JPH0269306A - 表面被覆されたＡｌＮ粉体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］ 本発明は表面被覆された窒化アルミニウム（ＡｊＺＮ）
粉体及びその製造方法に係り、特にＡｌＮ粉体の水分や
酸素に対する安定性を改善するために、その表面に被膜
を形成したＡｌＮ粉体及びその製造方法に関する。

［従来の技術］ ＡｌＮ粉体は、大気中で熱力学的に極めて不安定であり
、特にその微粉体は容易に酸素や水分と反応する。例え
ば、ＡｌＮ粉体は、３０℃、８０％相対湿度雰囲気下で
４０日程度保持すると、以下に示す反応によりＢａｙｅ
ｒｉｔｅ。

Ｂｏｅｈｍｉ　ｔｅ等の水酸化アルミニウムＣＡＢ　（
Ｏｆ（）　２）へと変化してしまう。

ＡｆＬＮ＋３Ｈ２０ＡＸ　（ＯＨ）２　＋ＮＨ３このた
め、Ａｊ２Ｎ粉体を保存する場合には、乾燥後、容器に
完全密封するか、Ｎ２又はＮＨ３ガス雰囲気下で保管す
る必要があり、管理が困難である。仮に貯蔵時にＡ１１
（ＯＨ）ａ等への分解が実質的に防止できたとしても、
焼結体製造時の焼成前の諸工程において分解不純物が発
生することは避けられない。即ち、水を媒質としてＡ！
ｔＮ粉体のスラリーを調製すると、Ａｌ２．Ｈに一部生
成したＡｌ１（ＯＨ）３が混入するため、このようなス
ラリーを成形、焼結した場合、焼成中にＡｌｌ　（ＯＨ
）３がα−アルミナ（ＡＪＺ２０３　）に変化し、得ら
れる焼結体中のＡｊＺ２０３が増加する。このため、熱
伝導率等の焼結体の特性を著しく損なう結果となる。こ
のようなことから、従来においては、水系スラリーとす
ることができず、有機溶媒及び成形用バインダーを用い
て成形しているため、処理コストが高くつくという欠点
があった。

そこで、ＡｌＮ粉体の安定化のために、粉体表面に″ｆ
ｒｉ、覆膜を形成する提案がなされており、最近では、
ＡｆｌＮ粉体表面に疎水性被膜を形成した後、親木性被
膜を形成したもの、具体的には第１次の表面処理として
ＡλＮ粉体の表面を、無機、有機の表面処理剤で覆い、
水との反応性を抑制した後、第２次の表面処理として、
この第１次処理粉体を、水を媒質とした界面活性剤中で
処理し、水に対する分散性を向上させたＡＪｌＮ粉体が
提案されている（特開昭６２−２０７７７０号）。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、特開昭６２−２０７７７０号に開示され
るＡＪｌＮ粉体では ■　被膜の耐熱性が乏しい（２００℃に耐えることがで
きない。）。

■　被膜の機械的強度、耐薬品性、耐久性が十分でない
。

■　■、■より、ミルやスプレードライヤを用いてミリ
ングする場合等に被膜が破損してＡｌｘの水和が起こり
易い。

等の欠点があった。

本発明は上記従来の問題点を解決し、ＡｌＮ粉体に、耐
熱性に優れ機械的強度が高く、著しく耐久性に優れた、
耐水保護被膜を形成し、ＡｆＬＮ粉体の水系での処理、
成形を可能とし、もって高特性Ａｌ１Ｎ焼結体を低コス
トで製造することができる、表面被覆されたＡｌＮ粉体
及びその製造方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 請求項（１）の表面被覆されたＡｆＬＮ粉体は、粒子表
面がポリアミド樹脂で被覆されたことを特徴とする 請求項（２）のＡｊＺＮ粉体の製造方法は、請求項（１
）のＡｌＮ粉体な製造するにあたり、疎水処理されたＡ
ｌＮ粉体の粒子表面に界面重合法によりポリアミド樹脂
被膜を生成させることを特徴とする 請求項（３）のＡｌＮ粉体の製造方法は、請求項（２）
の方法を実施するにあたり、カップリング剤により疎水
処理されたＡＪＩＮ粉体を二塩基酸又はその誘導体の溶
液、に分散させた後、このＡＪＺＮ粉体分散液にジアミ
ン類又はジアミン誘導体を添加して、ＡｌＮ粉体の粒子
表面で重合反応させることによりポリアミド樹脂被膜を
生成させることを特徴とする。

