JPH0310596B2 - - Google Patents
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- JPH0310596B2 JPH0310596B2 JP59209476A JP20947684A JPH0310596B2 JP H0310596 B2 JPH0310596 B2 JP H0310596B2 JP 59209476 A JP59209476 A JP 59209476A JP 20947684 A JP20947684 A JP 20947684A JP H0310596 B2 JPH0310596 B2 JP H0310596B2
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- susceptor
- bell gear
- gas
- axis
- vapor phase
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はシリコン等の半導体物質基板（以下ウ
エハという）にシリコン結晶等を気相成長させる
バレル型の気相成長装置に関する。
エハという）にシリコン結晶等を気相成長させる
バレル型の気相成長装置に関する。
従来のバレル型気相成長装置はサセプタが軸方
向に若干勾配を有しているが、サセプタ上方に設
けた反応ガスを供給する複数本のノズルはサセプ
タ回転中心から一定位置に孔をあけていたため、
サセプタに取付けた多数のウエハに対する反応ガ
スの接触が一様でなく、このため気相成長の膜厚
が均一にならない欠点があつた。
向に若干勾配を有しているが、サセプタ上方に設
けた反応ガスを供給する複数本のノズルはサセプ
タ回転中心から一定位置に孔をあけていたため、
サセプタに取付けた多数のウエハに対する反応ガ
スの接触が一様でなく、このため気相成長の膜厚
が均一にならない欠点があつた。
〔発明の目的〕
本発明はこのような欠点を除去したものでその
目的は、サセプタに取付けた多数のウエハに対す
る反応ガスの接触をより一様にし、気相成長の膜
厚を均一にして品質を高め得る気相成長装置を提
供することにある。
目的は、サセプタに取付けた多数のウエハに対す
る反応ガスの接触をより一様にし、気相成長の膜
厚を均一にして品質を高め得る気相成長装置を提
供することにある。
本発明の気相成長装置は、軸方向に勾配を有す
るバレル型のサセプタを備えた気相成長装置にお
いて、軸心からの距離が短かい側のサセプタ端部
から離れて該サセプタの軸心に対し垂直に位置す
る平面上に、ほぼサセプタの表面に沿つて軸方向
へ反応ガスを供給する複数本のノズルを設けると
共に、該ノズルのノズル孔のサセプタ軸心からの
距離を変化させたことを特徴にしている。
るバレル型のサセプタを備えた気相成長装置にお
いて、軸心からの距離が短かい側のサセプタ端部
から離れて該サセプタの軸心に対し垂直に位置す
る平面上に、ほぼサセプタの表面に沿つて軸方向
へ反応ガスを供給する複数本のノズルを設けると
共に、該ノズルのノズル孔のサセプタ軸心からの
距離を変化させたことを特徴にしている。
以下本発明の一実施例を示した図について説明
する。第１図においてサセプタ組立体１１は複数
枚の短冊状をしたサセプタが多角形状に配置され
ると共に、軸心に対し第１図において上方から下
方に向つて広がる勾配を有しかつ上面および下面
はフタ状体によりおおわれておりその外周には多
数のウエハ１２が取付けてある。サセプタ組立体
１１は上下のフタ状体に固着したセラミツクス等
の非金属製かつ中空の回転軸１３により両方向へ
回転されるようになされており、その外周および
上方は石英製のベルジヤ１４によりおおわれてい
る。
する。第１図においてサセプタ組立体１１は複数
枚の短冊状をしたサセプタが多角形状に配置され
ると共に、軸心に対し第１図において上方から下
方に向つて広がる勾配を有しかつ上面および下面
はフタ状体によりおおわれておりその外周には多
数のウエハ１２が取付けてある。サセプタ組立体
１１は上下のフタ状体に固着したセラミツクス等
の非金属製かつ中空の回転軸１３により両方向へ
回転されるようになされており、その外周および
上方は石英製のベルジヤ１４によりおおわれてい
る。
ベルジヤ１４の下方にはこれと同心かつサセプ
タ組立体１１の回転を妨げない近接したわずかな
隙間を有する位置に石英製の円筒体１５があり、
ベルジヤ１４および円筒体１５は共にステンレス
鋼製のベースプレート１６上に密接した状態で載
置されている。なお円筒体１５はサセプタ組立体
１１の下端に固着しベースプレート１６に対しわ
ずかな隙間をもつて対向するようにしてもよい。
そしてベルジヤ１４とサセプタ組立体１１および
円筒体１５により形成される空間を反応室とい
