JPH0249280B2 - Kisoseichosochi - Google Patents

Kisoseichosochi

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JPH0249280B2
JPH0249280B2 JP20947584A JP20947584A JPH0249280B2 JP H0249280 B2 JPH0249280 B2 JP H0249280B2 JP 20947584 A JP20947584 A JP 20947584A JP 20947584 A JP20947584 A JP 20947584A JP H0249280 B2 JPH0249280 B2 JP H0249280B2
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JP
Japan
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bell gear
base plate
lamp
susceptor assembly
bell
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP20947584A
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English (en)
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JPS6186495A (ja
Inventor
Masayuki Nozawa
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
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Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はシリコン等の半導体物質基板(以下ウ
エハという)にシリコン結晶等を気相成長させる
バレル型の気相成長装置に関する。
〔技術分野〕
従来実用化されているランプ加熱によるバレル
型の気相成長装置は、サセプタを回転させる回転
軸の駆動源が上方にあつた。これは、回転軸と共
にサセプタを上昇させ、反応管およびそれを取囲
むランプハウスの上方に該サセプタを位置させて
ウエハの取付け、取外しを行ない易くするためで
ある。しかしながら、駆動源が上方にあると、回
転部からのゴミがウエハに落下して汚染を生ずる
欠点がある。そこで、駆動源を下方に位置させる
方式のものも提案されている。この方式ではベル
形の反応管すなわちベルジヤと共にその周囲に設
けられているランプハウスを上昇させなければ、
サセプタに対するウエハの取付け、取外しが行な
い難く、装置構成上好ましくないとされていた。
〔発明の目的〕
本発明はこのような欠点を除去したものでその
目的は、一部のランプハウスを側方へ移動可能即
ちウエハ着脱の際を開かせることによりウエハの
着脱を行なうようにし簡潔な構成により下方駆動
方式を採用し得るようにした気相成長装置を提供
することにある。
〔発明の要点〕
本発明の気相成長装置は、ベースプレートと、
ベースプレートを貫通して上方に伸びる回転軸
と、回転軸に取付けられたバレル型のサセプタ組
立体と、下端がベースプレートに密封可能になさ
れたサセプタ組立体の周囲に反応室を形成するベ
ルジヤと、ベルジヤの昇降機構と、ベルジヤの外
方を取巻いて位置しサセプタ組立体のサセプタに
対向すべく設けられた複数のランプハウスとから
なり、該ランプハウスのうちのいくつかの外方が
開き得るように構成したものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を示した図について説明
する。第1図においてサセプタ組立体11は複数
枚の短冊状をしたサセプタが多角形状に配置され
ると共に、軸心に対し勾配を有しかつ上面および
下面はフタ状体によりおおわれておりその外周に
は多数のウエハ12が取付けてある。サセプタ組
立体11は上下のフタ状体に固着したセラミツク
ス等に非金層製かつ中空の回転軸13により両方
向は回転させるようになされており、その外周お
よび上方は石英製のベルジヤ14によりおおわれ
ている。
ベルジヤ14の下方にはこれと同心かつサセプ
タ組立体11の回転を妨げない近接したわずかな
