JPH03108711A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、特に中高圧用のアルミニウム電解コンデン
サに用いられるアルミニウム箔のエツチング方法に関す
るものである。
サに用いられるアルミニウム箔のエツチング方法に関す
るものである。
静電容量の増大を図るため、アルミニウム電解コンデン
サの電極箔には、その電極体となるアルミニウム箔を電
気的もしくは化学的にエツチングして、実効表面積を拡
大したものを使用している。
サの電極箔には、その電極体となるアルミニウム箔を電
気的もしくは化学的にエツチングして、実効表面積を拡
大したものを使用している。
この拡面率を上げるために、従来からピット密度を高く
する研究が種々なされているが、最も一般的には、アル
ミニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を形成する酸
を添加した塩化物水溶液中で電気的にエツチングする方
法がとられている。
する研究が種々なされているが、最も一般的には、アル
ミニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を形成する酸
を添加した塩化物水溶液中で電気的にエツチングする方
法がとられている。
しかしながら、この方法ではアルミニウム箔の表面に生
じている不均一な自然皮膜のために、均一にピッ１〜を
分散させることが困難であり、ピッ１−密度を増加させ
ていくと、ピット同士が重なり合い、かえって表面積拡
大率を損なう結果となる。
じている不均一な自然皮膜のために、均一にピッ１〜を
分散させることが困難であり、ピッ１−密度を増加させ
ていくと、ピット同士が重なり合い、かえって表面積拡
大率を損なう結果となる。
この発明は−１−記従来の欠点を解決すべくなされたも
ので、その目的は、ビットを均一に分散させ、アルミニ
ウム箔の表面積拡大率を損なうことなく、ビット密度を
高くし得るようにした′６解コンデンサ用アルミニウム
箔のエツチング方法を提供することにある。
ので、その目的は、ビットを均一に分散させ、アルミニ
ウム箔の表面積拡大率を損なうことなく、ビット密度を
高くし得るようにした′６解コンデンサ用アルミニウム
箔のエツチング方法を提供することにある。
一上記目的を達成するため、この発明においては、アル
ミニウム箔を少なくとも次の３段階に分けて行うように
している。
ミニウム箔を少なくとも次の３段階に分けて行うように
している。
■弗素イオンを含む水溶液中で化学的にエツチングする
第１の」−程。この場合、液温は２０〜５０°Ｃで、そ
のエツチング時間は５〜３００秒間、そして弗素イオン
は０．０１〜１％の範囲が好ましい。
第１の」−程。この場合、液温は２０〜５０°Ｃで、そ
のエツチング時間は５〜３００秒間、そして弗素イオン
は０．０１〜１％の範囲が好ましい。
■主として硫酸イオンを含む水溶液中において直流電流
にて電気的にエツチングする第２の工程。
にて電気的にエツチングする第２の工程。
この工程では、５０〜９０℃の液温で、電流密度１００
〜５００ｍＡ／ｃｎｆで直流電解エツチングを行うとよ
い。
〜５００ｍＡ／ｃｎｆで直流電解エツチングを行うとよ
い。
また、硫酸１０〜４０％、塩酸０．５〜５％からなる電
解液が好ましく、さらにはこの電解液に燐酸または蓚酸
を添加してもよい。
解液が好ましく、さらにはこの電解液に燐酸または蓚酸
を添加してもよい。
■主として塩酸イオンを含む水溶液中において電気的も
しくは化学的にエツチングする第３の工程。この工程に
おいては、液温５０〜９０℃、電流密度２０〜２００ｍ
Ａ／ｃ＋（で直流電解エツチングを行うのが好ましい。
しくは化学的にエツチングする第３の工程。この工程に
おいては、液温５０〜９０℃、電流密度２０〜２００ｍ
Ａ／ｃ＋（で直流電解エツチングを行うのが好ましい。
また、電解液としては塩＠５〜１２％の水溶液に添加物
として燐酸、硫酸、蓚酸の少なくともいずれか一つを０
．００５〜１％添加したものが好適である。 なお、使
用するアルミニウム箔は（１００）結晶面の箔表面占有
率が７０％以上で、かつ、純度が９９．９％以上である
ことが好ましい。
として燐酸、硫酸、蓚酸の少なくともいずれか一つを０
．００５〜１％添加したものが好適である。 なお、使
用するアルミニウム箔は（１００）結晶面の箔表面占有
率が７０％以上で、かつ、純度が９９．９％以上である
ことが好ましい。
〔第１の工程〕弗素イオンによるエツチング作用により
、アルミニウム表面に生じている自然酸化皮膜や焼鈍時
に生じた酸化皮膜を均一に溶解し、次の第２の工程での
電気的エツチングをきわめて緻密に、かつ、均一に行え
るようにする。
、アルミニウム表面に生じている自然酸化皮膜や焼鈍時
に生じた酸化皮膜を均一に溶解し、次の第２の工程での
電気的エツチングをきわめて緻密に、かつ、均一に行え
るようにする。
〔第２の工程〕アルミニウム箔をアノード分極させるこ
とにより、硫酸イオンが箔表面に皮膜を一 形成し、箔表面の溶解を抑制する。これと同時に添加さ
れている塩素イオンによるピット形成が行われるため、
箔表面が溶解することなくピッ１ル密度が非常に高くな
