JPH0273704A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPH0273704A JPH0273704A JP22576188A JP22576188A JPH0273704A JP H0273704 A JPH0273704 A JP H0273704A JP 22576188 A JP22576188 A JP 22576188A JP 22576188 A JP22576188 A JP 22576188A JP H0273704 A JPH0273704 A JP H0273704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- battery
- output
- capacitors
- voltage detection
- detection circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 6
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発振回路に係り、特に相補型MOS電界効果ト
ランジスタ(FET)で構成する発振回路に関する。
ランジスタ(FET)で構成する発振回路に関する。
従来、電子時計等に使用している電池電圧が低下した場
合、電池電圧検出回路にて電池電圧レベルを検出し、電
池の交換時期を表示又はブザー等の出力信号で外部に報
知していた。
合、電池電圧検出回路にて電池電圧レベルを検出し、電
池の交換時期を表示又はブザー等の出力信号で外部に報
知していた。
前述した従来の電池電圧検出回路の使用法では、電池電
圧を検出し電池交換時期を外部に報知する時間が短いと
電池交換時期を見落し、電池交換がされない場合がある
。電子時計等によっては、記憶回路に記憶された情報を
、電池交換の際、一定時間消去させない構成をしている
が、電池交換時期を見落し放置された状態が続いた場合
、記憶回路に記憶された情報が消去されてしまう。
圧を検出し電池交換時期を外部に報知する時間が短いと
電池交換時期を見落し、電池交換がされない場合がある
。電子時計等によっては、記憶回路に記憶された情報を
、電池交換の際、一定時間消去させない構成をしている
が、電池交換時期を見落し放置された状態が続いた場合
、記憶回路に記憶された情報が消去されてしまう。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、特に電池電圧が低
下しfcs合は発振回路の消費電流を減らし、電池への
負荷を軽減し、電池交換時期を報知する信号の出力期間
を延長することができるようにした発振回路を提供する
ことにある。
下しfcs合は発振回路の消費電流を減らし、電池への
負荷を軽減し、電池交換時期を報知する信号の出力期間
を延長することができるようにした発振回路を提供する
ことにある。
本発明の発振回路の構成は、相補型MOS電界効果トラ
ンジスタを有する反転増幅器と、この反転増幅器の入力
と出力との間に接続された発振素子と、前記反転増幅器
の入力、出力と電源との間に各々接続される第1.第2
のコンデンサとを含む発振回路において、前記第1.第
2のコンデンサに並列に、電池電圧検出回路の出力信号
によシ制御されるアナログスイッチとコンデンサとの直
列体を各々接続したことを特徴とする。
ンジスタを有する反転増幅器と、この反転増幅器の入力
と出力との間に接続された発振素子と、前記反転増幅器
の入力、出力と電源との間に各々接続される第1.第2
のコンデンサとを含む発振回路において、前記第1.第
2のコンデンサに並列に、電池電圧検出回路の出力信号
によシ制御されるアナログスイッチとコンデンサとの直
列体を各々接続したことを特徴とする。
次に本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の発振回路を示す回路図であ
る。同図において、本実施例の発振回路は、相補型MO
SFETからなる反転増幅器7と、この反転増幅器7の
入力と出力との間に接続された発振素子となる水晶振動
子lと、前記反転増幅器7の入力及び出力と電源間に接
続されるコンデンサ5,6と、これらコンデンサ5,6
に並列にそれぞれ接続されるコンデンサ14.13と、
これらコンデンサ14.13を断続するMOSFETl
l、12からなるアナログスイッチと、このアナログス
イッチのゲートに接続される電池電圧検出回路8とを備
えている。
る。同図において、本実施例の発振回路は、相補型MO
SFETからなる反転増幅器7と、この反転増幅器7の
入力と出力との間に接続された発振素子となる水晶振動
子lと、前記反転増幅器7の入力及び出力と電源間に接
続されるコンデンサ5,6と、これらコンデンサ5,6
に並列にそれぞれ接続されるコンデンサ14.13と、
これらコンデンサ14.13を断続するMOSFETl
l、12からなるアナログスイッチと、このアナログス
イッチのゲートに接続される電池電圧検出回路8とを備
えている。
即ち、本実施例では、水晶振動子1の一端を、Pチャン
ネルMOS型電界効果トランジスタ(FET)2のゲー
トとNチャンネルMOSF’ET3のゲートと抵抗4の
一端とコンデンサ6の一端とスイッチ用NチャンネルM
OSFBTIIのソースとに接続し、スイッチ用Nチャ
ンネルMOSFETIIのドレインはコンデンサ13の
