JPH0294625A - Polycrystalline silicon film, formation of same film, and photovoltaic device using same film - Google Patents
Polycrystalline silicon film, formation of same film, and photovoltaic device using same filmInfo
- Publication number
- JPH0294625A JPH0294625A JP63247841A JP24784188A JPH0294625A JP H0294625 A JPH0294625 A JP H0294625A JP 63247841 A JP63247841 A JP 63247841A JP 24784188 A JP24784188 A JP 24784188A JP H0294625 A JPH0294625 A JP H0294625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- polycrystalline silicon
- amorphous silicon
- doped
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は多結晶シリコン膜、その膜の形成方法及び光起
電力装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a polycrystalline silicon film, a method for forming the film, and a photovoltaic device.
（ロ）従来の技術
多結晶シリコン膜を用いた装置としての光起電力装置に
おいて、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大きくすること
は、膜中のキャリアの移動度を大きくすることにより装
置の変換効率を向上させる上で重要なことである。(b) Conventional technology In a photovoltaic device using a polycrystalline silicon film, increasing the crystal grain size of the polycrystalline silicon film increases the mobility of carriers in the film, which improves the efficiency of the device. This is important in improving conversion efficiency.
従来、大きな粒径の多結晶シリコン膜を形成するための
方法としては、第３５回応用物理学会予稿集２８ａ−Ｐ
−３に示されているように、基板上に粒径の小さい多結
晶シリコン膜を一旦形成した後、この膜をＳｉ＋注入法
によりアモルファス化し、更に、低温アニールすること
により固層成長を行う方法がある。Conventionally, methods for forming polycrystalline silicon films with large grain sizes have been described in Proceedings of the 35th Japan Society of Applied Physics, 28a-P.
-3, a method in which a polycrystalline silicon film with a small grain size is once formed on a substrate, this film is made amorphous by Si + implantation, and then solid-phase growth is performed by low-temperature annealing. There is.
（ハ）発明が解決しようとする課題
上述の方法によりある程度粒径の大きな多結晶シリコン
膜が得られるものも、その粒径は１〜３／ｊ ｍ程度で
あって十分大きいとは言えない。(c) Problems to be Solved by the Invention Although polycrystalline silicon films having a somewhat large grain size can be obtained by the above-mentioned method, the grain size is about 1 to 3/j m, which cannot be said to be sufficiently large.
そこで、本発明はより大きな粒径の多結晶シリコン膜を
形成することにある。Therefore, the object of the present invention is to form a polycrystalline silicon film having a larger grain size.
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の多結晶シリコン膜は、リン（Ｐ）をドープした
アモルファスシリコン膜を熱処理することにより形成さ
れたことを特徴とする。(d) Means for Solving the Problems The polycrystalline silicon film of the present invention is characterized in that it is formed by heat-treating an amorphous silicon film doped with phosphorus (P).
また、本発明の多結晶シリコン膜の第１の形成方法は、
基板上にＰをドープしたアモルファスシリコン膜を形成
する工程と、上記アモルファスシリコン膜を熱処理する
工程とを備えたことを特徴とし、本発明の多結晶シリコ
ン膜の第２の形成方法は、基板上にＰをドープしたアモ
ルファスシリコン膜を形成する工程と、上記アモルファ
スシリコン膜を熱処理することによりこのアモルファス
シリコン膜を多結晶シリコン膜とする工程と、上記多結
晶シリコン膜上にノンドープのアモルファスシリコン膜
を形成する工程と、上記ノンドープのアモルファスシリ
コン膜を熱処理することによりこのアモルファスシリコ
ン膜を多結晶シリコン膜とする工程とを備えたことを特
徴とする。Further, the first method for forming a polycrystalline silicon film of the present invention is as follows:
A second method for forming a polycrystalline silicon film of the present invention is characterized by comprising a step of forming an amorphous silicon film doped with P on a substrate, and a step of heat-treating the amorphous silicon film. a step of forming an amorphous silicon film doped with P; a step of heat-treating the amorphous silicon film to turn the amorphous silicon film into a polycrystalline silicon film; and forming a non-doped amorphous silicon film on the polycrystalline silicon film. The present invention is characterized by comprising a step of forming the non-doped amorphous silicon film, and a step of heat-treating the non-doped amorphous silicon film to turn the amorphous silicon film into a polycrystalline silicon film.
