JPH03103427A - プラズマ重合膜の製作方法 - Google Patents
プラズマ重合膜の製作方法Info
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- JPH03103427A JPH03103427A JP24061789A JP24061789A JPH03103427A JP H03103427 A JPH03103427 A JP H03103427A JP 24061789 A JP24061789 A JP 24061789A JP 24061789 A JP24061789 A JP 24061789A JP H03103427 A JPH03103427 A JP H03103427A
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〉
本発明は緻密でビンホールフリーなプラズマ重合膜の製
作方法に関するものである。
作方法に関するものである。
（従来の技術）
有機芳香族化合物のモノマーを用いたプラズマ重合膜の
製作は、以前より研究されてきた。その結果、ベンゼン
などの蒸気圧の高いモノマーを用いると緻密な構造の膜
は得られず、ジベンジルなどの蒸気圧の低いモノマーを
用いた場合にのみ緻密な構造の膜が得られることが知ら
れていた。しかし、その原因については、不明であった
。
製作は、以前より研究されてきた。その結果、ベンゼン
などの蒸気圧の高いモノマーを用いると緻密な構造の膜
は得られず、ジベンジルなどの蒸気圧の低いモノマーを
用いた場合にのみ緻密な構造の膜が得られることが知ら
れていた。しかし、その原因については、不明であった
。
従来、有機芳香族化合物またはその誘導体をモノマーと
してプラズマ重合を行う際、モノマーの導入はモノマー
の蒸気圧を利用して導入している。
してプラズマ重合を行う際、モノマーの導入はモノマー
の蒸気圧を利用して導入している。
常温で蒸気圧の高い芳香族化合物モノマーを用いた場合
、モノマーの取扱いは容易である。しかしこの場合だと
、モノマーの供給が過剰になりモノマーによるプラズマ
の冷却が著しくなり、モノマーの分解が抑えられ、緻密
でピンホールフリーなプラズマ重合膜が得られない。
、モノマーの取扱いは容易である。しかしこの場合だと
、モノマーの供給が過剰になりモノマーによるプラズマ
の冷却が著しくなり、モノマーの分解が抑えられ、緻密
でピンホールフリーなプラズマ重合膜が得られない。
常温常圧で固体または液体で蒸気圧の低い有機芳香族モ
ノマーを用いた場合、モノマーの供給が抑えられ、モノ
マーによるプラズマの冷却もほとんどなくなり、モノマ
ーの分解が促進され、緻密でピンホールフリーなプラズ
マ重合膜が得られる。
ノマーを用いた場合、モノマーの供給が抑えられ、モノ
マーによるプラズマの冷却もほとんどなくなり、モノマ
ーの分解が促進され、緻密でピンホールフリーなプラズ
マ重合膜が得られる。
しかしながら、固体または液体の状態のモノマーを用い
た場合、モノマーを気化させて導入する事が面倒である
。
た場合、モノマーを気化させて導入する事が面倒である
。
これまでは、緻密でビンホールフリーなプラズマ重合膜
の製作にモノマーの供給圧力が重要な因子であることが
判っていなかったため、緻密でピンホールフリーなプラ
ズマ重合膜の製作には、常温常圧で固体または液体で蒸
気圧の低い有機芳香族モノマーを用いねばならず、モノ
マーの取扱が面倒であった。
の製作にモノマーの供給圧力が重要な因子であることが
判っていなかったため、緻密でピンホールフリーなプラ
ズマ重合膜の製作には、常温常圧で固体または液体で蒸
気圧の低い有機芳香族モノマーを用いねばならず、モノ
マーの取扱が面倒であった。
（発明が解決しようとする課題）
緻密でピンホールフリーなプラズマ重合膜の製作には、
モノマー分圧を抑え、それによりプラズマの冷却を抑制
することが必要条件である。従来はそのことに気付いて
いなかったため、常温常圧で固体または液体で蒸気圧の
低い有機芳香族モノマーを用いなけばならず、そのため
モノマーの取扱は面倒であった。
モノマー分圧を抑え、それによりプラズマの冷却を抑制
することが必要条件である。従来はそのことに気付いて
いなかったため、常温常圧で固体または液体で蒸気圧の
低い有機芳香族モノマーを用いなけばならず、そのため
モノマーの取扱は面倒であった。
本発明は、このような従来からの問題点を解決し、緻密
でピンホールフリーなプラズマ重合膜を有機芳香族化合
物またはその誘導体のモノマーを用いて製作する方法を
提供しようとするものである。
