JPH0576614B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0576614B2 JPH0576614B2 JP58141338A JP14133883A JPH0576614B2 JP H0576614 B2 JPH0576614 B2 JP H0576614B2 JP 58141338 A JP58141338 A JP 58141338A JP 14133883 A JP14133883 A JP 14133883A JP H0576614 B2 JPH0576614 B2 JP H0576614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical waveguide
- waveguide
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3135—Vertical structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
半導体レーザの室温連続発振や単一モード化の
進歩とガラスフアイバの低損失化によつて光通信
は各所で実用化されるに至つている。更に、分岐
器、分波合波器、スイツチなどの受動要素部品の
開発と相まつてより複雑な光システムが実用化さ
れようとしている。また、半導体レーザも単一モ
ード化が進み、より高品質なレーザ光が得られる
ようになつてきた。このような光技術の進歩はSi
半導体における電気回路の集積化と同様に光回路
の集積化が指向されている。しかし、現状は集積
化においては基礎研究段階であり、実用化にはま
だ数多くの技術開発を必要とする。
進歩とガラスフアイバの低損失化によつて光通信
は各所で実用化されるに至つている。更に、分岐
器、分波合波器、スイツチなどの受動要素部品の
開発と相まつてより複雑な光システムが実用化さ
れようとしている。また、半導体レーザも単一モ
ード化が進み、より高品質なレーザ光が得られる
ようになつてきた。このような光技術の進歩はSi
半導体における電気回路の集積化と同様に光回路
の集積化が指向されている。しかし、現状は集積
化においては基礎研究段階であり、実用化にはま
だ数多くの技術開発を必要とする。
本発明にかかる光アクセスカプラは一次元ある
いは２次元状の任意の点で光を外部にとり出すも
のであり、光集積化における１つの要素素子とな
るものである。このような素子を基本構成として
数多くの機能素子を構成することができる。可変
多分岐器，光分波・合波器，スイツチ，変調器，
光更換器，多極光スイツチ，光スキヤナ，可変波
長フイルタ，光シリアルパラレル変換器，データ
ウエイ用ノード素子などあるいはこれらの複合集
積化素子として発展させることができる。これら
の素子の実現によつて、光の特性を生かした、電
気的誘導障害を受けない、高速，高信頼な素子，
機器，システムの実現がはかれる。
いは２次元状の任意の点で光を外部にとり出すも
のであり、光集積化における１つの要素素子とな
るものである。このような素子を基本構成として
数多くの機能素子を構成することができる。可変
多分岐器，光分波・合波器，スイツチ，変調器，
光更換器，多極光スイツチ，光スキヤナ，可変波
長フイルタ，光シリアルパラレル変換器，データ
ウエイ用ノード素子などあるいはこれらの複合集
積化素子として発展させることができる。これら
の素子の実現によつて、光の特性を生かした、電
気的誘導障害を受けない、高速，高信頼な素子，
機器，システムの実現がはかれる。
従来例の構成とその問題点
従来このような導波路状の方向性結合器は主に
LiNbO3のような誘電体単結晶上で平面状に構成
された２本の導波路間で実験質的に実現されてい
る。第１図にその１例を示す。１はLiNbO3基
板、２，３はTi拡散によつて作られた光導波路、
６は導波路に電界が加えられるように形成された
電極を示す。光導波路端２より入射された光は電
極６に印加される電圧によつて端部５あるいは６
に導波される。従つて第１図の構造はスイツチ作
用あるいは分岐作用をもつことになる。
LiNbO3のような誘電体単結晶上で平面状に構成
された２本の導波路間で実験質的に実現されてい
る。第１図にその１例を示す。１はLiNbO3基
板、２，３はTi拡散によつて作られた光導波路、
６は導波路に電界が加えられるように形成された
電極を示す。光導波路端２より入射された光は電
極６に印加される電圧によつて端部５あるいは６
に導波される。従つて第１図の構造はスイツチ作
用あるいは分岐作用をもつことになる。