隙間を有する位置に石英製の円筒体15があり、
ベルジヤ14および円筒体15は共にステンレス
鋼製のベースプレート16上に密接した状態で載
置されている。なお円筒体15はサセプタ組立体
11の下端に固着しベースプレート16に対しわ
ずかな隙間をもつて対向するようにしてもよい。
そしてベルジヤ14とサセプタ組立体11および
円筒体15により形成される空間を反応室とい
い、回転軸13はベースプレート16を気密に貫
通している。ベルジヤ14の下側内周と円筒体1
5の下側外周との間にはベースプレート16の表
面から金属イオンの放出を阻止するため石英リン
グ19Aが敷かれており、この石英リング19A
とベースプレート16には反応室のガスを外部に
排出するための孔19Bがあけてある。
回転軸13の中心にはそれぞれ固定の内管17
および外管18の2重管が設けられ内管17から
はN2或いはH2のガスが上方に向つて流れ外管1
8は上端で複数(図では2本のみ示してある)に
分岐してノズル18Aになつて下方にあるウエハ
12に向つて反応ガスが流れるようになつてい
る。なお反応ガスの流れの細部は後述する。
ベルジヤ14の下部外周には、これを取り囲
み、ベースプレート16の外周に配置されたベー
ス20とによりベルジヤ14側のみを開放した排
気ダクト21が設けられ、この排気ダクト21は
第2図に示す排気管22に接続されている。排気
ダクト21上には、多数のランプ23を有するラ
ンプハウス24が、第2図に示すように、ベルジ
ヤ14を取り囲んで配置されている。ランプハウ
ス24の背面側にはA冷却流体供給部25が形成
され、A冷却流体供給部25には不図示の送風機
および冷却機からの冷却空気が吹き込まれ、冷却
空気はランプ23側に多数設けられた孔26から
ランプ23およびベルジヤ14に吹きつけられて
これらを冷却するようになつている。
ベース20には排気ダクト21に隣接して昇降
および回転機構28が設けてあり、同機構28は
上端に腕29が固着され、腕29の先端は把持具
30によりベルジヤ14の頂部に固着した把持部
31を離脱可能に把持している。また腕29の先
端は把持具32によりB冷却流体供給部33を取
付けている。B冷却流体供給部33の下端はラン
プハウス24の上面に載置されると共に、その内
壁34には多数の孔35があけられているためA
冷却流体供給部25と同様に冷却空気がベルジヤ
14の上部に吹きつけられる。ここでベルジヤ1
4とB冷却流体供給部33とは腕29に取付けら
れているため、同時に昇降可能であり、ベルジヤ
14の下面がノズル18Aの上方まで上昇した後
は腕29を旋回させることによりベルジヤ14お
よびB冷却流体供給部33を側方へ旋回すること
が可能になつている。
第2図において、下側左右それぞれ2個のラン
プハウス24は端部AおよびBが互いに回転自在
に連結され、下側中央は切離されるようになつて
おり、同図に点線で示した位置に移動可能になつ
ている。
AおよびB冷却流体供給部25および33から
吹き出された冷却空気はベルジヤ14の外周およ
びランプ23を冷却しながら下降し、排気ダクト
21内に入つた後、図の上方に示した排気管22
から外部に強制的に排出される。反応ガスの流れ
るノズル18Aは図に示すようにこの例では放射
状に8本設けてあり、先端近くには下向きの孔3
6(第1図参照)が1個あけてあり、かつこの孔
36は8本のノズル18Aの2本或いは4本を組
にして回転軸13の軸心からの距離を変えること
により、軸心に対し勾配を有するサセプタ組立体
11上の軸心からの距離の異なるウエハ12の
各々に対応して反応ガスが噴出するようにしてあ
る。
或いはこの構成のほかノズル18Aの2本を組
にしてそれぞれの先端近くに孔36を互いに向き
合う形で傾斜して設けることにより、噴出した2
つの反応ガスの流れが衝突して下向きの広いガス
流を形成するようにしてもよい。
次に前述した実施例の動作を説明する。昇降等
の機構28によりベルジヤ14とB冷却流体供給
部33を上昇させ、次いでランプハウス24を第
2図の点鎖で示す位置まで開いた後ウエハ12を
サセプタ組立体11に取付ける。この後昇降等の
機構28によりベルジヤ14とB冷却流体供給部
33を下降させて第1図の状態にする。この状態
で内管17と外管18からN2ガスを噴出して空
気をパージし、空気のパージが終了した後、H2
ガスにより前記N2ガスをパージし、次いでラン
プ23により加熱する。加熱によりウエハ12が
所定温度に達すると外管18従つてノズル18A