でピンホールフリーなプラズマ重合膜を有機芳香族化合
物またはその誘導体のモノマーを用いて製作する方法を
提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、有機芳香族化合物またはその誘導体のモノマ
ーを、モノマーガス状にして真空チェンバー内に導入し
、該モノマーガスを、キャリアーガス単独気体中または
キャリアーガスと該モノマーガスとからなる混合気体中
に発生させたプラズマ中に導入し、該モノマーガスを該
プラズマで分解し、分解物をプラズマ近傍に設置された
基板上に堆積させ、該基板上にプラズマ重合膜を設ける
プラズマ重合膜の製作方法に於て、モノマーガス分圧を
キャリアーガス分圧の１０％以下に抑えることにより、
モノマーガスによるプラズマの冷却を抑え、モノマーの
プラズマによる分解を促進させ、緻密でピンホールフリ
ーなプラズマ重合膜を設けることを特徴とする。
ーを、モノマーガス状にして真空チェンバー内に導入し
、該モノマーガスを、キャリアーガス単独気体中または
キャリアーガスと該モノマーガスとからなる混合気体中
に発生させたプラズマ中に導入し、該モノマーガスを該
プラズマで分解し、分解物をプラズマ近傍に設置された
基板上に堆積させ、該基板上にプラズマ重合膜を設ける
プラズマ重合膜の製作方法に於て、モノマーガス分圧を
キャリアーガス分圧の１０％以下に抑えることにより、
モノマーガスによるプラズマの冷却を抑え、モノマーの
プラズマによる分解を促進させ、緻密でピンホールフリ
ーなプラズマ重合膜を設けることを特徴とする。
又、この場合、該モノマーガスおよび該キャリアーガス
の分圧を、それぞれ１ ｍｔｏｒｒ以下および５ ｍｔ
ｏｒｒ以上に設定することができる。すなわち、本発明
では、有機芳香族化合物またはその誘導体をモノマーと
して用い、プラズマによるモノマーの破壊を促進するた
めには、エネルギーの高いプラズマが必要である。モノ
マーガスにはプラズマを冷却する作用があるため、モノ
マーガスを多く入れすぎるとプラズマが冷却され、モノ
マーの分解が抑制される。有機芳香族化合物またはその
誘導体をモノマーに用いて緻密でピンホールフリーなプ
ラズマ重合膜を製作するためには、プラズマの冷却を抑
え、七ノマーの分解を促進させなければならない。その
ためには、モノマーの分圧をキャリアーガスの分圧の１
０％以下に抑えることが必要である。更に確実にモノマ
ーの分解を行うためには、モノマーの分圧をｌ ｍｔｏ
ｒｒ以下にし、かつキャリアーガスの分圧を５ ｍｔｏ
ｒｒ以上にすることが望ましい。この条件を満たしてい
れば、モノマーに用いる有機芳香族化合物またはその誘
導体の蒸気圧の大小によらず、緻密でピンホールフリー
なプラズマ重合膜を製作することができる。
の分圧を、それぞれ１ ｍｔｏｒｒ以下および５ ｍｔ
ｏｒｒ以上に設定することができる。すなわち、本発明
では、有機芳香族化合物またはその誘導体をモノマーと
して用い、プラズマによるモノマーの破壊を促進するた
めには、エネルギーの高いプラズマが必要である。モノ
マーガスにはプラズマを冷却する作用があるため、モノ
マーガスを多く入れすぎるとプラズマが冷却され、モノ
マーの分解が抑制される。有機芳香族化合物またはその
誘導体をモノマーに用いて緻密でピンホールフリーなプ
ラズマ重合膜を製作するためには、プラズマの冷却を抑
え、七ノマーの分解を促進させなければならない。その
ためには、モノマーの分圧をキャリアーガスの分圧の１
０％以下に抑えることが必要である。更に確実にモノマ
ーの分解を行うためには、モノマーの分圧をｌ ｍｔｏ
ｒｒ以下にし、かつキャリアーガスの分圧を５ ｍｔｏ
ｒｒ以上にすることが望ましい。この条件を満たしてい
れば、モノマーに用いる有機芳香族化合物またはその誘
導体の蒸気圧の大小によらず、緻密でピンホールフリー
なプラズマ重合膜を製作することができる。
本発明のプラズマ重合膜の製作方法を、第１図に示され
た装置で具体的に説明する。参照数字１は、真空チェン
バー、２Ａ， ２Ｂは対向するＲＦ電極、３はＲＦ電源
、４はキャリアーガス源、５は真空排気系、６はモノマ
ー源、７はモノマー加熱用ヒーター ８はヒーター７の
電源、９．１０はコンダクションバルブ、１１は基板で
ある。第１図の装置では、平行平板型のＲＦ放電により
プラズマを発生させているが、放電方法はこれに限定す
るものではなく、また放電周波数も直流からマイクロ波
までのどの周波数でもよい。
た装置で具体的に説明する。参照数字１は、真空チェン
バー、２Ａ， ２Ｂは対向するＲＦ電極、３はＲＦ電源
、４はキャリアーガス源、５は真空排気系、６はモノマ
ー源、７はモノマー加熱用ヒーター ８はヒーター７の
