JPS6032029A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
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- JPS6032029A JPS6032029A JP58141338A JP14133883A JPS6032029A JP S6032029 A JPS6032029 A JP S6032029A JP 58141338 A JP58141338 A JP 58141338A JP 14133883 A JP14133883 A JP 14133883A JP S6032029 A JPS6032029 A JP S6032029A
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- Japan
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- optical waveguide
- optical
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- waveguide
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3135—Vertical structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
半導体レーザの室温連続発振や単一モード化の進歩とガ
ラスファイバの低損失化によって光通信は各所で実用化
されるに至っている。更に、分岐器、分波合波器、スイ
ッチなどの受動要素部品の開発と相まってより複雑な光
システムが実用化されようとしている。また、半導体レ
ーザも単一モード化が進み、より高品質なレーザ光が得
られるようになってきた。このような光波術の進歩はＳ
ｉ半導体における電気回路の集積化と同様に光回路の集
積化が指向されている。しかし、現状は集積化において
は基礎研究段階であり、実用化にはまだ数多くの技術開
発を必要とする。
ラスファイバの低損失化によって光通信は各所で実用化
されるに至っている。更に、分岐器、分波合波器、スイ
ッチなどの受動要素部品の開発と相まってより複雑な光
システムが実用化されようとしている。また、半導体レ
ーザも単一モード化が進み、より高品質なレーザ光が得
られるようになってきた。このような光波術の進歩はＳ
ｉ半導体における電気回路の集積化と同様に光回路の集
積化が指向されている。しかし、現状は集積化において
は基礎研究段階であり、実用化にはまだ数多くの技術開
発を必要とする。
本発明にかかる光アクセスカプラは一次元あるいは２次
元状の任意の点で光を外部にとり出すものであり、光集
積化における１つの要素素子となるものである。このよ
うな素子を基本構成として数多くの機能素子を構成する
ことができる。可変多分岐器、光分波・合波器、スイッ
チ、変調器。
元状の任意の点で光を外部にとり出すものであり、光集
積化における１つの要素素子となるものである。このよ
うな素子を基本構成として数多くの機能素子を構成する
ことができる。可変多分岐器、光分波・合波器、スイッ
チ、変調器。
光交換器、多極光スィッチ、光スキャナ、可変波長フィ
ルタ、光シリアルパラレル変換器、データウェイ用ノー
ド素子などあるいはこれらの複合集積比素子として発展
させることができる。これらの素子の実現によって、光
の特性を生かした、電気的誘導障害を受けない、高速、
高信頼な素子。
ルタ、光シリアルパラレル変換器、データウェイ用ノー
ド素子などあるいはこれらの複合集積比素子として発展
させることができる。これらの素子の実現によって、光
の特性を生かした、電気的誘導障害を受けない、高速、
高信頼な素子。
機器、システムの実現がはかれる。
従来例の構成とその問題点
従来このような導波路状の方向性結合器は主にＬｉＮｂ
Ｏ３のような誘電体単結晶上で平面状に構成された２本
の導波路間で実験室的に実現されている。
Ｏ３のような誘電体単結晶上で平面状に構成された２本
の導波路間で実験室的に実現されている。
第１図にその１例を示す。１はＬｉＮｂ０Ｊ板、２゜３
はＴ１拡散によって作られた光導波路、６は導波路に電
界が加えられるように形成された電極を示す。光導波路
端２より入射された光は電極６に印加される電圧によっ
て端部５あるいは６に導波される。従って第１図の構造
はスイッチ作用あるいは分岐作用をもつことになる。
はＴ１拡散によって作られた光導波路、６は導波路に電
界が加えられるように形成された電極を示す。光導波路
端２より入射された光は電極６に印加される電圧によっ
て端部５あるいは６に導波される。従って第１図の構造
はスイッチ作用あるいは分岐作用をもつことになる。
このような方向性結合器はＬｉＮｂＯ３ばかりでなく、
ＬｉＴａ０． 、 ＧａＡｓなどの材料においてなされ
ている。一方、積層状に構成された光導波路において、
同様な方向性結合器は理論的な検討はなされているが、
