JPH0274808A - 位置検出装置 - Google Patents

位置検出装置

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JPH0274808A
JPH0274808A JP63226003A JP22600388A JPH0274808A JP H0274808 A JPH0274808 A JP H0274808A JP 63226003 A JP63226003 A JP 63226003A JP 22600388 A JP22600388 A JP 22600388A JP H0274808 A JPH0274808 A JP H0274808A
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須田 繁幸
Naoto Abe
直人 阿部
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優和 真継
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造用
の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マスク
」という。)等の第1物体面上に形成されている微細な
電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転写
する際にマスクとウェハとの相対的な位置合わせ(アラ
イメント)を行う場合に好適な位置検出装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されている。
多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウェハ面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037969号や特開昭56−157033号公報で提
案されているようにアライメントパターンとしてゾーン
プレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、こと
のきゾーンプレートから射出した光束の所定面上におけ
る集光点位置を検出すること等により行っている。
一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、
単なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアラ
イメントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度の
アライメントが出来る特長がある。
第6図はゾーンプレートを利用した従来の位置合わせ装
置の概略図である。
同図において光源72から射出した平行光束はノ1−フ
ミラー74を通過後、集光レンズ76で集光点78に集
光された後、マスク68面上のマスクアライメントパタ
ーン68a及び支持台62に載置したウェハ60面上の
ウェハアライメントパターン60aを照射する。これら
のアライメントパターン68a、  60aは反射型の
ゾーンプレートより構成され、各々集光点78を含む光
軸と直交する平面上に集光点を形成する。このときの平
面上の集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレンズ8
0により検出面82上に導光して検出している。
そして検出器82からの出力信号に基づいて制御回路8
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行っている。
第7図は第6図に示したマスクアライメントパターン6
8aとウェハアライメントパターン60aからの光束の
結像関係を示した説明図である。
同図において集光点78から発散した光束はマスクアラ
イメントパターン68aよりその一部の光束が回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78aを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透過
光として透過し、波面を変えずにウェハ60面上のウェ
ハアライメントパターン60aに入射する。このとき光
束はウェハアライメントパターン60aにより回折され
た後、再びマスク68を0次透過光として透過し、集光
点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78b
を形成する。
同図においてはウェハ60により回折された光束が集光
点を形成する際には、マスク68は単なる素通し状態と