る。なおこの場合、燐酸や酢酸を安定剤として添加する
とよい。
とにより、硫酸イオンが箔表面に皮膜を一 形成し、箔表面の溶解を抑制する。これと同時に添加さ
れている塩素イオンによるピット形成が行われるため、
箔表面が溶解することなくピッ１ル密度が非常に高くな
る。なおこの場合、燐酸や酢酸を安定剤として添加する
とよい。
〔第３の〕−程〕第２の工程ではピッ１ル密度がきわめ
て高いが、ピッ１〜が細い。これを引き続いて塩酸イオ
ンを含む水溶液中で電気的エツチングもしくは化学的エ
ツチングを行うことにより、ピッ１〜内壁に沿ってアル
ミニウムが溶解しピット径が太くなる。
て高いが、ピッ１〜が細い。これを引き続いて塩酸イオ
ンを含む水溶液中で電気的エツチングもしくは化学的エ
ツチングを行うことにより、ピッ１〜内壁に沿ってアル
ミニウムが溶解しピット径が太くなる。
（実施例１）
純度９９．９％、厚さ１．００ μｍ、 （１００）面
占有率９０％のアルミニウム箔をまず第１の工程として
、弗化水素酸１．０％を含む液温３０°Ｃのエツチング
液中に６０秒間浸漬し化学的エツチングを行った。次に
第２の工程として、硫酸２０％、塩酸１％を含む液温８
０℃のエツチング液内において電流密度２５０ｍＡ／ｌ
Ａ、電気ｈ１３５０ｍＡ−ｍｉｎ／ ｃｘＫの直流電流
で電気的エツチングを行った。引き続き第３の−１−程
として、塩酸Ｊ０４ ％、硫酸０．５％を含む液温８０℃のエツチング液中に
おいて電流密度１００ｍＡ／ａ＃、電気量６００ｍＡ−
ｍｉｎ／ ｃｉの直流電流で電気的エツチングを行った
。
占有率９０％のアルミニウム箔をまず第１の工程として
、弗化水素酸１．０％を含む液温３０°Ｃのエツチング
液中に６０秒間浸漬し化学的エツチングを行った。次に
第２の工程として、硫酸２０％、塩酸１％を含む液温８
０℃のエツチング液内において電流密度２５０ｍＡ／ｌ
Ａ、電気ｈ１３５０ｍＡ−ｍｉｎ／ ｃｘＫの直流電流
で電気的エツチングを行った。引き続き第３の−１−程
として、塩酸Ｊ０４ ％、硫酸０．５％を含む液温８０℃のエツチング液中に
おいて電流密度１００ｍＡ／ａ＃、電気量６００ｍＡ−
ｍｉｎ／ ｃｉの直流電流で電気的エツチングを行った
。
（実施例２）
実施例１と同じアルミニウム箔を使用し、実施例１と同
じ条件の第１の工程および第２の工程でエツチング処理
したのち、第３の工程として、塩酸１０％、燐酸０．３
％を含む液温８５℃のエツチング液内に１５分間浸漬し
て化学的エツチングを行った。
じ条件の第１の工程および第２の工程でエツチング処理
したのち、第３の工程として、塩酸１０％、燐酸０．３
％を含む液温８５℃のエツチング液内に１５分間浸漬し
て化学的エツチングを行った。
〔比較例１〕
実施例１と同じアルミニウム箔を第１の工程を行うこと
なく、実施例１と同じ条件の第２の工程および第３の］
−程でエツチング処理した。
なく、実施例１と同じ条件の第２の工程および第３の］
−程でエツチング処理した。
上記実施例および比較例でエツチング処理されたアルミ
ニウム箔を硼酸溶液中で３８０Ｖに化成し、その静電容
量（μＦｅｄ）と引張り強さ（ｋｇ ／ ａｎ幅）を測
定した結果を次光に示す。
ニウム箔を硼酸溶液中で３８０Ｖに化成し、その静電容
量（μＦｅｄ）と引張り強さ（ｋｇ ／ ａｎ幅）を測
定した結果を次光に示す。
（表）
この表の数値から明らかなように、各実施例ともに静電
界おの増大が認められ、また、引張り強さも比較例に比
べて優れている。
界おの増大が認められ、また、引張り強さも比較例に比
べて優れている。
（実施例３）
純度９９．９％、厚さ１００ ｔｔ ｍ、 （１００）
面占有率９５％のアルミニウム箔をまず第１の工程とし
て、弗化水素酸０．５％を含む液温４０℃のエツチング
液中に１００秒間浸漬して化学的エツチングを行った。
面占有率９５％のアルミニウム箔をまず第１の工程とし
て、弗化水素酸０．５％を含む液温４０℃のエツチング
液中に１００秒間浸漬して化学的エツチングを行った。
次に第２の工程として、硫酸２５％、塩酸２％を含む液
温８０℃のエツチング液内において電流密度３００ｍＡ
／ｃｉで直流電解エツチングを行った。引き続き第３の
工程として、塩酸７％、燐酸０．１％を含む液温８０℃
のエツチング液中において電流密度８０ｍＡ／ａ＃で直
流電解エツチングを行った。実施例１と同様に３８０ｖ
で化成し、その静電容量を測定したところ、０．９０５
μＦ／ｄであった。
温８０℃のエツチング液内において電流密度３００ｍＡ
／ｃｉで直流電解エツチングを行った。引き続き第３の
工程として、塩酸７％、燐酸０．１％を含む液温８０℃
のエツチング液中において電流密度８０ｍＡ／ａ＃で直
流電解エツチングを行った。実施例１と同様に３８０ｖ
で化成し、その静電容量を測定したところ、０．９０５
μＦ／ｄであった。
（実施例４）
使用するアルミニウム箔と第１および第２の工程までは
上記実施例３と同じ。第３の工程として、塩酸１０％、
蓚酸０．１％を含む液温８０℃のエツチング液中におい
て電流密度８０ｍＡ／ａ＃で直流電解エツチングを行っ
た。実施例１と同様に３８０■で化成し、その静電容量
を測定したところ、０．９０１μＦ／ｄであった。
上記実施例３と同じ。第３の工程として、塩酸１０％、
蓚酸０．１％を含む液温８０℃のエツチング液中におい