実現されるところにまで至っていない。
ＬｉＴａ０． 、 ＧａＡｓなどの材料においてなされ
ている。一方、積層状に構成された光導波路において、
同様な方向性結合器は理論的な検討はなされているが、
実現されるところにまで至っていない。
また、外部光取り出し用方向変換部は、一般的には導波
路端部より取り出す以外は導波路上にグレーティングを
構成する方法、あるいは、導波路に光ファイバ等の別の
光導波部を接触させる方法などが取られている。
路端部より取り出す以外は導波路上にグレーティングを
構成する方法、あるいは、導波路に光ファイバ等の別の
光導波部を接触させる方法などが取られている。
発明の目的
本発明は、面積が小さく、導波路を完全に分離でき、レ
ーザ光源や受光素子との一体化の容易な光アクセスカプ
ラを有する光集積回路を得ることを目°的とする。
ーザ光源や受光素子との一体化の容易な光アクセスカプ
ラを有する光集積回路を得ることを目°的とする。
発明の構成
本発明は化合物半導体基板上にクラッド層ではさまれた
第１の光導波路層、をもち、この第１０光導波路層上に
第１の光導波路層のクラッド層を共有して積層状に第２
の光導波路層を構成し、更に第２の光導波路層上に電圧
印加するだめの電極を有する積層状方向性結合器と導波
路外に光を取り出すだめの光方向変換部によって構成さ
れる光アクセスカプラを１次元あるいは２次元状に配列
することによって構成される光集積回路を特徴とするも
のである。すなわち、本発明は化合物半導体で積層状に
構成された複数の光導波路上に光の伝搬路の選択あるい
は分岐量の制御用電極を有し、更に光を導波路外に取シ
出す光方向変換部を有する一体型のアクセスカプラを提
供するものである。
第１の光導波路層、をもち、この第１０光導波路層上に
第１の光導波路層のクラッド層を共有して積層状に第２
の光導波路層を構成し、更に第２の光導波路層上に電圧
印加するだめの電極を有する積層状方向性結合器と導波
路外に光を取り出すだめの光方向変換部によって構成さ
れる光アクセスカプラを１次元あるいは２次元状に配列
することによって構成される光集積回路を特徴とするも
のである。すなわち、本発明は化合物半導体で積層状に
構成された複数の光導波路上に光の伝搬路の選択あるい
は分岐量の制御用電極を有し、更に光を導波路外に取シ
出す光方向変換部を有する一体型のアクセスカプラを提
供するものである。
実施例の説明
本発明に用いる積層導波路形アクセスカプラを第２図に
示す。基体１４上にクラッド層９，１１゜１３にはさま
れた光導波路１０．１２を構成し、７．１５は電極を、
８は外部に光を取り出すだめの方向変換部を示す。光導
波路１０．１２はクラッド層に比べて屈折率が高くなっ
ている。光導波路１２に入射した単一モードの光１６は
電極７゜１５間に電圧印加されないときは１１のごとく
直進し、電圧印加されると導波路１０に１２のごとく光
が分岐あるいはスイッチされる。更に、導波路１０中を
伝搬する光は方向変換部８の所で１３のごとく外部に取
シ出される。光の伝送路を選択あるいは分岐する方向性
結合器部は外部より導波路に何らかの力を加えることに
よって導波路の屈折率を実効的に変化させて、２つの導
波路間の光の結合度をかえることにより光路を選択する
。
示す。基体１４上にクラッド層９，１１゜１３にはさま
れた光導波路１０．１２を構成し、７．１５は電極を、
８は外部に光を取り出すだめの方向変換部を示す。光導
波路１０．１２はクラッド層に比べて屈折率が高くなっ
ている。光導波路１２に入射した単一モードの光１６は
電極７゜１５間に電圧印加されないときは１１のごとく
直進し、電圧印加されると導波路１０に１２のごとく光
が分岐あるいはスイッチされる。更に、導波路１０中を
伝搬する光は方向変換部８の所で１３のごとく外部に取
シ出される。光の伝送路を選択あるいは分岐する方向性
結合器部は外部より導波路に何らかの力を加えることに
よって導波路の屈折率を実効的に変化させて、２つの導
波路間の光の結合度をかえることにより光路を選択する
。
化合物半導体においては屈折率は注入キャリア。
電圧印加によるポッケルス効果あるいは内部歪などによ
って変化する。ここではポッケルス効果で説明する。第
２図において、導波路厚さをａ１間隔をｄ１導波路およ
びクラッド層の屈折率を各々ｎ２ 、 ｒＨとすると、
導波路１２に励振された光が導波路１ｏに完全に結合さ
れるに必要な長さＬで示される。
って変化する。ここではポッケルス効果で説明する。第
２図において、導波路厚さをａ１間隔をｄ１導波路およ
びクラッド層の屈折率を各々ｎ２ 、 ｒＨとすると、
導波路１２に励振された光が導波路１ｏに完全に結合さ
れるに必要な長さＬで示される。
あらかじめ導波路１２．１０の光の位相速度β１とβ２
をずらしておき、電圧を印加することでポッケルス効果
により、β１＝β２にし、光スイッチングを行なうとす
ると、印加電圧（′Ｖ）二〇においてΔβ＝β１−β２
、結合係数をＣで表し、Δβ７ｃ＝（Ｖｉなる関係でス
イッチさせることができる。基板材料として、化合物半
