JPH03102752A - 試料ステージの制御方法 - Google Patents
試料ステージの制御方法Info
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- JPH03102752A JPH03102752A JP23998889A JP23998889A JPH03102752A JP H03102752 A JPH03102752 A JP H03102752A JP 23998889 A JP23998889 A JP 23998889A JP 23998889 A JP23998889 A JP 23998889A JP H03102752 A JPH03102752 A JP H03102752A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 36
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は顕微鏡等の試料ステージの移動量の制御方法に
係り、特に試料ステージの長時間安定性の改善に関する
。
係り、特に試料ステージの長時間安定性の改善に関する
。
顕微鏡装置の試料ステージは精密に作られ、細かに動か
すことができるようになっている。特に、走査型電子顕
微鏡の試料ステージはパルスモー夕で馳動し、これを計
算機で制御する方法が上流になってきた。この要求は集
積回路の検査に電子顕微鏡を用いた場合に強い。これは
集積回路が計算機で設計され、検査すべき位置情報も打
算機から出力されるためである。しかも，集積回路が蝮
雑になるに従い、要求される位置精度は１ミクロン以下
になってきた。このような高桔度にむると、ステージの
温度上昇や周囲温度が位置精度に影響を与えるようにな
る。このため特に高精度を要求する装置、例えば電子線
描画装置、では室温の変化を１度以下に押さえる等の対
策を行っているのが現状である（例えば「吉崎他、サブ
ミクロン対応縮小投影露光装置、日立評論、Ｖｏｌ．６
ｇ， Ｎｏ．９．ｐｐ．１７−２２ （１９８９）Ｊ
）。
すことができるようになっている。特に、走査型電子顕
微鏡の試料ステージはパルスモー夕で馳動し、これを計
算機で制御する方法が上流になってきた。この要求は集
積回路の検査に電子顕微鏡を用いた場合に強い。これは
集積回路が計算機で設計され、検査すべき位置情報も打
算機から出力されるためである。しかも，集積回路が蝮
雑になるに従い、要求される位置精度は１ミクロン以下
になってきた。このような高桔度にむると、ステージの
温度上昇や周囲温度が位置精度に影響を与えるようにな
る。このため特に高精度を要求する装置、例えば電子線
描画装置、では室温の変化を１度以下に押さえる等の対
策を行っているのが現状である（例えば「吉崎他、サブ
ミクロン対応縮小投影露光装置、日立評論、Ｖｏｌ．６
ｇ， Ｎｏ．９．ｐｐ．１７−２２ （１９８９）Ｊ
）。
前述の従来例のように、温度ドリフトを少なくするため
に室温を一定にすることは建物自体の問題になり、一般
的ではない。また，試料ステージ上に発熱体があるよう
な場合にはまったく効果がない。 本発明はこの点を考慮し、一般的でしかも試料ステージ
上に発熱体があるような場合にも適用できる試料ステー
ジの移動量の制御方法を提偶することを目的としてなさ
れたものである。
に室温を一定にすることは建物自体の問題になり、一般
的ではない。また，試料ステージ上に発熱体があるよう
な場合にはまったく効果がない。 本発明はこの点を考慮し、一般的でしかも試料ステージ
上に発熱体があるような場合にも適用できる試料ステー
ジの移動量の制御方法を提偶することを目的としてなさ
れたものである。
【課題を解決するための手段１
本発明では、試料ステージの温度ドリフトが発生する機
構にさかのぼり、温度トリフトを作っている要素を把握
し、その個所の温度を監視することで温度ドリフトを補
正する。兵体的には、ドリフトを与える要素の温度とド
リフト量との関係を予め測定する；測定した要素温度か
らドリフトし？量を算出する；算出したドリフト量で試