い、回転軸１３はベースプレート１６を気密に貫
通している。ベルジヤ１４の下側内周と円筒体１
５の下側外周との間にはベースプレート１６の表
面から金属イオンの放出を阻止するため石英リン
グ１９Ａが敷かれており、この石英リング１９Ａ
とベースプレート１６には反応室のガスを外部に
排出するための孔１９Ｂがあけてある。回転軸１
３の中心にはこれを貫通してサセプタ組立体１１
の上端より上方へ伸びるそれぞれ固定の内管１７
および外管１８の２重管が設けられ、内管１７か
らはN2或いはH2のガスが上方に向つて流れ外管
１８は上端で複数（図では２本のみ示してある）
に分岐して回転軸１３と垂直な平面上を外方へ向
つて伸びるノズル１８Ａになつて下方にあるウエ
ハ１２に向つて反応ガスが流れるようになつてい
る。なお反応ガスの流れの細部は後述する。
タ組立体１１の回転を妨げない近接したわずかな
隙間を有する位置に石英製の円筒体１５があり、
ベルジヤ１４および円筒体１５は共にステンレス
鋼製のベースプレート１６上に密接した状態で載
置されている。なお円筒体１５はサセプタ組立体
１１の下端に固着しベースプレート１６に対しわ
ずかな隙間をもつて対向するようにしてもよい。
そしてベルジヤ１４とサセプタ組立体１１および
円筒体１５により形成される空間を反応室とい
い、回転軸１３はベースプレート１６を気密に貫
通している。ベルジヤ１４の下側内周と円筒体１
５の下側外周との間にはベースプレート１６の表
面から金属イオンの放出を阻止するため石英リン
グ１９Ａが敷かれており、この石英リング１９Ａ
とベースプレート１６には反応室のガスを外部に
排出するための孔１９Ｂがあけてある。回転軸１
３の中心にはこれを貫通してサセプタ組立体１１
の上端より上方へ伸びるそれぞれ固定の内管１７
および外管１８の２重管が設けられ、内管１７か
らはN2或いはH2のガスが上方に向つて流れ外管
１８は上端で複数（図では２本のみ示してある）
に分岐して回転軸１３と垂直な平面上を外方へ向
つて伸びるノズル１８Ａになつて下方にあるウエ
ハ１２に向つて反応ガスが流れるようになつてい
る。なお反応ガスの流れの細部は後述する。
ベルジヤ１４の下部外周には、これを取り囲
み、ベースプレート１６の外周に配置されたベー
ス２０とによりベルジヤ１４側のみを開放した排
気ダクト２１が設けられ、この排気ダクト２１は
第２図に示す排気管２２に接続されている。排気
ダクト２１上には、多数のランプ２３を有するラ
ンプハウス２４が、第２図に示すように、ベルジ
ヤ１４を取り囲んで配置されている。ランプハウ
ス２４の背面側にはＡ冷却流体供給部２５が形成
され、Ａ冷却流体供給部２５には不図示の送風機
および冷却機からの冷却空気が吹き込まれ、冷却
空気はランプ２３側に多数設けられた孔２６から
ランプ２３およびベルジヤ１４に吹きつけられて
これらを冷却するようになつている。
み、ベースプレート１６の外周に配置されたベー
ス２０とによりベルジヤ１４側のみを開放した排
気ダクト２１が設けられ、この排気ダクト２１は
第２図に示す排気管２２に接続されている。排気
ダクト２１上には、多数のランプ２３を有するラ
ンプハウス２４が、第２図に示すように、ベルジ
ヤ１４を取り囲んで配置されている。ランプハウ
ス２４の背面側にはＡ冷却流体供給部２５が形成
され、Ａ冷却流体供給部２５には不図示の送風機
および冷却機からの冷却空気が吹き込まれ、冷却
空気はランプ２３側に多数設けられた孔２６から
ランプ２３およびベルジヤ１４に吹きつけられて
これらを冷却するようになつている。
ベース２０には排気ダクト２１に隣接して昇降
および回転機構２８が設けてあり、同機構２８は
上端に腕２９が固着され、腕２９の先端は把持具
３０によりベルジヤ１４の頂部に固着した把持部
３１を離脱可能に把持している。また腕２９の先
端は把持具３２によりＢ冷却流体供給部３３を取
付けている。Ｂ冷却流体供給部３３の下端はラン
プハウス２４の上面に載置されると共に、その内
壁３４には多数の孔３５があられているためＡ冷
却流体供給部２５と同様に冷却空気がベルジヤ１
４の上部に吹きつけられる。ここでベルジヤ１４
とＢ冷却流体供給部３３とは腕２９に取付けられ
ているため、同時に昇降可能であり、ベルジヤ１
４の下面がノズル１８Ａの上方まで上昇した後は
腕２９を旋回させることによりベルジヤ１４およ
びＢ冷却流体供給部３３を側方へ旋回することが
可能になつている。
および回転機構２８が設けてあり、同機構２８は
上端に腕２９が固着され、腕２９の先端は把持具
３０によりベルジヤ１４の頂部に固着した把持部
３１を離脱可能に把持している。また腕２９の先
端は把持具３２によりＢ冷却流体供給部３３を取
付けている。Ｂ冷却流体供給部３３の下端はラン
プハウス２４の上面に載置されると共に、その内
壁３４には多数の孔３５があられているためＡ冷