導体を仮定し結晶方位を選択し、印加電圧をＥ１ポッケ
ルス定数を１４１で表わすと、 Δｎ ＝ １７２ ｎ＋ ７４． Ｅ 従って、導波路１２より導波路１０に完全にスイッチす
るのに要する電界Ｅｓは次式で示される。
をずらしておき、電圧を印加することでポッケルス効果
により、β１＝β２にし、光スイッチングを行なうとす
ると、印加電圧（′Ｖ）二〇においてΔβ＝β１−β２
、結合係数をＣで表し、Δβ７ｃ＝（Ｖｉなる関係でス
イッチさせることができる。基板材料として、化合物半
導体を仮定し結晶方位を選択し、印加電圧をＥ１ポッケ
ルス定数を１４１で表わすと、 Δｎ ＝ １７２ ｎ＋ ７４． Ｅ 従って、導波路１２より導波路１０に完全にスイッチす
るのに要する電界Ｅｓは次式で示される。
このように、ポッケルス効果を使うことによって実効的
な屈折率を制御し、積層状の方向性結合器を構成するこ
とができる。
な屈折率を制御し、積層状の方向性結合器を構成するこ
とができる。
導波路１０にはポッケルス効実用電極に隣接してグレー
ティング等の外部への光の取シ出し部が設けられている
。導波路１ｏを伝搬する光１２は外部光取り出し部８で
１のごとく素子外に導かれる。
ティング等の外部への光の取シ出し部が設けられている
。導波路１ｏを伝搬する光１２は外部光取り出し部８で
１のごとく素子外に導かれる。
従って、第２図の構造では導波路１２に入射した光は電
極に電圧印加のないときにはそのまま導波路１２を伝搬
していくが、電圧印加されたときにのみ導波路１ｏに光
はスイッチされ、更に外部に光は取り出される。
極に電圧印加のないときにはそのまま導波路１２を伝搬
していくが、電圧印加されたときにのみ導波路１ｏに光
はスイッチされ、更に外部に光は取り出される。
本発明の一実施例の光集積回路を第３図に示す。
ｎ型ＩｎＰ半導体基板１８上にｎ型ＩｎＰクラッド層１
９がエピタキシャル成長され、その上にｎ型ＩｎｘＧａ
、−ｘＡｓｙＰ、 、よりなる第１０光導波路層２０が
格子整合をとった型でエピタキシャル成長されている。
９がエピタキシャル成長され、その上にｎ型ＩｎｘＧａ
、−ｘＡｓｙＰ、 、よりなる第１０光導波路層２０が
格子整合をとった型でエピタキシャル成長されている。
さらにｎ型ＩｎＰ層２１、ｎ型ＩｎｘＧａ、 、／１ｓ
ｙＰ４． よりなる第２の光導波路層、Ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層２３が成長される。２４は５ｉ０２などの誘電体
あるいはその上に金属等を重ねて構成される反射体でＶ
型溝上第２光導波部まで形成されている。２６，１了は
電極である。
ｙＰ４． よりなる第２の光導波路層、Ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層２３が成長される。２４は５ｉ０２などの誘電体
あるいはその上に金属等を重ねて構成される反射体でＶ
型溝上第２光導波部まで形成されている。２６，１了は
電極である。
第１光導波路を伝搬してきた光２６は電極２６゜１７間
にＰ−ｎ接合が逆バイアスとなるように電圧印加される
と、一部または全部の光７Ｉ２が第２光導波路２２に移
動される。第２光導波路層２２に入った光は反射体２４
によって基板ＩｎＰ方向に反射され結晶外に光が１３取
シ出される。反射体２４はＶ溝による方法だけでなくグ
レーティングを形成することにより基板と反対側の外部
に光を取り出すこともできる。その他、グレーティング
においては光の波長ごとに取り出す位置をかえることも
可能となる。壕だ、反射体２４の部分に受光素子を直接
構成することによって外部に電気信号として取り出すこ
ともできる。第４図にその構成例を示す。
にＰ−ｎ接合が逆バイアスとなるように電圧印加される
と、一部または全部の光７Ｉ２が第２光導波路２２に移
動される。第２光導波路層２２に入った光は反射体２４
によって基板ＩｎＰ方向に反射され結晶外に光が１３取
シ出される。反射体２４はＶ溝による方法だけでなくグ
レーティングを形成することにより基板と反対側の外部
に光を取り出すこともできる。その他、グレーティング
においては光の波長ごとに取り出す位置をかえることも
可能となる。壕だ、反射体２４の部分に受光素子を直接
構成することによって外部に電気信号として取り出すこ
ともできる。第４図にその構成例を示す。
第４図は光導波路の一部に受光素子を取りつけたもので
あり、ｎ型１ｎｘＧａ １４ＬＳｙＰ １−ｙよりなる
第２の光導波路層２２の上にＩｎ −Ｇａ−Ａｓあるい
はＩｎ−Ｇａ−Ａｓ−Ｐ系のＰ型層２８が形成されてお
り、Ｐ−ｎヘテロ接合を形成し、導波路層２２を伝搬す
る光は電気信号に変換される。同様に第１の光導波路２
０にレーザ等の光源をも一体として取り付けることも可
能となる。
あり、ｎ型１ｎｘＧａ １４ＬＳｙＰ １−ｙよりなる
第２の光導波路層２２の上にＩｎ −Ｇａ−Ａｓあるい
はＩｎ−Ｇａ−Ａｓ−Ｐ系のＰ型層２８が形成されてお
り、Ｐ−ｎヘテロ接合を形成し、導波路層２２を伝搬す
る光は電気信号に変換される。同様に第１の光導波路２