さらに本発明の光起電力装置は、Ｐをドープしたアモル
ファスシリコン膜を熱処理することにより形成された多
結晶シリコ、ン膜をＮ型層として備えたことを特徴とす
る。Further, the photovoltaic device of the present invention is characterized in that it includes a polycrystalline silicon film formed by heat-treating a P-doped amorphous silicon film as an N-type layer.
（ホ）作用
Ｐをドープしたアモルファスシリコン膜を熱処理するこ
とにより、数１０／７ｍの粒径を有する多結晶シリフン
膜が得られる。また、粒径の大きさはＰのドープ量に応
じて任意に制御することができる。(E) Effect By heat-treating an amorphous silicon film doped with P, a polycrystalline silicon film having a grain size of several 10/7 m can be obtained. Furthermore, the particle size can be arbitrarily controlled depending on the amount of P doped.
更に、この多結晶シリコン膜を有する光起電力装置は大
きな変換効率を有する。Furthermore, a photovoltaic device with this polycrystalline silicon film has high conversion efficiency.
（へ）実施例
第１図は本発明の第１の形成方法を説明するための断面
図であり、石英からなる基板（１）上に、周知のプラズ
マＣＶＤ法を用いて任意の量のリン（Ｐ）をドープした
アモルファスシリコン膜を所定の膜厚で形成し、その後
、このアモルファスシリコン膜を６００℃程度の温度で
数１０時間熱処理する。これにより、アモルファスシリ
コン膜を、数μｍ以上の粒径を有する多結晶シリコン膜
（２）とすることができる。(v) Example FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the first formation method of the present invention, in which an arbitrary amount of phosphorus is deposited on a substrate (1) made of quartz using the well-known plasma CVD method. An amorphous silicon film doped with (P) is formed to a predetermined thickness, and then this amorphous silicon film is heat-treated at a temperature of about 600° C. for several tens of hours. Thereby, the amorphous silicon film can be made into a polycrystalline silicon film (2) having a grain size of several μm or more.
ここで、多結晶シリコン膜（２）の粒径及び結晶化の進
行程度は、アモルファスシリコン膜の形成時にドープす
るＰの量及び熱処理時の温度により制御することができ
る。Here, the grain size and degree of crystallization of the polycrystalline silicon film (2) can be controlled by the amount of P doped during formation of the amorphous silicon film and the temperature during heat treatment.
第２図はアモルファスシリコン膜を形成するときのＳｉ
Ｈ，ガスとＰＨ，ガスの比率と、多結晶シリコン膜（２
）の粒径との関係を示す特性図である。Figure 2 shows Si when forming an amorphous silicon film.
H, gas and PH, gas ratio and polycrystalline silicon film (2
) is a characteristic diagram showing the relationship with particle size.
同図から明らかなように、Ｐのドープ量に比例して粒径
が大きくなることが分かる。従って、アモルファスシリ
コン膜を形成するときにＰの濃度を適宜に制御すること
により、所望の大きさの粒径を有する多結晶シリコン膜
（２）が得られる。As is clear from the figure, the grain size increases in proportion to the amount of P doped. Therefore, by appropriately controlling the concentration of P when forming an amorphous silicon film, a polycrystalline silicon film (2) having a desired grain size can be obtained.
