JPH0310087B2 - - Google Patents
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- JPH0310087B2 JPH0310087B2 JP56100497A JP10049781A JPH0310087B2 JP H0310087 B2 JPH0310087 B2 JP H0310087B2 JP 56100497 A JP56100497 A JP 56100497A JP 10049781 A JP10049781 A JP 10049781A JP H0310087 B2 JPH0310087 B2 JP H0310087B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/73—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
- G03C1/735—Organo-metallic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー光によつて読みとりを行うい
わゆる光デイスクに代表される光学式記録シー
ト、特に生産性にすぐれかつ高密度の情報を正確
に再生しうる新規な光学式複製シートに関する。
わゆる光デイスクに代表される光学式記録シー
ト、特に生産性にすぐれかつ高密度の情報を正確
に再生しうる新規な光学式複製シートに関する。
近年、画像、音声を始めとする情報の記録及び
再生を、高速度に又高密度にしかも簡便に行うこ
とがますます強く要望されており、各種の方法が
提案され、又一部実用化されている。
再生を、高速度に又高密度にしかも簡便に行うこ
とがますます強く要望されており、各種の方法が
提案され、又一部実用化されている。
その中で、レーザー光を記録信号の読みとりに
用いるいわゆる光デイスクに代表される光学式記
録シートは、極めて高密度に情報を記録すること
が出来、又任意の場所から欲しい記録された情報
を迅速に読みだすことが出来ることから広く実用
化されることが期待されている。
用いるいわゆる光デイスクに代表される光学式記
録シートは、極めて高密度に情報を記録すること
が出来、又任意の場所から欲しい記録された情報
を迅速に読みだすことが出来ることから広く実用
化されることが期待されている。
従来の光デイスクの典型的な記録及び読みだし
のシステムは、光透過性のプラスチツクの表面に
微細なピツトを形成することによつて情報の記録
を行い、微細なピツト形成面に金属蒸着等によつ
て反射層をもうけ、レーザー光のスポツトビーム
をあてて、ピツトエツジ部での光の回折による反
射光量の変化をフオトダイオード等によつて検出
し電気信号に変換して記録の読みだしを行う方法
である。
のシステムは、光透過性のプラスチツクの表面に
微細なピツトを形成することによつて情報の記録
を行い、微細なピツト形成面に金属蒸着等によつ
て反射層をもうけ、レーザー光のスポツトビーム
をあてて、ピツトエツジ部での光の回折による反
射光量の変化をフオトダイオード等によつて検出
し電気信号に変換して記録の読みだしを行う方法
である。
しかし、この方法に用いられる光デイスクを複
製するには、複雑な工程によるスタンパーの製造
を要し、又スタンパーに刻まれた微細なピツトを
転写する為に、高価な成型機械を要し、又ピツト
の転写を可能にする為、基材となるプラスチツク
材料の選定もきわめて限られたものとなり、しば
しば得られたデイスクの耐久性能が不良でソリ、
ネジレ等の欠陥を生じることがあり、又成型時の
ピツト転写の不均一性による記録の正確な再現性
に欠点がある。又、スタンパーはピツト部分の目
づまり等の汚損によつて寿命に難点があり、従来
の光学式複製デイスクの製造にあたつては大巾な
生産性の向上が望まれている。
製するには、複雑な工程によるスタンパーの製造
を要し、又スタンパーに刻まれた微細なピツトを
転写する為に、高価な成型機械を要し、又ピツト
の転写を可能にする為、基材となるプラスチツク
材料の選定もきわめて限られたものとなり、しば
しば得られたデイスクの耐久性能が不良でソリ、
ネジレ等の欠陥を生じることがあり、又成型時の
ピツト転写の不均一性による記録の正確な再現性
に欠点がある。又、スタンパーはピツト部分の目
づまり等の汚損によつて寿命に難点があり、従来
の光学式複製デイスクの製造にあたつては大巾な
生産性の向上が望まれている。
本発明は、従来の光デイスクの特徴である、記
録の高密度性、記録の読みだしの容易性を犠性に
