JPH0290584A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH0290584A JPH0290584A JP24107288A JP24107288A JPH0290584A JP H0290584 A JPH0290584 A JP H0290584A JP 24107288 A JP24107288 A JP 24107288A JP 24107288 A JP24107288 A JP 24107288A JP H0290584 A JPH0290584 A JP H0290584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- semiconductor laser
- temperature
- hermetically sealed
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000010259 detection of temperature stimulus Effects 0.000 abstract 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- LIXXICXIKUPJBX-UHFFFAOYSA-N [Pt].[Rh].[Pt] Chemical compound [Pt].[Rh].[Pt] LIXXICXIKUPJBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信、特にコヒーレント光伝送のような高い
温度制御を必要とする半導体レーザーモジュールに関す
る。
温度制御を必要とする半導体レーザーモジュールに関す
る。
（従来の技術）
従来の装置は特開昭６１−１３１５８０号公報に記載の
ように温度検出素子にサーミスタを使用していた。
ように温度検出素子にサーミスタを使用していた。
（発明が解決しようとする課題）
サーミスタはその抵抗値、サーミスタ定数にバラツキが
存在するため、温度変化を相対的に検出できるが、その
絶対値測定は不可能であり、しかも微小な温度変化、例
えばコヒーレント光伝送に必要とされている１００ＭＨ
ｚ以下の周波数安定度を得ために必要な０．００１℃オ
ーダの温度変化の測定精度は得られず、上記従来技術で
は微小温度の高精度測定の点について配慮がされていな
かった。
存在するため、温度変化を相対的に検出できるが、その
絶対値測定は不可能であり、しかも微小な温度変化、例
えばコヒーレント光伝送に必要とされている１００ＭＨ
ｚ以下の周波数安定度を得ために必要な０．００１℃オ
ーダの温度変化の測定精度は得られず、上記従来技術で
は微小温度の高精度測定の点について配慮がされていな
かった。
本発明の目的は高精度で温度検出を可能とすることにあ
る。
る。
（課題を解決するための手段）
上記目的は温度検出素子に熱電対を使用し、半導体レー
ザの収納された気密パッケージより寄生熱起電力の発生
することのないよう冷接点を気密パッケージ外部へ取り
出すことにより達成される。
ザの収納された気密パッケージより寄生熱起電力の発生
することのないよう冷接点を気密パッケージ外部へ取り
出すことにより達成される。
（作用〕
熱起電力を利用した温度計である熱電対は高精度の温度
測定が可能でおるが、温接点以外の部分で熱起電力の発
生する寄生熱起電力が発生すると誤差が生ずる。
測定が可能でおるが、温接点以外の部分で熱起電力の発
生する寄生熱起電力が発生すると誤差が生ずる。
半導体レーザはその信頼性を確保するため気密パッケー
ジ内に収納している。半導体レーザへの給電、信号入力
、出力等は気密パッケージの壁面に設けられた気密端子
を介して行なう。気密端子の端子材質は一般にコバール
、４２Ｎｉ−Ｆｅ等が用いられており、半導体レーザの
近傍に温接点を設置した熱電対を異種金属である気密端
子を介して、その冷接点を気密パッケージの外部へ取り
出すと寄生熱起電力が発生し測定誤差が生じ、微小温度
変化の検出はむづかしい。本発明は、熱電対の温接点と
冷接点間に異種金属を介在させることなく気密封止状態
で冷接点を気密パッケージ外部へ取り出せるため、寄生
熱起電力が発生せず、高精度で温度検出が可能となる。
ジ内に収納している。半導体レーザへの給電、信号入力
、出力等は気密パッケージの壁面に設けられた気密端子
を介して行なう。気密端子の端子材質は一般にコバール
、４２Ｎｉ−Ｆｅ等が用いられており、半導体レーザの
近傍に温接点を設置した熱電対を異種金属である気密端
子を介して、その冷接点を気密パッケージの外部へ取り
出すと寄生熱起電力が発生し測定誤差が生じ、微小温度
変化の検出はむづかしい。本発明は、熱電対の温接点と
冷接点間に異種金属を介在させることなく気密封止状態
で冷接点を気密パッケージ外部へ取り出せるため、寄生
熱起電力が発生せず、高精度で温度検出が可能となる。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
半導体レーザ１はモニタ用フォトダイオード２とともに
、熱電子冷却素子３上に搭載されており、半導体レーザ
１の温度を検出する熱電対４の温接点は半導体レーザ１
の近傍に固定しである。熱電対４は気密パッケージ９の
壁面に気密封止固定されたセラミックパイプ８に設けら
れた二つの微小孔７を通されて、その冷接点６がパッケ
ージ９の外部へ取り出されている。熱電対４を微小孔７
に通した後、微小孔７を熱電対４の隙間に抵融点ガラス
粉末１１を塗布、充填し、赤外線加熱によりこれを溶融
されて気密封止を行なった。本実施例では半導体レーザ
１を光ファイバ１０の光結合に先球ファイバ方式を採用
した。
、熱電子冷却素子３上に搭載されており、半導体レーザ
１の温度を検出する熱電対４の温接点は半導体レーザ１
の近傍に固定しである。熱電対４は気密パッケージ９の
壁面に気密封止固定されたセラミックパイプ８に設けら
れた二つの微小孔７を通されて、その冷接点６がパッケ
ージ９の外部へ取り出されている。熱電対４を微小孔７
に通した後、微小孔７を熱電対４の隙間に抵融点ガラス
粉末１１を塗布、充填し、赤外線加熱によりこれを溶融
されて気密封止を行なった。本実施例では半導体レーザ
１を光ファイバ１０の光結合に先球ファイバ方式を採用
した。
本実施例では熱電対４に白金−白金ロジウムの熱電対を
使用し、半導体レーザ１にはＩｎＧＣＡＳＰから成る分
布帰還形レーザを使用した。この結果、温度測定精度は
±ｏ、 ｏｏｉ℃以下の高精度測定が達成された。本実
施例で示した半導体レーザモジュールを恒温槽内に設置
し、周囲温度を±１℃以下に制御し、更に熱電冷却素子
により半導体レーザ１を温度制御した結果、±Ｑ、ＯＧ
５℃以下の温度安定度が得られ、これにより５０Ｍ１−
１ｚ以下の光周波数安定度を長時間にわたって達成した
。
使用し、半導体レーザ１にはＩｎＧＣＡＳＰから成る分
布帰還形レーザを使用した。この結果、温度測定精度は
±ｏ、 ｏｏｉ℃以下の高精度測定が達成された。本実
施例で示した半導体レーザモジュールを恒温槽内に設置
し、周囲温度を±１℃以下に制御し、更に熱電冷却素子
により半導体レーザ１を温度制御した結果、±Ｑ、ＯＧ
