JPH0293626A - 光論理素子 - Google Patents
光論理素子Info
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- JPH0293626A JPH0293626A JP24721188A JP24721188A JPH0293626A JP H0293626 A JPH0293626 A JP H0293626A JP 24721188 A JP24721188 A JP 24721188A JP 24721188 A JP24721188 A JP 24721188A JP H0293626 A JPH0293626 A JP H0293626A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3515—All-optical modulation, gating, switching, e.g. control of a light beam by another light beam
- G02F1/3517—All-optical modulation, gating, switching, e.g. control of a light beam by another light beam using an interferometer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光情報処理に用いられる光論理素子に関する
。
。
（従来の技術とその課題）
ディジナル光情報処理を行なうためには、光論理論子が
必要である。
必要である。
現在６撞の光論理素子があるが、超高速光情報処理を実
現する高速光素子としては、光導波路で構成されたマツ
ハツエンダ系に基づくものが適している。（例えばアナ
リサ・ラッテスら、アイ・イー・イー・イー・ジャーナ
ル・オブ・カンタム・エレクトロニクス誌、ＱＥ−１９
巻、１１号、１７１８−１７２３ページ、１９８３年）
。この種の素子はｓ １ｐｓ（ピコセカンド）以下の高
速スイッチングが可能である。従来の素子のうちで、制
御光と被制御光とに同一の波長を用いる素子は、制御光
と被制御光とを光導波路内で互いに直交する偏波状態で
伝搬させること等により、両方の光を区別している。し
かしながら、このような方法で制御光と被制御光とを区
別しようとすると、素子構造に多くの制御が生ずるし、
また完全な区別は事実上不可能であるから、素子の性能
が制限されていた。この制限を緩和するために、被制御
光と波長の異なる制御光を用いる素子が考えられる。
現する高速光素子としては、光導波路で構成されたマツ
ハツエンダ系に基づくものが適している。（例えばアナ
リサ・ラッテスら、アイ・イー・イー・イー・ジャーナ
ル・オブ・カンタム・エレクトロニクス誌、ＱＥ−１９
巻、１１号、１７１８−１７２３ページ、１９８３年）
。この種の素子はｓ １ｐｓ（ピコセカンド）以下の高
速スイッチングが可能である。従来の素子のうちで、制
御光と被制御光とに同一の波長を用いる素子は、制御光
と被制御光とを光導波路内で互いに直交する偏波状態で
伝搬させること等により、両方の光を区別している。し
かしながら、このような方法で制御光と被制御光とを区
別しようとすると、素子構造に多くの制御が生ずるし、
また完全な区別は事実上不可能であるから、素子の性能
が制限されていた。この制限を緩和するために、被制御
光と波長の異なる制御光を用いる素子が考えられる。
この方式の素子においては、被制御光と制御光の分離及
び区別は、種々の波長選択素子により容易にかつ高い効
率で行なえるから、素子自体の性能は極めて高い。しか
し、このように制御光（入力光）と被制光（出力光）の
波長が異なる素子を用いると、光論理回路を構成する際
に同一の素子を従続接続する上で攬々の問題がある。例
えば、出力素子の出力波長と次段の素子の入力波長が異
なる場合、素子間に波長変換素子が必要である。また、
たとえ従続接続が可能である場合にも、信号光の波長が
素子を通過する毎に変化する。そこで、従来の光論理素
子では、波長変換素子を要するか否かにかかわらず、制
御光と被制御光との波長が異なることは、光論理回路を
構成する上で著しい制約となっていた。
び区別は、種々の波長選択素子により容易にかつ高い効
率で行なえるから、素子自体の性能は極めて高い。しか
し、このように制御光（入力光）と被制光（出力光）の
波長が異なる素子を用いると、光論理回路を構成する際
に同一の素子を従続接続する上で攬々の問題がある。例
えば、出力素子の出力波長と次段の素子の入力波長が異
なる場合、素子間に波長変換素子が必要である。また、
たとえ従続接続が可能である場合にも、信号光の波長が
素子を通過する毎に変化する。そこで、従来の光論理素
子では、波長変換素子を要するか否かにかかわらず、制
御光と被制御光との波長が異なることは、光論理回路を
構成する上で著しい制約となっていた。
そこで、本発明の目的は、上述のような従来の光論理素
子の欠点を除去し、高性能でかつ従続接続の容易な光論
理素子を提供することにある。