しての作用をする。
このようにして形成されたウェハアライメントパターン
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに応じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量Δσに対応した量の
ずれ1Δσ′ として形成される。このΔσ′ をセン
サ上に設けた絶対座標系を基準として測定することによ
りΔσを求めていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような方法においては、マスク面や半導体露光装置
内のマスクホルダー面等の基準面、そして露光装置の接
地面等に対してウェハ面が傾斜しているとセンサ上に入
射する光束の位置が変化し、アライメント誤差となって
くる。
一般にセンサ上に絶対座標系を設け、その基準原点を設
定することは他のアライメント誤差要因、例えばウェハ
面のそりやたわみ等を有する傾斜。
レジストの塗布ムラによる光束の重心位置の変動。
アライメント光源の発振波長2発振出力、−光束出射角
の変動、センサ特性の変動、そしてアライメントヘッド
位置の繰り返しによる変動等により、その原点の設定を
高精度に行うのが大変難しくなるという問題点があった
本発明は前述従来例の欠点に鑑みウェハ面の傾斜等の影
響を受けず常に高精度な位置合わせを可能にする位置検
出装置の提供を目的とする。
〔問題点を解決する為の手段〕
本発明はマスク等の第1物体とウェハ等の第2物体の位
置合わせを行う際のずれ量検出の際の誤差要因を取り除
く手段として、第1信号光束としての第1光束に加え、
第2信号光束としての第2光束を新たに形成し、これら
を利用することにより、高精度な位置合わせを可能とし
ている。
特に後述する実施例では第2信号光束のウェハ面の傾斜
に対するセンサ上での入射位置移動の作用が第1信号光
束と全(等しくなるようにし、又、アライメントヘッド
の位置の変動に対しても第2信号光束が第1信号光束と
全く等しい入射位置移動の作用を受けるように設定し、
これにより第2信号光束と第1信号光束のセンサ上での
相対的な位置の変動が原理的にマスクとウェハとの位置
ずれのみに依存するようにし、高精度な位置合わせを可
能としている。
〔実施例〕
本発明を更に詳細に説明する。物体面Aに物理光学素子
としての機能を有する第1及び第2の信号用アライメン
トマークAI及びA2を形成し、且つ、物体面Bにも同
様に物理光学素子としての機能を有する第1及び第2の
信号用アライメントマークB1及びB2を形成し、前記
アライメントマークAtに光束を入射させ、この時生じ
る回折光をアライメントマークB1に入射させ、アライ
メントマークBlからの回折光のセンサ面内での光束重
心を第1信号光束の入射位置として第1検出部にて検出
する。
ここで光束の重心とは光束断面内において、断面円各点
のその点からの位置ベクトルにその点の光強度を乗算し
たものを断面全面で積分したときに積分値がOベクトル
になる点のことであるが、別な例として、光強度がピー
クとなる点の位置を検出してもよい。同様にアライメン
トマークA2に光束を入射させ、この時生じる回折光を
アライメントマークB2に入射させアライメントマーク
B2からの回折光の入射面における光束重心を第2信号
光束の入射位置として第2検出部にて検出する。そして
、第1及び第2の検出部からの2つの情報を利用して物
体Aと物体Bの位置決めを行う。この時、第1検出部に
入射する光束の重心位置と第2検出部に入射する光束の
重心位置が物体Aと物体Bの位置ずれに対して互いに逆
方向に変位する様に各アライメントマークAI、A2.
Bl、B2を設定している。
以下、本発明の原理及び構成要件等を第1図を用いて説
明する。図中、1は物体Aに相当する第1の物体、2は
物体Bに相当する第2の物体、5.3は各々At、Bl
に相当する第1の信号光を得る為のアライメントマーク
であり、各々1,2の上に設けである。同様に6.4は
各々A2.B2に相当する第2の信号光を得る為のアラ
イメントマークであり、同じく各々1,2の上に設けで
ある。各アライメントマーク3.4.5.6は1次元ま
たは2次元のレンズ作用のある物理光学素子の機能を有
している。
7.8は前述の第1及び第2のアライメント信号光束を
示す。11.12は各々第1及び第2の信号光束を検出
する為の第1及び第2の検出部であり、物体2からの光
学的な距離を説明の便宜上同じ値りとする。更に物体1
と物体2の距離をδ、アライメントマーク5及び6の焦
点距離を各々rill r、□とし、物体lと物体2の
相対位置ずれ量をεとし、その時の第1及び第2の信号
光束重心の合致状態からの変位量を各々S、、S2とす