することなく、又従来の光デイスクの上記した複
製時の非生産性を改良し、かつ記録の正確な再現
が可能な光学式複製デイスクを提供するものであ
る。
録の高密度性、記録の読みだしの容易性を犠性に
することなく、又従来の光デイスクの上記した複
製時の非生産性を改良し、かつ記録の正確な再現
が可能な光学式複製デイスクを提供するものであ
る。
すなわち、本発明は紫外線、電子線、X線のい
ずれかの照射によつて特有の光吸収能を失うビス
(ジイミノサクシノニトリロ)億属錯体を、透明
なプラスチツク材料に混合して得られるフイルム
状又はシート状材料に、所望のパターンを有する
フオトマスクを通して紫外線、電子線、X線のい
ずれかを露光しビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)金属錯体の特有の光吸収能の強弱又は有無の
パターンと形成してなることを特徴光学式複製シ
ートである。
ずれかの照射によつて特有の光吸収能を失うビス
(ジイミノサクシノニトリロ)億属錯体を、透明
なプラスチツク材料に混合して得られるフイルム
状又はシート状材料に、所望のパターンを有する
フオトマスクを通して紫外線、電子線、X線のい
ずれかを露光しビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)金属錯体の特有の光吸収能の強弱又は有無の
パターンと形成してなることを特徴光学式複製シ
ートである。
すなわち、本発明の光学式複製シートは従来の
如き射出成型や加圧成型により形成される微細な
凹凸をメモリーとして用いるシートとは全く異な
り、本発明に用いられるビス(ジイミノサクシノ
ニトリロ)金属錯体が紫外線、X線又は電子線の
照射によつて、特有の光吸収能が低下又は消失す
る性質を利用して得られるパターンをメモリーと
するものであつて、平滑な表面を有する光学式複
製シートである。
如き射出成型や加圧成型により形成される微細な
凹凸をメモリーとして用いるシートとは全く異な
り、本発明に用いられるビス(ジイミノサクシノ
ニトリロ)金属錯体が紫外線、X線又は電子線の
照射によつて、特有の光吸収能が低下又は消失す
る性質を利用して得られるパターンをメモリーと
するものであつて、平滑な表面を有する光学式複
製シートである。
本発明の光学式複製シートは、レーザー光のス
ポツトビームをあてレーザー光の吸収の大小又は
有無によつて記録された情報の読みだしを行い、
その際光学式複製シートが透明であつてそのシー
ト上に照射されたレーザー光の透過光量を検出し
て記録を読みだす透過型光学式複製シートと、上
記シートの片面に金属蒸着等により反射面を形成
し、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体
を通過した強弱のあるレーザー光を反射させ、そ
の反射光量を検出して記録を読みだす反射型光学
式複製シートに大別される。
ポツトビームをあてレーザー光の吸収の大小又は
有無によつて記録された情報の読みだしを行い、
その際光学式複製シートが透明であつてそのシー
ト上に照射されたレーザー光の透過光量を検出し
て記録を読みだす透過型光学式複製シートと、上
記シートの片面に金属蒸着等により反射面を形成
し、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体
を通過した強弱のあるレーザー光を反射させ、そ
の反射光量を検出して記録を読みだす反射型光学
式複製シートに大別される。
本発明に用いられるビス(ジイミノサクシノニ
トリロ)金属錯体は下記の一般式()で示され
る化合物であり、 (式中Mは例えばニツケル、パラジウム、白金
又はコバルトを示す)インオルガニツクケミスト
リ(Inorganic Chemistry)14巻、640〜645頁
(1975年)に記載の方法によつて合成しうるもの
であり、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)ニツ
ケル、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)パラジ
ウム、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)白金お
よびビス(ジイミノサクシノニトリロ)コバルト
が代表的に用いられるが、合成の容易さ、溶剤へ
の溶解性の面からビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)ニツケルを用いることが好ましい。