そこで、アモルファスシリコン膜を形成するときに、Ｐ
のドープ量を、例えば、基板（１）側から漸減するよう
にすると、その後の熱処理により得られる多結晶シリコ
ン膜（２）の粒径は、基板（１）側から徐々に小さくな
る。Therefore, when forming an amorphous silicon film, P
For example, if the doping amount is gradually decreased from the substrate (1) side, the grain size of the polycrystalline silicon film (2) obtained by subsequent heat treatment will gradually become smaller from the substrate (1) side.
このように、変化に冨んだ粒径を有する多結晶シリコン
膜を形成することができる。In this way, a polycrystalline silicon film having a wide variety of grain sizes can be formed.
一方、第３図は上記形成方法における熱処理温度と多結
晶化の進行程度（基板側からみて多結晶化した膜厚）と
の関係を示す特性図である。On the other hand, FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the heat treatment temperature and the degree of progress of polycrystalization (the thickness of the polycrystalline film when viewed from the substrate side) in the above-described formation method.
同図から、５５０℃から６００℃までの間という低温で
多結晶化が起こり、６００℃程度から急激に多結晶化す
ることが分かる。From the same figure, it can be seen that polycrystalization occurs at a low temperature between 550°C and 600°C, and polycrystalization occurs rapidly from about 600°C.
第４図は本発明の光起電力装置を示す断面図であり、上
記方法により形成された多結晶シリコン膜をＮ型Ｓｉ膜
（４０）としてその上にボロン（Ｂ）をドープしたＰ型
ＳｉＣ膜（４１）を形成し、これらを基板（４２）上に
積層したものであって、ＰＮ接合を有する光起電力装置
である。なお、Ｎ型Ｓｉ膜（４０）並びにＰ型ＳｉＣ膜
（４１）の両面には背面電極（４３）及び透明電極（４
４）が配設されている。FIG. 4 is a sectional view showing the photovoltaic device of the present invention, in which the polycrystalline silicon film formed by the above method is used as an N-type Si film (40), and a P-type Si film (40) doped with boron (B) is This is a photovoltaic device in which a film (41) is formed and these are laminated on a substrate (42), and has a PN junction. Note that a back electrode (43) and a transparent electrode (4) are provided on both sides of the N-type Si film (40) and the P-type SiC film (41).
4) is provided.
第５図は上記光起電力装置のＮ型Ｓｉ膜（４０）の粒径
と装置の変換効率との関係を示す特性図であり、粒径の
増大させることによって変換効率を向上させることがで
きることが分かる。FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the particle size of the N-type Si film (40) of the photovoltaic device and the conversion efficiency of the device, and shows that the conversion efficiency can be improved by increasing the particle size. I understand.
ところで、上記第１の形成方法により形成される多結晶
シリコン膜（２）はＰをドープすることから必然的にＮ
型の膜となるものであるが、光起電力装置を形成する場
合には、上記Ｎ型の多結晶シリコン膜に加えて、この上
にノンドープの多結晶シリコン膜をも形成できることが
好ましい。By the way, since the polycrystalline silicon film (2) formed by the first formation method is doped with P, it inevitably contains N.
However, when forming a photovoltaic device, it is preferable that in addition to the N-type polycrystalline silicon film, a non-doped polycrystalline silicon film can also be formed thereon.
第６図はＮ型の多結晶シリコン膜上にノンドープの多結
晶シリコン膜を形成するための本発明の第２の形成方法
を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a second forming method of the present invention for forming a non-doped polycrystalline silicon film on an N-type polycrystalline silicon film.
同図において、基板（６０）上に、Ｎ型の多結晶シリコ
ン膜（６１）が形成される。この多結晶シリコン膜（６
１）の形成方法は、上述の第１の形成方法における多結
晶シリコン膜（２）の形成方法と全く同様である。In the figure, an N-type polycrystalline silicon film (61) is formed on a substrate (60). This polycrystalline silicon film (6
The formation method 1) is completely the same as the method for forming the polycrystalline silicon film (2) in the first formation method described above.