一端に接続され、コンデンサ13,6の他の一端は、電
源VDDに接続され、スイッチ用NチャンネルMOSF
ETIIのゲートはインバータ1oの出力に接続され、
PチャンネルMOSFET2のソースは電源VDDにド
レインはNチャンネルMOSFET3のドレインと抵抗
4の他の一端とコンテナ5の一端とスイッチ用Nチャン
ネルMOSFETI 1のソースと水晶振動子1の他の
一端とへ接続され、スイッチ用NチャンネルMOSFE
T12のドレインはコンデンサ14の一端に接続される
。NチャンネルMOSFET3のソースは電源■ssに
接続され、コンデンサ5,14の他の一端は電源VDD
に接続され、スイッチ用NチャンネルMOSFET12
のゲートは電池電圧検出回路8の出力端子(Ioz)と
インバータ10のゲートに接続され、電池9のマイナス
側は電池電圧検出回路8の入力VSBに接続され、この
電池9のプラス側は電源VDDに接続される。ここで、
PチャンネルMOSFET2とNチャンネルMOSFE
T3と抵抗4とは、相補型MOSFETからなる反転増
幅器7を構成する。
ネルMOS型電界効果トランジスタ(FET)2のゲー
トとNチャンネルMOSF’ET3のゲートと抵抗4の
一端とコンデンサ6の一端とスイッチ用NチャンネルM
OSFBTIIのソースとに接続し、スイッチ用Nチャ
ンネルMOSFETIIのドレインはコンデンサ13の
一端に接続され、コンデンサ13,6の他の一端は、電
源VDDに接続され、スイッチ用NチャンネルMOSF
ETIIのゲートはインバータ1oの出力に接続され、
PチャンネルMOSFET2のソースは電源VDDにド
レインはNチャンネルMOSFET3のドレインと抵抗
4の他の一端とコンテナ5の一端とスイッチ用Nチャン
ネルMOSFETI 1のソースと水晶振動子1の他の
一端とへ接続され、スイッチ用NチャンネルMOSFE
T12のドレインはコンデンサ14の一端に接続される
。NチャンネルMOSFET3のソースは電源■ssに
接続され、コンデンサ5,14の他の一端は電源VDD
に接続され、スイッチ用NチャンネルMOSFET12
のゲートは電池電圧検出回路8の出力端子(Ioz)と
インバータ10のゲートに接続され、電池9のマイナス
側は電池電圧検出回路8の入力VSBに接続され、この
電池9のプラス側は電源VDDに接続される。ここで、
PチャンネルMOSFET2とNチャンネルMOSFE
T3と抵抗4とは、相補型MOSFETからなる反転増
幅器7を構成する。
本実施例において、スイッチ用NチャンネルM08FE
T11.12のゲートを電池電圧検出回路8の出力IO
+の信号によって制御していることにある。電池電圧検
出回路8の出力(Ioりから制御信号として高電位レベ
ルを出力させ、スイッチ用NチャンネルMOSFET
12のゲートに与え導通状態にし、コンデンサ14が電
源VDDと相補型MOSF’ETからなる反転増幅器7
の出力に接続する。
T11.12のゲートを電池電圧検出回路8の出力IO
+の信号によって制御していることにある。電池電圧検
出回路8の出力(Ioりから制御信号として高電位レベ
ルを出力させ、スイッチ用NチャンネルMOSFET
12のゲートに与え導通状態にし、コンデンサ14が電
源VDDと相補型MOSF’ETからなる反転増幅器7
の出力に接続する。
又、制御信号の反転レベルを、スイッチ用Nチャンネル
MOSFETIIのゲートに与え、非導通状態にし、コ
ンデンサ13は反転増幅器7の入力と切断しておく。電
池電圧検出回路8は電池9の電圧が検出電圧のレベルま
で減少した時点で、出力(Iol)の制御信号を反転す
ることにより、スイッチ用NチャンネルMOSFET1
2を非導通状態にし、反転増幅器7の出力と電源V2C
間の容量値を小さくし、消費電流を低減する。ここで、
反転増幅器7の出力と電源V2C間の容量値を変化させ
ると、発振周波数にズレが生ずる為、調整を行う必要が
あり、反転増幅器7の入力と電源V2C間の容量値を、
スイッチ用NチャンネルMOS FET11を導通状態
にすることで増加させ、周波数を調整している。
MOSFETIIのゲートに与え、非導通状態にし、コ
ンデンサ13は反転増幅器7の入力と切断しておく。電
池電圧検出回路8は電池9の電圧が検出電圧のレベルま
で減少した時点で、出力(Iol)の制御信号を反転す
ることにより、スイッチ用NチャンネルMOSFET1
2を非導通状態にし、反転増幅器7の出力と電源V2C
間の容量値を小さくし、消費電流を低減する。ここで、
反転増幅器7の出力と電源V2C間の容量値を変化させ
ると、発振周波数にズレが生ずる為、調整を行う必要が
あり、反転増幅器7の入力と電源V2C間の容量値を、
スイッチ用NチャンネルMOS FET11を導通状態
にすることで増加させ、周波数を調整している。
本実施例によれば、反転増幅器7の出力側に接続された
コンデンサの容量値を小さくすると消費電流が小さくな
る特性を利用し、電子時計等に使用されている電池の電
圧が減少してき九場合、ある設定電圧を電池電圧検出回
路8にて検出し、反転増幅回路7の出力側にMOSFE
Tからなるアナログ・スイッチを介して接続されている
コンデンサをMOSFETのゲートに電池電圧検出回路
8よジ制御信号を印加することで、コンデンサを切断し
、容量値を減らし、発振回路の消費電流を減少させる事
により、電池寿命を延ばし、電池電圧検出後の電池交換
期間を報知する信号の出力期間を延長する事が可能とな
る。
