JPH029125A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による酸化膜等の成長装置の改
良に関する。

（従来の技術） 従来、半導体ウェーハの表面に所定の厚さのパッジペー
ジロン膜および絶縁膜を形成する装置として第２図に示
すよりなＣＶＤ装置が使われている。このＣＶＤ装置は
加熱板（１）および反応室カバー（４）によシ形成され
る反応室と、その反応室の中で加熱板（１）に接近し、
その上に反応ガス（２）を噴出させるように設置された
複数の反応ガス供給器（３）によシ構成され、反応ガス
（９）はガスノズル（６）、　（７）により外部から反
応ガス供給器（３）へと供給される。

そして反応ガス供給器（３）よりたとえばシラン（Ｓ”
４）１配素（０２）等の反応ガスを別々に噴出させるこ
とにより、加熱板（１）上に横に寝かせた状態で載置さ
れ加熱板（１）、、）／によって加熱された半導体ウェ
ーハ（２）の表面上に、　ＳｉＨ４と０２の反応物（８
ｉ０２）を付着させて８１０２″膜を形成する。またＳ
ｉＨ４と０２の化学反応では半導体ウェーハ（２）上に
Ｓ　ｉ０２膜（１０）を形成する他に粉末状のシラン等
の２次的反応物が生成される丸め、反応°室ガバー（４
）に設けられた排気口（５）から吸引ポンプ（図示せず
）によってその２次的反応物を吸引し排出している。

（発明が解決しようとするＲ雇） しかし、化学反応による２次的反応物の大部分は排気口
（５）より排出されるが、一部は反応血中に残シ反応ガ
ス供給器（３）の表面および反応室カバー内壁に付着し
蓄積する。この付着した２次的反応物は通常状態におい
ても剥離、飛散し、酸化膜生成中に半導体クエーノ・（
２）上に落下するため、半導体ウェーハ（２）には、２
次的反応物を含有した酸化膜（１のが形成されることに
なる。そして２次的反応物を含んだ酸化膜（ｌのは絶縁
抵抗の変化およ１〕 び電流のせ−り等の発生の原因に゛なり、半導体素子の
特性を低下させるという欠点があった。また、半導体ウ
ェーハ移動の振動等により、酸化膜（１０）中の２次的
反応物が取れた場合に、その部分の酸化膜に穴がおいて
しまい素子の特性を低下させていた。

また前記２次的反応物の半導体ウェーノ・上への落下に
よる素子の不良を減らす為に定期的に反応ガス供給器等
を洗浄するという作業が必要であった。本発明の目的は
、半導体ウェー７１上に均質なパッジベージ冒ン膜およ
び絶縁膜を容易に形成することができるＣＶＤ装置を提
供することである。

〔発明の構成〕

（課題を解決する丸めの手段） 本発明は複数の反応ガスを別々に噴出させる反応ガス供
給器とこの反応ガス供給器と対向する位置にある加熱板
との空間で前記反応ガスの化学反応により、加熱板上に
載置された半導体ウェー八表面に反応物による膜を形成
するＣＶＤ装置において、反応ガス供給器に振動装置を
設置した。

（作用） 本発明では反応ガス供給器に振動装置を設置することに
よって、反応ガス供給器および反応室カバー内壁に付着
し九２次的反応物を容易に除去することができる。よっ
て２次的反応物の半導体ウェーハ上への落下を防ぐこと
ができ、形成されるパッジページ１ン膜や絶縁膜に悪影
響を及ぼすことがなくなる。またその２次的反応物の除
去のための振動装置の作動は適宜行なう他、化学反応中
常時行なわせておくことにより反応ガス供給器および反
応室カバー内壁へはなにも付着しなくなるため、反応ガ
ス供給器等の洗浄作業が不要となる。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の断面図で
、第２図は第１図におけるＡ部の拡大図である。以下第
１図および第２図を参照し本発明を説明する。この実施
例のＣＶＤ装置は、反応室カバー（４）と加熱板（１）
によ多構成される反応室と、加熱板（１）上に配置され
る半導体ウェー・・（２）に反応ガスを噴出させ膜を形
成するための反応ガス供給器（３）と、その反応ガス供
給器（３）および反応室カバーを適宜振動させることが
できる超音波振動装置（８）とから構成される。この超
音波振動装置（８）は反応ガス供給管（３）の上部にね
じ止めされており、電源コード（１３）を通じて電源へ
接続され反応ガス供給管（３）および反応室カバー（４
）を振動させる。このＣＶＤ装置を用いてシリコ／酸化
膜（１０）を形成する場合、ガスノズル（６）、　（７
）よりそれぞれ酸素ガス（０２）およびシランガス（Ｓ
ｉＨ４）が反応ガス供給器（３）へ送られ、そこから加
熱板（１）上に載置された半導体ウェーハ（２）に反応
ガスが噴出される。そして半導体ウェーハ（２）上には
ＳｉＨ４と０２の化学反応によりシリコ／酸化Ｍ　（１
のが形成される。この化学反応による２次的反応物とし
てシメン（ＳｉＨ４）の粉末状のものが生Ｉ成され反応
ガス供給器（３）および反応室カバー内壁に付着する。

所望の厚さのシリコン酸化膜（１のの形成後反応ガス供
給器（３）をウェーノ（２１上から移動させるが、移動
後超音波振動装置を周波数が２０〜３α、ＫＨｚ程度で
作動させ、反応ガス供給器（３）および反応室カバー内
壁に付着する２次的反応物を除去する。その後火の半導
体ウェーハ上にシリコン酸化膜を形成する工程へ移る。

酸化膜を形成する工程を行なう。

以上のように反応ガス供給器（３）に超音波振動装置を
設置することにより、容易に付着物を除去することがで
きるため、粉末状のシランが反応ガス供給器（３）等に
蓄積し、形成中のシリコ／酸化膜（１０）中へ混入する
ことを防ぐことができる。

また、シリコン酸化膜（１０）の形成中においても常時
超音波感動装置を作動させ、反応ガス供給器（３）を振
動させることにより、粉末状のシランが反応ガス供給管
（３）に付置することを防ぎ、化学反応中に生成された
粉末状のシランは全て排気口（５）より排出される。よ
って形成されるシリコン酸化膜（１０）中に混入するこ
とはない。そして反応ガス供給器（３）および反応室内
壁には付着しないため、洗浄という作業は不要となる。

〔発明の効果〕

本発明は以上のようにＣＶＤ装置内の反応ガス供給管に
振動装置を設置して撮動させることにより、半導体ウェ
ーハ上に２次的反応物の混入しない均質なパッジベージ
１ン膜および絶縁膜を容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の断面図、
第２図は第１図Ａ部の拡大断面図、第３図は従来のＣＶ
Ｄ装置の断面図である。 １・・・加熱板　　　　　２・・・半導体ウェーハ３・
・・反応ガス供給器　　４・・・反応室カバー５・・・
排気口　　　　　６，７・・・ガスノズル８・・・超音
波振動袋＠　　　１０・・・シリコン酸化膜１１・・・
酸素ガス　　　　　１２・・・シランガス１３・・・電

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェーハを載置しそのウェーハを加熱する加熱板
   と、その加熱板上に複数の反応ガスを供給する反応ガス
   供給器と、この反応ガス供給器を振動させる振動装置と
   、前記加熱板上に設けられ反応ガス供給器をおおう反応
   室カバーと、その反応室カバーに設けられた反応ガス排
   気口とを具備することを特徴とするＣＶＤ装置。