JPH02805B2 - - Google Patents
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- JPH02805B2 JPH02805B2 JP53153251A JP15325178A JPH02805B2 JP H02805 B2 JPH02805 B2 JP H02805B2 JP 53153251 A JP53153251 A JP 53153251A JP 15325178 A JP15325178 A JP 15325178A JP H02805 B2 JPH02805 B2 JP H02805B2
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- JP
- Japan
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- switching
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- current
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- switch
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
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- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H9/00—Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
- H01H9/54—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the switching device and for which no provision exists elsewhere
- H01H9/56—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the switching device and for which no provision exists elsewhere for ensuring operation of the switch at a predetermined point in the ac cycle
- H01H9/563—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the switching device and for which no provision exists elsewhere for ensuring operation of the switch at a predetermined point in the ac cycle for multipolar switches, e.g. different timing for different phases, selecting phase with first zero-crossing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)
- Keying Circuit Devices (AREA)
- Supplying Of Containers To The Packaging Station (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、急速不導通復帰機能を有するスイツ
チ手段により、三相高電圧回路における誘導負荷
を遮断する方法に関するものである。ここで言う
急速不導通復帰機能とは、例えば真空(他のガス
の場合もある)などの媒体中でスイツチの遮断を
行なつたとき、アークが消滅したのち急速に絶縁
状態を回復する機能を言う。
チ手段により、三相高電圧回路における誘導負荷
を遮断する方法に関するものである。ここで言う
急速不導通復帰機能とは、例えば真空(他のガス
の場合もある)などの媒体中でスイツチの遮断を
行なつたとき、アークが消滅したのち急速に絶縁
状態を回復する機能を言う。
(従来の技術)
三相高電圧回路における誘導負荷の遮断時には
時として、切断される負荷に高い過電圧が生じる