子の欠点を除去し、高性能でかつ従続接続の容易な光論
理素子を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
前述の課題を解決するためｌこ本発明が提供する手段は
、２つのマツハツエンダ干渉系を備えてなり、これら両
干渉系は光路の一部を共用しており、その共用光路が光
学非線形性を有し、一方の前記干渉系の分岐部で分岐さ
れた光を前記共用光路へ合波する手段と、該共用光路の
光の一部を分波する手段とが波長依在性を有し、該分波
手段で分波された先は前記一方の干渉系の合波部へ導く
ことを特徴とする光論理素子である。
、２つのマツハツエンダ干渉系を備えてなり、これら両
干渉系は光路の一部を共用しており、その共用光路が光
学非線形性を有し、一方の前記干渉系の分岐部で分岐さ
れた光を前記共用光路へ合波する手段と、該共用光路の
光の一部を分波する手段とが波長依在性を有し、該分波
手段で分波された先は前記一方の干渉系の合波部へ導く
ことを特徴とする光論理素子である。
（作用）
本発明の光論理素子は、相互位相変調という非線形光学
現象を利用するが、ここで相互位相変調に関して簡単に
説明する。相互位相変調については、レーザハンドブッ
ク（朝会書店、稲葉文月ら編集、昭和４８年、４０１ペ
ージ）に詳しい記述がある。
現象を利用するが、ここで相互位相変調に関して簡単に
説明する。相互位相変調については、レーザハンドブッ
ク（朝会書店、稲葉文月ら編集、昭和４８年、４０１ペ
ージ）に詳しい記述がある。
簡単のためＩこ、非線形屈折率がｎ２の材料でできてい
る単一モードの導波を考える。この導波路に周波数がω
□とω２の２本の光線を伝搬させると、両方の光の強度
が十分に弱い場合は、それぞれの光の伝搬は独立の現象
と考えられる。つまり、ω１の光の伝搬はω２の光の存
在は影響は受けない。
る単一モードの導波を考える。この導波路に周波数がω
□とω２の２本の光線を伝搬させると、両方の光の強度
が十分に弱い場合は、それぞれの光の伝搬は独立の現象
と考えられる。つまり、ω１の光の伝搬はω２の光の存
在は影響は受けない。
しかし、もしω１の光の強度が強くなると、その光が前
記の非線形屈折率を介して、光導波路の実効光屈折率ｎ
ｅｆｆを ｎｅｔｔ ＝ｎｔ ＋２ ｎ２Ｉ Ｃ０ｍ）
（ｉ）のように変化させる。ここでｎｏは、ω１の光が
存在しない場合における光導波路の屈折率（＃形屈析率
）であリエ（ω１）は周波数ω１の光の強度である。こ
のように、ω１の光で屈折率が変化した光導波路に同時
に波長ω２の光を伝搬させると、波長、の光の導波路出
射端における位相は、Ｉ（ω□）；００ときと比べて
。
記の非線形屈折率を介して、光導波路の実効光屈折率ｎ
ｅｆｆを ｎｅｔｔ ＝ｎｔ ＋２ ｎ２Ｉ Ｃ０ｍ）
（ｉ）のように変化させる。ここでｎｏは、ω１の光が
存在しない場合における光導波路の屈折率（＃形屈析率
）であリエ（ω１）は周波数ω１の光の強度である。こ
のように、ω１の光で屈折率が変化した光導波路に同時
に波長ω２の光を伝搬させると、波長、の光の導波路出
射端における位相は、Ｉ（ω□）；００ときと比べて
。
だけ変化する。ここでＩ（ω１）の単位は（Ｗ／ｌｒ？
）、Ｌはω１とω２ の光の相互作用長（ここでは導波
路長）、λ□はω□ の光の波長、Ｃは真空中での光速
、−七してψ（３）は非線形光学媒質（ここでは光導波
路）の三次の非線形感受率（単位はｅｓｕ ）で、前記
のｎ、とは の関係にある。ここでＲｅはψＯ）の実数部を表わすが
、本発明のように非線形光学媒質を透明な波長領域で使
用する場合（非共鳴領域）、ψ（りは実質的に実数と考
えてよい。
）、Ｌはω１とω２ の光の相互作用長（ここでは導波
路長）、λ□はω□ の光の波長、Ｃは真空中での光速
、−七してψ（３）は非線形光学媒質（ここでは光導波
路）の三次の非線形感受率（単位はｅｓｕ ）で、前記
のｎ、とは の関係にある。ここでＲｅはψＯ）の実数部を表わすが
、本発明のように非線形光学媒質を透明な波長領域で使
用する場合（非共鳴領域）、ψ（りは実質的に実数と考
えてよい。
（実施例）
次に図面を参照して、本発明の光論理素子についてさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す斜視図で、ある
。この実施例は以下の様な手順で製作される。まず、ｎ
型ＧａＡｓ−の基板１上着こ、厚さ３μｍのＧａｏ、ａ
Ａ１ｇ４Ａｓバッファ層２と厚さ２／’ｍのＧａ６．Ｉ
Ａｔ。、３Ａｓのクラッド層３とを順にエビキキシャル
成長させる。さらにその上に厚さが約３ｏｌのＧ ａＡ
ｓ層と厚さが約７０又のＱ ａ ６ 、 ？ ＡＪｏ
、ｓＡｓを交互ｌこ２００回成長させ、ることにより、
厚さが２ｐｍのＧａＡｊＡｓ／ＧａＡｓ 超格子層４
を形成する。この超格子層４の成長には分子線エビタル
シャル法を用いる。次に通常のフォトリソグラフィー技
術を用いて、表面の超格子層上に第１図に示されるパタ
ーンを形成するように、超格子層４を約１μｍエツチン
グする。ここで、導波路部分（１１〜１３等）は、波長
１．２〜１．４ ／Ｊ ｍで単一横モード伝搬になるよ
うに幅を約４．０μｍとした。