０にレーザ等の光源をも一体として取り付けることも可
能となる。
第６図にこのような光アクセスカプラを一次元状に配列
した場合を示す。外部へ取シ出す光方向変換部としてグ
レーティング で示しである。第１光導波路１９中を伝
搬する光は任意の電極２６に電圧印加することによって
任意の場所より光を外部に取シ出すことができる。
した場合を示す。外部へ取シ出す光方向変換部としてグ
レーティング で示しである。第１光導波路１９中を伝
搬する光は任意の電極２６に電圧印加することによって
任意の場所より光を外部に取シ出すことができる。
また、第６図はマトリックス状のランダムアクセスカプ
ラを示す。第１導波路に入射した光３０は電極３１に電
圧が印加されたときにのみ第２導波路に光は伝搬し、エ
ツチング等で形成されたミラー３３によって方向を換え
られる。方向変換された光は電極３２に電圧印加された
ときにのみ再び第２導波路に光は伝搬し、次の素子へ伝
搬するが電極３２に電圧が印加されないときは方向変換
部３４によって素子外部に光を取り出すことができる。
ラを示す。第１導波路に入射した光３０は電極３１に電
圧が印加されたときにのみ第２導波路に光は伝搬し、エ
ツチング等で形成されたミラー３３によって方向を換え
られる。方向変換された光は電極３２に電圧印加された
ときにのみ再び第２導波路に光は伝搬し、次の素子へ伝
搬するが電極３２に電圧が印加されないときは方向変換
部３４によって素子外部に光を取り出すことができる。
このように積層状導波路上に方向変換用ミラーと導波路
選択用電極を適当に配列することによって２次元状の任
意の点より光信号を取り出すことができる。
選択用電極を適当に配列することによって２次元状の任
意の点より光信号を取り出すことができる。
発明の効果
第１図に示されている平面型方向性結合器に代表される
光スィッチは光ファイバ等の外部へ光を取り出すために
は導波路を曲率をもたす必要があり、直角に曲げるのに
約数−ｍの長さを要し、−次元状にプレイ化するために
は大面積を必要とする。
光スィッチは光ファイバ等の外部へ光を取り出すために
は導波路を曲率をもたす必要があり、直角に曲げるのに
約数−ｍの長さを要し、−次元状にプレイ化するために
は大面積を必要とする。
更に、２次元状にマトリックス化することは非常に困難
であり、面積も広く必要となる。−力木発明は積層状に
方向性結合器が構成されてお９面積的に少なくすむほか
、■溝等の方向変換部の採用によって２本の導波路を完
全に分離でき、クロストークを小さくできるほか小面積
にまとめることができる。更に、化合物半導体で構成さ
れるために、レーザ光源や受光素子と一体化された構成
をとることができる等のすぐれた特長を有している。
であり、面積も広く必要となる。−力木発明は積層状に
方向性結合器が構成されてお９面積的に少なくすむほか
、■溝等の方向変換部の採用によって２本の導波路を完
全に分離でき、クロストークを小さくできるほか小面積
にまとめることができる。更に、化合物半導体で構成さ
れるために、レーザ光源や受光素子と一体化された構成
をとることができる等のすぐれた特長を有している。
第１図は平面形方向性結合器の構成概観図、第２図は本
発明に用いる積層導波路形アクセスカプラの断面図、第
３図は本発明の一実施例のアクセスカブラリ外観図、第
４図は本発明の他の実施例の光アクセスカプラの外観図
、第６図は本発明を用いた一次元光ランダムアクセスカ
プラの断面図、第６図は本発明を用いた二次元光ランダ
ムアクセスカプラの概略図である。 １８・・・・・・ＩｎＰ基板、１９，２３・・・・・・
工ｎＰ゛クラッド層、２ｏ・・・・・・第１の光導波路
層、２４・・・・・・第２の光導波路層、２４・・・・
・・反射体、１７，２５゜２８＋ ２９＋ ３１ ＋
３２・・・・・・電極、２６・・・・・・光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １ 第２図 第３図 第 ４ 図
発明に用いる積層導波路形アクセスカプラの断面図、第
３図は本発明の一実施例のアクセスカブラリ外観図、第
４図は本発明の他の実施例の光アクセスカプラの外観図
、第６図は本発明を用いた一次元光ランダムアクセスカ
プラの断面図、第６図は本発明を用いた二次元光ランダ
ムアクセスカプラの概略図である。 １８・・・・・・ＩｎＰ基板、１９，２３・・・・・・
工ｎＰ゛クラッド層、２ｏ・・・・・・第１の光導波路
層、２４・・・・・・第２の光導波路層、２４・・・・
・・反射体、１７，２５゜２８＋ ２９＋ ３１ ＋
３２・・・・・・電極、２６・・・・・・光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １ 第２図 第３図 第 ４ 図
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上にクラッド層ではさまれた第
１の光導波路層を有し、前記第１の光導波路層上に前記
第１の光導波路のクラッド層を共有して積層状に第２の