ことが知られている。このような過電圧は、絶縁
破壊等によつて回路に著しく損傷を生じさせるの
で、これら高過電圧が発生しそうな原因を見出す
ために、いくつかの調査が行なわれた。これらの
調査から、この高過電圧は、関連する回路におい
て多くの条件の少なくとも1つが満たされるだけ
で起こることが明らかとなり、その最も重要なも
のは、 1 急速不導通復帰機能を有するスイツチにより
スイツチングが行なわれる場合;この条件は、
真空スイツチにより満たされる。
時として、切断される負荷に高い過電圧が生じる
ことが知られている。このような過電圧は、絶縁
破壊等によつて回路に著しく損傷を生じさせるの
で、これら高過電圧が発生しそうな原因を見出す
ために、いくつかの調査が行なわれた。これらの
調査から、この高過電圧は、関連する回路におい
て多くの条件の少なくとも1つが満たされるだけ
で起こることが明らかとなり、その最も重要なも
のは、 1 急速不導通復帰機能を有するスイツチにより
スイツチングが行なわれる場合;この条件は、
真空スイツチにより満たされる。
2 予め決められた回路網分布定数が要求される
場合;とりわけ、スイツチの電流側と負荷側の
両方の相間に十分な容量が存在する場合が含く
まれる。
場合;とりわけ、スイツチの電流側と負荷側の
両方の相間に十分な容量が存在する場合が含く
まれる。
3 3つの接点部材が開離する際にスイツチの1
つの極がゼロ電流点に近い時点で開離する場
合。
つの極がゼロ電流点に近い時点で開離する場
合。
である。
上記条件下で負荷を遮断する際、ゼロ電流点で
遮断される第1相において、この相で再発弧が生
じ得るような過電圧が発生する。一般の状況下で
は、これらの再発弧から生じかつ非常に高い周波
数を有する電流は、全体的又は部分的に、既に遮
断されてはいるがなおキヤリー電流が残つている
他の2つの相の回路電流に重畳される。これらの
相における重畳電流と回路電流の合成されたもの
が略ゼロになるとき、他の2つの相もまた遮断さ
れる。しかしながら、再発弧時に、再発弧が起こ
つた第1相の回路電流はゼロ電流点に近いので、
他の2つの相における瞬間電流値は比較的高く、
これがいわゆる高電流チヨツピングを引き起こ
す。文献では、この比較的高電流のチヨツピング
は、一般的に“仮想チヨツピング”と呼ばれてい
る。この“仮想チヨツピング”で、di/dtの値が
高いことを考えると、装置において非常に高い過
電圧が“仮想チヨツピング”で生じることにな
る。
遮断される第1相において、この相で再発弧が生
じ得るような過電圧が発生する。一般の状況下で
は、これらの再発弧から生じかつ非常に高い周波
数を有する電流は、全体的又は部分的に、既に遮
断されてはいるがなおキヤリー電流が残つている
他の2つの相の回路電流に重畳される。これらの
相における重畳電流と回路電流の合成されたもの
が略ゼロになるとき、他の2つの相もまた遮断さ
れる。しかしながら、再発弧時に、再発弧が起こ
つた第1相の回路電流はゼロ電流点に近いので、
他の2つの相における瞬間電流値は比較的高く、
これがいわゆる高電流チヨツピングを引き起こ
す。文献では、この比較的高電流のチヨツピング
は、一般的に“仮想チヨツピング”と呼ばれてい
る。この“仮想チヨツピング”で、di/dtの値が
高いことを考えると、装置において非常に高い過
電圧が“仮想チヨツピング”で生じることにな
る。
“仮想チヨツピング”現象に関するM.Murano
等による刊行物(I.E.E.E.Transactions on
Power Apparatus Systems,Jan./Fede.1974,
pages272−280)“真空スイツチを用いた誘導電
流遮断による三相同時遮断”において、各相線路
と大地間で負荷に対して並列の容量に直列に抵抗
を接続することが提案されている。しかしなが
ら、これは、抵抗値及び容量値を関連する回路と
遮断される負荷に合わせなければならないという
欠点を伴い、さらにこの構成は、高電流の場合に
はかなり高価になるものである。
等による刊行物(I.E.E.E.Transactions on
Power Apparatus Systems,Jan./Fede.1974,
pages272−280)“真空スイツチを用いた誘導電
流遮断による三相同時遮断”において、各相線路
と大地間で負荷に対して並列の容量に直列に抵抗
を接続することが提案されている。しかしなが
ら、これは、抵抗値及び容量値を関連する回路と