トリロ)金属錯体は下記の一般式()で示され
る化合物であり、 (式中Mは例えばニツケル、パラジウム、白金
又はコバルトを示す)インオルガニツクケミスト
リ(Inorganic Chemistry)14巻、640〜645頁
(1975年)に記載の方法によつて合成しうるもの
であり、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)ニツ
ケル、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)パラジ
ウム、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)白金お
よびビス(ジイミノサクシノニトリロ)コバルト
が代表的に用いられるが、合成の容易さ、溶剤へ
の溶解性の面からビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)ニツケルを用いることが好ましい。
上記のビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属
錯体は650〜1150nmに極大吸収を有するが、紫外
線、X線又は電子線の照射によつて、上記の吸収
能が低下又は消失する。
錯体は650〜1150nmに極大吸収を有するが、紫外
線、X線又は電子線の照射によつて、上記の吸収
能が低下又は消失する。
上記のビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属
錯体のバインダー成分となるプラスチツク材料と
しては、例えばポリメタクリル酸メチルに代表さ
れるメタクリル樹脂(メタクリル共重合樹脂)、
塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニ
トリルスチレン共重合樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、セルロースアセテートブ
チレート樹脂、等各種の透明性を有する公知のプ
ラスチツクスを用いることが出来る。本発明の光
学式複製シートの製造にあたつては、バインダー
成分となるプラスチツク材料にビス(ジイミノサ
クシノニトリロ)金属錯体をプラスチツクが溶融
する温度条件下で練合し、シート状又はフイルム
状にして用いるか、上記のビス(ジイミノサクシ
ノニトリロ)金属錯体及びプラスチツク材料を有
機溶媒に溶解して、透明なプラスチツクシート又
はガラス等の支持体上に塗布するかして未記録の
シートを得る。ビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)金属錯体をプラスチツク材料と溶融練合した
後シート又はフイルム状に成型する場合又は、透
明な支持体として透明なプラスチツクシート又は
フイルムが用いられる場合、そのプラスチツク材
料は、複屈折が小さく光学的均一性にすぐれた材
料が好ましく、かかる観点からメタクリル樹脂が
特に好ましい。
錯体のバインダー成分となるプラスチツク材料と
しては、例えばポリメタクリル酸メチルに代表さ
れるメタクリル樹脂(メタクリル共重合樹脂)、
塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニ
トリルスチレン共重合樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、セルロースアセテートブ
チレート樹脂、等各種の透明性を有する公知のプ
ラスチツクスを用いることが出来る。本発明の光
学式複製シートの製造にあたつては、バインダー
成分となるプラスチツク材料にビス(ジイミノサ
クシノニトリロ)金属錯体をプラスチツクが溶融
する温度条件下で練合し、シート状又はフイルム
状にして用いるか、上記のビス(ジイミノサクシ
ノニトリロ)金属錯体及びプラスチツク材料を有
機溶媒に溶解して、透明なプラスチツクシート又
はガラス等の支持体上に塗布するかして未記録の
シートを得る。ビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)金属錯体をプラスチツク材料と溶融練合した
後シート又はフイルム状に成型する場合又は、透
明な支持体として透明なプラスチツクシート又は
フイルムが用いられる場合、そのプラスチツク材
料は、複屈折が小さく光学的均一性にすぐれた材
料が好ましく、かかる観点からメタクリル樹脂が
特に好ましい。
