JPH02740Y2 - - Google Patents

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JPH02740Y2
JPH02740Y2 JP1977055206U JP5520677U JPH02740Y2 JP H02740 Y2 JPH02740 Y2 JP H02740Y2 JP 1977055206 U JP1977055206 U JP 1977055206U JP 5520677 U JP5520677 U JP 5520677U JP H02740 Y2 JPH02740 Y2 JP H02740Y2
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mask material
protective film
hard mask
chromium
vinyl
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体製造の写真製版工程で用いられ
るクロムおよび/また酸化クロムの蒸着膜を有す
るハードマスク材料に関する。
半導体工業における超小型電子回路およびその
構成部品を得るために、回路の高集積化、高性能
化および半導体材料の大型化が進んできた。かか
る情勢に伴いパターンの微細化、画質の良質化お
よびパターン欠陥の減少などの要求に対応してガ
ラス基材上に蒸着された薄膜クロム、クロムと酸
化クロム、および酸化クロムとクロムと酸化クロ
ムの薄膜を有するハードマスク材料が使われるよ
うになつてきたが製品の歩留り向上からハードマ
スク材料の低欠陥化は必須条件であり、従つて、
傷からの保護および付着塵埃の入念な除去が必要
である。
従来、運搬、保管、容器の開閉あるいは作業員
によるハードマスク材料の取扱いにより付着した
異物を除去するのに高価な設備と広い空間を用い
て感光性樹脂即ちホトレジストを塗布する前に、
例えば1高圧空気、高圧不活性ガスの吹付け2硫
酸、硝酸による熱処理3フレオン、イソプロピル
アルコール等の有機溶剤浴中での超音波処理など
で前洗浄を行つている。しかしながら、上記の厳
重なる処理にもかかわらず異物の除去能率は意外
に低く、また上記前洗浄後ホトレジスト塗布装置
のスピンナーにハードマスク材料を設置するまで
の間に付着する異物も多いため実際の前洗浄の効
果は殆んどないのに等しかつた。
従つて、本考案の目的は、前記のような欠点を
解消するハードマスク材料を提供することであ
る。
本考案の目的は、ガラス基板上にクロムの平滑
な蒸着膜および/または酸化クロムの平滑な蒸着
膜を有するハードマスク材料の該蒸着膜上に高分
子樹脂、可塑剤および帯電防止剤を含有する剥離
可能な保護膜を設けることによつて達成される。
本考案の剥離可能な保護膜は以下の組成物から
構成される。即ち(1)使用できる高分子樹脂として
は、例えばビニル系としてポリ塩化ビニル、塩化
ビニル−酢酸ビニルの共重合体、プロピオン酸ビ
ニル−塩化ビニルの共重合体、ポリ酢酸ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、ポリビニルブチラール、酢酸ビニループロ
ピオン酸ビニル共重合体、ポリプロピオン酸ビニ
ルがあり、スチレン系樹脂としてポリスチレン、
ハイインパクトポリスチレン、スチレン−ビニル
系の共重合体、スチレン−ブタジエンの共重合
体、アクリル系樹脂としてメタクリル酸、アクリ
ル酸−α、βエチレン系不飽和モノカルボン酸の
共重合体、アクリロニトリルーブタジエンの共重
合体、メチルメタアクリレート−ブタジエンの共
重合体、アクリロニトリル−アクリル酸エステル
の共重合体、アクリル酸エステルとメタクリル酸
メチル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、スチレ
ン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メ
タクリロニトリル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビ
ニルエステルとの各共重合体がある。このうち好
ましいものはビニル系樹脂であり、さらに好まし
いのは塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体であ
る。また、さらに好ましいのは平均重合度200〜
800、酢酸含有量3〜30重量の塩化ビニルと酢酸
ビニルの共重合体である。2可塑剤は塗膜の柔軟
性、可剥性の容易さ、伸長性の点から添加するの
であるが使用できる可塑剤は、例えばジオクチル
フタレート、ジブチルフタレート、トリクレジル
ホスフエート、エポキシ系可塑剤その他が挙げら
れる。3帯電防止剤は主に保護膜の剥離によつて