却流体供給部２５と同様に冷却空気がベルジヤ１
４の上部に吹きつけられる。ここでベルジヤ１４
とＢ冷却流体供給部３３とは腕２９に取付けられ
ているため、同時に昇降可能であり、ベルジヤ１
４の下面がノズル１８Ａの上方まで上昇した後は
腕２９を旋回させることによりベルジヤ１４およ
びＢ冷却流体供給部３３を側方へ旋回することが
可能になつている。
第２図において、下側左右それぞれ２個のラン
プハウス２４は端部ＡおよびＢが互いに回動自在
に連結され、下側中央は切離されるようになつて
おり、同図に点線で示した位置に移動可能になつ
ている。
プハウス２４は端部ＡおよびＢが互いに回動自在
に連結され、下側中央は切離されるようになつて
おり、同図に点線で示した位置に移動可能になつ
ている。
ＡおよびＢ冷却流体供給部２５および３３から
吹き出された冷却空気はベルジヤ１４の外周およ
びランプ２３を冷却しながら下降し、排気ダクト
２１内に入つた後、図の上方に示した排気管２２
から外部に強制的に排出される。反応ガスの流れ
るノズル１８Ａは図に示すようにこの例では放射
状に８本設けてあり、先端近くには下向きの孔３
６（第１図参照）が１個あけてあり、かつこの孔
３６の８本のノズル１８Ａの２本或いは４本を組
にして回転軸１３の軸心からの距離を第３図Ａ，
ＢにＲ１，Ｒ２で示すように、変えることによ
り、軸心に対し勾配を有するサセプタ組立体１１
上に配列されているウエハ１２の全体に対して反
応ガスがより均一に接触するようにしてある。な
お、ノズル１８Ａの本数を適宜に定め、各々のノ
ズル孔３６が軸方向に配列されたウエハ１２にそ
れぞれ順次対応させるようにしてもよい。
吹き出された冷却空気はベルジヤ１４の外周およ
びランプ２３を冷却しながら下降し、排気ダクト
２１内に入つた後、図の上方に示した排気管２２
から外部に強制的に排出される。反応ガスの流れ
るノズル１８Ａは図に示すようにこの例では放射
状に８本設けてあり、先端近くには下向きの孔３
６（第１図参照）が１個あけてあり、かつこの孔
３６の８本のノズル１８Ａの２本或いは４本を組
にして回転軸１３の軸心からの距離を第３図Ａ，
ＢにＲ１，Ｒ２で示すように、変えることによ
り、軸心に対し勾配を有するサセプタ組立体１１
上に配列されているウエハ１２の全体に対して反
応ガスがより均一に接触するようにしてある。な
お、ノズル１８Ａの本数を適宜に定め、各々のノ
ズル孔３６が軸方向に配列されたウエハ１２にそ
れぞれ順次対応させるようにしてもよい。
次に前述した実施例の動作を説明する。昇降等
の機構２８によりベルジヤ１４とＢ冷却流体供給
部３３を上昇させ、次いでランプハウス２４を第
２図の点線で示す位置まで開いた後ウエハ１２を
サセプタ組立体１１に取付ける。この後昇降等の
機構２８によりベルジヤ１４とＢ冷却流体供給部
３３を下降させて第１図の状態にする。この状態
で内管１７と外管１８からN2ガスを噴出して空
気をパージし、空気のパージが終了した後、H2
ガスにより以前N2ガスをパージし、次いでラン
プ２３により加熱する。加熱によりウエハ１２が
所定温度に達すると外管１８従つてノズル１８Ａ
からH2ガスと共にシラン等の反応ガスを噴出さ
せることにより気相成長を行なう。各ノズル１８
Ａの孔３６は、第３図Ａ，Ｂに示したように、サ
セプタ組立体１１回転軸心からの距離Ｒ１，Ｒ２
が異なつているため、勾配をもつて配列されてい
るウエハ１２の全域にわたつて反応ガスがより一
様に接触し、均一な膜厚が得られる。
の機構２８によりベルジヤ１４とＢ冷却流体供給
部３３を上昇させ、次いでランプハウス２４を第
２図の点線で示す位置まで開いた後ウエハ１２を
サセプタ組立体１１に取付ける。この後昇降等の
機構２８によりベルジヤ１４とＢ冷却流体供給部
３３を下降させて第１図の状態にする。この状態
で内管１７と外管１８からN2ガスを噴出して空
気をパージし、空気のパージが終了した後、H2
ガスにより以前N2ガスをパージし、次いでラン
プ２３により加熱する。加熱によりウエハ１２が
所定温度に達すると外管１８従つてノズル１８Ａ
からH2ガスと共にシラン等の反応ガスを噴出さ
せることにより気相成長を行なう。各ノズル１８
Ａの孔３６は、第３図Ａ，Ｂに示したように、サ
セプタ組立体１１回転軸心からの距離Ｒ１，Ｒ２
が異なつているため、勾配をもつて配列されてい
るウエハ１２の全域にわたつて反応ガスがより一
様に接触し、均一な膜厚が得られる。
このとき内管１７からはそのままH2ガスを噴
出させることによりベルジヤ１４の上部空間を
H2ガスで充満せしめ、もつてベルジヤ１４の上
部壁面の冷却と上部壁面への反応ガスの接触を阻
止する。そしてこれらのガスはベースプレート１
６の穴１９Ｂから排出される。このときサセプタ
組立体１１とベースプレート１６の間に円筒体１
５があるため、ガスがサセプタ組立体１１の下部
