JPH03103803A - 有機光導波路の製造方法 - Google Patents
有機光導波路の製造方法Info
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- JPH03103803A JPH03103803A JP24069889A JP24069889A JPH03103803A JP H03103803 A JPH03103803 A JP H03103803A JP 24069889 A JP24069889 A JP 24069889A JP 24069889 A JP24069889 A JP 24069889A JP H03103803 A JPH03103803 A JP H03103803A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
有機光導波路の製造方法に関し、
伝播ロスや非線形光学効果の低下を軽減することを目的
とし、 光導波路の一部に有機非線形光学材料を挿入して有機光
導波路を製造する際に、セルフアラインメント法により
パターンニングし、または得られる光導波路の周囲に導
波路より屈折率の低い領域を設けることにより構威する
。
とし、 光導波路の一部に有機非線形光学材料を挿入して有機光
導波路を製造する際に、セルフアラインメント法により
パターンニングし、または得られる光導波路の周囲に導
波路より屈折率の低い領域を設けることにより構威する
。
本発明は、非線形光学導波路などの有機光導波路の製造
方法に関する。
方法に関する。
有機光導波路は、通常、ドライエッチング法を用いて形
成される。しかし、その際に、エッジ部分や表面にぎざ
ぎざの凹凸が生じ、得られる導波路の伝播ロスが大きく
なるという問題があった。
成される。しかし、その際に、エッジ部分や表面にぎざ
ぎざの凹凸が生じ、得られる導波路の伝播ロスが大きく
なるという問題があった。
これに対して、ガラス導波路上にクラッド層として有機
物結晶を適用するという方法も知られているが、これを
非線形光学素子として用いる場合、有機物結晶への光の
しみ出しを利用することとなるため、効果が弱まるとい
う問題があった。
物結晶を適用するという方法も知られているが、これを
非線形光学素子として用いる場合、有機物結晶への光の
しみ出しを利用することとなるため、効果が弱まるとい
う問題があった。
本発明は、従って、有機光導波路の伝播ロスを（１）
（２）
低減し、非線形光学導波路として用いる場合には、非線
形光学効果が低下するのを抑制し、伝播ロスを低減させ
ることのできる、有機光導波路の製造方法を提供しよう
とするものである。
形光学効果が低下するのを抑制し、伝播ロスを低減させ
ることのできる、有機光導波路の製造方法を提供しよう
とするものである。
本発明によれば、上記課題を解決するため、光導波路の
一部に有機非線形光学材料を挿入して有機光導波路を製
造するに当り、セルフアラインメント法によりパターン
ニングすることを特徴とする有機光導波路の製造方法が
提供される。
一部に有機非線形光学材料を挿入して有機光導波路を製
造するに当り、セルフアラインメント法によりパターン
ニングすることを特徴とする有機光導波路の製造方法が
提供される。
本発明によれば、また、有機先導波路を形成した後、得
られた光導波路の周囲に無機物または他の有機物からな
る、導波路より低い屈折率を有する領域を設けることを
特徴とする有機光導波路の製造方法が提供される。
られた光導波路の周囲に無機物または他の有機物からな
る、導波路より低い屈折率を有する領域を設けることを
特徴とする有機光導波路の製造方法が提供される。
〔作 用〕
光導波路の一部に有機非線形光学材料を挿入するに際し
て、これをセルフアラインメント法によるパターンニン
グにより行って有機光導波路とすることにより、エッジ
部分や表面における凹凸の発生が抑制される。また、得
られた有機光導波路の周囲に無機物または有機物からな
る、導波路より低い屈折率を有する領域を設けることに
より、凹凸による光のしみ出しや散乱が抑制され、また
シングル導波路に類似の導波路とすることができる。
て、これをセルフアラインメント法によるパターンニン
グにより行って有機光導波路とすることにより、エッジ
部分や表面における凹凸の発生が抑制される。また、得
られた有機光導波路の周囲に無機物または有機物からな
る、導波路より低い屈折率を有する領域を設けることに
より、凹凸による光のしみ出しや散乱が抑制され、また
シングル導波路に類似の導波路とすることができる。
以下に、有機の非線形光学導波路を例にとり、図面を参
照しながら、本発明の実施例について説明する。
照しながら、本発明の実施例について説明する。
第１図は、導波路の側面のエッチングによりぎざぎざ状
凹凸による伝播ロスを低減するための方法の一例を説明
する図である。第１図（ａ）に示す如く、下地基板１に
、例えば、ＴｉｘＳｉｙＯｚまたはａ−ＳｉｘＮｙＯｚ
： ＨからなるＮ２を形或し、その上に有機光導波路
３を形或する。次いで、さらに上記の層２と同し物質か
らなる層４で被覆することに（３） （４） より、第１図（ｂ）に示す構或の導波路を得る。
凹凸による伝播ロスを低減するための方法の一例を説明
する図である。第１図（ａ）に示す如く、下地基板１に
、例えば、ＴｉｘＳｉｙＯｚまたはａ−ＳｉｘＮｙＯｚ
： ＨからなるＮ２を形或し、その上に有機光導波路
３を形或する。次いで、さらに上記の層２と同し物質か
らなる層４で被覆することに（３） （４） より、第１図（ｂ）に示す構或の導波路を得る。
しかして、この導波路においては、導波路とその周囲の
被覆物質との屈折率差が小さくなるため、側面のぎざぎ
ざによる光散乱を抑制することができる。尚、上記の被
覆層４の製膜は、スパッタリング、プラズマＣＶＤ，光
ＣＶＤ，イオンプレーティング、蒸着、イオンアシスト
蒸着などにより行うことができる。また、被覆層の屈折
率は、材料の組或を変えることによりコントロールする
ことができる。
被覆物質との屈折率差が小さくなるため、側面のぎざぎ
