたホロー陰極型金
属イオンレーザに関するもの。
ＬＬへえＬ
近年、ホロー陰極放電を用いた金属イオンレーザが種々
提案されている。この種のレーザは、その励起の強さか
ら多色発振が可能で、現在のところたとえばＨｅ−Ｃｄ
イオンレーザでは１２本の発振線が観測されており、そ
の中には光３原色の赤・青・緑が含まりているが、いま
だ実用の域に達し゛（い４．−い。
提案されている。この種のレーザは、その励起の強さか
ら多色発振が可能で、現在のところたとえばＨｅ−Ｃｄ
イオンレーザでは１２本の発振線が観測されており、そ
の中には光３原色の赤・青・緑が含まりているが、いま
だ実用の域に達し゛（い４．−い。
本、明が ′しようとする。１に１、
その原因としては、ボロー陰極材料が放電によってスパ
ッタリングし、その金属が再び陰極内面に蓄積するとき
、局部的にボアの内径を狭めたり、電気絶縁物の表面に
付着して、その電気特性を劣化させることにある。
ッタリングし、その金属が再び陰極内面に蓄積するとき
、局部的にボアの内径を狭めたり、電気絶縁物の表面に
付着して、その電気特性を劣化させることにある。
また今までの多くの提案のように、金属溜を陰（セミ極
内の一部の空間に組み込むと、電極と金属溜の焼き出し
を別々に行なうことができず、金属溜の中から金属イオ
ン発生材料の蒸気が生じ、充分に電極をクリーニングす
ることができない。さらにレーザ出力を増すために、放
電電流を増加すると、金属溜の温度も上昇し、その蒸気
圧を最適に保つことがむずかしい。また構造上、ホロー
陰極材の厚みが大きく複雑な構造で熱容量が大きいと、
レーザ発振動作までの立ち上りに時間がかがり、実用上
好ましくないなどの多くの問題点がある。
内の一部の空間に組み込むと、電極と金属溜の焼き出し
を別々に行なうことができず、金属溜の中から金属イオ
ン発生材料の蒸気が生じ、充分に電極をクリーニングす
ることができない。さらにレーザ出力を増すために、放
電電流を増加すると、金属溜の温度も上昇し、その蒸気
圧を最適に保つことがむずかしい。また構造上、ホロー
陰極材の厚みが大きく複雑な構造で熱容量が大きいと、
レーザ発振動作までの立ち上りに時間がかがり、実用上
好ましくないなどの多くの問題点がある。
Ｌ」トス１」工
この発明は、上記の問題点を鑑みなされたもので、放電
によって発生したスパッタ生成物をホロー陰極外に蓄積
させ、陰極ボア内に、最適な金属蒸気圧を送り込むこと
ができ、金属蒸気が電極に付着せず、単純な構造ながら
長時間にわたって安定なレーザ動作が確保できるホロー
陰極型金属イＡンレーザを提供することを目的とする。
によって発生したスパッタ生成物をホロー陰極外に蓄積
させ、陰極ボア内に、最適な金属蒸気圧を送り込むこと
ができ、金属蒸気が電極に付着せず、単純な構造ながら
長時間にわたって安定なレーザ動作が確保できるホロー
陰極型金属イＡンレーザを提供することを目的とする。
１１些１１
したがって、この目的を達成するためにこの発明は、負
グロー放電を用いてレーザ光を発生させるホロー陰極型
金属イオンレーザにおいて、導電性のパイプからなるホ
ロー陰極の側面に、放電プラズマと金属蒸気の送りこみ
用の穴を設け、各穴ごとに陽極とこの陽極の放電空間を
配置し、その放電空間の下にレーザ用金属イオンの発生
材料を収納する金属溜を設け、各放電空間と金属溜をヒ
ータで加熱する構成としたことを特徴とするホロー陰極
型金属イオンレーザを要旨としている。
グロー放電を用いてレーザ光を発生させるホロー陰極型
金属イオンレーザにおいて、導電性のパイプからなるホ
ロー陰極の側面に、放電プラズマと金属蒸気の送りこみ
用の穴を設け、各穴ごとに陽極とこの陽極の放電空間を
配置し、その放電空間の下にレーザ用金属イオンの発生
材料を収納する金属溜を設け、各放電空間と金属溜をヒ
ータで加熱する構成としたことを特徴とするホロー陰極
型金属イオンレーザを要旨としている。
間 蜘をイ決するための ゛
導電性のパイプからなるホロー陰極３の側面にある穴４
ごとに、主陽極５と主陽極５の放電空間１１を配置し、
この放電空間１１の下にレーザ用金属イオンの゛発生材