光導波路層を構成し、前記第２の光導波路層上に電圧印
加するだめの電極を有する積層状方向性結合器と導波路
外に光を取り出すための光方向変換部によって構成され
る光アクセスカフリを１次元あるいは２次元状に配列し
てなる光−集積回路。 - （２）光方向変換部において第２の光導波路層の一部に
Ｖ字型の溝を構成し、光導波路外に光を取り出すことを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141338A JPS6032029A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141338A JPS6032029A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032029A true JPS6032029A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0576614B2 JPH0576614B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=15289628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141338A Granted JPS6032029A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214121A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-22 | アルカテル アルストム ルシェルシェ ソシエテ アノニム | 光スイツチング素子 |
| US4747649A (en) * | 1985-01-07 | 1988-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithically integrated WDM demultiplex module and method of manufacture of such module |
| EP0620475A1 (en) * | 1993-03-15 | 1994-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical devices and optical communication systems using the optical device |
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| JPS4924452A (ja) * | 1972-06-28 | 1974-03-04 | ||
| JPS5251955A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58141338A patent/JPS6032029A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JPS5251955A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4747649A (en) * | 1985-01-07 | 1988-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithically integrated WDM demultiplex module and method of manufacture of such module |
| JPS6214121A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-22 | アルカテル アルストム ルシェルシェ ソシエテ アノニム | 光スイツチング素子 |
| EP0620475A1 (en) * | 1993-03-15 | 1994-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical devices and optical communication systems using the optical device |
| US5613020A (en) * | 1993-03-15 | 1997-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical devices having a periodical current restraint layer and optical communication systems using the optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576614B2 (ja) | 1993-10-25 |
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