る。尚、物体lに入射するアライメント光束は便宜上平
面波とし、符合は図中に示す通りとする。
信号光束重心の変位量S、及びB2はアライメントマー
ク5及び6の焦点F1+ F2とアライメントマーク3
,4の光軸中心を結ぶ直線と、検出部11及び12の受
光面との交点として幾何学的に求められる。従って、物
体1と物体2の相対位置ずれに対して各信号光束重心の
変位量S、、S2を互いに逆方向に得る為には第11図
より明らかな様にアライメントマーク3,4の光学的な
結像倍率の符合を互いに逆とすることで達成できる。ま
た、定量的にはと表わせ、ずれ倍率としてβ、=S、/
ε、β2=S2/εと定義できる。従って、ずれ倍率を
逆符合とするには を満たせば良い。この内、実用的に適切な構成条件の1
つとして L>lf、、1 th H/ flL□く0 fasl>δ Ira□1〉δ の条件がある。即ち、アライメントマーク5,6の焦点
距離fa!*fa□に対して検出部までの距離りを大き
く、且つ物体1,2の間隔δを小さくし、更にアライメ
ントマークの一方を凸レンズ、他方を凹レンズとする構
成である。
第1図の上側にはアライメントマーク5で入射光束を集
光光束とし、その集光点F、に至る前にアライメントマ
ーク3に光束を照射し、これを更に第1の検出部11に
結像させているアライメントマーク3の焦点距離fbl
はレンズの式 を満たす様に定められる。同様に第1図の下側にはアラ
イメントマーク6により入射光束を入射側の点であるF
2より発散する光束に変え、これをアライメントマーク
4を介して第2の検出部12に結像させるアライメント
マーク4の焦点距離fb□はを満たす様に定められる。
以上の構成条件でアライメントマーク3.アライメント
マーク5の集光像に対する結像倍率は図より明らかに正
の倍率であり、物体2の移動εと検出部11の光点変位
量S1の方向は逆となり、先に定義したずれ倍率β1は
負となる。同様にアライメントマーク6の点像(虚像)
に対するアライメントマーク4の結像倍率は負であり、
物体2の移動εと検出部12上の光点変位量S2の方向
は同方向で、ずれ倍率β2は正となる。
従つて、物体1と物体2の相対ずれεに対してアライメ
ントマーク5.3の系と6,4の系の信号光束ずれS、
、S2は互いに逆方向となる。
次に、いくつかの具体的な実施例の説明を図面に基づい
て行う。
第2図は本発明の第1実施例の要部概略図である。
第1図と同様の部材は同じ符合で表している。
図中、lは第1物体で、例えばマスクである。2は第2
物体で、例えばマスク1と位置合わせされるウェハであ
る。各アライメントマーク3.4と5゜6は、例えば1
次元あるいは2次元のフレネルゾールプレート等のグレ
ーティングレンズより成り、それぞれマスク1面上とウ
ェハ2面上のスクライブライン10,9上に設けられて
いる。7は第1光束、8は第2光束であり、これらの光
束(信号光束)7゜8は不図示のアライメントヘッド内
の光源から出射し、所定のビーム径にコリメートされて
いる。
本実施例において、光源の種類としては半導体レーザー
 He  Neレーザー、Arレーザー等のコヒーレン
ト光束を放射する光源や、発光グイオード等の非コヒー
レント光束を放射する光源等である。11. 12は各
々第1検出部と第2検出部としてのセンサ(光電変換素
子)であり、光束7及び8を受光する、例えば1次元C
OD等より成っている。
本実施例では光束7及び8は各々マスク1面上のアライ
メントマーク5,6に所定の角度で入射した後、透過回
折し、更にウェハ2面上のアライメントマーク3,4で
反射回折し、センサ11. 12面上に入射している。
そしてセンサ11,12で該センサ面上に入射したアラ
イメント光束重心位置を検出し、該センサ11,12か
らの出力信号を利用してマスクlとウェハ2について位
置ずれ検出を行っている。
次にアライメントマーク3.4.5.6について説明す
る。
アライメントマーク3. 4.5.6は各々異った値の
焦点距離を有するフレネルゾーンプレート(又はグレー
ティングレンズ)より成っている。これらのマークの寸
法は各々スクライブライン9及び10の方向に50〜3
00μm、スクライブライン幅方向(X方向)に20〜
100μmが実用的に適当なサイズである。
本実施例においては光束7と8は、いずれもマスク1に
対して入射角約17.5°で、マスク1面への射影成分
がスクライブライン方向(X方向)に直交するように入
射している。
これらの所定角度でマスク1に入射したアライメント光
束7及び8は各々グレーティングレンズ5゜6のレンズ
作用を受けて収束、又は発散光となり、マスク1からそ
の主光線がマスクlの法線に対して所定角度になるよう
に出射している。
そして、アライメントマーク5及び6を透過回折した光