このような方向性結合器はLiNbO3ばかりでな
く、LiTaO3，GaAsなどの材料においてなされ
ている。一方、積層状に構成された光導波路にお
いて、同様な方向性結合器は理論的な検討はなさ
れているが、実現されるところにまで至つていな
い。また、外部光取り出し用方向変換部は、一般
的には導波路端部より取り出す以外は導波路上に
グレーテイングを構成する方法、あるいは導波路
に光フアイバ等の別の光導波部を接触させる方法
などが取られている。
く、LiTaO3，GaAsなどの材料においてなされ
ている。一方、積層状に構成された光導波路にお
いて、同様な方向性結合器は理論的な検討はなさ
れているが、実現されるところにまで至つていな
い。また、外部光取り出し用方向変換部は、一般
的には導波路端部より取り出す以外は導波路上に
グレーテイングを構成する方法、あるいは導波路
に光フアイバ等の別の光導波部を接触させる方法
などが取られている。
発明の目的
本発明は、面積が小さく、導波路を完全に分離
でき、レーザ光源や受光素子との一体化の容易な
光アクセスカプラを有する光集積回路を得ること
を目的とする。
でき、レーザ光源や受光素子との一体化の容易な
光アクセスカプラを有する光集積回路を得ること
を目的とする。
発明の構成
本発明は化合物半導体基板上にクラツド層では
さまれた第１の光導波路層をもち、この第１の光
導波路層上に第１の光導波路層のクラツド層を共
有して積層状に第２の光導波路層を構成し、更に
第２の光導波路層上に電圧印加するための電極を
有する積層状方向性結合器と導波路外に光を取り
出すための光方向変換部によつて構成される光ア
クセスカプラを１次元あるいは２次元状に配列す
ることによつて構成される光集積回路を特徴とす
るものである。すなわち、本発明は化合物半導体
で積層状に構成された複数の光導波路上に光の伝
搬路の選択あるいは分岐量の制御用電極を有し、
更に光を導波路外に取り出す光方向変換部を有す
る一体型のアクセスカプラを提供するものであ
る。
さまれた第１の光導波路層をもち、この第１の光
導波路層上に第１の光導波路層のクラツド層を共
有して積層状に第２の光導波路層を構成し、更に
第２の光導波路層上に電圧印加するための電極を
有する積層状方向性結合器と導波路外に光を取り
出すための光方向変換部によつて構成される光ア
クセスカプラを１次元あるいは２次元状に配列す
ることによつて構成される光集積回路を特徴とす
るものである。すなわち、本発明は化合物半導体
で積層状に構成された複数の光導波路上に光の伝
搬路の選択あるいは分岐量の制御用電極を有し、
更に光を導波路外に取り出す光方向変換部を有す
る一体型のアクセスカプラを提供するものであ
る。
実施例の説明
本発明に用いる積層導波路形アクセスカプラを
第２図に示す。基板１４上にクラツド層９，１
１，１３にはさまれた光導波路１０，１２を構成
し、７，１５は電極を、８は外部に光を取り出す
ための方向変換部を示す。光導波路１０，１２は
クラツド層に比べて屈折率が高くなつている。光
導波路１２に入射した単一モードの光１６は電極
７，１５間に電圧印加されないときはl1のごとく
直進し、電圧印加されると導波路１０にl2のごと
く光が分岐あるいはスイツチされる。更に、導波
路１０中を伝搬する光は方向変換部８の所でl3の
ごとく外部に取り出される。光の伝送路を選択あ
るいは分岐する方向性結合器部は外部より導波路
に何らかの力を加えることによつて導波路の屈折
率を実効的に変化させて、２つの導波路間の光の
結合度をかえることにより光路を選択する。
第２図に示す。基板１４上にクラツド層９，１
１，１３にはさまれた光導波路１０，１２を構成
し、７，１５は電極を、８は外部に光を取り出す
ための方向変換部を示す。光導波路１０，１２は
クラツド層に比べて屈折率が高くなつている。光
導波路１２に入射した単一モードの光１６は電極
７，１５間に電圧印加されないときはl1のごとく
直進し、電圧印加されると導波路１０にl2のごと
く光が分岐あるいはスイツチされる。更に、導波
路１０中を伝搬する光は方向変換部８の所でl3の
ごとく外部に取り出される。光の伝送路を選択あ
るいは分岐する方向性結合器部は外部より導波路
に何らかの力を加えることによつて導波路の屈折
率を実効的に変化させて、２つの導波路間の光の
結合度をかえることにより光路を選択する。
化合物半導体においては屈折率は注入キヤリ
ア、電圧印加によるポツケルス効果あるいは内部
歪などによつて変化する。ここではポツケルス効
果で説明する。第２図において、導波路厚さを
ａ、間隔をｄ、導波路およびクラツド層の屈折率