に回り込んでゴミを舞い上げたり、ベルジヤ１４
内のガス流を乱したりすることなく円滑に排出さ
れる。ランプ２３による加熱と同時に送風機およ
び冷却機からの冷却空気は、ＡおよびＢ冷却流体
供給部２５および３３の孔２６および３５を通つ
てベルジヤ１４およびランプ２３に吹きつけら
れ、ランプ２３とベルジヤ１４を冷却した後ベル
ジヤ１４に沿つて下降し、排気ダクト２１から排
気管２２により強制的に排気される。この風量は
石英ベルジヤ１４の大きさによるが数10m3／分か
ら数100m3／分と極めて大量であるが、排気ダク
ト２１はベルジヤ１４の下方を囲んで円周上に大
きいため排気抵抗は小さく排気管２２から吸引す
ることにより円滑な排気が可能である。
出させることによりベルジヤ１４の上部空間を
H2ガスで充満せしめ、もつてベルジヤ１４の上
部壁面の冷却と上部壁面への反応ガスの接触を阻
止する。そしてこれらのガスはベースプレート１
６の穴１９Ｂから排出される。このときサセプタ
組立体１１とベースプレート１６の間に円筒体１
５があるため、ガスがサセプタ組立体１１の下部
に回り込んでゴミを舞い上げたり、ベルジヤ１４
内のガス流を乱したりすることなく円滑に排出さ
れる。ランプ２３による加熱と同時に送風機およ
び冷却機からの冷却空気は、ＡおよびＢ冷却流体
供給部２５および３３の孔２６および３５を通つ
てベルジヤ１４およびランプ２３に吹きつけら
れ、ランプ２３とベルジヤ１４を冷却した後ベル
ジヤ１４に沿つて下降し、排気ダクト２１から排
気管２２により強制的に排気される。この風量は
石英ベルジヤ１４の大きさによるが数10m3／分か
ら数100m3／分と極めて大量であるが、排気ダク
ト２１はベルジヤ１４の下方を囲んで円周上に大
きいため排気抵抗は小さく排気管２２から吸引す
ることにより円滑な排気が可能である。
一定時間気相成長が行われた後ランプ２３を消
して加熱を停止すると共に、両管１７および１８
からH2ガスのみを噴出させて反応ガスのパージ
を行いながらベルジヤ１４を介してウエハ１２を
冷却し、次いでH2ガスを停止してN2ガスを噴出
することによりベルジヤ１４内をN2ガスにする。
最後にベルジヤ１４等の昇降等の機構２８により
上昇させると共に、ランプハウス２４を開いてウ
エハ１２を取り出せば一連の気相成長作業は終了
する。なおベルジヤ１４の洗浄が必な場合はベル
ジヤ１４を上昇後昇降および回転機構２８により
側方へ旋回させた後、下降させて台（図示せず）
上に着床させ、ベルジヤ１４を把持具３０から離
脱して洗浄する。
して加熱を停止すると共に、両管１７および１８
からH2ガスのみを噴出させて反応ガスのパージ
を行いながらベルジヤ１４を介してウエハ１２を
冷却し、次いでH2ガスを停止してN2ガスを噴出
することによりベルジヤ１４内をN2ガスにする。
最後にベルジヤ１４等の昇降等の機構２８により
上昇させると共に、ランプハウス２４を開いてウ
エハ１２を取り出せば一連の気相成長作業は終了
する。なおベルジヤ１４の洗浄が必な場合はベル
ジヤ１４を上昇後昇降および回転機構２８により
側方へ旋回させた後、下降させて台（図示せず）
上に着床させ、ベルジヤ１４を把持具３０から離
脱して洗浄する。
本発明の気相成長装置は以上説明したように、
ベースプレートを貫通して上方に伸びる回転軸に
取付けられかつ軸方向に勾配を有するバレル型の
サセプタと、軸心からの距離が短かい側のサセプ
タ端部から離れて該サセプタの軸心に対し垂直に
位置する平面上に、ほぼサセプタの表面に沿つて
軸方向へ反応ガスを供給する複数本のノズルを設
けると共に、該ノズルのノズル孔のサセプタ軸心
からの距離を変化させるように構成した。
ベースプレートを貫通して上方に伸びる回転軸に
取付けられかつ軸方向に勾配を有するバレル型の
サセプタと、軸心からの距離が短かい側のサセプ
タ端部から離れて該サセプタの軸心に対し垂直に
位置する平面上に、ほぼサセプタの表面に沿つて
軸方向へ反応ガスを供給する複数本のノズルを設
けると共に、該ノズルのノズル孔のサセプタ軸心
からの距離を変化させるように構成した。
この構成によりサセプタに取付けた多数のウエ
ハは、サセプタが軸方向に勾配を有することと共
にノズル孔のサセプタ軸心からの距離が変化して
いることにより反応ガスに対し一様にかつ多量に
接するため気相成長の膜厚さは一定でかつ、短時
間に成長して生産性の高い利点を有する。
ハは、サセプタが軸方向に勾配を有することと共
にノズル孔のサセプタ軸心からの距離が変化して
いることにより反応ガスに対し一様にかつ多量に
接するため気相成長の膜厚さは一定でかつ、短時
間に成長して生産性の高い利点を有する。
図は本発明の一実施例を示し第１図は断面図、
第２図は第１図の２−２線断面図、第３図Ａ，Ｂ
はノズル孔とサセプタの関係を示す部分拡大断面
図である。 １１……サセプタ組立体、１２……ウエハ、１