次に、Ｎ型の多結晶シリコン膜（６１）上に、ノンドー
プのアモルファスシリコン膜を積層形成する。その後、
このアモルファスシリコン膜を６００℃程度の温度で数
１０時間熱処理する。これにより、アモルファスシリコ
ン膜を、数μｍ以上の粒径を有するノンドープの多結晶
シリコン膜（６２）とすることができる。Next, a non-doped amorphous silicon film is laminated on the N-type polycrystalline silicon film (61). after that,
This amorphous silicon film is heat treated at a temperature of about 600° C. for several tens of hours. Thereby, the amorphous silicon film can be made into a non-doped polycrystalline silicon film (62) having a grain size of several μm or more.
この時、Ｐをドープしたアモルファスシリコン膜及びノ
ンドープのアモルファスシリコン膜を連続して形成した
後に熱処理することによっても、多結晶シリコン膜（６
１）（６２）を夫々形成することができるが、この方法
では、熱処理中に、Ｎ型の多結晶シリコン膜中からノン
ドープのアモルファスシリコン膜中にＰが拡散してＮ型
となってしまい、結果として、ノンドープの多結晶シリ
コン膜が得られないことになる。At this time, a polycrystalline silicon film (6
1) and (62), respectively, but in this method, during heat treatment, P diffuses from the N-type polycrystalline silicon film into the non-doped amorphous silicon film and becomes N-type. As a result, a non-doped polycrystalline silicon film cannot be obtained.
これに対し、本発明の方法によれば、先にＮ型の多結晶
シリコン膜（６１）を形成しておくことによン、次に形
成されるノンドープの膜中へのＰの拡散を抑制すること
ができ、従って、確実にノンドープの多結晶シリコン膜
（６２）を得ることができる。In contrast, according to the method of the present invention, by forming the N-type polycrystalline silicon film (61) first, the diffusion of P into the non-doped film to be formed next is suppressed. Therefore, a non-doped polycrystalline silicon film (62) can be reliably obtained.
第７図は上記第２の製造方法において、粒径が約１μｍ
及び０．２μｍのＮ型の多結晶シリコン膜（６１）上に
ノンドープの多結晶シリコン膜（６２）を形成する場合
の熱処理温度と多結晶化の進行程度（基板側からみて多
結晶化した膜厚）との関係を示す特性図である。なお、
・印が約１μｍの粒径の場合を、また、Δ印が約０．２
μｍの粒径の場合を示している。Figure 7 shows the particle size of approximately 1 μm in the second manufacturing method above.
and heat treatment temperature and degree of polycrystalization when forming a non-doped polycrystalline silicon film (62) on a 0.2 μm N-type polycrystalline silicon film (61) (polycrystalline film seen from the substrate side) FIG. In addition,
・The mark indicates a particle size of approximately 1 μm, and the Δ mark indicates a particle size of approximately 0.2 μm.
The case where the particle size is μm is shown.
同図から見て、第２の形成方法により形成されるノンド
ープの多結晶シリコン膜（６２）も６００℃程度の低い
温度で形成することができることが分かる。また、この
方法では、Ｎ型の多結晶シリコンＩＩ！（６１）の粒径
が大きいほど、低い温度でノンドープのアモルファスシ
リコン膜の多結晶化を行うことかできる。From the figure, it can be seen that the non-doped polycrystalline silicon film (62) formed by the second formation method can also be formed at a low temperature of about 600°C. In addition, in this method, N-type polycrystalline silicon II! The larger the grain size of (61) is, the lower the temperature can be used to polycrystallize a non-doped amorphous silicon film.
（ト）発明の効果
本発明によれば、リン（Ｐ）をドープしたアモルファス
シリコン膜を熱処理することにより、低温で粒径の大き
な多結晶シリコン膜を形成することができ、また、Ｐの
ドープ量を任意に制御することにより、所望の粒径を有
する多結晶シリコン膜が容易に得られる。(G) Effects of the Invention According to the present invention, by heat-treating an amorphous silicon film doped with phosphorus (P), a polycrystalline silicon film with a large grain size can be formed at a low temperature, and By arbitrarily controlling the amount, a polycrystalline silicon film having a desired grain size can be easily obtained.