料８を収納するための金属溜７を設けて、それらのｆＩ
ｌｉ空間１１と金属溜７はヒータ９で加熱づる構成であ
る。
ごとに、主陽極５と主陽極５の放電空間１１を配置し、
この放電空間１１の下にレーザ用金属イオンの゛発生材
料８を収納するための金属溜７を設けて、それらのｆＩ
ｌｉ空間１１と金属溜７はヒータ９で加熱づる構成であ
る。
Ｌ皿
放電によって発生するスパッタ生成膜１２をホロー陰極
３の外にＭ積させで、金属蒸気は、ヒータ９による外部
からの加熱により潤度制御して、陽極ボア３ａ内に放電
の電気泳動効果によって最適の蒸気圧で送り込むことが
でき、長い時間にわたって安定なレーザ動作が確保でき
る。
３の外にＭ積させで、金属蒸気は、ヒータ９による外部
からの加熱により潤度制御して、陽極ボア３ａ内に放電
の電気泳動効果によって最適の蒸気圧で送り込むことが
でき、長い時間にわたって安定なレーザ動作が確保でき
る。
支１１
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳ＩＩＩ
’ｌ、：説明する。
’ｌ、：説明する。
第１図は本発明に係る金属イオンレーザの第１の実施例
を示す断面図、第２図は同レーザの要部拡大断面図であ
る。
を示す断面図、第２図は同レーザの要部拡大断面図であ
る。
これらの図において１は、Ｈｅガスを封入したレーザ管
、２はブリュースタ窓、３はホロー陰極、４はホロー陰
極３の側面の穴、５はレーザ活性媒質励起用の主陽極、
６はブリュースタ窓２の内面をよごさないように金属蒸
気をとじこめるための補助陽極、７は金属イオン発生材
料８の金属溜、９はヒータ、１０は保温材、１１は主陽
極５の放電空間、１２は付着したスパッタ生成膜、１３
は補助用…６の電気絶縁物製の放電通路である。
、２はブリュースタ窓、３はホロー陰極、４はホロー陰
極３の側面の穴、５はレーザ活性媒質励起用の主陽極、
６はブリュースタ窓２の内面をよごさないように金属蒸
気をとじこめるための補助陽極、７は金属イオン発生材
料８の金属溜、９はヒータ、１０は保温材、１１は主陽
極５の放電空間、１２は付着したスパッタ生成膜、１３
は補助用…６の電気絶縁物製の放電通路である。
レーザ管１は、たとえばパイレックスガラス製であり、
ブリュースタ窓２は石英ガラス製である。このレーザ管
１の両端部１ｂ、１Ｃはその径が大きくなっている。た
とえ、ばレーザ管１の細径部１ａの内径は、１０．８ｍ
＋ｎで、両端部１ｂ、１ｃの内径は、２０．０ｍｍ、そ
して細径部１ａの外径は１４．０ｍｍに設定しである。
ブリュースタ窓２は石英ガラス製である。このレーザ管
１の両端部１ｂ、１Ｃはその径が大きくなっている。た
とえ、ばレーザ管１の細径部１ａの内径は、１０．８ｍ
＋ｎで、両端部１ｂ、１ｃの内径は、２０．０ｍｍ、そ
して細径部１ａの外径は１４．０ｍｍに設定しである。
ホロー陰極３は、たとえば５ＵＳ３０４などの導電性材
料からなるパイプであり、寸法例をあげれば外径１０，
０ｍｍ１内径４，０ｍｍ１軸方向長さ４６０ｍｍに設定
しである。このホロー陰極３には、所定間隔をおいて陰
極ボア３ａに通じる前記穴４が設けである。実施例では
、主陽極５は１３本設定され、補助陽極６は２本であり
、ともにたとえばタングステン製である。
料からなるパイプであり、寸法例をあげれば外径１０，
０ｍｍ１内径４，０ｍｍ１軸方向長さ４６０ｍｍに設定
しである。このホロー陰極３には、所定間隔をおいて陰
極ボア３ａに通じる前記穴４が設けである。実施例では
、主陽極５は１３本設定され、補助陽極６は２本であり
、ともにたとえばタングステン製である。
金属イオン発生材料８は、たとえばＣｄ金属が用いられ
る、金属溜７は、絶縁材料たとえばガラスあるいはセラ
ミック製である。主陽極５は金属溜７から穴４付近に配
設しである。金属溜７は、レーザ管１の下側に所定間隔
（たとえば３０ｍｍごと）に下方に向けて設けられてい
る。前記各穴４は、この金属溜７の上方に位冒されてい
る。
る、金属溜７は、絶縁材料たとえばガラスあるいはセラ
ミック製である。主陽極５は金属溜７から穴４付近に配