３……回転軸、１４……ペルジヤ、１５……円筒
体、１６……ベースプレート、１７……内管、１
８……外管、１８Ａ……ノズル、２３……ラン
プ、２４……ランプハウス、２５，３３……（冷
却流体供給部、２８……昇降および回転機構、３
６……ノズル孔。
第２図は第１図の２−２線断面図、第３図Ａ，Ｂ
はノズル孔とサセプタの関係を示す部分拡大断面
図である。 １１……サセプタ組立体、１２……ウエハ、１
３……回転軸、１４……ペルジヤ、１５……円筒
体、１６……ベースプレート、１７……内管、１
８……外管、１８Ａ……ノズル、２３……ラン
プ、２４……ランプハウス、２５，３３……（冷
却流体供給部、２８……昇降および回転機構、３
６……ノズル孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 軸方向に勾配を有するバレル型のサセプタを
備えた気相成長装置において、軸心からの距離が
短かい側のサセプタ端部から離れて該サセプタの
軸心に対し垂直に位置する平面上に、ほぼサセプ
タの表面に沿つて軸方向へ反応ガスを供給する複
数本のノズルを設けると共に、該ノズルのノズル
孔のサセプタ軸心からの距離を変化させたことを
特徴とする気相成長装置。 ２ サセプタ軸心からノズル孔までの距離がサセ
プタの軸方向に配列されるウエハの各々に対応し
て定められていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947684A JPS6186497A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947684A JPS6186497A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186497A JPS6186497A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0310596B2 true JPH0310596B2 (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=16573476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20947684A Granted JPS6186497A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186497A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2628985B1 (fr) * | 1988-03-22 | 1990-12-28 | Labo Electronique Physique | Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots |
| US5160545A (en) * | 1989-02-03 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for epitaxial deposition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132531A (en) * | 1974-07-16 | 1976-03-19 | Solvay | Arukiruasetofuenonno seiho |
| JPS5480071A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Vapor growth method for semiconductor layer |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP20947684A patent/JPS6186497A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132531A (en) * | 1974-07-16 | 1976-03-19 | Solvay | Arukiruasetofuenonno seiho |
| JPS5480071A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Vapor growth method for semiconductor layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6186497A (ja) | 1986-05-01 |
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