JPH03103917A - 光ディスクサブシステムの制御方式 - Google Patents

光ディスクサブシステムの制御方式

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JPH03103917A
JPH03103917A JP24260689A JP24260689A JPH03103917A JP H03103917 A JPH03103917 A JP H03103917A JP 24260689 A JP24260689 A JP 24260689A JP 24260689 A JP24260689 A JP 24260689A JP H03103917 A JPH03103917 A JP H03103917A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ディスクサブシステムの制御技術に関し、
特に、光ディスク駆動装置を複数の光ディスク制御装置
によって共有するようなシステム構或に適用して効果の
ある技術に関する。
〔従来の技術〕
たとえば、情報処理システムにおける外部記憶装置とし
て、磁気ディスクなどよりもはるかに高い情報記録密度
を有する光ディスクを媒体とする光ディスクサブシステ
ムが用いられるに至っている。
ところで、一般に光ディスクは磁気ディスクなどに比較
して記録媒体しての信頼度がいまだ低く、エラーが発生
する確率が高い。
このため、光ディスクに対するデータの記録過程におい
ては、所望の領域への書き込み動作の直後に当該領域か
らのデータの読み出しを行って検証するリード・アフタ
ー・ライト処理を実施し、データの書き込み品質が不十
分な単位記録領域(ブロック)を検出した場合には、交
替ブロックに対して再度同一データの書き込みを行うこ
とでデータの信頼度を確保している。
その場合、不良ブロックと交替ブロックとの対応関係を
明確にすることが必要となるが、光ディスクの場合には
、不良ブロック自体に対応する交替ブロックの位置情報
(ポインタ)を記録することは困難であり、データの再
生時に不良ブロックを検出した時点で交替ブロックのポ
インタ情報を検索して不良ブロックを救済するという処
理が必要となる。
このような交替ブロックのポインタの検索を実際に交替
ブロック領域にアクセスして行うと処理時間が増大する
原因となり、これを回避するため、たとえば特開昭62
−3321号公報に開示される技術のように、不良ブロ
ックと交替ブロックとの対応表を制御装置の内部の半導
体メモリ上に保持し、交替ブロックのポインタ情報の検
索を高速化するといった対策がとられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記の従来技術の場合には、一つの制御装置
によって光ディスク駆動装置を占有する場合にはそれな
りの効果があるが、複数の制御装置によって光ディスク
駆動装置を共有する場合については配慮されていない。
すなわち、ある制御装置からの書き込み処理によって不
良ブロックと交替ブロックとの対応情報に変更が生じた
場合も、他の制御装置のメモリ内の対応情報は以前のま
まであるため、当該他の制御装置が不良ブロックと交替
ブロックとの正しい対応関係を認識しないままで不良ブ
ロックをアクセスすることとなり、交替ブロックによる
不良ブロックの救済動作が正確に行われないという問題
がある。
これを回避すべく、不良ブロックを検出するたびに必ず
交替ブロック領域をアクセスしたのでは、制御装置内の
メモリに不良ブロックと交替ブロックとの対応表を保持
する意味がな《なる。
3 4 そこで、本発明の目的は、複数の光ディスク制御装置に
よる交替ブロック群への重複したアクセスを行うことな
く、不良ブロックの交替ブロックによる救済処理を正確
かつ効率良く行うことが可能な光ディスクサブシステム
の制御方式を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる光ディスクザブシステムの制御
方式は、固有のアドレスを有する複数のブロックを、通
常のユーザブロックと当該ユーザブロックにおける書き
込み不良を救済するための交替ブロックとに使い分ける