。この実施例は以下の様な手順で製作される。まず、ｎ
型ＧａＡｓ−の基板１上着こ、厚さ３μｍのＧａｏ、ａ
Ａ１ｇ４Ａｓバッファ層２と厚さ２／’ｍのＧａ６．Ｉ
Ａｔ。、３Ａｓのクラッド層３とを順にエビキキシャル
成長させる。さらにその上に厚さが約３ｏｌのＧ ａＡ
ｓ層と厚さが約７０又のＱ ａ ６ 、 ？ ＡＪｏ
、ｓＡｓを交互ｌこ２００回成長させ、ることにより、
厚さが２ｐｍのＧａＡｊＡｓ／ＧａＡｓ 超格子層４
を形成する。この超格子層４の成長には分子線エビタル
シャル法を用いる。次に通常のフォトリソグラフィー技
術を用いて、表面の超格子層上に第１図に示されるパタ
ーンを形成するように、超格子層４を約１μｍエツチン
グする。ここで、導波路部分（１１〜１３等）は、波長
１．２〜１．４ ／Ｊ ｍで単一横モード伝搬になるよ
うに幅を約４．０μｍとした。
また方向性綜合部９．１０では、その結合長を調節する
ことにより、波長１．２７μｍでは結合系数が１、波長
１．３３μｍでは結合系数がほぼＯになるようｌこする
。また、超格子層４においては、Ｓｎドープによりキャ
リア密度を約１０ ”／ｃｃ程度にし、その非吸収波長
領域でＴＭ伝搬における非線形定数ψＯ）をＩ Ｘ １
０’ｅｓｕ程度に増大しである。
ことにより、波長１．２７μｍでは結合系数が１、波長
１．３３μｍでは結合系数がほぼＯになるようｌこする
。また、超格子層４においては、Ｓｎドープによりキャ
リア密度を約１０ ”／ｃｃ程度にし、その非吸収波長
領域でＴＭ伝搬における非線形定数ψＯ）をＩ Ｘ １
０’ｅｓｕ程度に増大しである。
波長１゜２７μｍの入力光５は、分岐部１４で２つに分
岐され、導波部１１としてとを伝搬した後に合波部で合
波される。ここで導波路１１と１２の長さは半波長だけ
異らしである。このような光路長差があるから、合波部
１６で合波されるときの位相がπずれる。したがって、
入力光５は合波部１６で放射モードに変換され、出力光
７は得られない。波長１．３３μｍの入入出６について
も同様で、導波路１３の光路長と、方向性結合部９及び
１０を含む導波路１２の実効的な光路長とは半波長だけ
異ならしである。この光路長差があることにより、入力
光６が存在しても、入力光６だけが存在して入力光５が
ないときは出力８は得られない。ところが、波長１．２
７μｍの入力光５と、波長１．３３μｍの入力光６とが
同時に入射されると、波長１．２７μｍの出力光７及び
波長１．３３μｍの出力比８が以下の理由により得られ
る。
岐され、導波部１１としてとを伝搬した後に合波部で合
波される。ここで導波路１１と１２の長さは半波長だけ
異らしである。このような光路長差があるから、合波部
１６で合波されるときの位相がπずれる。したがって、
入力光５は合波部１６で放射モードに変換され、出力光
７は得られない。波長１．３３μｍの入入出６について
も同様で、導波路１３の光路長と、方向性結合部９及び
１０を含む導波路１２の実効的な光路長とは半波長だけ
異ならしである。この光路長差があることにより、入力
光６が存在しても、入力光６だけが存在して入力光５が
ないときは出力８は得られない。ところが、波長１．２
７μｍの入力光５と、波長１．３３μｍの入力光６とが
同時に入射されると、波長１．２７μｍの出力光７及び
波長１．３３μｍの出力比８が以下の理由により得られ
る。
第１図で明らかなように、波長の異なる入力光５と６と
は、方向性結合部９で合波された後、方向性結合部１０
で分波されるまで導波路１２を同時に伝搬する。すると
作用の項で既に説明し九ように、波長の異なる光の間に
相互位相変調効果が働く。つまり１．２７μｍの光は、
１．３３μｍの光の存在の影響をうけ位相変調をうける
が、これは１．２７μｍの光にとり、導波路１２の実効
光路長が変化した事に他ならない。同様に１．３３μｍ
の光も１．２７μｍの光の存在により位相変調を受ける
。ここで、前述の如く、導波路１２の非線形屈折率は、
波長１．３μｍ付近の広い範囲にわたりＩＸ １０−’
ｅｓｕ で、かつこの波長における導波路１２の実効
断面積は１５μｍ２ 程度、長さは２０闘である。そこ
で、この条件において（２１式を適用すると、入射光５
及び６の光パワーが約１０ｍＷのとき、前記の位相変調
量はπとなる。導波路１２においてπだけの位相変調を
受けると、導波路１１と１２との実効光路長は同じにな
り、導波路１２と１３との実効光路長も同じになる。す
ると、合波部１６及び１７では入力光の位相が同相ｌこ
なるから、波長１６２７μｍの出力光７及び波長１．３
３μｍの光力光８が得られる。
は、方向性結合部９で合波された後、方向性結合部１０
で分波されるまで導波路１２を同時に伝搬する。すると
作用の項で既に説明し九ように、波長の異なる光の間に
相互位相変調効果が働く。つまり１．２７μｍの光は、
１．３３μｍの光の存在の影響をうけ位相変調をうける
が、これは１．２７μｍの光にとり、導波路１２の実効
光路長が変化した事に他ならない。同様に１．３３μｍ
の光も１．２７μｍの光の存在により位相変調を受ける
。ここで、前述の如く、導波路１２の非線形屈折率は、
波長１．３μｍ付近の広い範囲にわたりＩＸ １０−’