設しである。金属溜７は、レーザ管１の下側に所定間隔
（たとえば３０ｍｍごと）に下方に向けて設けられてい
る。前記各穴４は、この金属溜７の上方に位冒されてい
る。
さらに、金属溜７内には、主陽極５の上端をとりま（よ
うに絶縁性の円筒壁７ａが設けである。この円筒壁７ａ
は、穴４に対向している。２０は陰極給電部である。ま
Ｉζ、ヒータ９は、放電空間１１と金属溜７を加熱でき
、Ｃｄ金属が２９４℃（Ｃｄ蒸気圧 ＰＣｄ−２゜２Ｘ
１０−２Ｔｏｒｒ ）の到達温度にできる加熱能力を
有しており、図示しない電源と温度制御装置に接続され
ている。
うに絶縁性の円筒壁７ａが設けである。この円筒壁７ａ
は、穴４に対向している。２０は陰極給電部である。ま
Ｉζ、ヒータ９は、放電空間１１と金属溜７を加熱でき
、Ｃｄ金属が２９４℃（Ｃｄ蒸気圧 ＰＣｄ−２゜２Ｘ
１０−２Ｔｏｒｒ ）の到達温度にできる加熱能力を
有しており、図示しない電源と温度制御装置に接続され
ている。
さらに、各金属溜７丙には、たとえば１ｇのＣｄ金属が
溜めである。保温材１０はたとえばガラステープを数回
巻いたものである。
溜めである。保温材１０はたとえばガラステープを数回
巻いたものである。
なお、主放電、吹き返し放電は、単一直流電源にて行な
う。
う。
次に、このような構成におけるレーザ動作について説明
する。ここでは、金属イオン発生材料８としてＣｄ金属
を用いた）ｌｅ −Ｃｄイオンレーザの場合について説
明する。
する。ここでは、金属イオン発生材料８としてＣｄ金属
を用いた）ｌｅ −Ｃｄイオンレーザの場合について説
明する。
たとえば！−１ｅガス圧を８Ｔｏｒｒに設定し、主陽極
５、補助陽極６およびホロー陰極３との間に所要電圧（
たとえば６００Ｖ）を印加すると、室温時において放電
電流は、９８０ｍＡ（各ビン当り６０ｍＡ）であるが、
十分蒸気圧が上がって白色動作する時は６６０ｍＡ（各
ビン当り４４ｍＡ）になる。その時のレーザ管１の到達
温度は３５０℃である。放電させると、ホロー陰極３の
陰極ボア３ａ内には、負グロー放電が、さらに放電空間
１１にはその陽光柱放電が生ずる。
５、補助陽極６およびホロー陰極３との間に所要電圧（
たとえば６００Ｖ）を印加すると、室温時において放電
電流は、９８０ｍＡ（各ビン当り６０ｍＡ）であるが、
十分蒸気圧が上がって白色動作する時は６６０ｍＡ（各
ビン当り４４ｍＡ）になる。その時のレーザ管１の到達
温度は３５０℃である。放電させると、ホロー陰極３の
陰極ボア３ａ内には、負グロー放電が、さらに放電空間
１１にはその陽光柱放電が生ずる。
放電開始と同時に金属溜７に巻いたヒータ９に電流を流
し加熱する。しばらくして金属溜７の中の発生材料８
（Ｃｄ ）が蒸気化する。
し加熱する。しばらくして金属溜７の中の発生材料８
（Ｃｄ ）が蒸気化する。
このＣｄ蒸気は放電空間１１に生じている陽光柱放電内
の電気泳動効果、すなわち、Ｈｅイオンの流れに電気的
中性のＣｄ原子がまきこまれて流れる効果によって、ホ
ロー陰極３内に生じている負グロー放電領域にＣｄ原子
が送り込まれ、この陰極ボア内で励起されたＨｅ原子や
）ＨｅイオンとＣｄ原子が相互作用して、Ｃｄイオンの
レベル間に反転粒子分布を生じ、レーザ発振が開始づる
。
の電気泳動効果、すなわち、Ｈｅイオンの流れに電気的
中性のＣｄ原子がまきこまれて流れる効果によって、ホ
ロー陰極３内に生じている負グロー放電領域にＣｄ原子
が送り込まれ、この陰極ボア内で励起されたＨｅ原子や
）ＨｅイオンとＣｄ原子が相互作用して、Ｃｄイオンの
レベル間に反転粒子分布を生じ、レーザ発振が開始づる
。
レーザ発振はまず青色（４４１，６ｎｍ） 、次に緑色
（５３７，８ｎｍ） 、最後に赤色（６３６，０ｎｍ）
が加わり、この光３原色が同時に揃って白色光レーザと
なる。
（５３７，８ｎｍ） 、最後に赤色（６３６，０ｎｍ）
が加わり、この光３原色が同時に揃って白色光レーザと
なる。
放電中、ホロー陰極３の内面は、ＨｅイオンやＣｄイオ
ンによってスパッタされ、そのスパッタ生成物はホロー
陰極３の側面の穴４を通して外部に放出されて放電空間
１１の内壁にスパッタ生成膜１２として付着するが、ホ