ようにした光ディスクと、この光ディスクに対するデー
タの記録・再生・消去を行う光ディスク駆動装置と、こ
の光ディスク駆動装置を共有して制御する複数の光ディ
スク制御装置とからなる光ディスクサブシステムであっ
て、光ディスク駆動装置の一部に、不良のユーザブロッ
クと交替ブロックとの対応関係を示す第1の情報と当該
第1の情報の更新の有無を示す第2の情報とを記憶する
記憶手段を設け、個々の光ディスク制御装置は当該第2
の情報に基づいて第1の情報の有効・無効を判断するこ
とにより、第1の情報の更新のための複数の光ディスク
制御装置による交替ブロック群への重複したアクセスを
回避するようにしたものである。
〔作用〕
上記した本発明の光ディスクサブシステムの制御方式に
よれば、たとえば、任意の光ディスク制御装置による光
ディスク駆動装置へのアクセスに際して、第2の情報を
参照することにより第1の情報が無効と判断された場合
に、交替ブロック領域への直接的なアクセスを行って不
良ブロックと交替ブロックとの対応関係を示す第1の情
報を記憶手段に書き込むとともに第2の情報を第1の情
報が有効であることを示すように設定しなおす。
これにより、他の光ディスク制御装置は、第2の情報に
よって第1の情報が有効であることを知ることができる
ので、第1の情報を新たに作或するなどの目的で交替ブ
ロック領域への重複したアクセスを行う必要がなくなる
また、任意の光ディスク制御装置による書き込み処理の
実行によって第Iの情報が変化した場合には、当該書き
込み処理の完了後、たとえば割り込み処理やフラグなど
の手段によって他の光ディスク制御装置に当該第1の情
報が変化したことを通知することで、すべての光ディス
ク制御装置が常に正確な第1の情報を用いて光ディスク
駆動装置の光ディスクに対するアクセスを行うことが可
能になる。
この結果、不良ブロックの交替ブロックによる救済処理
を含むデータの書き込みや読み出し処理を正確かつ迅速
に行うことが可能となる。
〔実施例1〕 以下、本発明の一実施例である光ディスクサブシステム
の制御方式の一例について図面を参照しなが詳細に説明
する。
第1図は、本実施例の光ディスクサブシステムの構戊の
一例を示すブロック図であり、第2図および第3図は、
その要部の一例を示す説明図、さらに第4図および第5
図は、その制御動作の一例を示すフローチャートであり
、第8図および第9図は、本実施例の光ディスクにおけ
るフォーマソトの一例を示す説明図である。
まず、第l図などを参照しながら、本実施例の光ディス
クサブシステムの構或の一例を説明する。
光ディスク駆動装置3には、記憶媒体としての光ディス
ク5を着脱自在に搭載しており、所定の速度で回転する
当該光ディスク5に対して図示しない光ヘッドなどを介
してデータの書き込み・読み出し・消去などの動作を行
う。
光ディスク5は、たとえば第8図に示されるように螺線
状に複数のトラック0〜トラックNが配置されており、
個々のトランクは周方向に所定数のセクタO〜セクタn
−1まてのn個のセクタに8 分割されている。そして、光ディスク5に対するデータ
の記録・再生・消去などは個々のセクタを単位として行
い、この単位をブロックと呼ぶ。
また、本実施例の場合には、第9図に示されるように、
大多数のトラックM+1〜トラックNを、通常のデータ
が記録されるユーザブロック領域52に割り当てるとと
もに、残りのトラック0〜トラックMを、当該ユーザブ
ロノク領域52に属するユーザブロックにおいて発生し
た不良ブロックの救済を行うための交替ブロンクが属す
る交替ブロック領域51に割り当てている。
光ディスク駆動装置3には、複数の光ディスク制御装置
2および光ディスク制御装置2aを介して、たとえば電
子計算機システムの中央処理装置やチャネルなどの上位
処理装置1および上位処理装置1aが接続されており、
当該上位処理装置1およびlaによって、光ディスク駆
動装置3が共有されている。
そして、光ディスク制御装置2および2aは、上位処理
装置1および1aから個別に発行される入出力命令を受
け取って光ディスク駆動装置3の動作を制御することに
より、当該光ディスク駆動装置3と複数の上位処理装置
1および1aとの間におけるデータの授受が行われる。
光ディスク制御装置2および2aの各々には、たとえば