又、溶剤に溶解して塗布する場合のバインダー
としては、上記の如きプラスチツク材料の他に、
アルキツド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、変性セルロース樹脂等一般に用いられる透明
な塗料用樹脂が好適に用いられ、更にこれら樹脂
の架橋剤を加えて、支持体に塗布後加熱乾燥して
バインダー層を熱硬化させて用いてもよい。
としては、上記の如きプラスチツク材料の他に、
アルキツド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、変性セルロース樹脂等一般に用いられる透明
な塗料用樹脂が好適に用いられ、更にこれら樹脂
の架橋剤を加えて、支持体に塗布後加熱乾燥して
バインダー層を熱硬化させて用いてもよい。
またビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯
体部分を有するプラスチツク材料を少くとも部分
的に用いてもよい。
体部分を有するプラスチツク材料を少くとも部分
的に用いてもよい。
上記ビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯
体又は同部分とバインダー層となる透明なプラス
チツク材料との混合割合は、ビス(ジイミノサク
シノニトリロ)金属錯体又は同部分を含有する層
の厚みに応じ適宜選択されるが、固型のプラスチ
ツクスと溶融練合し、シート又はフイルムに成型
する場合には通常0.02〜2.0重量%、塗布によつ
てビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体又
は同部分含有層を形成する場合には通常0.5〜20
重量%のビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属
錯体を含有せしめることが一般的である。
体又は同部分とバインダー層となる透明なプラス
チツク材料との混合割合は、ビス(ジイミノサク
シノニトリロ)金属錯体又は同部分を含有する層
の厚みに応じ適宜選択されるが、固型のプラスチ
ツクスと溶融練合し、シート又はフイルムに成型
する場合には通常0.02〜2.0重量%、塗布によつ
てビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体又
は同部分含有層を形成する場合には通常0.5〜20
重量%のビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属
錯体を含有せしめることが一般的である。
次に、上記の如くして得られたビス(ジイミノ
サクシノニトリロ)金属錯体又は同部分を含有す
る層を有するシート上に、所望のパターンを有す
るフオトマスクを通して紫外線、電子線或いはX
線を照射露光し、ビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)金属錯体の特有の光吸収能の強弱のパターン
を形成する。
サクシノニトリロ)金属錯体又は同部分を含有す
る層を有するシート上に、所望のパターンを有す
るフオトマスクを通して紫外線、電子線或いはX
線を照射露光し、ビス(ジイミノサクシノニトリ
ロ)金属錯体の特有の光吸収能の強弱のパターン
を形成する。
フオトマスクとしては、露光線源の相違によつ
て露光、未露光部分の差異が明りように得られる
ものであればよく、一般的には半導体加工用に用
いられるフオトマスクと同様にして作成され、基
板にソーダライム、ホワイトクラウン、アルミノ
ボロシリケート、石英などのガラスを用い、非透
過層として銀エマルジヨン、クロム、クロム一酸
化クロム、酸化鉄などを用いたフオトマスクが通
常用いられる。
て露光、未露光部分の差異が明りように得られる
ものであればよく、一般的には半導体加工用に用
いられるフオトマスクと同様にして作成され、基
板にソーダライム、ホワイトクラウン、アルミノ
ボロシリケート、石英などのガラスを用い、非透
過層として銀エマルジヨン、クロム、クロム一酸
化クロム、酸化鉄などを用いたフオトマスクが通
常用いられる。
フオトマスクは、上記のデイスクに密着させた
露光法、近接露光法、等倍投影露光法や、フオト
マスクの透過光をレンズで縮小又は拡大する露光
法のいずれもが可能である。
露光法、近接露光法、等倍投影露光法や、フオト
マスクの透過光をレンズで縮小又は拡大する露光
法のいずれもが可能である。
露光時間は、線源の出力、ビス(ジイミノサク
シノニトリロ)金属錯体又は同部分含有層の厚み
