JPH027579A - ホトトランジスタ - Google Patents
ホトトランジスタInfo
- Publication number
- JPH027579A JPH027579A JP63159667A JP15966788A JPH027579A JP H027579 A JPH027579 A JP H027579A JP 63159667 A JP63159667 A JP 63159667A JP 15966788 A JP15966788 A JP 15966788A JP H027579 A JPH027579 A JP H027579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- region
- emitter
- islands
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- JFLSOKIMYBSASW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-[chloro(diphenyl)methyl]benzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C(Cl)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JFLSOKIMYBSASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトトランジスタに関する。
最近の光半導体応用の普及に伴い、高光検出感度及び高
周波応答性の向上がますます要望されてきた。
周波応答性の向上がますます要望されてきた。
ホトトランジスタは、ホトインタラプタの受光素子とし
ても使用されている。
ても使用されている。
第５図は従来のホトトランジスタの一例の平面図である
。
。
ホトトランジスタは、半導体チップ内に単一の受光部１
３となるベース領域１２を形成し、さらにベース領域１
２内にエミッタ領域１１を形成した後、ベース電極１４
、エミッタ電極１らを形成して構成されていた。
３となるベース領域１２を形成し、さらにベース領域１
２内にエミッタ領域１１を形成した後、ベース電極１４
、エミッタ電極１らを形成して構成されていた。
上述した従来のホトトランジスタは、ベース領域がその
まま受光部となっているので、光検出感度を上げようと
すると、受光部であるベース領域の面積を大きくしなけ
ればならず、また、大きくするとベース面積に比例する
ベース・コレクタ間の容量が大きくなり、周波数応答性
が悪くなるという欠点をもっていた。
まま受光部となっているので、光検出感度を上げようと
すると、受光部であるベース領域の面積を大きくしなけ
ればならず、また、大きくするとベース面積に比例する
ベース・コレクタ間の容量が大きくなり、周波数応答性
が悪くなるという欠点をもっていた。
この応答性の指標は、遮断周波数ｆｔで示され、ｆＴと
ベース・コレクタ容量ＣＴＣとは第（１）式の関係があ
り、ｆＴが大きい方が応答性が良い。
ベース・コレクタ容量ＣＴＣとは第（１）式の関係があ
り、ｆＴが大きい方が応答性が良い。
（１／ ｆ ｔ ） ’−Ｋｏ （ＫＩ ＣＴＥ
十に２ ＣＴＣ）・・・（１） ここで１丁を大きくするには、ＣＴＣが小さい方が良い
ことが判る。
十に２ ＣＴＣ）・・・（１） ここで１丁を大きくするには、ＣＴＣが小さい方が良い
ことが判る。
但し、Ｋｏ、に１．に２は定数。
本発明のホトトランジスタは、−導電型の半導体基板の
内部の共通コレクタ領域の上層部に受光部を除いて列島
状に形成された逆導電型の複数のベース領域と、該ベー
ス領域内に形成されたそれぞれ一導電型のエミッタ領域
と、該エミッタ領域とそれぞれコンタクト層を介して接
続しかつ列島状に表面に形成された共通エミッタ電極と
を含んで構成されている。
内部の共通コレクタ領域の上層部に受光部を除いて列島
状に形成された逆導電型の複数のベース領域と、該ベー
ス領域内に形成されたそれぞれ一導電型のエミッタ領域
と、該エミッタ領域とそれぞれコンタクト層を介して接
続しかつ列島状に表面に形成された共通エミッタ電極と
を含んで構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第゛１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の平
面図及Ａ −Ａ ’線断面図である。
面図及Ａ −Ａ ’線断面図である。
ｎ−型の共通コレクタ領域８の上層に例えば１５０μｍ
間隔にベース領域２を列島状に配置出来る様にパターニ
ングし、熱拡散法によりｐ型不純物であるボロンを拡散
・酸化する。
間隔にベース領域２を列島状に配置出来る様にパターニ
ングし、熱拡散法によりｐ型不純物であるボロンを拡散
・酸化する。
次の工程でその内側にエミッタ領域１をパターニングし
熱拡散法にてｎ型不純物であるリンを拡散・酸化する。
熱拡散法にてｎ型不純物であるリンを拡散・酸化する。
次の工程でチップ表面に絶縁層１０を形成した後、モニ
タ用ベースコンタクト６ｂ及び複数のエミッタコンタク
ト６ｅ用の開孔部を絶縁層１０に設は基板表面を露出す
る。
タ用ベースコンタクト６ｂ及び複数のエミッタコンタク
ト６ｅ用の開孔部を絶縁層１０に設は基板表面を露出す
る。
次に表面にアルミ層を蒸着し、受光部３を除き第１〜第
３のベース列島２１〜２３をパターニングしてモニタベ
ース電極４及びエミッタ電極５を形成していた。
３のベース列島２１〜２３をパターニングしてモニタベ
ース電極４及びエミッタ電極５を形成していた。
第２図は第１図の等価回路図である。
共通コレクタ領域８及び共通エミッタ電極５を有し、ベ
ース領域が分離し、光ｊを入力する１０個の並列トラン
ジスタである。
ース領域が分離し、光ｊを入力する１０個の並列トラン
ジスタである。
光ｐは、各ベース列島２１．２２及び２２゜２３間の受
光部３の絶縁層１０を通して共通コレクタ領域８に入る
。
光部３の絶縁層１０を通して共通コレクタ領域８に入る
。
ベース・コレクタ間の面積に対応するベース・コレクタ
間容１ｃｔｃが小さいので、従来よりも光検出感度が高
く、かつ高周波応答のよいホトトランジスタが得られる
。
間容１ｃｔｃが小さいので、従来よりも光検出感度が高
く、かつ高周波応答のよいホトトランジスタが得られる
。
モニタベース電５４は工程中のトランジスタのｈｆｅ特
性試験等に使用する。
性試験等に使用する。
第３図は本発明の第２の実施例の平面図、第４図は第３
図の等価回路図である。
図の等価回路図である。
本実施例のパターニングの配置を除く製造は第１の実施
例と同様であり、共通エミッタ電極５゜を出力段トラン
ジスタＱｏのベース６ｂに配線してダーリントン接続を
構成し光検出感度を更に良くしている。
例と同様であり、共通エミッタ電極５゜を出力段トラン