樹脂とハードマスク材料の剥離帯電を消去する
が、使用できる帯電防止剤としては例えばアニオ
ン系として脂肪酸塩類、高級アルコール硫酸エス
テル塩類脂肪族アルコールリン酸エステル、アル
キルアリルスルホン酸塩類、ホルマリン縮合のナ
フタリンスルホン酸塩類などがあり、その他カチ
オン系、非イオン系、両性活性剤等で、塗設され
た保護膜層内に均一に分散でき、且つ剥離後ハー
ドマスク材料表面に残渣を有せしめないものなら
利用可能である。
上記の各組成物はケトン類、エステル類、芳香
族炭化水素、アルコール類、セロソルプ類に溶解
し、これを以下のハードマスク材料に乾燥膜厚15
〜30μmになるように塗設する。即ち、該マスク
材料は研磨、清浄した清浄なガラス基材に真空蒸
着あるいはスパツター蒸着により沈着されたクロ
ム薄膜、表面反射防止タイプのクロムと酸化クロ
ムおよび表裏面反射防止タイプの酸化クロムとク
ロムと酸化クロムから作られたものである。
本考案の保護膜は、公知の保護膜、例えば特開
昭49−105469号公報に記載された離型剤例えばシ
リコンを含有する塩化ビニルと酢酸ビニルのコポ
リマからなる保護膜に比べて柔軟性及び可撓性に
優れるため、保護膜をマスク材料から剥離する際
に膜切れを生ぜず、かつ剥離に際し静電気の発生
が防止されて浮遊塵のマスク材料への付着が防止
される利点を有する。
以下本考案を実施例により説明する。
実施例 酢酸ビニル含有量14重量%の塩化ビニルと酢酸
ビニルの共重合体、デンカビニール#1000A(商
標名電気化学社製)10gをトルエン2部とメチル
エチルケトンおよびメチルイソブチルケトン各1
部の混合溶剤100mlに撹拌下で溶解した。これに
可塑剤ジオクチルフタレート3mlを添加し、続い
て帯電防止剤としてアニオン系の界面活性剤TB
−132(商漂名、松本油脂製)0.1gを50mlのメチ
ルエチルケトンに分散した溶液10mlを上記混合液
中に添加して均一に混合した。
このようにして得られた混合溶液を第1図に示
すようにガラス1にスパツター蒸着により約500
Å膜厚の薄膜クロム層2を沈着したハードマスク
材料にはけぬりで15〜30μmになるように被覆し
保護膜3を形成した。これを乾燥させた後、保護
膜付ハードマスク材料をスピンナーの回転台に設
置しホトレジストを塗布する直前に第2図に示す
ように該保護膜の端に0.5〜2.0cm2の面積で粘着テ
ープ4をはりつけて静かに引上げると容易に剥離
できた。600倍の干渉装置付顕微鏡でその表面を
観察したところ完全に清浄であつた。また保護膜
を剥離した表面にホトレジストを塗布し通常のパ
ターンを焼きつけたところ保護膜による悪影響は
全く認められなかつた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の保護膜を塗布したマスク材料
の拡大縦断側面図であり、第2図は上記マスク材
料表面から保護膜を剥離する時の形態説明図であ
る。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ガラス基板上にクロムおよび/または酸化クロ
    ムの平滑な蒸着膜を有するハードマスク材料にお
    いて、該蒸着膜上に剥離可能な保護膜を有し、前
    記保護膜が高分子樹脂、可塑剤および主として剥
    離帯電を消去するところの帯電防止剤を含有して
    いることを特徴とするハードマスク材料。
JP1977055206U 1977-04-30 1977-04-30 Expired JPH02740Y2 (ja)

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JP1977055206U JPH02740Y2 (ja) 1977-04-30 1977-04-30

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JPS53149565U JPS53149565U (ja) 1978-11-25
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WO2004088419A1 (ja) * 2003-03-31 2004-10-14 Hoya Corporation マスクブランクス製造方法及びマスク製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49105469A (ja) * 1973-02-07 1974-10-05
JPS519451A (en) * 1974-07-12 1976-01-26 Nitto Electric Ind Co Fuirumuno hakurihoho

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