５℃以下の温度安定度が得られ、これにより５０Ｍ１−
１ｚ以下の光周波数安定度を長時間にわたって達成した
。
なお、本実施例を示す図では半導体レーザ１、モニタ用
フォトダイオード２、熱電子冷却素子３を接続される通
常の気密端子は省略して示した。
フォトダイオード２、熱電子冷却素子３を接続される通
常の気密端子は省略して示した。
本実施例では二つの微小孔７の設けられたセラミックパ
イプ８を示したが、一つの微小孔を持つセラミックパイ
プを２本使用しても当然、同様の結果が得られる。
イプ８を示したが、一つの微小孔を持つセラミックパイ
プを２本使用しても当然、同様の結果が得られる。
本発明によれば、熱雷対の測定誤差の原因である寄生熱
起電力を発生されることなく冷接点を気密パッケージの
外部への取り出せるため、高精度の温度測定が可能であ
る。
起電力を発生されることなく冷接点を気密パッケージの
外部への取り出せるため、高精度の温度測定が可能であ
る。
図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・半導体レーザ、２・・・モニタ用フォトダイー
ド、３・・・熱電子冷却素子、４・・・熱電対、５・・
・温接点、６・・・冷接点、７・・・微小孔、８・・・
セラミックパイプ、９・・・気密パッケージ、１０・・
・光ファイバ、１１・・・気密封止材
ド、３・・・熱電子冷却素子、４・・・熱電対、５・・
・温接点、６・・・冷接点、７・・・微小孔、８・・・
セラミックパイプ、９・・・気密パッケージ、１０・・
・光ファイバ、１１・・・気密封止材
Claims (1)
- １、半導体レーザと光ファイバとが光結合され、該半導
体レーザを温度制御する電子冷却素子と温度検出用熱電
対、モニタ用フォトダイオードを同一の気密パッケージ
内に収納して成る半導体レーザモジュールにおいて、該
気密パケッージの壁面に熱電対の通過する微小孔を有す
るガラスまたはセラミックから成るパイプを気密防止固
定し、熱電対の通過した微小孔を抵融点ガラスなどの無
機材料にて気密封止することにより、熱電対の冷接点を
該気密パッケージの外部に取り出したことを特徴とする
半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24107288A JPH0290584A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24107288A JPH0290584A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290584A true JPH0290584A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17068880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24107288A Pending JPH0290584A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290584A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7136103B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-11-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Digital camera and color adjusting apparatus |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24107288A patent/JPH0290584A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7136103B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-11-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Digital camera and color adjusting apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100507716B1 (ko) | 서모파일 센서 및 서모파일 센서가 구비된 복사 온도계 | |
| KR100205384B1 (ko) | 적외선 센서 및 그의 온도 보상방법 | |
| Sarker et al. | A lithium niobate high-temperature sensor for energy system applications | |
| JP5076235B2 (ja) | 熱電対ヒータとこれを用いた温度計測装置 | |
| JP2004361386A (ja) | 赤外線放射検出用装置 | |
| JPH0290584A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| US3621258A (en) | Peltier-controlled bolometer temperature reference technique | |
| GB1308953A (en) | Radiation detector for apparatus for measuring moisture | |
| JPH02299277A (ja) | 光部品の温度安定化方法及び装置 | |
| JP4580562B2 (ja) | 非接触型温度センサーおよびそれを用いた赤外線体温計 | |
| JP6666523B2 (ja) | プロセスカップリング及び圧力トランスミッタアセンブリ | |
| JPS60133329A (ja) | 非接触式温度検出装置 | |
| JPH04372865A (ja) | シリコンを用いた流速測定装置 | |
| JPH06129914A (ja) | 温度測定装置 | |
| JPH0234468B2 (ja) | ||
| CN218447925U (zh) | 一种防止波长随温度变化而产生飘移的装置 | |
| JPH10142072A (ja) | 測温システム | |
| RU1787267C (ru) | Фотоэлектрический компенсирующий пирометр | |
| JP2002195885A (ja) | 赤外線センサー | |
| JP2008026179A (ja) | 輻射熱センサーと輻射熱の測定方法 | |
| JPS60107117A (ja) | 恒温装置 | |
| JPH05315696A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH09257584A (ja) | 熱型赤外線検知装置 | |
| JPH0760912B2 (ja) | レ−ザ出力制御装置 | |
| JPH0267770A (ja) | 熱電モジュール |