電源、９．１０はコンダクションバルブ、１１は基板で
ある。第１図の装置では、平行平板型のＲＦ放電により
プラズマを発生させているが、放電方法はこれに限定す
るものではなく、また放電周波数も直流からマイクロ波
までのどの周波数でもよい。
真空チェンバー１内のモノマーガス分圧は、モノマー温
度とフンダクションバルブ９で調節し、キャリアーガス
分圧の１０％以下になるようにする。
度とフンダクションバルブ９で調節し、キャリアーガス
分圧の１０％以下になるようにする。
キャリアーガスには、プラズマのエネルギーを高くして
モノマーの分解を促進するため、希ガスを用いることが
望ましい。キャリアーガス分圧はコンダクションバルブ
１０で調節し、５ ｍｔｏｒｒ以上に調節する。
モノマーの分解を促進するため、希ガスを用いることが
望ましい。キャリアーガス分圧はコンダクションバルブ
１０で調節し、５ ｍｔｏｒｒ以上に調節する。
基板ｌ１は導電体、半導体、絶縁体のいずれでもよい。
（作 用）
本発明で製作されたプラズマ重合膜は、有機芳香族化合
物またはその誘導体のモノマーを用いて製作されるもの
であり、キャリアーガスに希ガスを用い、モノマー分圧
をキャリアーガス分圧のｌＯ％以下にすることによりモ
ノマーによるプラズマの冷却が抑えられており、プラズ
マによるモノマーの分解が促進されているため、形戊さ
れるプラズマ重合膜は緻密でピンホールフリーな構造を
持っている。
物またはその誘導体のモノマーを用いて製作されるもの
であり、キャリアーガスに希ガスを用い、モノマー分圧
をキャリアーガス分圧のｌＯ％以下にすることによりモ
ノマーによるプラズマの冷却が抑えられており、プラズ
マによるモノマーの分解が促進されているため、形戊さ
れるプラズマ重合膜は緻密でピンホールフリーな構造を
持っている。
く実施例）
本発明を実施例により説明する。
実施例１
キャリアーガスにＡｒ，モノマーにジベンジルを用いて
製膜を行った。Ａｒ分圧は１００ｍｔｏｒｒ、ジベンジ
ルの分圧はＱ， ５ｍｔｏｒｒであり、プラズマ重合膜
を形或する基板にはニッケル・コバルト合金を用いた。
製膜を行った。Ａｒ分圧は１００ｍｔｏｒｒ、ジベンジ
ルの分圧はＱ， ５ｍｔｏｒｒであり、プラズマ重合膜
を形或する基板にはニッケル・コバルト合金を用いた。
モノマーの温度は１８０℃である。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
比較例１
実施例１において、Ａｒの分圧を３ｍｔＯｒｒ ，ジベ
ンジルの分圧を１．５ｍｔｏｒｒにして同様に製膜を行
った。
ンジルの分圧を１．５ｍｔｏｒｒにして同様に製膜を行
った。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの多い多孔質の膜ができていることが確認された。
ルの多い多孔質の膜ができていることが確認された。
実施例２
キャリアーガスにＡｒ，モノマーにベンセ゜ンを用いて
製膜を行った。Ａｒ分圧はｌＱＱｍｔｏｒｒ，ベンゼン
の分圧は２ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケル箔を用
いた。モノマーの温度は４０℃である。
製膜を行った。Ａｒ分圧はｌＱＱｍｔｏｒｒ，ベンゼン
の分圧は２ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケル箔を用
いた。モノマーの温度は４０℃である。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
比較例２
実施例２において、Ａｒ分圧はそのままにして、ベンゼ
ンの分圧を２Ｑｍｔｏｒｒにして同様に製膜を行った。
ンの分圧を２Ｑｍｔｏｒｒにして同様に製膜を行った。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの多い多孔質の膜ができていることが確認された。
ルの多い多孔質の膜ができていることが確認された。
実施例３
キヤ，リアーガスにＡｒ，モノマーにトルエンを用いて
製膜を行った。Ａｒ分圧はｌＱｍｔｏｒｒ ， ｝ルエ
ンの分圧はＱ， ５ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケ
ル箔を用いた。モノマーの温度は２０℃である。
製膜を行った。Ａｒ分圧はｌＱｍｔｏｒｒ ， ｝ルエ
ンの分圧はＱ， ５ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケ
ル箔を用いた。モノマーの温度は２０℃である。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ビンホー