遮断される負荷に合わせなければならないという
欠点を伴い、さらにこの構成は、高電流の場合に
はかなり高価になるものである。
上記刊行物に引用された他の方法は、非線形抵
抗を採用するものであるが、同様にコスト高にな
るという欠点がある。
抗を採用するものであるが、同様にコスト高にな
るという欠点がある。
“仮想チヨツピング”という有害な結果を抑制
するためにサージ抑制器を使用する他の方法があ
る。しかしながら、この方法は、サージ抑制器を
できるだけ負荷近くに設置しなければならないと
ともに比較的高価になるという欠点を伴う。
するためにサージ抑制器を使用する他の方法があ
る。しかしながら、この方法は、サージ抑制器を
できるだけ負荷近くに設置しなければならないと
ともに比較的高価になるという欠点を伴う。
さらに前述の各方法は、共通して、設計された
回路条件下でのみ効果がある。従つて、これらの
条件を変更する際は、この変更に方法を合わせな
ければならない。さらに前述の各方法は、共通し
て、“仮想チヨツピング”を避ける方向に向けら
れているのではなく、その結果に対する保護にの
み向けられているのである。
回路条件下でのみ効果がある。従つて、これらの
条件を変更する際は、この変更に方法を合わせな
ければならない。さらに前述の各方法は、共通し
て、“仮想チヨツピング”を避ける方向に向けら
れているのではなく、その結果に対する保護にの
み向けられているのである。
従つて、よりよい方法は、“仮想チヨツピング”
を完全に防ぐことである。これは、“仮想チヨツ
ピング”の発生に対する前述の3つの条件を1つ
も満たさないような設備によつてしか達成するこ
とができない。
を完全に防ぐことである。これは、“仮想チヨツ
ピング”の発生に対する前述の3つの条件を1つ
も満たさないような設備によつてしか達成するこ
とができない。
もし真空スイツチの特有の利点を役立てようと
するならば、第1の条件は依然避けられらい。第
2の条件を除くには、スイツチの電流側と負荷側
の両方に接続された導体が互いに完全に遮蔽され
なければならない。しかしながら実際には、その
ようなことは困難であるしまた高価になる。
するならば、第1の条件は依然避けられらい。第
2の条件を除くには、スイツチの電流側と負荷側
の両方に接続された導体が互いに完全に遮蔽され
なければならない。しかしながら実際には、その
ようなことは困難であるしまた高価になる。
最後に、3つの接点部材の開離がゼロ電流点付
近で起こらないような方法で、スイツチング時点
をゼロ電流点に対して同期させることにより条件
3の発生を防ぐことができる。しかし、そのよう
なことは同様に、複雑で高価な装置を使用しなけ
ればならなくなる。
近で起こらないような方法で、スイツチング時点
をゼロ電流点に対して同期させることにより条件
3の発生を防ぐことができる。しかし、そのよう
なことは同様に、複雑で高価な装置を使用しなけ
ればならなくなる。
(発明の目的及び構成)
そこで、本発明の目的は、回路条件に関係な
く、簡単でかつ安価な方法で、“仮想チヨツピン
グ”を防ぐスイツチング方法を提供することであ
る。従つて、本発明は、遮断時に、急速不導通復
帰機能を有する3つのスイツチング通路のうち第
2、第3のスイツチング通路が、回路周波数の少
なくとも1/3サイクルに相当する時間に第1のス
イツチング通路における最小アーク時間を加えた
時間だけ第1のスイツチング通路より遅く開成す
るような特性を有するタイプのスイツチング方法
を提供するものである。
く、簡単でかつ安価な方法で、“仮想チヨツピン
グ”を防ぐスイツチング方法を提供することであ
る。従つて、本発明は、遮断時に、急速不導通復
帰機能を有する3つのスイツチング通路のうち第
2、第3のスイツチング通路が、回路周波数の少
なくとも1/3サイクルに相当する時間に第1のス
イツチング通路における最小アーク時間を加えた
時間だけ第1のスイツチング通路より遅く開成す
るような特性を有するタイプのスイツチング方法
を提供するものである。
このスイツチング方法は、どのようなことがあ
つてももはや“仮想チヨツピング”が起こり得な
いことを保証するものである。
つてももはや“仮想チヨツピング”が起こり得な
いことを保証するものである。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。第1図において、スイツチ及び負荷は、それ