ｅｓｕ で、かつこの波長における導波路１２の実効
断面積は１５μｍ２ 程度、長さは２０闘である。そこ
で、この条件において（２１式を適用すると、入射光５
及び６の光パワーが約１０ｍＷのとき、前記の位相変調
量はπとなる。導波路１２においてπだけの位相変調を
受けると、導波路１１と１２との実効光路長は同じにな
り、導波路１２と１３との実効光路長も同じになる。す
ると、合波部１６及び１７では入力光の位相が同相ｌこ
なるから、波長１６２７μｍの出力光７及び波長１．３
３μｍの光力光８が得られる。
以上に述べた如く、入力光５又は入力光６だけがあると
きには出力光は得られない。もちろん入力光５及び６の
双方がともに存在しない場合にも出力光は得られない。
きには出力光は得られない。もちろん入力光５及び６の
双方がともに存在しない場合にも出力光は得られない。
入力光５と６とを同時に入射したときだけに出力光が得
られるので、本光論理素子は純光学的ＡＮＤ光素子とし
て動作する。
られるので、本光論理素子は純光学的ＡＮＤ光素子とし
て動作する。
また本実施例では、出力光として、入力光と同じ波長の
１．３３μｍ及び１．２７μｍの双方をとり出すことが
可能である。
１．３３μｍ及び１．２７μｍの双方をとり出すことが
可能である。
以上、本発明の光論理素子に関し実施例を挙げて説明し
たが、本発明は本実施例に限定されない。
たが、本発明は本実施例に限定されない。
例えば、本実施例では、半導体超格子材料を非線形光学
材料として用いたが、これはバルクの半導体材料、有機
非線形材料、ガラス等のｄ電体材料、また半導体微粒子
をドープした誘電体材料等でもよい。また、本実施例で
はＹ分岐で光分岐及び合波を実現しているが、これには
反応性イオンエツチング法等を用いて、急峻な縦穴を基
板上の形成することによるハーフミラ−構造や、また等
波路の非対象分岐を用いてもよい。この場合、２波長の
出力のそれぞれに対して、その否定信号も得られるから
、ＮＡＮＤ機能が実現できる。さらに、本実施例では、
マツハツエンダのアーム長を物理的な長さで調節したが
、これは電界をかける等の手段ｌこより調節してもよい
。
材料として用いたが、これはバルクの半導体材料、有機
非線形材料、ガラス等のｄ電体材料、また半導体微粒子
をドープした誘電体材料等でもよい。また、本実施例で
はＹ分岐で光分岐及び合波を実現しているが、これには
反応性イオンエツチング法等を用いて、急峻な縦穴を基
板上の形成することによるハーフミラ−構造や、また等
波路の非対象分岐を用いてもよい。この場合、２波長の
出力のそれぞれに対して、その否定信号も得られるから
、ＮＡＮＤ機能が実現できる。さらに、本実施例では、
マツハツエンダのアーム長を物理的な長さで調節したが
、これは電界をかける等の手段ｌこより調節してもよい
。
（発明の効果）
以上のように、本発明の光論理素子では、制御光と被制
御光とで波長が異なるから、信号の分離が容易で高性能
な光論理素子でありながら、出力として双方の波長が得
られる。そこで、本発明の光論理素子は容易に縦続に接
続できる。
御光とで波長が異なるから、信号の分離が容易で高性能
な光論理素子でありながら、出力として双方の波長が得
られる。そこで、本発明の光論理素子は容易に縦続に接
続できる。
第１図は、本発明の光論理素子の一実施例を示す斜視図
である。 １・・・・・・ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ＧａＡＡ
Ａｓバッファ層、３− ・＝ ＧａＡＪＡｓクラッド層
、４−＝ＧａＡ７Ａｓ／ＧａＡｓ超格子層、５．６・・
・・・・光入力、７．８・・・・・・光出力、９．１０
・・・・・・方向性結合部、１４．１５・・・・・分岐
部、１６．１７・・・・・・合波部。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 １− Ｇａ Ａｓ基扱 ３ ・ＧａＡｌＡｓクラ−、ト４ ５．６ 光入力 ９．１０ 方菌４准Ｈ合邦 １６．１７ 合成部 ２− Ｇａ ＡＬ Ａｓ バ・・７７７層４− Ｇａ
ＡＩ Ａｓ ／Ｇａ Ａｓ Ｂ ｌｈ ％ 看７．８
・光との １４．１ｓ＃山足部 第１ 図
である。 １・・・・・・ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ＧａＡＡ
Ａｓバッファ層、３− ・＝ ＧａＡＪＡｓクラッド層
、４−＝ＧａＡ７Ａｓ／ＧａＡｓ超格子層、５．６・・
・・・・光入力、７．８・・・・・・光出力、９．１０
・・・・・・方向性結合部、１４．１５・・・・・分岐
部、１６．１７・・・・・・合波部。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 １− Ｇａ Ａｓ基扱 ３ ・ＧａＡｌＡｓクラ−、ト４ ５．６ 光入力 ９．１０ 方菌４准Ｈ合邦 １６．１７ 合成部 ２− Ｇａ ＡＬ Ａｓ バ・・７７７層４− Ｇａ
ＡＩ Ａｓ ／Ｇａ Ａｓ Ｂ ｌｈ ％ 看７．８
・光との １４．１ｓ＃山足部 第１ 図
Claims (1)
- ２つのマッハツェンダ干渉系を備えてなり、これら両