束7と8は各々ウェハ面2の鉛直下方184゜7228
μm、鉛直上方188.4545μmの点に集光点9発
散原点をもつ。このときのアライメントマーク5と6の
焦点距離は各々214.7228−158.4545μ
mである。又、マスクlとウェハ2との間隔は30μm
である。第1信号光束はアライメントマーク5で透過回
折し、ウェハ2面上のアライメントマーク3で凹レンズ
作用を受け、第1検出部としてのセンサ11面上の一点
に集光している。このとき、センサ11面上のへは光束
がこの光束の入射位置の変動量がアライメントマーク5
,3のX方向における位置ずれ量、即ち軸ずれ量に対応
し、かつその量が拡大された状態となって入射する。こ
の結果、入射光束の重心位置の変動がセンサ11で検出
される。
本実施例ではマスクlとウェハ2の位置ずれが0のとき
、即ちマスク1上のアライメントマーク5とウェハ2上
のアライメントマーク3とが共軸系をなしたとき、アラ
イメント光束の主光線のウェハ2からの出射角が130
度、又、このときの出射光のウェハ2面上への射影成分
がスクライブライン幅方向(X方向)と直交した所定位
置、例えばウェハ2面から18.657mmの高さに位
置しているセンサ11面上に集光するように設定してい
る。
又、第2信号光束はアライメントマーク6で透過回折し
、ウェハ2面上のアライメントマーク4で結像点でのス
ポット位置を第1信号光束と異なる方向に移動せしめ、
且つ出射角70度でこれも第1光束と異なりウェハ2面
への射影成分がスクライブライン幅方向と直交するよう
に出射し、第2検出部としてのセンサ12面上の一点に
集光している。
以上のアライメントマークのレンズパラメータにより物
体lと物体2の相対位置ずれに対する検出部上の2つの
信号光束重心の変位量が100倍で、且つ互いに逆方向
に設定できる。即ち、ずれ倍率β、=−100,β2=
+lOOとなる。センサ11゜12上に得られた光束位
置にX方向の移動量が、アライメントのずれ量を与える
。アライメントのずれがOの場合の2つの光束のスポッ
トlla、  12aのX方向の間隔りをあらかじめ求
めておき、それに対する2つのスポットlla、12a
の間隔の値がDからのずれからX方向のアライメントず
れが求まる。
本発明の如(2つの信号光束を互いに逆方向に変位させ
る構成に設定した際の効果として、物体lと物体2の間
隔δの設定精度を緩和しても、位置ずれ量を算出する際
に必要な各ずれ倍率β1及びβ2が2つの光路で互いに
補償関係となる点が挙げられる。即ち、前述のレンズパ
ラメータに於いて、物体1と物体2の間隔δを30μm
から33μmに広げた場合を例に挙げると、β、は−1
00から−101,684に、β2は+100から+9
8.464へと変化する。従って、位置ずれ量を求める
時に用いる総合倍率1β11+1β21は200から2
00.148と変化したこととなり、割合として0.0
741%の倍率変化に低減できる。これは、1つ1つの
信号が各々1.68%と1.53%の変化を生じている
ことに対しては約1/20に抑えられていることとなり
、これは間隔設定が困難な系への応用時に於いて、直接
的には検出レンズを拡大する、あるいは検出精度を向上
させる効果となる。
また別の効果として、物体2,3が傾斜することに起因
する誤差を原理的に補償する点がある。
本実施例において、ウェハ面2が第2図のxz面内で1
mrad傾斜したとすると、センサ11上では第1の信
号光束7は約37.3μm重心移動を起こす。
一方、第2信号光束8も信号光束7との間でyz面と平
行な対称面を有し、且つ光路長の等しい光路を通るよう
にし、センサ12上では信号光7と全(等しい重心移動
を起こすようにしている。これによりセンサ系では各々
センサからの実効的重心位置の信号の差を出力するよう
に信号処理をすると、ウェハ面がyz面内で傾斜しても
センサ系からの出力信号は変わらない。
一方、ウェハがyz面内で傾斜すると、2つの信号光束
7,8ともにセンサの長手方向と直交する幅方向に重心
移動を起こすが、これはセンサ上で検出する、位置ずれ
に伴う光束の重心移動の方向と直交する方向なので、2
光束でなくても実効的なアライメント誤差にはならない
更に、アライメント用光源、及び投光用レンズ系及びセ
ンサなどを内蔵するアライメントヘッドが、マスク−ウ
ェハ系に対して位置の変動を起こした場合はl対lに変
化する。例えば、ヘッドをマスクに対して5μmy方向
に移動したとすると、信号光はセンサ11上で5μmの
実効的重心移動を起こし、これに対してもセンサ12上
で全く等しく5μmの重心移動を起こす。
従って、最終的なセンサ系からの出力、即ち、第■の信
号光の重心位置出力と第2の信号光の重心位置出力の差
信号は何ら変動しない。