ぞれ参照文字KとLによつて表され、相はR,
S,Tにより、またスイツチに付属するスイツチ
ング通路(具体的には例えば真空スイツチ)は参
照数字1,2,3によりそれぞれ示されている。
る。第1図において、スイツチ及び負荷は、それ
ぞれ参照文字KとLによつて表され、相はR,
S,Tにより、またスイツチに付属するスイツチ
ング通路(具体的には例えば真空スイツチ)は参
照数字1,2,3によりそれぞれ示されている。
いま、相Rのスイツチング通路1が開成した
後、それに続く、回路周波数の1/3サイクルに相
当する時間に“仮想チヨツピング”への誘導性を
もつ電流におけるスイツチの最小アーク時間を加
えた時間に等しいか若しくはそれを超える時間間
隔T2後に、相SとTのスイツチング通路2と3
を開成する。
後、それに続く、回路周波数の1/3サイクルに相
当する時間に“仮想チヨツピング”への誘導性を
もつ電流におけるスイツチの最小アーク時間を加
えた時間に等しいか若しくはそれを超える時間間
隔T2後に、相SとTのスイツチング通路2と3
を開成する。
第2図及び第3図において、記号は次のように
定義される。
定義される。
T1:スイツチング通路1の最小アーク時間に
等しい間隔。
等しい間隔。
T2:(回路周波数の1/3サイクル+スイツチン
グ通路1の最小アーク時間)より大きい時間に等
しい間隔。
グ通路1の最小アーク時間)より大きい時間に等
しい間隔。
t1:相Rのスイツチング通路1が開成する時
点。
点。
t2:相Rの電流が遮断される時点。
t3:相S,Tの各スイツチング通路2及び3が
開成する時点。
開成する時点。
t4:相S,Tの電流が遮断される時点。
t5:相Rの電流が遮断される他の場合の時点。
第2図においては、“仮想チヨツピング”が起
こるボーダーラインの場合が示されている。つま
りスイツチング通路1の開成に対応する時点t1
は、この時点t1と相Rの次のゼロ電流時点t2の間
に間隔T1が設けられるように選択され、その間
隔T1はスイツチの最小アーク時間に等しい。相
S及びTのスイツチング通路2及び3は、時点t3
で開成され、その時点t3とt1との間に上述の間隔
T2が設けられる。
こるボーダーラインの場合が示されている。つま
りスイツチング通路1の開成に対応する時点t1
は、この時点t1と相Rの次のゼロ電流時点t2の間
に間隔T1が設けられるように選択され、その間
隔T1はスイツチの最小アーク時間に等しい。相
S及びTのスイツチング通路2及び3は、時点t3
で開成され、その時点t3とt1との間に上述の間隔
T2が設けられる。
いま、2つの状態が考えられる。即ち、
(a) 第2図によつて示された状態は、スイツチン
グ通路1が開成した後の最初のゼロ電流点、つ
まり時点t2で相Rの電流が遮断される場合。
グ通路1が開成した後の最初のゼロ電流点、つ
まり時点t2で相Rの電流が遮断される場合。
(b) 第3図によつて示された状態は、スイツチン
グ通路1が開成した後の最初のゼロ電流点で相
Rの電流が遮断されない場合。
グ通路1が開成した後の最初のゼロ電流点で相
Rの電流が遮断されない場合。
状態(a)では、他の相S及びTのスイツチング通
路2及び3がそれぞれ時点t3に至るまでなお閉じ
ているため、“仮想チヨツピング”は生じ得ない。
従つて、これは、“仮想チヨツピング”に対する
条件の1つ、即ち三相同時開成を満たしていない
ことを意味する。スイツチング通路2及び3が時
点t3で開成すると、これらの相の電流はよく知ら
れた方法で同時に、つまり時点t4で遮断される。
ここで、スイツチング通路1の開成が時点t1より
もつと早い時点で起こつたとき、即ちt1とt2の間
隔が、間隔T1を超えて延びたとき、スイツチン
グ通路1のアーク時間はスイツチの最小アーク時
間T1より長いから、相Rの電流は、時点t2で確実
に遮断される。従つてこの状態では“仮想チヨツ
ピング”の出現は不可能である。
路2及び3がそれぞれ時点t3に至るまでなお閉じ
ているため、“仮想チヨツピング”は生じ得ない。
従つて、これは、“仮想チヨツピング”に対する
条件の1つ、即ち三相同時開成を満たしていない
ことを意味する。スイツチング通路2及び3が時
点t3で開成すると、これらの相の電流はよく知ら
れた方法で同時に、つまり時点t4で遮断される。
ここで、スイツチング通路1の開成が時点t1より
もつと早い時点で起こつたとき、即ちt1とt2の間
隔が、間隔T1を超えて延びたとき、スイツチン
