JPH0287802A - 超高周波増幅器 - Google Patents
超高周波増幅器Info
- Publication number
- JPH0287802A JPH0287802A JP24205488A JP24205488A JPH0287802A JP H0287802 A JPH0287802 A JP H0287802A JP 24205488 A JP24205488 A JP 24205488A JP 24205488 A JP24205488 A JP 24205488A JP H0287802 A JPH0287802 A JP H0287802A
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- matching
- variable
- variable reactance
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- Pending
Links
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高周波増幅器に利用され、特に、その整合回
路を改善した超高周波増幅器に関する。
路を改善した超高周波増幅器に関する。
本発明は、分布定数線路を含む整合回路を備えた超高周
波増幅器において、 前記整合回路が少なくとも一つの可変リアクタンス直列
共振素子を含むことにより、 前記可変リアクタンス直列共振素子の調節で、簡単に整
合がとれるようにしたものである。
波増幅器において、 前記整合回路が少なくとも一つの可変リアクタンス直列
共振素子を含むことにより、 前記可変リアクタンス直列共振素子の調節で、簡単に整
合がとれるようにしたものである。
従来、この種の超高周波増幅器の整合回路は、全てマイ
クロストリップ線路による分布定数回路で構成されてい
た。第7図はその一例を示す回路図で、人力整合回路を
示す。人力整合回路1は、λ、 /41−ランスフォー
マ4と高インピーダンス線路5とを含んでいる。
クロストリップ線路による分布定数回路で構成されてい
た。第7図はその一例を示す回路図で、人力整合回路を
示す。人力整合回路1は、λ、 /41−ランスフォー
マ4と高インピーダンス線路5とを含んでいる。
前述した従来の超高周波増幅器の人力整合回路は、マイ
クロストリップ線路として誘電体の基板上にパターン形
成されるため、精度の高いシミュレーションを行い、パ
ターン化に際しては隣接パターン、曲がり等諸々の影響
を考慮しないと設計帯域がずれるなどの問題が生じ、ま
た製造上のバラツキおよびデバイス自体の特性のバラツ
キ等も含め少なからずパターン調整を必要とする。
クロストリップ線路として誘電体の基板上にパターン形
成されるため、精度の高いシミュレーションを行い、パ
ターン化に際しては隣接パターン、曲がり等諸々の影響
を考慮しないと設計帯域がずれるなどの問題が生じ、ま
た製造上のバラツキおよびデバイス自体の特性のバラツ
キ等も含め少なからずパターン調整を必要とする。
第8図は第7図の人力整合回路1におけるスミスチャー
ト上のインピーダンス特性を示す説明図である。高イン
ピーダンス線路5により点Eは点Fに移る。設計通りで
あれば、点Fはλ、/4トランスフォーマ4により点G
に変換され整合が取られる。ところが、デバイスのバラ
ツキにより点Eが設計値よりずれていたり、高インピー
ダンス線路5やλ、/4トランスフォーマ4の長さにず
れが生じた場合、点Fは点F′にずれ、点Gは点G′に
ずれてしまう。従って試行錯誤的によりパターン調整し
点G′を点Gに修正しなければならない。すなわち、従
来の技術によると簡単に整合を取ることができない欠点
があった。
ト上のインピーダンス特性を示す説明図である。高イン
ピーダンス線路5により点Eは点Fに移る。設計通りで
あれば、点Fはλ、/4トランスフォーマ4により点G
に変換され整合が取られる。ところが、デバイスのバラ
ツキにより点Eが設計値よりずれていたり、高インピー
ダンス線路5やλ、/4トランスフォーマ4の長さにず
れが生じた場合、点Fは点F′にずれ、点Gは点G′に
ずれてしまう。従って試行錯誤的によりパターン調整し
点G′を点Gに修正しなければならない。すなわち、従
来の技術によると簡単に整合を取ることができない欠点
があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、簡
単に調整可能な整合回路を有する超高周波増幅器を提供
することにある。
単に調整可能な整合回路を有する超高周波増幅器を提供
することにある。
本発明は、分布定数線路を含む整合回路を備えた超高周
波増幅器において、前記整合回路は、少なくとも一つの
可変リアクタンス直列共振素子を含むことを特徴とする
。
波増幅器において、前記整合回路は、少なくとも一つの
可変リアクタンス直列共振素子を含むことを特徴とする
。
整合回路は、整合を微調整するための可変リアクタンス
直列共振素子を有している。可変リアクタンス直列共振
素子は例えば、誘電体可変コンデンサの場合、そのロー
タの回転で、直列の寄生インダクタンスと可変のキャパ
シタンスにより、ある周波数において(−)数十Ωから
(+)数十Ωのリアクタンスを得ることができ、例えば
、FET(電界効果トランジスタ)のゲート人力線路に
直列に挿入し、等価的に線路の電気長を可変することが
できる。
直列共振素子を有している。可変リアクタンス直列共振
素子は例えば、誘電体可変コンデンサの場合、そのロー
タの回転で、直列の寄生インダクタンスと可変のキャパ
シタンスにより、ある周波数において(−)数十Ωから
(+)数十Ωのリアクタンスを得ることができ、例えば
、FET(電界効果トランジスタ)のゲート人力線路に
直列に挿入し、等価的に線路の電気長を可変することが
できる。
従って、極めて簡単に増幅器の整合を取ることが可能と
なる。