を各々n2，n1とすると、導波路１２に励振された
光が導波路１０に完全に結合されるに必要な長さ
Ｌ（結合長）とすると、近似的に （Ｌ／λ）46×（ａ／λ）4×n1（n1 2−n2 2）e2.66
×〓/a で示される。
ア、電圧印加によるポツケルス効果あるいは内部
歪などによつて変化する。ここではポツケルス効
果で説明する。第２図において、導波路厚さを
ａ、間隔をｄ、導波路およびクラツド層の屈折率
を各々n2，n1とすると、導波路１２に励振された
光が導波路１０に完全に結合されるに必要な長さ
Ｌ（結合長）とすると、近似的に （Ｌ／λ）46×（ａ／λ）4×n1（n1 2−n2 2）e2.66
×〓/a で示される。
あらかじめ導波路１２，１０の光の位相速度β1
とβ2をずらしておき、電圧を印加することでポツ
ケルス効果により、β1＝β2にし、光スイツチング
を行なうとすると、印加電圧（Ｖ）＝０において
Δβ＝β1−β2、結合係数をＣで表し、Δβ／Ｃ＝√
12なる関係でスイツチさせることができる。基板
材料として、化合物半導体を仮定し、結晶方位を
選択し、印加電圧をＥ、ポツケルス定数をγ41で
表わすと、 Δn＝１／2n1 3γ41Ｅ 従つて、導波路１２より導波路１０に完全にス
イツチするのに要する電界Esは次式で示される。
とβ2をずらしておき、電圧を印加することでポツ
ケルス効果により、β1＝β2にし、光スイツチング
を行なうとすると、印加電圧（Ｖ）＝０において
Δβ＝β1−β2、結合係数をＣで表し、Δβ／Ｃ＝√
12なる関係でスイツチさせることができる。基板
材料として、化合物半導体を仮定し、結晶方位を
選択し、印加電圧をＥ、ポツケルス定数をγ41で
表わすと、 Δn＝１／2n1 3γ41Ｅ 従つて、導波路１２より導波路１０に完全にス
イツチするのに要する電界Esは次式で示される。
Es24×106×（ａ／λ）4×ｅ−2.66×d／a／n1 4（n
1 2−n2 2）〔Ｖ／μｍ〕 このように、ポツケルス効果を使うことによつ
て実効的な屈折率を制御し、積層状の方向性結合
器を構成することができる。
1 2−n2 2）〔Ｖ／μｍ〕 このように、ポツケルス効果を使うことによつ
て実効的な屈折率を制御し、積層状の方向性結合
器を構成することができる。
導波路１０にはポツケルス効果用電極に隣接し
てグレーテイング等の外部への光の取り出し部が
設けられている。導波路１０を伝搬する光l2は外
部光取り出し部８でl3のごとく素子外に導かれ
る。
てグレーテイング等の外部への光の取り出し部が
設けられている。導波路１０を伝搬する光l2は外
部光取り出し部８でl3のごとく素子外に導かれ
る。
従つて、第２図の構造では導波路１２に入射し
た光は電極に電圧印加のないときにはそのまま導
波路１２を伝搬していくが、電圧印加されたとき
にのみ導波路１０に光はスイツチされ、更に外部
に光は取り出される。
た光は電極に電圧印加のないときにはそのまま導
波路１２を伝搬していくが、電圧印加されたとき
にのみ導波路１０に光はスイツチされ、更に外部
に光は取り出される。
本発明の一実施例の光集積回路を第３図に示
す。ｎ型InP半導体基板１８上にｎ型InPクラツ
ド層１９がエピタキシヤル成長され、その上にｎ
型InxGa1-xAsyP1-yよりなる第１の光導波路層２
０が格子整合をとつた型でエピタキシヤル成長さ
れている。さらにｎ型InP層２１、ｎ型InxGa1-x
AsyP1-yよりなる第２の光導波路層、Ｐ型InPク
ラツド層２３が成長される。２４はSiO2などの
誘導体あるいはその上に金属等を重ねて構成され
る反射体でＶ型溝上第２光導波部まで形成されて
いる。２５，１７は電極である。
す。ｎ型InP半導体基板１８上にｎ型InPクラツ
ド層１９がエピタキシヤル成長され、その上にｎ
型InxGa1-xAsyP1-yよりなる第１の光導波路層２
０が格子整合をとつた型でエピタキシヤル成長さ
れている。さらにｎ型InP層２１、ｎ型InxGa1-x
AsyP1-yよりなる第２の光導波路層、Ｐ型InPク
ラツド層２３が成長される。２４はSiO2などの
誘導体あるいはその上に金属等を重ねて構成され
る反射体でＶ型溝上第２光導波部まで形成されて
いる。２５，１７は電極である。
第１光導波路を伝搬してきた光２６は電極２
５，１７間にＰ−ｎ接合が逆バイアスとなるよう
に電圧印加されると、一部または全部の光l2が第
２光導波路２２に移動される。第２光導波路層２
２に入つた光は反射体２４によつて基板InP方向
に反射され結晶外に光がl3取り出される。反射体
２４はＶ溝による方法だけでなくグレーテイング
を形成することにより基板と反対側の外部に光を