ロー陰極３の外であるので放電状態には影響を与えない
。
ンによってスパッタされ、そのスパッタ生成物はホロー
陰極３の側面の穴４を通して外部に放出されて放電空間
１１の内壁にスパッタ生成膜１２として付着するが、ホ
ロー陰極３の外であるので放電状態には影響を与えない
。
レーザ動作を中止するときは、まず金属溜７のヒータ９
の電流を切り、金属溜７の温度をレーザ管１の中で一番
低い状態にすると、陰極ボア３ａ内のＣｄ蒸気は、すべ
て元の金属溜７に戻ってくる。その結果、陰極ボア３ａ
内はＨｅガスのみの放電となり、ホロー陰極３の内面も
Ｈｅイオンのスパッタリングによってきれいになる。こ
のとき、ホロー陰極３はいまだ放電熱によって熱せられ
ているため、その輻射熱で主陽極５の先端部分は焼かれ
、Ｃｄ膜の付着はなく電気絶縁は保たれる。
の電流を切り、金属溜７の温度をレーザ管１の中で一番
低い状態にすると、陰極ボア３ａ内のＣｄ蒸気は、すべ
て元の金属溜７に戻ってくる。その結果、陰極ボア３ａ
内はＨｅガスのみの放電となり、ホロー陰極３の内面も
Ｈｅイオンのスパッタリングによってきれいになる。こ
のとき、ホロー陰極３はいまだ放電熱によって熱せられ
ているため、その輻射熱で主陽極５の先端部分は焼かれ
、Ｃｄ膜の付着はなく電気絶縁は保たれる。
なお、ブリュースタ窓２へのＣｄ蒸気の拡散を防ぐため
に、放電通路１３内の電気泳動効果によって、その蒸気
の吹き出しを抑えている。
に、放電通路１３内の電気泳動効果によって、その蒸気
の吹き出しを抑えている。
第２図に示すように、主陽極５の先端は電気絶縁物の前
記円筒壁７ａでおおわれ、放電が拡がることを防ぐとと
もに、円筒壁７ａ内に生ずる陽光柱放電によって、その
内面にＣｄやスパッタ生成膜１２が付着するのを防 、
いでいる。なお、レーザ動作の立上がり時間は、金属溜
７の大きさや保温材１０の種類により変わる。
記円筒壁７ａでおおわれ、放電が拡がることを防ぐとと
もに、円筒壁７ａ内に生ずる陽光柱放電によって、その
内面にＣｄやスパッタ生成膜１２が付着するのを防 、
いでいる。なお、レーザ動作の立上がり時間は、金属溜
７の大きさや保温材１０の種類により変わる。
第３図は、本発明の第２の実施例を示しており、レーザ
管が熱によってその管軸がそるのを防ぐために、金属溜
１０７をレーザ管１０１の左右に交互に配置した場合の
横断面図である。なお、第１の実施例と同様の箇所には
、同じ符号を記す。この場合、左右で均等に膨張するの
で、レーザ管１０１は反らない。
管が熱によってその管軸がそるのを防ぐために、金属溜
１０７をレーザ管１０１の左右に交互に配置した場合の
横断面図である。なお、第１の実施例と同様の箇所には
、同じ符号を記す。この場合、左右で均等に膨張するの
で、レーザ管１０１は反らない。
ところで、第１と第２の実施例において、ホロー陰極３
の肉厚は、真直な光軸を得るために反ることのないよう
に最大限３ｍｇ＋程度確保すると好ましいが、ホロー陰
極３の加熱立上り時間を短くすることを考慮すると３Ｉ
ｌ１ｍより薄くした方がよい。
の肉厚は、真直な光軸を得るために反ることのないよう
に最大限３ｍｇ＋程度確保すると好ましいが、ホロー陰
極３の加熱立上り時間を短くすることを考慮すると３Ｉ
ｌ１ｍより薄くした方がよい。
ただ、あまり薄くしすぎると、穴４の周辺が加熱してホ
ロー陰極３の他の部分と穴４部分との間に大きな温度勾
配が生じて好ましくないので、この点を踏まえてホロー
陰極３の肉厚を決定する必要がある。
ロー陰極３の他の部分と穴４部分との間に大きな温度勾
配が生じて好ましくないので、この点を踏まえてホロー
陰極３の肉厚を決定する必要がある。
上述したように、本発明に係るホロー陰極型金属イオン
レーザは、Ｈｅガスのスパッタリングによってホロー陰
極３の内面を絶えず孝れい（クリーニング）にしており
、そのスパッタリング生成物が陰極ボア３ａ内に蓄積覆
ることを防いでいる。また、金属溜７の温度を外部より
制御して金属イオン発生材料８の蒸気圧を最適に設定し
、その蒸気圧はホロー陰極の温度とは独立に制御できる
。なおし−ザ動作を終了するときは、一度蒸発させた金