等により、露光部分と未露光部分の読みとりに用
いるレーザー光の透過率が明瞭に異なるよう適宜
選択されるが、一般的には1秒〜1分の如き短時
間の露光によつて情報の複製が行われる。
シノニトリロ)金属錯体又は同部分含有層の厚み
等により、露光部分と未露光部分の読みとりに用
いるレーザー光の透過率が明瞭に異なるよう適宜
選択されるが、一般的には1秒〜1分の如き短時
間の露光によつて情報の複製が行われる。
露光部分においては、上記したビス(ジイミノ
サクシノニトリロ)金属錯体又は同部分は紫外
線、電子線或いはX線によつてビス(ジイミノサ
クシノニトリロ)金属錯体の特有の吸収能が失わ
れるか弱められるかすることによつて、フオトマ
スクパターンに対応した吸収能の強弱のパターン
がシート上に得られ本発明の光学式複製シートが
得られる。本発明の光学式複製シートにおいて、
露光部と未露光部の読みとりに用いるレーザー光
の透過率は、シートの厚みムラ等のノイズを吸収
し、明確なパルス状の信号を与える程度であれば
さしつかえないが、一般的には露光部のレーザー
光の透過率が、未露光部の透過率の2倍以上好ま
しくは5倍以上、特に好ましくは10倍以上である
ことが好ましい。
サクシノニトリロ)金属錯体又は同部分は紫外
線、電子線或いはX線によつてビス(ジイミノサ
クシノニトリロ)金属錯体の特有の吸収能が失わ
れるか弱められるかすることによつて、フオトマ
スクパターンに対応した吸収能の強弱のパターン
がシート上に得られ本発明の光学式複製シートが
得られる。本発明の光学式複製シートにおいて、
露光部と未露光部の読みとりに用いるレーザー光
の透過率は、シートの厚みムラ等のノイズを吸収
し、明確なパルス状の信号を与える程度であれば
さしつかえないが、一般的には露光部のレーザー
光の透過率が、未露光部の透過率の2倍以上好ま
しくは5倍以上、特に好ましくは10倍以上である
ことが好ましい。
本発明の光学式複製シートは、そのままの形で
記録された情報の読みとりに際し、レーザー光の
透過光量を非照射面で検出して用いる透過型の光
学式複製シートとして実用に供せられる一方、片
側に金属蒸着を例えば真空蒸着、スパツタリン
グ、イオンプレーテイング等の公知の方法によつ
て行い、照射したレーザー光の金属蒸着による反
射層として反射光量を検出して用いる反射型の光
学式複製シートとしても実用に供せられる。しか
しながら、いずれの場合も、ビス(ジイミノサク
シノニトリロ)金属錯体又は同部分を含有する層
をレーザー光が通過する際のレーザー光の吸収の
強弱をもつて読みとりを行うことにかわりはな
い。
記録された情報の読みとりに際し、レーザー光の
透過光量を非照射面で検出して用いる透過型の光
学式複製シートとして実用に供せられる一方、片
側に金属蒸着を例えば真空蒸着、スパツタリン
グ、イオンプレーテイング等の公知の方法によつ
て行い、照射したレーザー光の金属蒸着による反
射層として反射光量を検出して用いる反射型の光
学式複製シートとしても実用に供せられる。しか
しながら、いずれの場合も、ビス(ジイミノサク
シノニトリロ)金属錯体又は同部分を含有する層
をレーザー光が通過する際のレーザー光の吸収の
強弱をもつて読みとりを行うことにかわりはな
い。
上記の複製シートにおいて、透明な支持体上
に、上記のビス(ジイミノサクシノニトリロ)金
属錯体又は同部分の含有層を塗布して形成する場
合には、同層面からフオトマスクを通して紫外
線、電子線又はX線を露光してパターンを形成す
ることが好ましく、又、更に反射層を設ける場合
には、同層面すなわちパターン形成面に金属蒸着
等を行い、読みとりは、レーザー光を透明な支持
体層を通して行うことが特に好ましい。
に、上記のビス(ジイミノサクシノニトリロ)金
属錯体又は同部分の含有層を塗布して形成する場
合には、同層面からフオトマスクを通して紫外
線、電子線又はX線を露光してパターンを形成す
ることが好ましく、又、更に反射層を設ける場合
には、同層面すなわちパターン形成面に金属蒸着
等を行い、読みとりは、レーザー光を透明な支持
体層を通して行うことが特に好ましい。
又、反射層を有する反射型の光学式複製シート
においては反射層を保護する目的での保護コーテ
イングや、プラスチツクの張り合せによる裏うち
を行つてもよく、又、2枚の反射型の光学式複製
シートを反射層面同志はりあわせて両面板として
もよい。
においては反射層を保護する目的での保護コーテ
イングや、プラスチツクの張り合せによる裏うち
を行つてもよく、又、2枚の反射型の光学式複製