からH2ガスと共にミラン等の反応ガスを噴出さ
せることにより気相成長を行なう。
このとき内管17からはそのままH2ガスを噴
出させることによりベルジヤ14の上部空間を
H2ガスで充満せしめ、もつてベルジヤ14の上
部壁面の冷却と上部壁面への反応ガスの接触を阻
止する。そしてこれらのガスはベースプレート1
6の穴19Bから排出される。このときサセプタ
組立体11とベースプレート16の間に円筒体1
5があるため、ガスがサセプタ組立体11の下部
に回り込んでゴミを舞い上げたり、ベルジヤ14
内のガス流を乱したりすることなく円滑に排出さ
れる。ランプ23による加熱と同時に送風機およ
び冷却機からの冷却空気は、AおよびB冷却流体
供給部25および33の孔26および35を通つ
てベルジヤ14およびランプ23に吹きつけら
れ、ランプ23とベルジヤ14を冷却した後ベル
ジヤ14に沿つて下降し、排気ダクト21から排
気管22により強制的に排気される。この風量は
石英ベルジヤ14の大きさによるが数10m3/分か
ら数100m2/分を極めて大量であるが、排気ダク
ト21はベルジヤ14の下を囲んで円周上に大き
いため排気抵抗は小さく排気管22から吸引する
ことにより円滑な排気が可能である。
一定時間気相成長が行われた後ランプ23を消
して加熱を停止すると共に、両管17および18
からH2ガスのみを噴出させて反応ガスのパージ
を行いながらベルジヤ14を介してウエハ12を
冷却し、次いでH2ガスを停止してN2ガスを噴出
することによりベルジヤ14内をN2ガスにする。
最後にベルジヤ14等を昇降等の機構28により
上昇させると共にランプハウス24を開いてウエ
ハ12を取り出せば一連の気相成長作業は終了す
る。なおベルジヤ14の洗浄が必要な場合はベル
ジヤ14を上昇後昇降および回転機構28により
側方へ旋回させた後、下降させて台(図示せず)
上に着床させ、ベルジヤ14を把持具30から離
脱して洗浄する。
〔発明の効果〕
本発明の気相成長装置は、サセプタ組立体を下
方から駆動する方式において、ベルジヤの周囲に
配置されるランプハウスを上昇させずに一部を外
方へ開き得るように構成したため、装置構成が簡
単であり、ウエハの着脱時には、ベルジヤ等を上
昇させた後手前側のランプハウスを外方に開くこ
とにより、サセプタ組立体の外周面に手が容易に
とどくためウエハの着脱は極めて簡便である利点
を有する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示し第1図は断面図、
第2図は第1図の2−2線断面図である。 11……サセプタ組立体、12……ウエハ、1
3……回転軸、14……ベルジヤ、15……円筒
体、16……ベースプレート、17……内管、1
8……外管、23……ランプ、24……ランプハ
ウス、25,33……冷却流体供給部、28……
昇降および回転機構。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ベースプレートと、同ベースプレートを貫通
    して上方に伸びる回転軸と、同回転軸に取付られ
    たバレル型のサセプタ組立体と、下端が前記ベー
    スプレートに密封可能になされ前記サセプタ組立
    体の周囲に反応室を形成するベルジヤと、同ベル
    ジヤの昇降機構を、前記ベルジヤの外方を取巻い
    て位置し前記サセプタ組立体のサセプタに対向す
    べく設けられた複数のランプハウスとからなり、
    該ランプハウスのうちのいくつかが外方へ開き得
    るように構成されていることを特徴とする気相成
    長装置。 2 ベルジヤの略半周部分に対応するランプハウ
    スが観音開きになるよう前記略半周部分の中央の
    ランプハウス間が切離し可能に形成され、その左
    右のランプハウス間が揺動可能に連結されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の気
    相成長装置。
JP20947584A 1984-10-05 1984-10-05 Kisoseichosochi Expired - Lifetime JPH0249280B2 (ja)

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JPS6186495A JPS6186495A (ja) 1986-05-01
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