属蒸気をふたたび元の金属溜に回収でき、金属イオン発
生材料の拡散損失を極力抑えている。
レーザは、Ｈｅガスのスパッタリングによってホロー陰
極３の内面を絶えず孝れい（クリーニング）にしており
、そのスパッタリング生成物が陰極ボア３ａ内に蓄積覆
ることを防いでいる。また、金属溜７の温度を外部より
制御して金属イオン発生材料８の蒸気圧を最適に設定し
、その蒸気圧はホロー陰極の温度とは独立に制御できる
。なおし−ザ動作を終了するときは、一度蒸発させた金
属蒸気をふたたび元の金属溜に回収でき、金属イオン発
生材料の拡散損失を極力抑えている。
また主陽極５は金属溜７の上部に設は両者を同時に加熱
し、更にはその先端部分を放電の電気泳動効果によって
焼けるので、レーザ動作中もその終了時もその先端部分
に金属が付着汚染することはなく、電気絶縁は保たれる
。
し、更にはその先端部分を放電の電気泳動効果によって
焼けるので、レーザ動作中もその終了時もその先端部分
に金属が付着汚染することはなく、電気絶縁は保たれる
。
また、その材料の厚みをうすくして単に穴４を設けるだ
けの構造なので、放電熱によってすぐにホロー陰極３の
温度が最適値に達することができ、レーザ発振までの所
要時間は実用化されている青色発光の陽光柱型Ｈｅ−Ｃ
ｄイオンレーザと同程度である。
けの構造なので、放電熱によってすぐにホロー陰極３の
温度が最適値に達することができ、レーザ発振までの所
要時間は実用化されている青色発光の陽光柱型Ｈｅ−Ｃ
ｄイオンレーザと同程度である。
なおホロー陰極型の場合は青以外に更に緑と赤を発振さ
せることができる。また構造上さらに立ち上り時間を早
めることも可能である。
せることができる。また構造上さらに立ち上り時間を早
めることも可能である。
さらに、金属溜７をホロー陰極３の外で放電空間の下に
配置したため、レーザ管を組み立てた後、陰極３と金属
溜７に納めた金属イオン発生材料８を別々に焼き出しす
ることができる。
配置したため、レーザ管を組み立てた後、陰極３と金属
溜７に納めた金属イオン発生材料８を別々に焼き出しす
ることができる。
泣」し生力」し
以上説明したように、本発明に係るホロー陰極型金属イ
オンレーザは、導電性パイプからなる小ロー陰極の側面
にある穴ごとに、陽極とその放電空間を配向し、この放
電空間の下にレーザ用金属イオンの発生材料を収納する
金属溜を設け、放電空間全体をヒータで加熱する構成で
ある。スパッタ生成物はホローＦＢ極外に蓄積させ、陰
極ボア内に最適な蒸気圧で金属蒸気を送り込むことがで
き、ホロー陰極に金属蒸気が付着せず、単純な構造であ
りながら長時間にわたり、光３原色の安定なレーザ光が
得られる従来にない優れた効果がある。
オンレーザは、導電性パイプからなる小ロー陰極の側面
にある穴ごとに、陽極とその放電空間を配向し、この放
電空間の下にレーザ用金属イオンの発生材料を収納する
金属溜を設け、放電空間全体をヒータで加熱する構成で
ある。スパッタ生成物はホローＦＢ極外に蓄積させ、陰
極ボア内に最適な蒸気圧で金属蒸気を送り込むことがで
き、ホロー陰極に金属蒸気が付着せず、単純な構造であ
りながら長時間にわたり、光３原色の安定なレーザ光が
得られる従来にない優れた効果がある。
第１図は本発明に係る金属イオンレーザの第１の実施例
で、金属溜をレーザ管の下側に配列したときの断面図、
第２図は同レーザ管の要部拡大断面図、第３図は金属溜
をレーザ管の左右交互に配置した第２の実施例の横断面
図である。 １．１０１．、、、、レーザ管 ２．０．、、、、、、ブリュースタ窓 ３、、、、、、、、、ホロー陰極 ４、、、、、、、、、ホロー陰極の側面の穴５、、、、
、、、、、主１’ｉ極 −６，、、、、、、、、補助陽極 ７．１０７．、、、、金属溜 ８、、、、、、、、、金属イオン発生材料９、、、、、
、、、、 ヒータ １０、、、、．０１．保温材
で、金属溜をレーザ管の下側に配列したときの断面図、
第２図は同レーザ管の要部拡大断面図、第３図は金属溜
をレーザ管の左右交互に配置した第２の実施例の横断面