料位置に補正を加える。ドリフトを与える要素が複数個
所の場合には、複数個所の温度監視がなされる。 以下、第２図を用いて本発明のドリフト補正法について
説明する。 ステージベース５上にｘＹ方向に移動可能なステージ６
が置かれている。このステージ６は、ステージベース５
に固定されたＸ軸支点３を雌ネジとするＸ軸送リネジ１
、Ｙ軸支点を雌ネジとするＹ軸送リネジ２を回転させる
ことにより、ＸＹに移動される。Ｘ軸スプリング７、Ｙ
軸スプリング８はＸ軸送リネジ１、Ｙ軸送リネジ２の移
動に追従するようにステージ６を送りネジ方向に押しっ
けている。 試料位置のＭｒ（ｑ点９を座標の原点（０．０）とし、
他の機構部との位置関係を図のように定義し、この試料
ステージでの試料ドリフトを計算する。計算に際して、
ステージベース５の熱膨張係数と温度変化をそれぞれｋ
■とΔＬ■，ＸＩＩＩＩＹ軸の送りネジ３、４の熱膨張
係数と温度変化をそれぞれｋ２、？ｔ２１ステージ６の
熱膨張係数と温度変化をｋ，，Δｔ３とした。Ｘ軸方向
のドリフト量ΔＸとＹ軸方向のドリフト量Δｙは以下の
式で求められる。 Δｘ＝ （Ｌｘ＋Ｓｘ） ・ｋ，・Δｔ０−ｓｘ−ｋ２
・Δｔつ−Ｌｘ−ｋ，−Δｔ，−Ｘｌｋ．・ΔＬ１＋ｘ
−ｋ２・Δｔ２ Δｙ＝ （Ｌｙ＋Ｓｙ） ・ｋ１−Δｔ■−Ｓｙ−ｋ，
−Ａｊ，−ｔ，ｙ−ｋ３・Δ”ｙ−ｙ” ｋ１・ΔＬ１
＋ｙ−ｋ，・Δｔ２ もし、ここでΔＬエ＝Δし，＝Δｔよ、ｋ１＝ｋ，＝ｋ
，、すなわち温度が一様に上昇し、しかも全体が同じ材
質であれば、ドリフトは起こらないことがこの式からも
わかる。ステージ６は滑りの良いころ等に支えられてい
るため、ステージベース５と一様な温度上昇になること
は殆どない。特にステージ６に発熱体がある場合には大
きなドリフトが生じる。そこで、ΔＦ，．＝Δｔ２≠Δ
璽，，、熱膨張係数は同一で，ｋであるとすると、ΔＸ
＝ｒ，Ｘ−ｋ・（Δ１■一Δｔｉ）＝Ｋｘ ・ （Δし
、一Δｔ３） Δｙ＝Ｌｙ−ｋ・ （Δ１１−八ｔ，１）＝Ｋｙ・ （
ΔＬ１−Δｔｊ ？なる。 本発明は、ΔｔいΔｔ，の測定から、予めＫｘ，Ｋｙを
求めておき、ステージの稼働時のΔＬ■とΔｔ３の測定
からΔＸとΔｙを算出し、これをステージの制御回路に
帰還させることでドリフトを補正する。 【作用１ 本発明の方法によれば、室温を一定にするような大がか
りな対策をすることなく，実用的にドリフトの少ない精
密な動作をする試料ステージを犬現することができる。 【実施例】 以下、実施例を用いて本発明を説明する。 第ｌ図に本発明の実施例を示す。この丈施例は走査形電
子顕微鏡に用いた例で，例えば集積回路の寸法を測定す
るような装置である。ＸステージとＹステージで４＋Ｗ
底される試料ステージの」二に試料ｌ５が置かれてい
る。この試料Ｌ５内の微小構造の上に、電子ビーム鏡体
１７で絞った電子ビームを走査し、得られた信誇を処理
することで寸法を測定する装置である。ここでは電子ビ
ーム鏡体１７と測定法の詳細については省略する。 この装置の対象とする集積回路は非常に複雑であること
から、オペレータが集積回路のレイアウト図を参照しな
がら目標とする個所を捜すことは非常に困難である。そ
こで、簡単なものではレイアウト図内の目標個所をデジ
タイザーで読み取る方法を、またより高度な場合には計
算機からのデータを用いる。ここで問題となるのが試料
ステージの安定性、すなわち試料ステージのドリフトで
ある。 そこで、この実施例ではＸステージ２９、Ｙステージ１
６．試料室（ステージベース）２７に熱電対温度計１７
を備えている。まず、これらの各点の温度変化とステー
ジのドリフトの関係を測定し、Ｋｘ，Ｋｙを求める。 試料ステージはバルスモー夕で邸動され、ステージ制御
回路１９で制御される。第１図では，Ｙ軸のパルスモー
タ１３のみを記し、Ｘ軸は省略した。ベローズ■４は回
転のみを伝達するための機構である。Ｘステージ６はボ
ール１１とボール受け１２で一軸方向の移動ができるよ
うになっている。Ｙ軸ステージについては省略してある
。 像の観察時には、まず試料１５の座標の原点と、レイア