ルの全くない緻密な膜ができていること力《確言忍され
た。
ルの全くない緻密な膜ができていること力《確言忍され
た。
比較例３
実施例３において、トルエンの分圧ヲ２ｍｔＯｒｒにし
て、他を同様にして製膜を行った。
て、他を同様にして製膜を行った。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの多い多孔質の膜ができていることがｍ言忍された。
ルの多い多孔質の膜ができていることがｍ言忍された。
実施例４
キャリアーガスにＡ５モノマーにビフェニルを用いて製
膜を行った。Ａｒ分圧は５Ｑｍｔｏｒｒ 、ビフェニル
の分圧は２ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケル・コバ
ルト合金を用いた。モノマーの温度は８０℃である。
膜を行った。Ａｒ分圧は５Ｑｍｔｏｒｒ 、ビフェニル
の分圧は２ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケル・コバ
ルト合金を用いた。モノマーの温度は８０℃である。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
実施例５
キャリアーガスにＡｒ，モノマーにジフェニルメタンを
用いて製膜を行った。八ｒ分圧は３Ｑｍｔｏｒｒ ，ジ
フェニルメタンの分圧はｌ ｍｔｏｒｒであり、基板に
はニッケル箔を用いた。モノマーの温度は１２０℃であ
る。
用いて製膜を行った。八ｒ分圧は３Ｑｍｔｏｒｒ ，ジ
フェニルメタンの分圧はｌ ｍｔｏｒｒであり、基板に
はニッケル箔を用いた。モノマーの温度は１２０℃であ
る。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確認された。
実施例６
キャリアーガスにＨｅ，モノマーにジベンジルを用いて
製膜を行った。Ｈｅ分圧は１００ｍｔｏｒｒ ，ジベン
ジルの分圧はＱ， ５ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッ
ケル・コバルト合金を用いた。モノマーの温度は１８０
℃である。
製膜を行った。Ｈｅ分圧は１００ｍｔｏｒｒ ，ジベン
ジルの分圧はＱ， ５ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッ
ケル・コバルト合金を用いた。モノマーの温度は１８０
℃である。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確Ｓ忍された
。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確Ｓ忍された
。
実施例７
キャリアーガスにＨｅ，モノマーにトルエンを用いて製
膜を行った。Ｈｅ分圧はｌＱＱＱｍｔｏｒｒ ， ｝ル
エンの分圧は５ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケル・
コバルト合金を用いた。モノマーの温度は５０℃である
。
膜を行った。Ｈｅ分圧はｌＱＱＱｍｔｏｒｒ ， ｝ル
エンの分圧は５ｍｔｏｒｒであり、基板にはニッケル・
コバルト合金を用いた。モノマーの温度は５０℃である
。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確言忍された
。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確言忍された
。
実施例８
基板にシリコン結晶を用い、基板温度は１５０℃とした
以外は実施例２と同様にした。得られた膜を透過電子顕
微鏡で観察した結果、ピンホールの全くない緻密な膜が
できていることが確認された。
以外は実施例２と同様にした。得られた膜を透過電子顕
微鏡で観察した結果、ピンホールの全くない緻密な膜が
できていることが確認された。
実施例９
基板にシリコン結晶を用い、基板温度は１６０℃とした
。他は実施例３と同様にした。得られた膜を透過電子顕
微鏡で観察した結果、ピンホールの全くない緻密な膜が
できていることが確認された。
。他は実施例３と同様にした。得られた膜を透過電子顕
微鏡で観察した結果、ピンホールの全くない緻密な膜が
できていることが確認された。
実施例１０
基板にポリイミド薄膜を用い、基板温度は１６０〜２０
０℃とした以外は実施例２と同様にした。
０℃とした以外は実施例２と同様にした。
得られた膜を透過電子顕微鏡で観察した結果、ピンホー
ルの全くない緻密な膜ができていることが確Ｓ忍された