又、2軸方向の位置の変動は2光束な(でも本質的なア
ライメント誤差にはならないことがわかる。
第3図(A)は実施例1をプロキシミテイ型半導体製造
装置に適用した際の装置周辺部分の構成図を示すもので
あり、第2図に示さなかったものとして光源13コリメ
ータレンズ(またはビーム径変換レンズ)14投射光束
折り曲げミラー15.ピックアップ筐体16.ウェハス
テージ172位置ずれ信号処理部1B、ウェハステージ
駆動制御部19であり、Eは露光光束幅を示す。この実
施例においてもマスクlとウェハ2の相対位置ずれ量検
出は第1の実施例で説明したのと同様にして行われる。
尚、本実施例において位置合わせを行う手順としては、
例えば次の方法を採ることができる。
第1の方法としては2つの物体間の位置ずれ量Δσに対
するセンサ11. 12の検出面上での光束重心ずれの
信号を得、信号処理部18で重心ずれ信号から双方の物
体間との位置ずれ量Δσを求め、そのときの位置ずれ量
Δσに相当する量だけステージ駆動制御部19でウェハ
ステージ17を移動させる。
第2の方法としては検出器11. 12からの信号から
位置ずれ量Δσを打ち消す方向を信号処理部18で求め
、その方向にステージ駆動制御部19でウェハステージ
17を移動させて位置ずれ量Δσが許容範囲内になるま
で繰り返して行う。
以上の位置合わせ手順のフローチャートを、それぞれ第
3図(B)、(C)に示す。
図よりわかる様に光源13は露光光束の外側より光を入
射し、アライメントマーク3,4から露光光束の外側に
出射する回折光を露光光束外に設けられたセンサ11,
12で受光して位置検出を行っている。
この様な構成でピックアップ筐体16は露光中退避動作
を必要としない系も具現化できる。
実施例1ではずれ倍率を逆符号とする為、信号光路7の
系ではアライメントマークを凸凹レンズ系、8の系では
凹凸レンズ系とした。この他、第4図に実施例2として
示す様に8の系を5凸系としても良い。これは物体1と
物体2の間隔δが比較的大きな系に応用する際に適する
実施例1では合致状態に於いて物体1上のアライメント
マーク5及び6の中心を通る法線と信号光束7及び8の
人、出射光線が同一面内で、出射角が7°及び13° 
と異なる値とすることで2信号光束を分離している。即
ち、合致状態のアライメントマーク3及び4からの出射
する信号光束の方向余弦を(γ8.γ7.γ2)とする
時、信号光束7が(0、−sin 7°、cos7°)
、8が(0、−sin 13゜cos 13°)と共に
78=0としている。(当然のことながら非合致状態で
はγ工の値のみ変化する。)これは、受光系の瞳をアラ
イメント方向Xに設定することが困難でその直交方向Z
に設定しやすい条件に於いて有利な選択である。この他
、合致状態に於ける前述の方向余弦を7を(γ8.γ7
.γ、)、8を(−78,γ7.γ□)とする設定も可
能である。即ち、実施例3として第5図に示す様にアラ
イメント方向Xに異なる出射角となる2信号光束を得る
ことも可能である。これは、実施例1と逆にアライメン
ト方向Xに受光系の瞳を設定し易く、その直交方向Zに
設定しにくい条件に適す。また、般に不要光は入射光と
物体の方線を含む面内に多い為、これから回避する効果
も得られる。
当然、実施例1と実施例3を組み合わ°せ2信号光束7
,8の出射方向余弦がすべて異なる条件であっても良い
。また、アライメントマーク5及び6を実施例1及び3
ではスクライブライン上アライメント方向Xに並べて設
けたが、これはY方向に並べても一般性を失わない。
本発明によれば、前述の光学的性質を有するアライメン
トマーク2系統を各々第1.第2物体面上に設け、互い
のずれ倍率を逆符号とし各々のマークを介した光束を利
用して、例えば第1物体としてのマスクと第2物体とし
てのウェハの位置合わせを行う際、次のような効果が得
られる。
(イ)ウェハ面が傾斜するか、或はレジストの塗布むら
や、露光プロセス中に生じるそりなどのローカルな傾き
等によってアライメント光の重心位置が変動しても2つ
のアライメント信号光の相対的な重心位置検知を行うこ
とにより、ウェハ面の傾斜に左右されずに正確に位置ず
れを検出することができる。
(ロ)アライメントヘッドの位置がマスクに対して相対
的に変動した為に、アライメント信号光のセンサ上の重
心位置が変動しても2つのアライメント信号光の相対的
な重心位置検知を行うことにより、アライメントヘッド
の位置ずれに左右されずに正確にマスク−ウェハ間の位
置ずれを検出することができる。
(ハ)更にマスクとウェハ間のギャップが変動して、信
号光のアライメントセンサ上のアライメント検知方向の
重心位置が変動しても2つのアライメント信号光の相対
的な重心位置検知を行うことにより、ギャップ変動に左