更に、光起電力装置にあっては、粒径の大きな膜から構
成されているので、変換効率の優れたものとすることが
できる。Furthermore, since the photovoltaic device is composed of a film with a large particle size, it can have excellent conversion efficiency.
第１図は本発明の第１の形成方法を説明するための断面
図、第２図はアモルファスシリコン膜を形成するときの
ＳｉＨ，ガス及びＰＨ，ガスの比率と多結晶シリコン膜
の粒径との関係を示す特性図、第３図は第１の形成方法
における熱処理温度と多結晶化の進行程度との関係を示
す特性図、第４図は本発明の多結晶シリコン膜を用いた
光起電力装置を示す断面図、第５図は光起電力装置の多
結晶ンリコン膜の粒径と装置の変換効率との関係を示す
特性図、第６図は本発明の第２の形成方法を説明するた
めの断面図、第７図は上記第２の形成方法において、異
なる粒径の多結晶シリコン膜りにノンドープの多結晶シ
リコン膜を形成する場合の熱処理温度と多結晶化の進行
程度との関係を示す特性図である。
（２）・・多結晶シリコン膜、（６１）・・・Ｎ型の多
結晶シリコン膜、（６２）・・・ノンドープの多結晶シ
リコン嘆。
第１図
第２図FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the first formation method of the present invention, and FIG. 2 shows SiH, gas, and PH when forming an amorphous silicon film, the gas ratio and the grain size of the polycrystalline silicon film. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the heat treatment temperature and the degree of polycrystallization in the first formation method. FIG. A cross-sectional view showing a power device, FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the grain size of the polycrystalline silicon film of the photovoltaic device and the conversion efficiency of the device, and FIG. 6 explains the second forming method of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view for forming a non-doped polycrystalline silicon film on polycrystalline silicon films with different grain sizes in the second formation method, and shows the relationship between the heat treatment temperature and the degree of polycrystalization. It is a characteristic diagram showing a relationship. (2)...Polycrystalline silicon film, (61)...N-type polycrystalline silicon film, (62)...Non-doped polycrystalline silicon film. Figure 1 Figure 2
Claims (5)
を熱処理することにより形成されたことを特徴とする多
結晶シリコン膜。(1) A polycrystalline silicon film characterized in that it is formed by heat treating an amorphous silicon film doped with phosphorus (P).
とを特徴とする第１項記載の多結晶シリコン膜。(2) The polycrystalline silicon film according to item 1, wherein the amount of P doped is inclined in the thickness direction of the film.
を形成する工程と、上記アモルファスシリコン膜を熱処
理する工程とを備えたことを特徴とする多結晶シリコン
膜の形成方法。(3) A method for forming a polycrystalline silicon film, comprising the steps of forming an amorphous silicon film doped with P on a substrate, and heat-treating the amorphous silicon film.
を形成する工程と、上記アモルファスシリコン膜を熱処
理することによりこのアモルファスシリコン膜を多結晶
シリコン膜とする工程と、上記多結晶シリコン膜上にノ
ンドープのアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
上記ノンドープのアモルファスシリコン膜を熱処理する
ことによりこのアモルファスシリコン膜を多結晶シリコ
ン膜とする工程とを備えたことを特徴とする多結晶シリ
コン膜の形成方法。(4) A step of forming an amorphous silicon film doped with P on the substrate, a step of heat-treating the amorphous silicon film to make the amorphous silicon film a polycrystalline silicon film, and a step of forming a non-doped amorphous silicon film on the polycrystalline silicon film. a step of forming an amorphous silicon film;
A method for forming a polycrystalline silicon film, comprising the step of heat-treating the non-doped amorphous silicon film to make the amorphous silicon film into a polycrystalline silicon film.