なる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第一実施例を示すブロック構成図で、
増幅用デバイスとしてFETを用いたFETI段増幅器
を示す。
増幅用デバイスとしてFETを用いたFETI段増幅器
を示す。
本実施例は、分布定数線路としての高インピーダンス線
路5を含む人力整合回路1を備えた超高周波増幅器にお
いて、 人力整合回路1は、高インピーダンス線路5に一端が接
続された一つの可変リアクタンス直列共振素子6を含ん
でいる。なお、第1図にふいて、2は出力整合回路、3
はFETおよび4はλ、/4トランスフォーマである。
路5を含む人力整合回路1を備えた超高周波増幅器にお
いて、 人力整合回路1は、高インピーダンス線路5に一端が接
続された一つの可変リアクタンス直列共振素子6を含ん
でいる。なお、第1図にふいて、2は出力整合回路、3
はFETおよび4はλ、/4トランスフォーマである。
本発明の特徴は1.第1図において、可変リアクタンス
直列共振素子6を設けたことにある。
直列共振素子6を設けたことにある。
次に、本実施例の動作について説明する。
第2図は、本実施例のインピーダンス特性をスミスチャ
ート上に示したものである。
ート上に示したものである。
高インピーダンス線路5により、第2図に示す点Aは点
已に移る。設計通りであれば、点Bは、λ9/4トラン
スフォーマ4により点Cに変換され整合が取れる。とこ
ろが、FET3のバラツキにより点Aが設計値よりずれ
ていたり、高インピーダンス線路5やλ、/4トランス
フォーマ4の長さにずれが生じたりした場合、例えば、
本来点A→点Bに移るとこが点B′ないし点B IIと
なっても、可変リアクタンス直列共振素子6を調整する
ことにより点已に容易に修正することができ、簡単に整
合を取ることができる。
已に移る。設計通りであれば、点Bは、λ9/4トラン
スフォーマ4により点Cに変換され整合が取れる。とこ
ろが、FET3のバラツキにより点Aが設計値よりずれ
ていたり、高インピーダンス線路5やλ、/4トランス
フォーマ4の長さにずれが生じたりした場合、例えば、
本来点A→点Bに移るとこが点B′ないし点B IIと
なっても、可変リアクタンス直列共振素子6を調整する
ことにより点已に容易に修正することができ、簡単に整
合を取ることができる。
第3図は第1図の可変リアクタンス直流共振素子6の一
つとして用いることができる誘電体可変コンデンサの超
高周波等価回路図である。寄生インダクタンス9は素子
の形状等で決まる素子固有の値であり、容量10はロー
タを回転することにより、ある範囲内で可変することが
できる。
つとして用いることができる誘電体可変コンデンサの超
高周波等価回路図である。寄生インダクタンス9は素子
の形状等で決まる素子固有の値であり、容量10はロー
タを回転することにより、ある範囲内で可変することが
できる。
第4図は誘電体可変コンデンサのりアクタンス特性の一
例であり、ロータを回転して容量を可変することにより
斜線内のりアクタンスを実現するととができる。第4図
から明らかなように、ある周波数において、(−)数十
Ωから(+)数十Ωのリアクタンスを得ることができる
。
例であり、ロータを回転して容量を可変することにより
斜線内のりアクタンスを実現するととができる。第4図
から明らかなように、ある周波数において、(−)数十
Ωから(+)数十Ωのリアクタンスを得ることができる
。
第5図は、本実施例としての1.5GHz帯の1段FE
T増幅器の利得周波数特性を示す。比帯域にして約20
%の調整可能範囲を有しており、単なる調整の簡易化の
みならず、帯域可変型の増幅器をも容易に実現できる。
T増幅器の利得周波数特性を示す。比帯域にして約20
%の調整可能範囲を有しており、単なる調整の簡易化の
みならず、帯域可変型の増幅器をも容易に実現できる。
第6図(a)および(b)は本発明の第二実施例を示す
回路図で、人力整合回路を示す。
回路図で、人力整合回路を示す。
本第二実施例は、可変リアクタンス直列共振素子6を二
つ用いさらにオープンスタブ7を用い、λ、/4トラン
スフォーマ4の代わりに特性インピーダンス線路8を用
いた場合である。
つ用いさらにオープンスタブ7を用い、λ、/4トラン
スフォーマ4の代わりに特性インピーダンス線路8を用
いた場合である。
本発明は、可変リアクタンス直列共振素子6を二つある
いはそれ以上用いることにより、より広い調整が簡便に
行えることはいうまでもない。また、可変リアクタンス
直列共振素子6を用いる位置も用途や整合方式(オープ
ンスタブを用いる形式、λ9/4トランスフォーマを用
いる形式、あるいは多段の整合回路などの違い)に応じ
種々前えられ、本第二実施例に示した他にも数々の応用
がある。
いはそれ以上用いることにより、より広い調整が簡便に
行えることはいうまでもない。また、可変リアクタンス
直列共振素子6を用いる位置も用途や整合方式(オープ
ンスタブを用いる形式、λ9/4トランスフォーマを用
いる形式、あるいは多段の整合回路などの違い)に応じ
種々前えられ、本第二実施例に示した他にも数々の応用
がある。
以上説明したように、本発明は、整合回路に可変リアク
タンス直列共振素子を用いることにより、パターン調整
のわずられしい手段によらずに、デバイスやパターンの
ばらつきのみならず設計精度のばらつきを簡単に調整し
整合を取ることができる効果がある。
タンス直列共振素子を用いることにより、パターン調整
のわずられしい手段によらずに、デバイスやパターンの
ばらつきのみならず設計精度のばらつきを簡単に調整し
整合を取ることができる効果がある。
さらに、帯域可変型の増幅器を得ることができる効果も
付加される。
付加される。
第1図は本発明の第一実施例を示すブロック構成図。
第2図はその人力整合回路のインピーダンス特性の説明
図。 第3図は誘電体可変コンデンサの超高周波等価回路図。 第4図はそのリアクタンス特性図。 第5図は本預明の第一実施例の利得周波数特性図。 第6図(a)およびら)は本発明の第二実施例の入力等