右されずに正確に位置ずれを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理及び構成要件を説明する為の原理
図、 第2図は本発明の第1実施例の位置検出装置の構成図、 第3図(A)は第2図の位置検出装置を用いた半導体製
造装置の構成図、 第3図(B)、  (C)は該装置における位置合わせ
方法を示すフローチャート、 第4図は本発明の第2実施例の光学系配置を示す図、 第5図は本発明の第3実施例の位置検出装置の構成図、 第6図、第7図は従来例の構成及び原理図である。 図中、 3.4,5.6 ・・・・・・・・・・・・・・・アラ
イメントマーク11.12 ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・センサ13・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・光源18・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・位置ずれ信
号処理部である。 懲5霞

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 第一物体と第二物体との所定方向に沿った位置関係を検
    出する装置で、 第一物体あるいは第二物体の方向に光を出射する光源手
    段と、 第一受光面を有し、前記光源手段より出射され第一物体
    および第二物体によって偏向されて前記第一受光面へ入
    射してかつ第一物体と第二物体との前記所定方向に沿っ
    た相対位置関係の変化に応じて前記入射位置がある方向
    に変化する第一光束の前記第一受光面への入射位置を検
    出する第一検出手段と、 第二受光面を有し、前記光源手段より出射され第一物体
    および第二物体によって偏向されて前記第二受光面へ入
    射してかつ第一物体と第二物体との前記所定方向に沿っ
    た相対位置関係の変化に応じて前記入射位置が前記第一
    光束と逆の方向に変化する第二光束の前記第二受光面へ
    の入射位置を検出する第二検出手段と、 前記第一検出手段と第二検出手段の検出結果に基づき第
    一物体と第二物体との所定方向に沿った位置関係を検出
    する手段とを有し、該検出により第一物体と第二物体と
    の傾き変動の影響を受けない位置関係検出が成されるこ
    とを特徴とする位置検出装置。
JP63226003A 1988-02-16 1988-09-09 位置検出装置 Expired - Lifetime JP2698388B2 (ja)

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EP19890301477 EP0336537B1 (en) 1988-02-16 1989-02-16 Device for detecting positional relationship between two objects
DE1989625142 DE68925142T2 (de) 1988-02-16 1989-02-16 Vorrichtung zum Nachweis der örtlichen Beziehung zwischen zwei Objekten
US07/919,380 US5327221A (en) 1988-02-16 1992-07-29 Device for detecting positional relationship between two objects

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5495336A (en) * 1992-02-04 1996-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method for detecting a positional relationship between a first object and a second object

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5495336A (en) * 1992-02-04 1996-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method for detecting a positional relationship between a first object and a second object

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