、動作の高速な半導体メモリなどからなる交替領域管理
テーブル6および交替領域管理テーブル6aがそれぞれ
設けられており、たとえば第2図に示されるように、光
ディスク駆動装置3に搭載されている光ディスク5のユ
ーザブロック領域52において発生した不良ブロックと
、当該不良ブロックに記録されるべきデータが書き込ま
れている交替ブロックとの対応関係を示す情報が保持さ
れている。
そして、ユーザブロック領域52における読み出し時に
不良ブロックを検出した場合には、交替領域管理テーブ
ル6,6aを探索して当該不良ブロックに対応する交替
ブロックを見出すようにして、交替ブロック領域51へ
の直接的なアクセスによるアクセス速吸の低下を回避し
ている。
この場合、光ディスク駆動装置3の一部には、たとえば
動作の高速な半導体メモリなどからなるメモリ4 (記
憶手段〉が設けられており、たとえば第3図に示される
ように、交替領域管理テーブル42(第1の情報)と、
当該交替領域管理テーブル42に記録されている情報の
有効/無効を示す交替領域管理テーブル有効フラグ41
 (第2の情報)とが格納されるようになっている。交
替領域管理テーブル有効フラグ41は、フラグ−1の時
に有効、フラグ一〇の時に無効を示している。
以下、本実施例における光ディスクサブシステムの制御
方式の作用について、f54図および第5図に示される
フローチャートなどを参照しながら説明する。
まず、光ディスク5を光ディスク駆動装置3に装填した
直後における交替領域管理テーブルの作或処理について
、第4図のフローチャートを参照しながら説明する。
光ディスク5が光ディスク駆動装置3に装填されると、
当該光ディスク駆動装置3はメモリ4の交替領域管理テ
ーブル有効フラグ4lを無効にするとともに、接続され
ている複数の光ディスク制御装置2および2aに対して
光ディスク5が装填されたことを報告する。
次に、光ディスク5が装填されたことを光ディスク制御
装置2が先に認識したとする。
光ディスク制御装置2は、光ディスク駆動装置3に設け
られているメモリ4の交替領域管理テーブル有効フラグ
41を参照しくステップ1l1〉、有効/無効を調べて
(ステップ112)、無効であることを認識した後、交
替ブロック領域51への直接的なアクセスを行い(ステ
ップ113)、第2図に示されるようなユーザブロック
領域52における不良ブロックと交替ブロックとを対応
付けるアドレス情報などが記録された交替領域管理テー
ブル6を当該光ディスク制御装置2に作戊する(ステッ
プ114)。
その後、交替領域管理テーブル6と同様の情報を光ディ
スク駆動装置3に設けられたメモリ4の交替領域管理テ
ーブル42に書き込み(ステップ11 12 1 1 5) 、交替領域管理テーブル有効フラグ41
を有効にしておく (ステップ116)。
一方、当該光ディスク制御装置2よりも遅れて光ディス
ク駆動装匿3にアクセスする他の光ディスク制御装置2
aは、まず光ディスク駆動装置3のメモリ4の内部の交
替領域管理テーブル有効フラグ41をアクセスしくステ
ップ111)、有効か無効かを調べる(ステップ112
)。
このとき、すでに他の光ディスク制御装置2による前述
のような処理によって交替領域管理テーブル有効フラ、
グ41は有効にされているので、光ディスク制御装置2
aは、光ディスク駆動装置3のメモリ4の交替領域管理
テーブル42の内容を自身の交替領域管理テーブル6a
に読み込む(ステップ1l7)。
これにより、光ディスク制御装置2aでは光ディスク5
の交替ブロック領域への直接的なアクセスを重複して行
うことなく、交替領域管理テーブル6aを高速に作或す
ることができる。
次に、ユーザブロック領域に対するデータの書き込み処
理によって、光ディスク駆動装置3のメモリ4の交替領
域管即テーブル42および光ディスク制御装置2,2a
の交替領域管理テーブル6,6aが更新される場合の処
理の一例について、第5図に示されるフローチャートを
参照しながら説明する。
たとえば上位処理装置1から光ディスク制御装置2に対
して、光ディスク駆動装置3の光ディスク5のユーザブ
ロック領域へのデータの書き込みが指示された場合を考
える。
まず、データの書き込み命令を受けた光ディスク制御装