取り出すこともできる。その他、グレーテイング
においては光の波長ごとに取り出す位置をかえる
ことも可能となる。また、反射体２４の部分に受
光素子を直接構成することによつて外部に電気信
号として取り出すこともできる。第４図にその構
成例を示す。
５，１７間にＰ−ｎ接合が逆バイアスとなるよう
に電圧印加されると、一部または全部の光l2が第
２光導波路２２に移動される。第２光導波路層２
２に入つた光は反射体２４によつて基板InP方向
に反射され結晶外に光がl3取り出される。反射体
２４はＶ溝による方法だけでなくグレーテイング
を形成することにより基板と反対側の外部に光を
取り出すこともできる。その他、グレーテイング
においては光の波長ごとに取り出す位置をかえる
ことも可能となる。また、反射体２４の部分に受
光素子を直接構成することによつて外部に電気信
号として取り出すこともできる。第４図にその構
成例を示す。
第４図は光導波路の一部に受光素子を取りつけ
たものであり、ｎ型InxGa1-xAsyP1-yよりなる第
２の光導波路層２２の上にIn−Ga−Asあるいは
In−Ga−As−Ｐ系のＰ型層２８が形成されてお
り、Ｐ−ｎヘテロ接合を形成し、導波路層２２を
伝搬する光は電気信号に変換される。同様に第１
の光導波路２０にレーザ等の光源をも一体として
取り付けることも可能となる。
たものであり、ｎ型InxGa1-xAsyP1-yよりなる第
２の光導波路層２２の上にIn−Ga−Asあるいは
In−Ga−As−Ｐ系のＰ型層２８が形成されてお
り、Ｐ−ｎヘテロ接合を形成し、導波路層２２を
伝搬する光は電気信号に変換される。同様に第１
の光導波路２０にレーザ等の光源をも一体として
取り付けることも可能となる。
第５図にこのような光アクセスカプラを一次元
状に配列した場合を示す。外部へ取り出す光方向
変換部としてグレーテイングで示してある。第１
光導波路１９中を伝搬する光は任意の電極２５に
電圧印加することによつて任意の場所より光を外
部に取り出すことができる。
状に配列した場合を示す。外部へ取り出す光方向
変換部としてグレーテイングで示してある。第１
光導波路１９中を伝搬する光は任意の電極２５に
電圧印加することによつて任意の場所より光を外
部に取り出すことができる。
また、第６図はマトリツクス状のランダムアク
セスカプラを示す。第１導波路に入射した光３０
は電極３１に電圧が印加されたときにのみ第２導
波路に光は伝搬し、エツチング等で形成されたミ
ラー３３によつて方向を換えられる。方向変換さ
れた光は電極３２に電圧印加されたときにのみ再
び第２導波路に光は伝搬し、次の素子へ伝搬する
が電極３２に電圧が印加されないときは方向変換
部３４によつて素子外部に光を取り出すことがで
きる。このように積層状導波路上に方向変換用ミ
ラーと導波路選択用電極を適当に配列することに
よつて２次元状の任意の点より光信号を取り出す
ことができる。
セスカプラを示す。第１導波路に入射した光３０
は電極３１に電圧が印加されたときにのみ第２導
波路に光は伝搬し、エツチング等で形成されたミ
ラー３３によつて方向を換えられる。方向変換さ
れた光は電極３２に電圧印加されたときにのみ再
び第２導波路に光は伝搬し、次の素子へ伝搬する
が電極３２に電圧が印加されないときは方向変換
部３４によつて素子外部に光を取り出すことがで
きる。このように積層状導波路上に方向変換用ミ
ラーと導波路選択用電極を適当に配列することに
よつて２次元状の任意の点より光信号を取り出す
ことができる。
発明の効果
第１図に示されている平面型方向性結合器に代
表されるスイツチは光フアイバ等の外部へ光を取
り出すためには導波路を曲率をもたす必要があ
り、直角に曲げるのに約数mmの長さを要し、一次
元状にアレイ化するためには大面積を必要とす
る。更に、２次元状にマトリツクス化することは
非常に困難であり、面積も広く必要となる。一方
本発明は積層状に方向性結合器が構成されており
面積的に少なくすむほか、Ｖ溝等の方向変換部の
採用によつて２本の導波路を完全に分離でき、ク
ロストークを小さくできるほか小面積にまとめる
ことができる。更に、化合物半導体では構成され
るために、レーザ光源や受光素子と一体化された
構成をとることができる等のすぐれた特長を有し
ている。
表されるスイツチは光フアイバ等の外部へ光を取
り出すためには導波路を曲率をもたす必要があ
り、直角に曲げるのに約数mmの長さを要し、一次
元状にアレイ化するためには大面積を必要とす
る。更に、２次元状にマトリツクス化することは
非常に困難であり、面積も広く必要となる。一方
