JPH0293352A - 透視装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は被検体にＸ線等の放射線を照射し、この被検体
を透過した透過放射線を用いて被検体内部の欠陥等の検
査を行なう透視装置に関する。

（従来の技術） 近年、小型の工業製品、例えばチップ状に形成された集
積回路等の内部構造の検査又は内部に存在する欠陥の検
出及び識別を放射線を用いて非破壊状態で行なう必要性
が増加している。

このような検査装置としては、被検体に向けてＸ線等の
放射線を照射し、被検体を透過したＸ線による透視画像
を表示装置で表示させるものが一般に用いられ、これら
検査装置には透視装置が組み込まれていた。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら従来の透視装置にあっては、放射線の検出
に、例えばシンチレータ等の放射線／光変換手段とフォ
トダイオード等の光／電気変換手段とを用いるようにし
ているため、分解能がフォトダイオード間の距離、すな
わちチャンネル間ピッチに依存する所となり、そのため
分解能が低くなり、小型の工業製品の検査には不向きで
あった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
として分解能に優れ、小型の工業製品の検査に対しても
信頼性の高い透視装置を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明は、放射線発生手段か
ら被検体に向けて照射される、ファン状の放射線を、被
検体を挟んで前記放射線発生手段に対向して配設される
放射線検出手段によって検出して当該被検体の透視画像
を得る透視装置において、前記放射線検出手段は、入射
する放射線量に応じて電荷を励起し帯電する帯電体と、
この帯電体に励起され帯電された電荷量を検出する電荷
検出手段とを有して構成した。

（作用） 本発明における透視装置においては、放射線発生手段か
ら被検体に向けて照射され、この被検体を透過したファ
ン状の放射線に起因して放射線検出手段の帯電手段に電
荷が生成され、この帯電手段の放射線の照射部分に帯電
する。この帯電した電荷量は電荷検出手段によって検出
されて、当該被検体の透視画像が得られる。

（実施例） 以下、本発明が適用される透視装置を第１図乃至第４図
に示す一実施例を参照して説明する。

第１図は本発明に係る透視装置を用いるＣＴスキャナ装
置の構成を説明する正面図、第２は第１図に示すＣＴス
キャナ装置の平面図である。

放射線発生部１は、高エネルギＸ線管等を用いてＸ線を
発生し、この放射線発生部１の先端に設けた放射口コリ
メータ５ａによって水平方向にのみファン角θ０の拡が
りを有するファン状放射線Ｂを被検体６の特定断面に向
けて照射する。

放射線検出部２は、前記放射線発生部１から放射された
ファン角θ０のファン状放射線Ｂを検出するためのもの
であって、帯電体３とこの帯電体３に励起され帯電され
る電荷量を測定する電荷測定器４によって構成される。

以下、第３図、第４図を用いて帯電体３．電荷測定器４
の構成及び作用について説明する。

第３図（ａ）は帯電体３の断面を示す図であって、第３
図（ｂ）は第３図（ａ）に示す領域Ａを拡大して示す断
面図である。

帯電体３は、第３図（ｂ）に示すように、アルミニウム
製の円筒状のベース電極３３の表面に順次、アモルファ
スシリコンよりなる半導体膜３２゜ＩＴＯやＩｎＴｉ０
等よりなる透明電極３１．Ｃ８！やＣｄＷＯ４等よりな
るシンチレータ膜３０を形成したものであり、帯電体回
転機構９によって、後述する回転テーブル部７と同期し
て回転する。そして、放射線３４がこの帯電体３のシン
チレータ膜３０に照射されると、シンチレータ膜３０の
照射部分は入射する放射線量に対応する光量の可視光を
放射する。この可視光は透明電極３１を透過して、半導
体膜３２の透過光の照射部分の電荷状態を変化させる。

このようにして、放射線の強度分布に対応する電荷分布
が得られる。

電荷ａｐ＋定器４は、第４図に示すように、励起光照射
装置４０と電流測定器４１とを有している。

そして、前記半導体膜３２に帯電された電荷状態を検出
する場合には、励起光照射装置４０から当該半導体膜３
２表面に対して集束光４２を照射する。この集束光４２
によって半導体膜３２内に伝導電子が励起され、この照
射部分の電荷量に比例した電流が透明電極３１とベース
電極３３との間に流れる。この電流値を電流ａｌｌ定器
４１によって検出すると共に、この電流値をＡＤ変換し
て得られた投影データを再構成装置１１へ送出する。