ウト図の原点とを合わせる。この時の各点の温度； Ｌ１６ｍ原点合わせを行ったときの試料室の温度、ｔｘ
。：原点合わせを行ったときのＸステージの温度、 ｔｙｌｌ：原点合わせを行ったときのＹステージの温度
、 を計算機に取り込む。 試料ステージの位置を移動する座標値入力が与えられた
ときには、まず，ステージベースの温度ｔ１，Ｘステー
ジの温度Ｌｘ，Ｙステージの温度ｔｙを測定する。この
温度での試料ステージは、原点合わせを行った時点と比
べると、下式で計算される試料ドリフトが生じている。 ？ｘ＝Ｋｘ ・ （ Ｄｔ−ｔｔｏ） − （ｔ
ｘ−ｔｘ，）｝Δｙ＝Ｋｙ・ （（１■−ｔエ。）
（ｔｙ ｔｙ＋＋））そこで、与えられた座標値．
Ｘｃ，Ｙｃにたいして、ドリフト補正をした座標値， Ｘｓ＝Ｘｃ−ΔＸ Ｙｓ＝Ｙｃ−Δｙ で試料ステージを制御する。この結果ドリフトによって
生じる位置設定の誤差を著しく減少させることができる
。 位置設定後、時間が経過すると温度が変化し，試料にド
リフトが生じる。この場合にはドリフトの量が問題にな
る量、例えば１ミクロンになったら補正を行う。又は，
一定時間ごとに補正する。 一般には、試料位置の設定は頻繁に行われるので，位置
設定の都度補正を行うのが好都合である。 第３図は本発明の他の実施例である。この実施例は特願
１１ｒｆ ６ ０ − ２ ３ ７ ４ ９ ９に示す
対物レンズを機４＋κ的に移動させ、これに電子ビーム
を追従させる方式のステージに適用したものである。こ
の方式では対物レンズ２ｌが陣動台２１に接続された腕
２２に支えられている．試料１５は試料室２７に固定さ
れている。計算４ｉ１１８に与えられた座標値２０で対
物レンズ２５が移動され、これに追従するように電子ビ
ーム鏡体１７から放出された電子ピーム２６が第一偏向
コイル２３と第二偏向コイル２４で偏向される。 この実施例では、対物レンズ２５のコイル２８で電力を
消費しているため対物レンズ２５が温度上昇する。この
ため、試料邸動台２１と対物レンズをつないでいる腕２
２も温度上昇し、熱膨張のため腕２２の方向に大きなド
リフトが生じる。そこで、腕２２の温度を熱電対温度計
１７でｉｌｌｌ’ｌ定し、本発明のドリフト補正を行っ
ている。この実施例では、腕２２の温度のみを測定して
いるが、邸動台２１、試料室２７の温度も測定すること
で、より高度な補正を行うことも可能である。
構にさかのぼり、温度トリフトを作っている要素を把握
し、その個所の温度を監視することで温度ドリフトを補
正する。兵体的には、ドリフトを与える要素の温度とド
リフト量との関係を予め測定する；測定した要素温度か
らドリフトし？量を算出する；算出したドリフト量で試
料位置に補正を加える。ドリフトを与える要素が複数個
所の場合には、複数個所の温度監視がなされる。 以下、第２図を用いて本発明のドリフト補正法について
説明する。 ステージベース５上にｘＹ方向に移動可能なステージ６
が置かれている。このステージ６は、ステージベース５
に固定されたＸ軸支点３を雌ネジとするＸ軸送リネジ１
、Ｙ軸支点を雌ネジとするＹ軸送リネジ２を回転させる
ことにより、ＸＹに移動される。Ｘ軸スプリング７、Ｙ
軸スプリング８はＸ軸送リネジ１、Ｙ軸送リネジ２の移
動に追従するようにステージ６を送りネジ方向に押しっ
けている。 試料位置のＭｒ（ｑ点９を座標の原点（０．０）とし、
他の機構部との位置関係を図のように定義し、この試料
ステージでの試料ドリフトを計算する。計算に際して、
ステージベース５の熱膨張係数と温度変化をそれぞれｋ
■とΔＬ■，ＸＩＩＩＩＹ軸の送りネジ３、４の熱膨張
係数と温度変化をそれぞれｋ２、？ｔ２１ステージ６の
熱膨張係数と温度変化をｋ，，Δｔ３とした。Ｘ軸方向
のドリフト量ΔＸとＹ軸方向のドリフト量Δｙは以下の
式で求められる。 Δｘ＝ （Ｌｘ＋Ｓｘ） ・ｋ，・Δｔ０−ｓｘ−ｋ２
・Δｔつ−Ｌｘ−ｋ，−Δｔ，−Ｘｌｋ．・ΔＬ１＋ｘ
−ｋ２・Δｔ２ Δｙ＝ （Ｌｙ＋Ｓｙ） ・ｋ１−Δｔ■−Ｓｙ−ｋ，
−Ａｊ，−ｔ，ｙ−ｋ３・Δ”ｙ−ｙ” ｋ１・ΔＬ１
＋ｙ−ｋ，・Δｔ２ もし、ここでΔＬエ＝Δし，＝Δｔよ、ｋ１＝ｋ，＝ｋ