本発明は積層状に方向性結合器が構成されており
面積的に少なくすむほか、Ｖ溝等の方向変換部の
採用によつて２本の導波路を完全に分離でき、ク
ロストークを小さくできるほか小面積にまとめる
ことができる。更に、化合物半導体では構成され
るために、レーザ光源や受光素子と一体化された
構成をとることができる等のすぐれた特長を有し
ている。
第１図は平面形方向性結合器の構成概観図、第
２図は本発明に用いる積層導波路形アクセスカプ
ラの断面図、第３図は本発明の一実施例のアクセ
スカプラの外観図、第４図は本発明の他の実施例
の光アクセスカプラの外観図、第５図は本発明を
用いた一次元光ランダムアクセスカプラの断面
図、第６図は本発明を用いた二次元光ランダムア
クセスカプラの概略図である。 １８……InP基板、１９，２３……InPクラツ
ド層、２０……第１の光導波路層、２４……第２
の光導波路層、２４……反射体、１７，２５，２
８，２９，３１，３２……電極、２６……光。
２図は本発明に用いる積層導波路形アクセスカプ
ラの断面図、第３図は本発明の一実施例のアクセ
スカプラの外観図、第４図は本発明の他の実施例
の光アクセスカプラの外観図、第５図は本発明を
用いた一次元光ランダムアクセスカプラの断面
図、第６図は本発明を用いた二次元光ランダムア
クセスカプラの概略図である。 １８……InP基板、１９，２３……InPクラツ
ド層、２０……第１の光導波路層、２４……第２
の光導波路層、２４……反射体、１７，２５，２
８，２９，３１，３２……電極、２６……光。
Claims (1)
- １ 化合物半導体基板上にクラツド層ではさまれ
た第１の光導波路層を有し、前記第１の光導波路
層上に前記第１の光導波路のクラツド層を共有し
て積層状に第２の光導波路層を構成し、前記クラ
ツド層、前記第１の光導波路、前記第２の光導波
路は化合物半導体で形成され、特に前記第１の光
導波路、前記第２の光導波路はヘテロ接合による
化合物で形成され、前記第２の光導波路上にこの
光導波路とは反対導電型の化合物半導体層を形成
し、前記化合物半導体層に電圧を印加して屈折率
を制御する電極を有する積層状方向性結合器と前
記導波路外に光を取り出すための前記第２の光導
波路のみにＶ字型溝構成あるいはエツチングミラ
ー構成の光方向変換部を同一のチツプ内に構成す
ることにより光アクセスカプラを１次元あるいは
２次元状に配列してなる光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141338A JPS6032029A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141338A JPS6032029A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032029A JPS6032029A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0576614B2 true JPH0576614B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=15289628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141338A Granted JPS6032029A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032029A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE88014T1 (de) * | 1985-01-07 | 1993-04-15 | Siemens Ag | Monolithisch integrierter wdm-demultiplexmodul und ein verfahren zur herstellung eines solchen moduls. |
| FR2584826B1 (fr) * | 1985-07-11 | 1987-10-09 | Labo Electronique Physique | Element de commutation optique entre deux guides de lumiere et matrice de commutation optique formee de ces elements de commutation |