置2は、指定されたユーザブロックに対して書き込みを
試みる(ステップ120)。この時、リード・アフター
・ライト動作などによってデータの書き込みに或功した
か否かを調べ(ステップ1 2 1) 、書き込みに或
功した場合には書き込み動作を終了する。
一方、データの書き込みにおいて不良ブロックが発生し
たならば、当該不良ブロックに対して新たな交替ブロッ
クを割り当て、不良ブロックに書き込むべきデータを交
替ブロックに書き込む(ステップ122)。
次に、光ディスク制御装置2の交替領域管理テーブル6
に新たに発生した不良ブロソクと交替ブロックとの対応
情報を追加する(ステップ123)。
この時、不良ブロックと交替ブロックとの対応情報を光
ディスク駆動装置3のメモリ4における交替領域管理テ
ーブル42にも書き込み(ステップ1 2 4) 、他
の光ディスク制御装置2aに対して、メモリ4の交替領
域管理テーブル42が更新されたことを、たとえば割り
込み処理などによって通知するように指示する(ステッ
プ125)。
一方、光ディスク駆動装置3からの割り込み処理によっ
て、メモリ4の交替領域管理テーブル42が更新された
ことを通知された他の光ディスク制御装置2aは、光デ
ィスク駆動装置3のメモリ4をアクセスし、更新後の交
替領域管理テーブル42を読み出して、自身の交替領域
管理テーブル6aの内容を更新する。
このように、本実施例の光ディスクサブシステムの制御
方式によれば、光ディスク5の光ディスク駆動装置3に
対する装填時には、任意の1台の光ディスク制御装!2
 (2a)による1回の交替ブロック領域51へのアク
セスによって交替領域管理テーブル42,交替領域管理
テーブル6(6a)を作戊ずることができるので、複数
の光ディスク制御装置2および2aによる交替ブロノク
領域51への重複したアクセスを行う必要がない。
また、任意の光ディスク制御装置2(2a)による書き
込み動作などによって、光ディスク5におけるユーザブ
ロック領域52の不良ブロックと交替ブロック領域51
の交替ブロソクとの対応関係の状況が時々刻々と変化し
ても、他の光ディスク制御装1f2a (2)は、光デ
ィスク5の交替ブロック領域51に対する直接的なアク
セスを重複して行うことなく、更新後の最新の不良ブロ
ックと交替ブロソクとの対応関係を示す情報をメモリ4
の交替領域管理テーブル42を参照することで把握する
ことができる。
15 16 この結果、光ディスク5の回転速度や、径方向における
図示しない光ヘンドの移動による目的トラックへの位置
付け動作、すなわちシーク動作が比較的遅い光ディスク
駆動装@3などの場合において、不良ブロックに遭遇し
た時の交替ブロックによる救済処理を正確かつ効率良く
行うことができる。
〔実施例2〕 第6図は、本発明の他の実施例である光ディスクサブシ
ステムの制御方式の一例を示すフローチャートであり、
第7図は、光ディスク駆動装置3に設けられたメモリ4
の内容の一例を示す説明図である。
前記実施例1の場合には、任意の光ディスク制御装置2
(2a)の書き込み動作によるメモリ4の交替領域管理
テーブル42の更新の通知を、光ディスク駆動装置3か
ら光ディスク制御装置2a(2)に対する割り込み処理
によって行わせていたが、本実施例2の場合には、個々
の光ディスク制御装置2,2a毎に設けられた更新フラ
グ43を介して知らせるようにしたところが異なる。
ずなちわ、任意の光ディスク制御装置2(2a)による
データの書き込み処理に際して、不良ブロックが発生し
た場合には、適宜交替ブロック領域の交替ブロックを割
り当ててデータの書き込み処理を行うとともに、新たに
発生した不良ブロックと交替ブロックとの対応関係を示
す情報を光ディスク駆動装置3のメモリ4の交替領域管
理テーブル42に追加し、自身の交替領域管理テーブル
6(6a>の内容も更新する。この時、本実施例の場合
には、さらに、更新フラグ43の自分自身に対応するビ
ットをオフにしておくとともに、他の光ディスク制御装
置2aに対応するビットをオンにする。
こうすることにより、他の光ディスク制御装置2aが光
ディスク駆動装置3にアクセスする場合には、第6図に
示されるように、まず、光ディスク駆動装置3のメモリ