干渉系は光路の一部を共用しており、その共用光路が光
学非線形性を有し、一方の前記干渉系の分岐部で分岐さ
れた光を前記共用光路へ合波する手段と、該共用光路の
光の一部を分波する手段とが波長依存性を有し、該分波
手段で分波された先は前記一方の干渉系の合波部へ導く
ことを特徴とする光論理素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24721188A JPH07101270B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光論理素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24721188A JPH07101270B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光論理素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0293626A true JPH0293626A (ja) | 1990-04-04 |
| JPH07101270B2 JPH07101270B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=17160100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24721188A Expired - Lifetime JPH07101270B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光論理素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101270B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440765B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2004-07-21 | 전자부품연구원 | 다중모드간섭을 이용한 도파로형 전광 논리 소자 |
| JP2006128188A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
| US7239768B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-07-03 | Alphion Corporation | Photonic integrated circuit |
| JP2008026831A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光論理回路 |
| JP2008250168A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光論理回路 |
| JP2009116267A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Toppan Printing Co Ltd | ペリクル付きフォトマスクのリペア方法及び装置 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24721188A patent/JPH07101270B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440765B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2004-07-21 | 전자부품연구원 | 다중모드간섭을 이용한 도파로형 전광 논리 소자 |
| US7239768B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-07-03 | Alphion Corporation | Photonic integrated circuit |
| JP2006128188A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
| JP2008026831A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光論理回路 |
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| JP2009116267A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Toppan Printing Co Ltd | ペリクル付きフォトマスクのリペア方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101270B2 (ja) | 1995-11-01 |
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