ジスタＱｏのベース６ｂに配線してダーリントン接続を
構成し光検出感度を更に良くしている。
以上説明したように本発明は、ベース領域を列島状に配
置することにより、全ベース面積に比べて大きな受光部
が得られ、コレクタ・ベース容量を小さくしたまま、す
なわち高周波応答性をそこなわずに光検出感度をあげる
効果がある。
置することにより、全ベース面積に比べて大きな受光部
が得られ、コレクタ・ベース容量を小さくしたまま、す
なわち高周波応答性をそこなわずに光検出感度をあげる
効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は第１図の等価回路図
、第３図は本発明の第２の実施例の平面図、第４図は第
３図の等価回路図、第５図は従来のホトトランジスタの
一例の平面図である。 １・・・エミッタ領域、２・・・ベース領域、３・・・
受光部、５．５６・・・共通エミッタ電極、６ｂ 、６
．・・・ベース及びエミッタコンタクト層、８・・・共
通コレクタ領域、２１〜２３・・・第１〜第３のベース
列島。
図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は第１図の等価回路図
、第３図は本発明の第２の実施例の平面図、第４図は第
３図の等価回路図、第５図は従来のホトトランジスタの
一例の平面図である。 １・・・エミッタ領域、２・・・ベース領域、３・・・
受光部、５．５６・・・共通エミッタ電極、６ｂ 、６
．・・・ベース及びエミッタコンタクト層、８・・・共
通コレクタ領域、２１〜２３・・・第１〜第３のベース
列島。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の内部の共通コレクタ領域の上層
部に受光部を除いて列島状に形成された逆導電型の複数
のベース領域と、該ベース領域内に形成されたそれぞれ
一導電型のエミッタ領域と、該エミッタ領域とそれぞれ
コンタクト層を介して接続しかつ列島状に表面に形成さ
れた共通エミッタ電極とを含むことを特徴とするホトト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159667A JPH027579A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ホトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159667A JPH027579A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ホトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027579A true JPH027579A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15698708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159667A Pending JPH027579A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ホトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106252456A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-21 | 安徽富芯微电子有限公司 | 一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63159667A patent/JPH027579A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106252456A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-21 | 安徽富芯微电子有限公司 | 一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4012764A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH027579A (ja) | ホトトランジスタ | |
| JPH05335618A (ja) | 光位置検出半導体装置 | |
| JPH1146010A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JP2933870B2 (ja) | 光検出装置及びその製造方法 | |
| JP2501556B2 (ja) | 光センサおよびその製造方法 | |
| JPH0644618B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| KR100194991B1 (ko) | 광 반도체 장치 | |
| JPH02196463A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| JPH04208577A (ja) | ホトダイオード及びその製造方法 | |
| JP2004119632A (ja) | 回路内蔵受光素子およびその検査方法 | |
| JPH0287683A (ja) | フォトダイオード | |
| JP3347792B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04211133A (ja) | 半導体デバイス | |
| KR100247281B1 (ko) | 바이폴라 트랜지스터 구조를 이용한 접합 축전기 및 그 제조 방법 | |
| JPS6337658A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62143483A (ja) | 受光素子 | |
| JPH02142181A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| GB1224802A (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
| KR870009476A (ko) | 프로그램 가능 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| JPH03163878A (ja) | Ｐｉｎホトダイオード | |
| JPS6243348B2 (ja) | ||
| JPS6316206A (ja) | 半導体光位置検出器 | |
| JPH0637098A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0240969A (ja) | 半導体集積装置 |