ざによる光散乱を抑制することができる。尚、上記の被
覆層４の製膜は、スパッタリング、プラズマＣＶＤ，光
ＣＶＤ，イオンプレーティング、蒸着、イオンアシスト
蒸着などにより行うことができる。また、被覆層の屈折
率は、材料の組或を変えることによりコントロールする
ことができる。
第２図は、導波路中に有機非線形光学導波路を挿入する
方法の一例を説明する図である。下地基板５上に第１バ
ッファ一層６を形戒し、その上に有機非線形光学膜７を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりエッチング
する。即ち、有機非線形光学膜７上にボジ型フォトレジ
スト８を塗布し、マスクパターン９を介して露光する（
ａ）。
方法の一例を説明する図である。下地基板５上に第１バ
ッファ一層６を形戒し、その上に有機非線形光学膜７を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりエッチング
する。即ち、有機非線形光学膜７上にボジ型フォトレジ
スト８を塗布し、マスクパターン９を介して露光する（
ａ）。
次いで、これを現像し、有機非線形光学膜をエッチング
して所望のパターンを形或する（ｂ）。次に、フォトレ
ジスト８を除去し、導波路膜１０を形．威し、次いでネ
ガ型フォトレジスト１１を塗布し、これを背面から露光
する（ｃ）。次いで、フォトレジストを現像する（ｄ）
。次に、導波路膜１０をエッチングし、レジスト１１を
除去する。次いで、第２バッファ一層１２を形成する（
ｅ）。
して所望のパターンを形或する（ｂ）。次に、フォトレ
ジスト８を除去し、導波路膜１０を形．威し、次いでネ
ガ型フォトレジスト１１を塗布し、これを背面から露光
する（ｃ）。次いで、フォトレジストを現像する（ｄ）
。次に、導波路膜１０をエッチングし、レジスト１１を
除去する。次いで、第２バッファ一層１２を形成する（
ｅ）。
第３図は、第２図の場合と同様に、背面露光により有機
導波路を挿入する方法の他の例を説明する図である。（
ａ）および（ｂ）の工程操作は第２図の場合と全く同様
であるが、工程（ｂ）の後で、フォトレジスト８を除去
し、次いでポジ型レジス目３を塗布し、背面から露光す
る（Ｃ）。次に、フォトレジストを現像し、導波路膜１
０を形或する（ｄ）。次いで、リフトオフにより所望の
導波路膜パターン１０を形成するとともに、フォトレジ
ストを除去する（ｅ）。
導波路を挿入する方法の他の例を説明する図である。（
ａ）および（ｂ）の工程操作は第２図の場合と全く同様
であるが、工程（ｂ）の後で、フォトレジスト８を除去
し、次いでポジ型レジス目３を塗布し、背面から露光す
る（Ｃ）。次に、フォトレジストを現像し、導波路膜１
０を形或する（ｄ）。次いで、リフトオフにより所望の
導波路膜パターン１０を形成するとともに、フォトレジ
ストを除去する（ｅ）。
本発明によれば、伝播ロスや非線形光学効果の低下が小
さい有機先導波路を製造することができる。
さい有機先導波路を製造することができる。
（５）
（６）
第１図は、本発明の方法の一例を説明するための図、第
２図は、本発明方法の他の例を説明するための図、そし
て第３図は、本発明方法のさらに他の例を説明するため
の図である。 １・・・下地基板、 ２・・・物質層、３・・・導
波路、 ４・・・被覆層、５・・・下地基板、
６・・・第１バッファ一層、７・・・非線形光学
膜、 １０・・・導波路膜、ｌ２・・・第２バッファ一
層。
２図は、本発明方法の他の例を説明するための図、そし
て第３図は、本発明方法のさらに他の例を説明するため
の図である。 １・・・下地基板、 ２・・・物質層、３・・・導
波路、 ４・・・被覆層、５・・・下地基板、
６・・・第１バッファ一層、７・・・非線形光学
膜、 １０・・・導波路膜、ｌ２・・・第２バッファ一
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導波路の一部に有機非線形光学材料を挿入して有
機光導波路を製造するに当り、セルフアラインメント法
によりパターンニングすることを特徴とする有機光導波
路の製造方法。 ２、有機光導波路を形成した後、得られた光導波路の周
囲に無機物または他の有機物からなる、導波路より低い
屈折率を有する領域を設けることを特徴とする有機光導
波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24069889A JPH03103803A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 有機光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24069889A JPH03103803A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 有機光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03103803A true JPH03103803A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17063371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24069889A Pending JPH03103803A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 有機光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03103803A (ja) |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24069889A patent/JPH03103803A/ja active Pending
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