グ通路1のアーク時間はスイツチの最小アーク時
間T1より長いから、相Rの電流は、時点t2で確実
に遮断される。従つてこの状態では“仮想チヨツ
ピング”の出現は不可能である。
しかしながら、状態(b)で示したように、もし相
Rの電流が時点t2で遮断されないと、この電流は
次のゼロ電流点、即ち第3図に示された時点t5に
おいてのみ遮断されるはずである。一方、他のス
イツチング通路2及び3は時点t3で開成すること
になり、これは、スイツチング通路2にとつては
該当する相Sの丁度ゼロ電流点で開成が起こるこ
とを意味する。従つて、相S及びTは、周知の方
法で同時に時点t4でのみ遮断されることになる。
もし相Rの電流の遮断が上記のように時点t5で起
こると、その時点でのスイツチング通路1の接点
部材間の開きが、再発弧を防ぐに十分な大きさと
なるために、もはや“仮想チヨツピング”は起こ
り得ないはずである。
Rの電流が時点t2で遮断されないと、この電流は
次のゼロ電流点、即ち第3図に示された時点t5に
おいてのみ遮断されるはずである。一方、他のス
イツチング通路2及び3は時点t3で開成すること
になり、これは、スイツチング通路2にとつては
該当する相Sの丁度ゼロ電流点で開成が起こるこ
とを意味する。従つて、相S及びTは、周知の方
法で同時に時点t4でのみ遮断されることになる。
もし相Rの電流の遮断が上記のように時点t5で起
こると、その時点でのスイツチング通路1の接点
部材間の開きが、再発弧を防ぐに十分な大きさと
なるために、もはや“仮想チヨツピング”は起こ
り得ないはずである。
いま、第3図において、スイツチング通路1の
開成時点t1が遅くなつたとき、t5がスイツチング
通路1の開成後の最初のゼロ電流点となり、これ
は状態(a)に移行したことになる。同様に、第2図
におけるスイツチング通路1の開成時点t1をさら
に早い時点に次第に移していくと、スイツチング
通路1が開成した後の最初のゼロ電流点で電流が
遮断されずに、次のゼロ電流点で電流が遮断され
る状態、つまり状態(b)が起こり得ることは明らか
である。勿論、このようにスイツチング通路1の
開成時点t1が移行しても、t1からT2=(回路周波
数の1/3サイクル+スイツチング通路1の最小ア
ーク時間)より大きい時間後に相SとTのスイツ
チング通路2と3が開成されるように設定されて
いることは言うまでもない。
開成時点t1が遅くなつたとき、t5がスイツチング
通路1の開成後の最初のゼロ電流点となり、これ
は状態(a)に移行したことになる。同様に、第2図
におけるスイツチング通路1の開成時点t1をさら
に早い時点に次第に移していくと、スイツチング
通路1が開成した後の最初のゼロ電流点で電流が
遮断されずに、次のゼロ電流点で電流が遮断され
る状態、つまり状態(b)が起こり得ることは明らか
である。勿論、このようにスイツチング通路1の
開成時点t1が移行しても、t1からT2=(回路周波
数の1/3サイクル+スイツチング通路1の最小ア
ーク時間)より大きい時間後に相SとTのスイツ
チング通路2と3が開成されるように設定されて
いることは言うまでもない。
要約すると、上述したすべての状態において、
最初に開成された1つのスイツチング通路の電流
は、他の2つのスイツチング通路ともまだ閉じて
いるか、若しくは他の2つのスイツチング通路が
開かれていても、最初開かれたスイツチング通路
の接点部材間の開きが再発弧を防ぐに十分な大き
さになり、“仮想チヨツピング”がもはや生じ得
ない時点で遮断される、ということができる。
最初に開成された1つのスイツチング通路の電流
は、他の2つのスイツチング通路ともまだ閉じて
いるか、若しくは他の2つのスイツチング通路が
開かれていても、最初開かれたスイツチング通路
の接点部材間の開きが再発弧を防ぐに十分な大き
さになり、“仮想チヨツピング”がもはや生じ得
ない時点で遮断される、ということができる。
勿論、実際に上記の状態は、他の2つのスイツ
チング通路の1つが最初に開成した時も適合し、
スイツチング方法の結果は、三相電流回路の相順
序には左右されない。
チング通路の1つが最初に開成した時も適合し、
スイツチング方法の結果は、三相電流回路の相順
序には左右されない。
このように、本発明の方法は、“仮想チヨツピ
ング”の発生がなく、またスイツチを簡単に適用
することを異なる特殊な手段を必要とせずに、
種々の状態下のスイツチングに役立つスイツチン
グ方法を提供するものである。このスイツチング