。
ルの全くない緻密な膜ができていることが確Ｓ忍された
。
（効 果）
以上述べたように、本発明によれば、有機芳香族化合物
またはその誘導体のモノマーを用いて緻密でピンホール
のないプラズマ重合膜を製作することができる。
またはその誘導体のモノマーを用いて緻密でピンホール
のないプラズマ重合膜を製作することができる。
第１図は本発明に係るプラズマ重合膜製作装置を示す説
明略図である。 １・・・真空チェンバー ２Ａ， ２Ｂ・・・対向す
るＲＦ電極３・・・ＲＦ電源 ４・・・キャ
リアーガス源５・・・真空排気系 ６・・・モノ
マー源７・・・ヒーター ８・・・ヒーター
電源９，．１０・・・コンダクションバルブ１１・・・
基板
明略図である。 １・・・真空チェンバー ２Ａ， ２Ｂ・・・対向す
るＲＦ電極３・・・ＲＦ電源 ４・・・キャ
リアーガス源５・・・真空排気系 ６・・・モノ
マー源７・・・ヒーター ８・・・ヒーター
電源９，．１０・・・コンダクションバルブ１１・・・
基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機芳香族化合物またはその誘導体のモノマーを、
モノマーガス状にして真空チェンバー内に導入し、該モ
ノマーガスを、キャリアーガス単独気体中、またはキャ
リアーガスと該モノマーガスとからなる混合気体中に、
発生させたプラズマ中に導入し、該モノマーガスを該プ
ラズマで分解し、分解物をプラズマ近傍に設置された基
板上に堆積させ、該基板上にプラズマ重合膜を設けるプ
ラズマ重合膜の製作方法に於て、 モノマーガス分圧をキャリアーガス分圧の１０％以下に
抑えることにより、モノマーガスによるプラズマの冷却
を抑え、モノマーのプラズマによる分解を促進させ、緻
密でピンホールフリーなプラズマ重合膜を設けることを
特徴とするプラズマ重合膜の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24061789A JPH03103427A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | プラズマ重合膜の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24061789A JPH03103427A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | プラズマ重合膜の製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03103427A true JPH03103427A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17062162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24061789A Pending JPH03103427A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | プラズマ重合膜の製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03103427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476792B2 (en) | 1999-12-27 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus and method for driving the same |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24061789A patent/JPH03103427A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476792B2 (en) | 1999-12-27 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus and method for driving the same |
| US7202849B2 (en) | 1999-12-27 | 2007-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus and method for driving the same |
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