価回路を示す回路図。 第7図は従来例の入力整合回路を示す回路図。 第8図はそのインピーダンス特性の説明図。 1・・・入力整合回路、2・・・出力整合回路、3・・
・FET、4・・・λ、/4トランスフォーマ、5・・
・高インピーダンス線路、6・・・可変リアクタンス直
列共振素子、7・・・オープンスタブ、8・・・特性イ
ンピーダンス線路、9・・・寄生インダクタンス、10
・・・容!。
図。 第3図は誘電体可変コンデンサの超高周波等価回路図。 第4図はそのリアクタンス特性図。 第5図は本預明の第一実施例の利得周波数特性図。 第6図(a)およびら)は本発明の第二実施例の入力等
価回路を示す回路図。 第7図は従来例の入力整合回路を示す回路図。 第8図はそのインピーダンス特性の説明図。 1・・・入力整合回路、2・・・出力整合回路、3・・
・FET、4・・・λ、/4トランスフォーマ、5・・
・高インピーダンス線路、6・・・可変リアクタンス直
列共振素子、7・・・オープンスタブ、8・・・特性イ
ンピーダンス線路、9・・・寄生インダクタンス、10
・・・容!。
Claims (1)
- 1.分布定数線路を含む整合回路を備えた超高周波増幅
器において、 前記整合回路は、少なくとも一つの可変リアクタンス直
列共振素子を含む ことを特徴とする超高周波増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24205488A JPH0287802A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 超高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24205488A JPH0287802A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 超高周波増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0287802A true JPH0287802A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17083592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24205488A Pending JPH0287802A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 超高周波増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0287802A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007262839A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sankyo Tateyama Aluminium Inc | アルミ製トラス構造体 |
JP2007262843A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sankyo Tateyama Aluminium Inc | トラス構造体 |
JP2008285833A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sankyo Tateyama Aluminium Inc | 簡易建物 |
JP2009533957A (ja) * | 2006-04-10 | 2009-09-17 | ナヴコム テクノロジー インコーポレイテッド | マルチバンド逆l字状アンテナ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5354472A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-17 | Nec Corp | Super high frequency transistor amplifier |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24205488A patent/JPH0287802A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5354472A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-17 | Nec Corp | Super high frequency transistor amplifier |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007262839A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sankyo Tateyama Aluminium Inc | アルミ製トラス構造体 |
JP2007262843A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sankyo Tateyama Aluminium Inc | トラス構造体 |
JP2009533957A (ja) * | 2006-04-10 | 2009-09-17 | ナヴコム テクノロジー インコーポレイテッド | マルチバンド逆l字状アンテナ |
JP2008285833A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sankyo Tateyama Aluminium Inc | 簡易建物 |
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