図である。 １．１０１．、、、、レーザ管 ２．０．、、、、、、ブリュースタ窓 ３、、、、、、、、、ホロー陰極 ４、、、、、、、、、ホロー陰極の側面の穴５、、、、
、、、、、主１’ｉ極 −６，、、、、、、、、補助陽極 ７．１０７．、、、、金属溜 ８、、、、、、、、、金属イオン発生材料９、、、、、
、、、、 ヒータ １０、、、、．０１．保温材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 負グロー放電を用いてレーザ光を発生させ るホロー陰極型金属イオンレーザにおいて、導電性のパ
イプからなるホロー陰極の側面に、放電プラズマと金属
蒸気の送りこみ用の穴を設け、各穴ごとに陽極とこの陽
極の放電空間を配置し、その放電空間の下にレーザ用金
属イオンの発生材料を収納する金属溜を設け、各放電空
間と金属溜をヒータで加熱する構成としたことを特徴と
するホロー陰極型金属イオンレーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21266784A JPS6191981A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ |
| EP85306812A EP0178810B1 (en) | 1984-10-12 | 1985-09-25 | A hollow-cathode type metal ion laser |
| DE8585306812T DE3581779D1 (de) | 1984-10-12 | 1985-09-25 | Metallionenlaser vom hohlkathodentyp. |
| CA000491713A CA1248211A (en) | 1984-10-12 | 1985-09-27 | Hollow-cathode type metal ion laser |
| US07/244,592 US4821280A (en) | 1984-10-12 | 1988-09-13 | Hollow-cathode type metal ion laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21266784A JPS6191981A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21220285A Division JPS61172383A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ光の発生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191981A true JPS6191981A (ja) | 1986-05-10 |
| JPH0311113B2 JPH0311113B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=16626405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21266784A Granted JPS6191981A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191981A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498198A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21266784A patent/JPS6191981A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498198A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311113B2 (ja) | 1991-02-15 |
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