4における更新フラグ43の自分自身に対応するビット
を参照し、オンかオフかを調べる(ステップ130)。
そして、オンになっていると判定された場合には、自身
が保持する交替領域管理テーブル6aの内容が現在の光
ディスク5における状況に一致しないと判断して、光デ
ィスク駆動装置3のメモリ4の交替領域管理テーブル4
2の内容を読み出して自身の交替領域管理テーブル6a
を最新の情報によって更新しくステップ1 3 1) 
、その後、更新フラグ43において自身に対応するビッ
トをオフにする(ステップ132〉。
以降は、当該アクセスが読み出し処理の場合には、特に
図示しないが、不良ブロックに遭遇する毎に、最新の状
態に更新された交替領域管理テーブル6aの内容を参照
して対応する交替ブロックを見出しながら、処理を正確
に遂行する。
一方、当該アクセスがデータの書き込み処理の場合には
、ユーザブロックの書き込み処理を行い(ステップ13
3)、当該書き込みにおいて不良ブロックが発生したか
否かを調べる(ステップ134)。
そして、不良ブロックが発生して場合には、空いている
交替ブロックの割り当ておよび当該交替ブロックに対す
る不良ブロックのデータの書き込みを行い(ステップ1
35)、自身の交替領域管理テーブル6aの内容を更新
する(ステップ136)。
同時に光ディスク駆動装置3のメモリ4における交替領
域管理テーブル42の内容も更新するとともに(ステッ
プl37)、当該交替領域管理テーブル42の内容が更
新されたことを後にアクセスする他の光ディスク制御装
置2に通知すべく、当該光ディスク制御装置2に対応す
る更新フラグ43のビットをオンにセットする(ステッ
プ138)。
このように、本実施例2の場合には、光ディスク駆動装
置3のメモリ4に設けられた更新フラグ43を参照する
ことにより、複数の光ディスク制御装置2および2aに
よる光ディスク5の交替ブロック領域51への重複した
アクセスを行うことなく、各々の光ディスク制御装置2
および2aは最新の不良ブロックと交替ブロックとの対
応関係19 20 を示す情報を認識することができ、交替ブロックを適宜
用いるデータの書き込み処理および読み出し処理を迅速
かつ正確に遂行することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、上記の各実施例では、個々の光ディスク制御
装置および光ディスク駆動装置の各々に交替領域管理テ
ーブルを設けているが、それに限らず、光ディスク駆動
装置のみに交替領域管理テーブルを設けるようにしても
よい。
また、光ディスク駆動装置の内部には交替領域管理テー
ブルそのものではなく、更新情報のみを保持するように
してもよい。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
すなわち、本発明になる光ディスクサブシステムの制御
方式によれば、固有のアドレスを有する複数のブロック
を、通常のユーザブロックと当該ユーザブロックにおけ
る書き込み不良を救済するための交替ブロックとに使い
分けるようにした光ディスクと、この光ディスクに対す
るデータの記録・再生・消去を行う光ディスク駆動装置
と、この光ディスク駆動装置を共有して制御する複数の
光ディスク制御装置とからなる光ディスクサブシステム
であって、前記光ディスク駆動装置の一部に、不良の前
記ユーザブロックと前記交替ブロックとの対応関係を示
す第1の情報と当該第1の情報の更新の有無を示す第2
の情報とを記憶する記憶手段を設け、個々の前記光ディ
スク制御装置は当該第2の情報に基づいて前記第1の情
報の有効・無効を判断することにより、前記第1の情報
の更新のための複数の前記光ディスク制御装置による前
記交替ブロック群への重複したアクセスを回避するよう
にしたので、たとえば、任意の光ディスク制御装置によ
る光ディスク駆動装置へのアクセスに際して、第2の情
報を参照することにより第1の情報が無効と判断された
場合に、交替ブロック領域への直接的なアクセスを行っ
て不良ブロックと交替ブロックとの対応関係を示す第1
の情報を記憶手段に書き込むとともに第2の情報を第1
の情報が有効であることを示すように設定しなおすこと
で、他の光ディスク制御装置は、第2の情報によって第