シートを反射層面同志はりあわせて両面板として
もよい。
本発明の光学式複製シートの読みとりは、含有
するビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体
の極大吸収に近い発振波長のレーザー光を用いる
ことが好ましいが、各種の半導体レーザー、ヘリ
ウムネオンレーザーが通常用いられレンズによつ
て通常2μ以下のスポツトビームに集光してシー
ト上に照射される。
するビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体
の極大吸収に近い発振波長のレーザー光を用いる
ことが好ましいが、各種の半導体レーザー、ヘリ
ウムネオンレーザーが通常用いられレンズによつ
て通常2μ以下のスポツトビームに集光してシー
ト上に照射される。
本発明の光学式複製シートに照射されたレーザ
ー光の透過光量又は反射光量は、フオトダイオー
ド等の受光素子により検出されると共に電気信号
に変換され画像、音声等各種記録された情報の再
生に用いられる。
ー光の透過光量又は反射光量は、フオトダイオー
ド等の受光素子により検出されると共に電気信号
に変換され画像、音声等各種記録された情報の再
生に用いられる。
上記の如くしてえられた本発明の光学式複製シ
ートは、複製シートの生産性が極めて良好である
とともに、高密度の記録を正確に行うことが出
来、再生した記録の画像や音質も極めて良好であ
る。なお本発明の光学式複製シートの形状は円板
状のデイスクが最も代表的であるが、必要に応じ
適宜、方形、長尺形、また湾曲面等任意の形状と
することができる。
ートは、複製シートの生産性が極めて良好である
とともに、高密度の記録を正確に行うことが出
来、再生した記録の画像や音質も極めて良好であ
る。なお本発明の光学式複製シートの形状は円板
状のデイスクが最も代表的であるが、必要に応じ
適宜、方形、長尺形、また湾曲面等任意の形状と
することができる。
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説
明するが本発明は実施例に限定されるものではな
い。
明するが本発明は実施例に限定されるものではな
い。
実施例 1
ビス(ジイミノサクシノニトリロ)ニツケル
(極大吸収波長〔以下λmaxと略称〕670nm)10
重量部及びメタクリル酸メチル、メタクリル酸ノ
ルマルブチル共重合樹脂100重量部をジクロルメ
タン100重量部及びメチルエチルケトン100重量部
の混合溶媒に溶解し、厚さ1.2mmのメタクリル樹
脂板の片面に乾燥塗膜が15μになるように塗布
し、80℃で30分間乾燥して溶媒を除去した。次
に、塗布層面に、ソーダライムガラス上にクロム
を非透過層とするフオトマスクを密着させ、
120W/cmの出力を有する高圧水銀燈下で30秒間
紫外線露光して、フオトマスクのパターンの転写
を行つて本発明の透過型の光学式複製シートを得
た。
(極大吸収波長〔以下λmaxと略称〕670nm)10
重量部及びメタクリル酸メチル、メタクリル酸ノ
ルマルブチル共重合樹脂100重量部をジクロルメ
タン100重量部及びメチルエチルケトン100重量部
の混合溶媒に溶解し、厚さ1.2mmのメタクリル樹
脂板の片面に乾燥塗膜が15μになるように塗布
し、80℃で30分間乾燥して溶媒を除去した。次
に、塗布層面に、ソーダライムガラス上にクロム
を非透過層とするフオトマスクを密着させ、
120W/cmの出力を有する高圧水銀燈下で30秒間
紫外線露光して、フオトマスクのパターンの転写
を行つて本発明の透過型の光学式複製シートを得
た。
上記の複製シートを円板状に切り抜き、得られ
た複製デイスク上(塗布層側)に、ヘリウム、ネ
オンレーザー光(発振波長633nm)のスポツトビ
ームを照射し、定速で円板を回転させ、透過する
レーザー光をデイスクの裏面側に設置されたフオ
トダイオードで検出し、電気信号に変換して画像
の再生を試みた結果、極めて良質の画像を再生す
ることが出来た。
た複製デイスク上(塗布層側)に、ヘリウム、ネ
オンレーザー光(発振波長633nm)のスポツトビ
ームを照射し、定速で円板を回転させ、透過する
レーザー光をデイスクの裏面側に設置されたフオ
トダイオードで検出し、電気信号に変換して画像
の再生を試みた結果、極めて良質の画像を再生す
ることが出来た。
実施例 2
実施例1で得られた複製シートの塗布層面に、
アルミニウムの蒸着によつて反射層を形成し、更
に反射層の保護の為に、アクリルラツカー塗料を
塗布し、本発明の反射型の光学式複製シートを得
た。