，、すなわち温度が一様に上昇し、しかも全体が同じ材
質であれば、ドリフトは起こらないことがこの式からも
わかる。ステージ６は滑りの良いころ等に支えられてい
るため、ステージベース５と一様な温度上昇になること
は殆どない。特にステージ６に発熱体がある場合には大
きなドリフトが生じる。そこで、ΔＦ，．＝Δｔ２≠Δ
璽，，、熱膨張係数は同一で，ｋであるとすると、ΔＸ
＝ｒ，Ｘ−ｋ・（Δ１■一Δｔｉ）＝Ｋｘ ・ （Δし
、一Δｔ３） Δｙ＝Ｌｙ−ｋ・ （Δ１１−八ｔ，１）＝Ｋｙ・ （
ΔＬ１−Δｔｊ ？なる。 本発明は、ΔｔいΔｔ，の測定から、予めＫｘ，Ｋｙを
求めておき、ステージの稼働時のΔＬ■とΔｔ３の測定
からΔＸとΔｙを算出し、これをステージの制御回路に
帰還させることでドリフトを補正する。 【作用１ 本発明の方法によれば、室温を一定にするような大がか
りな対策をすることなく，実用的にドリフトの少ない精
密な動作をする試料ステージを犬現することができる。 【実施例】 以下、実施例を用いて本発明を説明する。 第ｌ図に本発明の実施例を示す。この丈施例は走査形電
子顕微鏡に用いた例で，例えば集積回路の寸法を測定す
るような装置である。ＸステージとＹステージで４＋Ｗ
底される試料ステージの」二に試料ｌ５が置かれてい
る。この試料Ｌ５内の微小構造の上に、電子ビーム鏡体
１７で絞った電子ビームを走査し、得られた信誇を処理
することで寸法を測定する装置である。ここでは電子ビ
ーム鏡体１７と測定法の詳細については省略する。 この装置の対象とする集積回路は非常に複雑であること
から、オペレータが集積回路のレイアウト図を参照しな
がら目標とする個所を捜すことは非常に困難である。そ
こで、簡単なものではレイアウト図内の目標個所をデジ
タイザーで読み取る方法を、またより高度な場合には計
算機からのデータを用いる。ここで問題となるのが試料
ステージの安定性、すなわち試料ステージのドリフトで
ある。 そこで、この実施例ではＸステージ２９、Ｙステージ１
６．試料室（ステージベース）２７に熱電対温度計１７
を備えている。まず、これらの各点の温度変化とステー
ジのドリフトの関係を測定し、Ｋｘ，Ｋｙを求める。 試料ステージはバルスモー夕で邸動され、ステージ制御
回路１９で制御される。第１図では，Ｙ軸のパルスモー
タ１３のみを記し、Ｘ軸は省略した。ベローズ■４は回
転のみを伝達するための機構である。Ｘステージ６はボ
ール１１とボール受け１２で一軸方向の移動ができるよ
うになっている。Ｙ軸ステージについては省略してある
。 像の観察時には、まず試料１５の座標の原点と、レイア
ウト図の原点とを合わせる。この時の各点の温度； Ｌ１６ｍ原点合わせを行ったときの試料室の温度、ｔｘ
。：原点合わせを行ったときのＸステージの温度、 ｔｙｌｌ：原点合わせを行ったときのＹステージの温度
、 を計算機に取り込む。 試料ステージの位置を移動する座標値入力が与えられた
ときには、まず，ステージベースの温度ｔ１，Ｘステー
ジの温度Ｌｘ，Ｙステージの温度ｔｙを測定する。この
温度での試料ステージは、原点合わせを行った時点と比
べると、下式で計算される試料ドリフトが生じている。 ？ｘ＝Ｋｘ ・ （ Ｄｔ−ｔｔｏ） − （ｔ
ｘ−ｔｘ，）｝Δｙ＝Ｋｙ・ （（１■−ｔエ。）
（ｔｙ ｔｙ＋＋））そこで、与えられた座標値．
Ｘｃ，Ｙｃにたいして、ドリフト補正をした座標値， Ｘｓ＝Ｘｃ−ΔＸ Ｙｓ＝Ｙｃ−Δｙ で試料ステージを制御する。この結果ドリフトによって
生じる位置設定の誤差を著しく減少させることができる
。 位置設定後、時間が経過すると温度が変化し，試料にド
リフトが生じる。この場合にはドリフトの量が問題にな
る量、例えば１ミクロンになったら補正を行う。又は，
一定時間ごとに補正する。 一般には、試料位置の設定は頻繁に行われるので，位置
設定の都度補正を行うのが好都合である。 第３図は本発明の他の実施例である。この実施例は特願
１１ｒｆ ６ ０ − ２ ３ ７ ４ ９ ９に示す
対物レンズを機４＋κ的に移動させ、これに電子ビーム
を追従させる方式のステージに適用したものである。こ