1の情報が有効であることを知ることができ、第1の情
報を新たに作或するなどの目的で交替ブロック領域への
重複したアクセスを行う必要がなくなる。
また、任意の光ディスク制御装置による書き込み処理の
実行によって第1の情報が変化した場合には、当該書き
込み処理の完了後、たとえば割り込み処理やフラグなど
の手段によって他の光ディスク制御装置に当該第1の情
報が変化したことを通知することで、すべての光ディス
ク制御装置が常に正確な第1の情報を用いて光ディスク
駆動装置の光ディスクに対するアクセスを行うことが可
能になる。
この結果、不良ブロックの交替ブロックによる救済処理
を含むデータの書き込みや読み出し処理を正確かつ迅速
に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本実施例の光ディスクサブシステムの構或の
一例を示すブロック図、 第2図は、その要部の一例を示す説明図、第3図は、同
じくその要部の一例を示す説明図、第4図は、その制御
動作の一例を示すフローチャート、 第5図は、同じくその制御動作の一例を示すフローチャ
ート、 第6図は、本発明の他の実施例である光ディスクサブシ
ステムの制御方式の一例を示すフローチャート、 第7図は、実施例2の光ディスク駆動装置に設けられた
記憶手段の内容の一例を示す説明図、第8図は、本実施
例の光ディスクにおけるフォーマットの一例を示す説明
図、 第9図は、本実施例の光ディスクにおけるフォ23 24 −マットの一例を示す説明図である。 1,1a・・・上位処理装置、2  2a・・・光ディ
スク制御装置、3・・・光ディスク駆動装置、4・・・
メモリ (記憶手段)、41・・・交替領域管理テーブ
ル有効フラグ(第2の情報)、42・・・交替領域管理
テーブル(第1の情報)、43・・・更新フラグ、5・
・・光ディスク、66a・・・交替領域管理テーブル、
51・・・交替ブロック領域、52・・・ユーザブロッ
ク領域、111〜117・・・光ディスクの装填直後に
おける交替領域管理テーブルの作戊処理の一例を示すス
テップ、■20〜125・・・ユーザブロックの書き込
み処理の一例を示すステップ、130〜138・・・ユ
ーザブロックの書き込みまたは読み出し処理の一例を示
すステップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、固有のアドレスを有する複数のブロックを、通常の
    ユーザブロックと当該ユーザブロックにおける書き込み
    不良を救済するための交替ブロックとに使い分けるよう
    にした光ディスクと、この光ディスクに対するデータの
    記録・再生・消去を行う光ディスク駆動装置と、この光
    ディスク駆動装置を共有して制御する複数の光ディスク
    制御装置とからなる光ディスクサブシステムであって、
    前記光ディスク駆動装置の一部に、不良の前記ユーザブ
    ロックと前記交替ブロックとの対応関係を示す第1の情
    報と当該第1の情報の更新の有無を示す第2の情報とを
    記憶する記憶手段を設け、個々の前記光ディスク制御装
    置は当該第2の情報に基づいて前記第1の情報の有効・
    無効を判断することにより、前記第1の情報の更新のた
    めの複数の前記光ディスク制御装置による前記交替ブロ
    ック群への重複したアクセスを回避するようにしたこと
    を特徴とする光ディスクサブシステムの制御方式。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007192455A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Fujitsu General Ltd 空気調和機

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JP2007192455A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Fujitsu General Ltd 空気調和機

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