アルミニウムの蒸着によつて反射層を形成し、更
に反射層の保護の為に、アクリルラツカー塗料を
塗布し、本発明の反射型の光学式複製シートを得
た。
上記の複製シートを円板状に切り抜き、得られ
た複製デイスクの非反射層面すなわち支持体であ
るメタクリル樹脂板面に、ヘリウムネオンレーザ
ー光(発振波長633nm)のスポツトビームを45゜
の角度で照射し、定速で円板を回転させ反射する
レーザー光の光量をフオトダイオードで検出し、
電気信号に変換して画像の再生を試みた結果、極
めて良質の画像を再生することが出来た。
た複製デイスクの非反射層面すなわち支持体であ
るメタクリル樹脂板面に、ヘリウムネオンレーザ
ー光(発振波長633nm)のスポツトビームを45゜
の角度で照射し、定速で円板を回転させ反射する
レーザー光の光量をフオトダイオードで検出し、
電気信号に変換して画像の再生を試みた結果、極
めて良質の画像を再生することが出来た。
なお実施例1で得られた複製シートの一部を用
い実施例1と同様の露光を同様のソーダライムガ
ラスを通して行つたものと未露光のものとの、実
施例1で用いたレーザー光の透過光量比は8/1で
あつた。
い実施例1と同様の露光を同様のソーダライムガ
ラスを通して行つたものと未露光のものとの、実
施例1で用いたレーザー光の透過光量比は8/1で
あつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 紫外線、電子線、X線のいずれかの照射によ
りその特有の光吸収能を失うビス(ジイミノサク
シノニトリロ)金属錯体を、透明なプラスチツク
材料に混合して得られるフイルム状又はシート状
材料に、所望のパターンを有するフオトマスクを
通して紫外線、電子線、X線のいずれかを露光
し、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)金属錯体
の特有の光吸収能の強弱又は有無のパターンを形
成してなることを特徴とする光学式複製シート。 2 パターンの続み出しをレーザー光の透過光量
によつて行うことを特徴とする特許請求の範囲1
の光学式複製シート。 3 片面に反射層を設け、パターンの読みとりを
レーザー光の反射光量によつて行うことを特徴と
する特許請求の範囲1の光学式複製シート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56100497A JPS582833A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光学式複製シ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56100497A JPS582833A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光学式複製シ−ト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS582833A JPS582833A (ja) | 1983-01-08 |
JPH0310087B2 true JPH0310087B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=14275560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56100497A Granted JPS582833A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光学式複製シ−ト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS582833A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6083029A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光記録媒体 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56100497A patent/JPS582833A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS582833A (ja) | 1983-01-08 |
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