の方式では対物レンズ２ｌが陣動台２１に接続された腕
２２に支えられている．試料１５は試料室２７に固定さ
れている。計算４ｉ１１８に与えられた座標値２０で対
物レンズ２５が移動され、これに追従するように電子ビ
ーム鏡体１７から放出された電子ピーム２６が第一偏向
コイル２３と第二偏向コイル２４で偏向される。 この実施例では、対物レンズ２５のコイル２８で電力を
消費しているため対物レンズ２５が温度上昇する。この
ため、試料邸動台２１と対物レンズをつないでいる腕２
２も温度上昇し、熱膨張のため腕２２の方向に大きなド
リフトが生じる。そこで、腕２２の温度を熱電対温度計
１７でｉｌｌｌ’ｌ定し、本発明のドリフト補正を行っ
ている。この実施例では、腕２２の温度のみを測定して
いるが、邸動台２１、試料室２７の温度も測定すること
で、より高度な補正を行うことも可能である。
本発明を実施することにより，これまで室温を一定にす
るなどの大がかりな対策を必要とした試料ドリフトの軽
減を数個所の温度の測定のみで実５ 施することができる。またこれまで、なんらドリフト対
策をしていなかった測定装置に適用することで、装置の
性能を飛躍的に向上させることができる．
るなどの大がかりな対策を必要とした試料ドリフトの軽
減を数個所の温度の測定のみで実５ 施することができる。またこれまで、なんらドリフト対
策をしていなかった測定装置に適用することで、装置の
性能を飛躍的に向上させることができる．
第１図は本発明の一実施例のステージ移動機構の概略構
成図、第２図は試料ドリフトの発生機構の説明図、第３
図は本発明の他の実施例のステージ移動機構の概略構威
図である． 符号の説明 １・・・Ｘ軸送リネジ、２・・・Ｙ軸送リネジ、３・・
・Ｘ軸支点、４・・・Ｙ軸支点、５・・・ステージベー
ス，６・・・ステージ、９・・・基準の試料位置，１３
・・・パルスモー夕、１５・・・試料、１６・・・Ｙス
テージ、１７・・・電子ビーム鏡体、１７・・・熱電対
温度計、１８・・・計算機、１９・・・ステージ制御回
路，２２・・・邸動台、２５・・・対物レンズ，２７・
・・試料室，２９・・・Ｘステ−尺デーシ′゜べ゛−ス 猶３図 ２０座＠ｉｔ六カ
成図、第２図は試料ドリフトの発生機構の説明図、第３
図は本発明の他の実施例のステージ移動機構の概略構威
図である． 符号の説明 １・・・Ｘ軸送リネジ、２・・・Ｙ軸送リネジ、３・・
・Ｘ軸支点、４・・・Ｙ軸支点、５・・・ステージベー
ス，６・・・ステージ、９・・・基準の試料位置，１３
・・・パルスモー夕、１５・・・試料、１６・・・Ｙス
テージ、１７・・・電子ビーム鏡体、１７・・・熱電対
温度計、１８・・・計算機、１９・・・ステージ制御回
路，２２・・・邸動台、２５・・・対物レンズ，２７・
・・試料室，２９・・・Ｘステ−尺デーシ′゜べ゛−ス 猶３図 ２０座＠ｉｔ六カ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パルスモータ等で制御される顕微鏡の試料ステージ
において、予め周囲温度、試料ステージ温度、試料ステ
ージ駆動軸温度等の組合せあるいは少なくもそれらのう
ちの一つと試料ステージの温度ドリフトとの関係を取得
しておき、観察時の温度から試料ステージの温度ドリフ
トを算出し、これを試料ステージに帰還制御することで
試料のドリフトを補正することを特徴とする試料ステー
ジの制御方法。 ２、温度ドリフトの補正が、試料ステージの移動情報が
入力されるごとに行われることを特徴とする請求項１記
載の試料ステージの制御方法。 ３、温度ドリフトの補正が、原点校正あるいは基準点校
正を行った時刻の温度を基準温度としてなされることを