方法は、遮断時に1つのスイツチング通路が他の
2つのスイツチング通路より、上記した時間で早
く開成するように、スイツチのスイツチング機構
を変更することにより実現することができる。こ
のようなスイツチング機構であつても、スイツチ
オンは、3つのスイツチング通路の各々が、通常
の方法で同時になされてよいことは言うまでもな
い。本発明のスイツチング方法に適用される適切
な装置は、オランダ特許出願第7606848号(日本
特願昭52−73921号)に記載されている。しかし
この装置は、スイツチオン及び遮断を制御するカ
ム板が2つのスイツチング通路を同時に作動させ
るが、第3のスイツチング通路は、分離して配置
されたカム板によつて別個に作動されるように変
更する必要がある。この分離されたカムは、それ
に付属するスイツチング通路が、他の2つのスイ
ツチング通路の開成より所望の時間だけ前に開成
されるような形状を有するものである。スイツチ
オンは変更されずに、上述の従来装置のままにし
ておくことができる。
ング”の発生がなく、またスイツチを簡単に適用
することを異なる特殊な手段を必要とせずに、
種々の状態下のスイツチングに役立つスイツチン
グ方法を提供するものである。このスイツチング
方法は、遮断時に1つのスイツチング通路が他の
2つのスイツチング通路より、上記した時間で早
く開成するように、スイツチのスイツチング機構
を変更することにより実現することができる。こ
のようなスイツチング機構であつても、スイツチ
オンは、3つのスイツチング通路の各々が、通常
の方法で同時になされてよいことは言うまでもな
い。本発明のスイツチング方法に適用される適切
な装置は、オランダ特許出願第7606848号(日本
特願昭52−73921号)に記載されている。しかし
この装置は、スイツチオン及び遮断を制御するカ
ム板が2つのスイツチング通路を同時に作動させ
るが、第3のスイツチング通路は、分離して配置
されたカム板によつて別個に作動されるように変
更する必要がある。この分離されたカムは、それ
に付属するスイツチング通路が、他の2つのスイ
ツチング通路の開成より所望の時間だけ前に開成
されるような形状を有するものである。スイツチ
オンは変更されずに、上述の従来装置のままにし
ておくことができる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、簡単で
かつ安価な方法で“仮想チヨツピング”現象を完
全に防止することができ、回路を保護する上で極
めて有用である。
かつ安価な方法で“仮想チヨツピング”現象を完
全に防止することができ、回路を保護する上で極
めて有用である。
第1図は、本発明によるスイツチング方法を説
明するための簡単化したスイツチングダイヤグラ
ムを示す図、第2図は、1つのスイツチング通路
又は極の開放時に、それに付属する相の電流が次
のゼロ電流点で遮断される状態のオシログラムを
示す図、第3図は、1つのスイツチング通路又は
極の開放時に、それに付属する相の電流が次のゼ
ロ電流点で遮断されない状態のオシログラムを示
す図である。 K……スイツチ、L……負荷、R,S,T……
相、1,2,3……スイツチング通路。
明するための簡単化したスイツチングダイヤグラ
ムを示す図、第2図は、1つのスイツチング通路
又は極の開放時に、それに付属する相の電流が次
のゼロ電流点で遮断される状態のオシログラムを
示す図、第3図は、1つのスイツチング通路又は
極の開放時に、それに付属する相の電流が次のゼ
ロ電流点で遮断されない状態のオシログラムを示
す図である。 K……スイツチ、L……負荷、R,S,T……
相、1,2,3……スイツチング通路。
Claims (1)
- 1 急速不導通復帰機能を有するスイツチ手段に
より三相高電圧回路の誘導負荷を遮断する方法で
あつて、遮断時に、急速不導通復帰機能を有する
3つのスイツチング通路のうち第2及び第3のス
イツチング通路が、回路周波数の少なくとも1/3
サイクルに相当する時間に第1のスイツチング通
路における最小アーク時間を加えた時間だけ、第
1のスイツチング通路の開成より遅く開成するこ
とを特徴とする三相高電圧回路の誘導負荷を遮断
する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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