再度、第１図及び第２図を参照するに、また放射線発生
部１と被検体４との間の放射線発生部１の近傍には前述
の照射口コリメータ５ａが、被検体６と放射線検出部２
との間の放射線検出部２の近傍には入射口コリメータ５
ｂがそれぞれ配設されて、放射線発生部１から放射され
たファン状放射線Ｂの指向性を高めると共に、被検体６
等で散乱した外乱放射線等が放射線検出部２に混入する
のを防止する。

回転テーブル部７は、上部に構成されるテーブル７ａの
上面に被検体６を載置して機構制御部９の制御信号に従
って、装置下部の回転機構を駆動してテーブル７８而を
水平に保持したまま、ファン角θ０と同一の角度θ０毎
に回転する。また、装置中間部には図示しない昇降機構
を内蔵していて、テーブル面の水平を保持した状態で所
定量づつ上昇もしくは降下を行なうことができる。

機構制御部９は、図示しないコンソール等の入力装置及
びコンピュータ等の指示に従って回転テーブル部７の回
転機構と昇降機構及び帯電体回転機構９のそれぞれの移
動方向及び移動量を制御する。また、この機構制御部９
は図示しないセンサを前記回転機構等の機構部に設けて
おり、このセンサからの信号によって精確な位置制御を
行なうようにしている。

次に、本実施例のＣＴスキャナ装置を用いて被検体４の
断層像を作成する場合の手順について説明する。

まず、被検体６を回転テーブル部７のテーブル７ａ上に
載置、固定する。次に昇降機構を駆動して断層画像が必
要とされる断層面をファン状放射線Ｂ面と一致させる。

次に放射線発生部１からファン状放射線Ｂを前記断層面
に向けて照射して、放射線検出部２の帯電体３に当該断
層面の透視像を投影する。この透過放射線の投影によっ
て帯電体３には電荷が生成され、この電荷は電荷測定器
４によって検出され、投影データとして再構成装置１１
に送出される。

このとき、回転テーブル部７のテーブル７ａと帯電体３
を同期して回転させ、被検体６の透視像のサイノブラム
を帯電体３上の電荷分布として形成するようにしている
。

尚、本実施例の帯電体３は円筒状のものを用いたが、放
射線発生部１からの距離を等しくするために帯電体３の
中間部分の直径が僅かに小である、いわゆる糸巻型にし
ても良く、その形状は本発明の目的を逸脱しない範囲で
任意に決定できる。

例えば、第５図は、本発明に係る他の実施例を示すもの
で、帯電体３を円盤状（ディスク状）に形成して、特に
位置分解能に優れたＣＴスキャナ装置を提供しようとす
るものである。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、放射線の検出を
放射線に起因して帯電体に励起した電荷によって行なう
ようにしたので、簡易な構成でありながら、分解能に優
れた断層画像を得ることができる透視装置を提供できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示す平面図、第２図
は第１図に示す例の正面図、第３図は帯電体の構成を示
す断面図、第４図は電荷測定器を説明する図、第５図は
他の実施例を示す斜視図である。 １・・・放射線発生部 ２・・・放射線検出部 ３・・・帯電体 ３０・・・シンチレータ膜 ３１・・・透明電極 ３２・・・半導体膜 ３３・・・ベース電極 ４・・・電荷１ｌｌｌ定器 ４０・・・励起光照射装置 ４１・・・電流測定器 ６・・・被検体 ７・・・回転テーブル部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 放射線発生手段から被検体に向けて照射される、ファン
   状の放射線を、被検体を挟んで前記放射線発生手段に対
   向して配設される放射線検出手段によって検出して当該
   被検体の透視画像を得る透視装置において、 前記放射線検出手段は、入射する放射線量に応じて電荷
   を励起し帯電する帯電体と、この帯電体に励起され帯電
   された電荷量を検出する電荷検出手段とを有することを
   特徴とする透視装置。