特徴とする請求項１記載の試料ステージの制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23998889A JPH03102752A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 試料ステージの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23998889A JPH03102752A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 試料ステージの制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102752A true JPH03102752A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17052808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23998889A Pending JPH03102752A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 試料ステージの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102752A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10246274A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Leica Microsystems Wetzlar Gmbh | Mikroskop mit Korrektur und Verfahren zur Korrektur der durch Temperaturänderung hervorgerufenen XYZ-Drift |
| JP2005044700A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Jeol Ltd | 試料ホルダ |
| JP2010177479A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP23998889A patent/JPH03102752A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10246274A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Leica Microsystems Wetzlar Gmbh | Mikroskop mit Korrektur und Verfahren zur Korrektur der durch Temperaturänderung hervorgerufenen XYZ-Drift |
| WO2004034124A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Leica Microsystems Wetzlar Gmbh | Mikroskop mit korrektur und verfahren zur korrektur der durch temperaturänderung hervorgerufenen xyz-drift |
| DE10246274B4 (de) * | 2002-10-02 | 2006-06-01 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Mikroskop mit Korrektur und Verfahren zur Korrektur der durch Temperaturänderung hervorgerufenen XYZ-Drift |
| JP2005044700A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Jeol Ltd | 試料ホルダ |
| JP2010177479A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
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