て電流密度８０ｍＡ／ａ＃で直流電解エツチングを行っ
た。実施例１と同様に３８０■で化成し、その静電容量
を測定したところ、０．９０１μＦ／ｄであった。
以」―説明したように、この発明によれば、エツチング
処理を少なくとも上記第１の工程〜第３の工程に分けて
行うようにしたことにより、ピットを均一に分散させ、
アルミニウム箔の表面積拡大率を損なうことなく、ビッ
ト密度を高くすることができる。
処理を少なくとも上記第１の工程〜第３の工程に分けて
行うようにしたことにより、ピットを均一に分散させ、
アルミニウム箔の表面積拡大率を損なうことなく、ビッ
ト密度を高くすることができる。
Claims (3)
- （１）アルミニウム箔を弗素イオンを含む水溶液中で化
学的にエッチングする第１の工程と、主として硫酸イオ
ンを含む水溶液中において直流電流にて電気的にエッチ
ングする第２の工程と、主として塩素イオンを含む水溶
液中において電気的もしくは化学的にエッチングする第
３の工程とを備えていることを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - （２）上記アルミニウム箔は（１００）結晶面の箔表面
占有率が７０％以上で、かつ、純度が９９．９％以上で
ある請求項１に記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔
のエッチング方法。 - （３）上記第１の工程において、燐酸、酢酸が安定剤と
して添加される請求項１に記載の電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエッチング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-123461 | 1989-05-17 | ||
| JP12346189 | 1989-05-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108711A true JPH03108711A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=14861206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9740490A Pending JPH03108711A (ja) | 1989-05-17 | 1990-04-12 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03108711A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112038100A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-12-04 | 新疆众和股份有限公司 | 一种高压铝电解电容器用阳极箔的腐蚀工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272461A (en) * | 1975-12-15 | 1977-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of etching electrode foil for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| JPS5965424A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ−電極用アルミニウム複合箔 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP9740490A patent/JPH03108711A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272461A (en) * | 1975-12-15 | 1977-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of etching electrode foil for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| JPS5965424A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ−電極用アルミニウム複合箔 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112038100A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-12-04 | 新疆众和股份有限公司 | 一种高压铝电解电容器用阳极箔的腐蚀工艺 |
| CN112038100B (zh) * | 2020-07-15 | 2021-12-07 | 新疆众和股份有限公司 | 一种高压铝电解电容器用阳极箔的腐蚀工艺 |
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