することにより形成された多結晶シリコン膜をＮ型層と
して備えたととを特徴とする光起電力装置。(5) A photovoltaic device comprising, as an N-type layer, a polycrystalline silicon film formed by heat-treating a P-doped amorphous silicon film.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247841A JPH0294625A (en) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Polycrystalline silicon film, formation of same film, and photovoltaic device using same film |
| JP4082104A JPH05109638A (en) | 1988-09-30 | 1992-04-03 | Method for forming polycrystalline silicon film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247841A JPH0294625A (en) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Polycrystalline silicon film, formation of same film, and photovoltaic device using same film |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4082104A Division JPH05109638A (en) | 1988-09-30 | 1992-04-03 | Method for forming polycrystalline silicon film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294625A true JPH0294625A (en) | 1990-04-05 |
Family
ID=17169471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63247841A Pending JPH0294625A (en) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Polycrystalline silicon film, formation of same film, and photovoltaic device using same film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294625A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221365A (en) * | 1990-10-22 | 1993-06-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic cell and method of manufacturing polycrystalline semiconductive film |
| US5447889A (en) * | 1992-09-11 | 1995-09-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of preparing polycrystalline silicon film |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745980A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous solar battery and manufacture thereof |
| JPS57181537A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Light pattern projector |
| JPS60119713A (en) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS61194826A (en) * | 1985-02-23 | 1986-08-29 | アイテイーテイー・インダストリーズ・インコーポレーテツド | Manufacture of semiconductor |
| JPS63137411A (en) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS63185015A (en) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Sony Corp | Forming method for semiconductor thin film |
| JPS63236310A (en) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nippon Soken Inc | Semiconductor device and manufacture thereof |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63247841A patent/JPH0294625A/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745980A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous solar battery and manufacture thereof |
| JPS57181537A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Light pattern projector |
| JPS60119713A (en) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS61194826A (en) * | 1985-02-23 | 1986-08-29 | アイテイーテイー・インダストリーズ・インコーポレーテツド | Manufacture of semiconductor |
| JPS63137411A (en) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS63185015A (en) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Sony Corp | Forming method for semiconductor thin film |
| JPS63236310A (en) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nippon Soken Inc | Semiconductor device and manufacture thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221365A (en) * | 1990-10-22 | 1993-06-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic cell and method of manufacturing polycrystalline semiconductive film |
| US5447889A (en) * | 1992-09-11 | 1995-09-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of preparing polycrystalline silicon film |
| US5492142A (en) * | 1992-09-11 | 1996-02-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Polycrystalline silicon photovoltaic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3822238B2 (en) | Multilayer solar cell manufacturing method | |
| JP2000243946A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| US5264070A (en) | Method of growth-orientation of a crystal on a device using an oriented seed layer | |
| JPH0294625A (en) | Polycrystalline silicon film, formation of same film, and photovoltaic device using same film | |
| JPH05109638A (en) | Method for forming polycrystalline silicon film | |
| JP2002261305A (en) | Thin-film polycrystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor | |
| JP2760602B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0620944A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPH0284773A (en) | Mos thin film transistor and its manufacture | |
| JPH0422876B2 (en) | ||
| JPH0284772A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS63236310A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPH0616498B2 (en) | Method for manufacturing epitaxial wafer | |
| KR960015929B1 (en) | Method for manufacturing bipolar transistor | |
| JPH0434300B2 (en) | ||
| JPH01187873A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04229664A (en) | Photoelectromotive force device and its manufacture | |
| JP3164199B2 (en) | Method of manufacturing solar cell device | |
| JPH05144730A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH07135332A (en) | Fabrication of photovoltaic power element | |
| JPH0488642A (en) | Manufacture of thin film transistor | |
| JPS5856462A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04184918A (en) | Impurities deffusion method on insulating substrate | |
| KR100198618B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor substrate | |
| JPS6051259B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device |