コンデンサの容量値を小さくすると消費電流が小さくな
る特性を利用し、電子時計等に使用されている電池の電
圧が減少してき九場合、ある設定電圧を電池電圧検出回
路8にて検出し、反転増幅回路7の出力側にMOSFE
Tからなるアナログ・スイッチを介して接続されている
コンデンサをMOSFETのゲートに電池電圧検出回路
8よジ制御信号を印加することで、コンデンサを切断し
、容量値を減らし、発振回路の消費電流を減少させる事
により、電池寿命を延ばし、電池電圧検出後の電池交換
期間を報知する信号の出力期間を延長する事が可能とな
る。
以上説明した様に、本発明は、電池電圧検出回路により
電池電圧の低下を検出し、前記電池電圧検出回路から出
力される制御信号により、反転増幅器の出力と電源との
間に接続されるコンデンサを切断することができるから
、消費電流を低減する事により、電池への負荷を軽減し
、従来に較べ集積回路内の記憶回路に記憶された情報が
消去される事を防止すべく、電池交換時期を報知する信
号の出力期間を延長できる効果がある。
電池電圧の低下を検出し、前記電池電圧検出回路から出
力される制御信号により、反転増幅器の出力と電源との
間に接続されるコンデンサを切断することができるから
、消費電流を低減する事により、電池への負荷を軽減し
、従来に較べ集積回路内の記憶回路に記憶された情報が
消去される事を防止すべく、電池交換時期を報知する信
号の出力期間を延長できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の発振回路を示す回路図であ
る。 1・・・・・・水晶振動子、2・旧・・PチャンネルM
OSFET13,11,12・・・・・・Nチャンネル
間O8FET、4・・・・・・抵抗、5,6,13.1
4・・・・・・コンデンサ、7・・・・・・反転増幅器
、8・・・・・・電池電圧検出回路、9・・・・・・電
池電源、10・・・・・・インバータ。 代理人 弁理士 内 原 晋
る。 1・・・・・・水晶振動子、2・旧・・PチャンネルM
OSFET13,11,12・・・・・・Nチャンネル
間O8FET、4・・・・・・抵抗、5,6,13.1
4・・・・・・コンデンサ、7・・・・・・反転増幅器
、8・・・・・・電池電圧検出回路、9・・・・・・電
池電源、10・・・・・・インバータ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 相補型MOS電界効果トランジスタを有する反転増幅器
と、この反転増幅器の入力と出力との間に接続された発
振素子と、前記反転増幅器の入力、出力と電源との間に
各々接続される第1、第2のコンデンサとを含む発振回
路において、前記第1、第2のコンデンサに並列に、電
池電圧検出回路の出力信号により制御されるアナログス
イッチとコンデンサとの直列体を各々接続したことを特
徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22576188A JPH0273704A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22576188A JPH0273704A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 発振回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0273704A true JPH0273704A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16834402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22576188A Pending JPH0273704A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 発振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0273704A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003105333A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | An arrangement for low power clock generation |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22576188A patent/JPH0273704A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003105333A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | An arrangement for low power clock generation |
EP1514343B1 (en) * | 2002-06-07 | 2009-10-28 | Infineon Technologies AG | An arrangement for low power clock generation |
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