| EP0620475B1 (en) * | 1993-03-15 | 1998-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical devices and optical communication systems using the optical device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924452A (ja) * | 1972-06-28 | 1974-03-04 | ||
| JPS5251955A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58141338A patent/JPS6032029A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924452A (ja) * | 1972-06-28 | 1974-03-04 | ||
| JPS5251955A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6032029A (ja) | 1985-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0763757B1 (en) | Wavelength-selective devices using silicon-on-insulator | |
| US7616843B2 (en) | Optical functional device and fabrication process of the same | |
| Kaminow | Optical integrated circuits: A personal perspective | |
| JP2531634B2 (ja) | 光合分波器 | |
| US9762334B2 (en) | Photonic integrated circuit using chip integration | |
| US5515460A (en) | Tunable silicon based optical router | |
| US5661825A (en) | Integrated optical circuit comprising a polarization convertor | |
| US7221825B2 (en) | Optical coupler | |
| KR100602288B1 (ko) | 광 반사 장치 | |
| US5054873A (en) | High density integrated optical multiplexer/demultiplexer | |
| JPH10160954A (ja) | 非線形薄膜を有する光導波路 | |
| EP0877284B1 (en) | Acousto-optic silica optical circuit switch | |
| JPH0576614B2 (ja) | ||
| WO2001023955A2 (en) | A nanophotonic mach-zehnder interferometer switch and filter | |
| US20020186920A1 (en) | Coupler assisted tunable add/drop filter | |
| JP3445226B2 (ja) | 方向性結合器、光変調器、及び波長選択器 | |
| JP3487730B2 (ja) | アレイ導波路格子素子 | |
| KR100277698B1 (ko) | 격자도움수직결합형반도체광필터 | |
| JP2003107260A (ja) | アレイ導波路格子素子 | |
| JP3103417B2 (ja) | 導波路型光分波回路 | |
| KR100270320B1 (ko) | 전반사를 이용한 직선 광도파로열 격자 파장분할 광도파로 소자 | |
| CN117908185A (zh) | 一种光功率耦合器 | |
| Asakawa et al. | A versatile design of selective radiation wavelength filter using multilayer cladding waveguide | |
| JP2004138785A (ja) | 光合分波回路 | |
| Wongcharoen et al. | Polarization-independent electrically tunable narrowband optical filters |