以下に本発明を図面を参照して詳細に説明する。

第１図及び第２図は本発明のＡｌ１Ｎ粉体の一例を示す
模式的断面図である。図示の如く、本発明の表面被覆さ
れたＡλＮ粉体は、ＡＪＺＮ粉体粒子２の表面に好まし
くはカップリング剤ＦＩ３等の疎水処理剤層を介してポ
リアミド樹脂被膜４が形成されたものであり、製造条件
等により、カップリング剤層３に直接ポリアミド樹脂被
膜４が形成されたＡＩＬＮ粉体ＩＢ（第２図）あるいは
、カップリング剤層３との間に、被膜形成時の残留モノ
ｖ−Ｑび有ｍ溶媒５を包含してポリアミド樹脂液ｇ４が
形成されたＡＩＬＮ粉体ＩＡ（第１図）などがある。

本発明において、ＡＪＺＮ粉体粒子の直径や形成される
被膜の厚さ等には特に制限はないが、一般には直径０．
１〜１０μｍ程度、特に０．５〜３μｍ程度のＡｊ２Ｎ
粉体粒子に、厚さ０２０１〜１．０μｍ５特に０．０５
〜０．３μｍ程度のカップリング剤層及び厚さ０．０１
〜０．　２μｍ１特に０．０２〜０．１μｍ程度のポリ
アミド樹脂被膜を形成したものが好適である。

なお、本発明において、カップリング剤層等を形成せず
に、即ち、ＡｆＬＮ粉体をカップリング剤等により疎水
性処理を施すことなく、ポリアミド樹脂被膜を形成した
ものとしても良い。しかしながら、ＡｆＬＮ粉体の表面
は親水性であるため、後述の如くポリアミド樹脂被膜を
界面重合法により製造するに際し、Ａｊ２Ｎ粉体の混合
溶媒に対する濡れ性が悪く、ＡｌＮ粉体の分散性が悪い
ことから、形成される被膜も不均一なものとなり易い。

従って、本発明のＡλＮ粉体は、カップリング剤等の疎
水性層を介してポリアミド樹脂被膜を形成したものであ
ることが好ましい。

次に、請求項（２）の表面被覆されたＡｆＬＮ粉体の製
造方法について説明する。

請求項（２）の方法においては、まずＡＪＺＮ粉体を疎
水処理する。疎水処理を行なうには原料ＡｆＬＮ粉体の
適当量を採取し、これにアセトン等の非水溶媒を加えて
混練した後、カップリング剤等の疎水処理剤を加え、混
練、乾燥し、必要に応じて粉砕する。この場合、ＡｌＮ
粉体に対する溶媒の使用量はＡｊ２Ｎ１００ｇに対して
１００〜２００ｍｆｔ程度、また、ＡＪＺＮ粉体に対す
るカップリング剤の使用量はＡＪＺＮ粉体１００ｇに対
して１．Ｏ〜２．０ｍｆｔ程度とするのが好ましい。

なお、本発明において、カップリング剤としては具体的
には、ＫＢＭ１００３　（信越化学工業■製、ビニルト
リメトキシシラン）、ＫＲ４４（味の素■製、イソプロ
ピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネー
ト）、ＡＬ−Ｍ（味の素■製、アセトアルコキシアルミ
ニウムジイソプロピレート）等を用いることができる。

このようにしてＡｌＮ粉体の疎水性処理を施した後は、
ＡｌＮ粉体粒子表面に界面重合法によりポリアミド樹脂
被膜を生成させる。具体的には次の■〜■に挙げる反応
をＡＩＮ粉体粒子表面で起こさせることにより、ポリア
ミド樹脂被膜を生成させる。なお、本発明において、ポ
リアミド樹脂被膜の形成方法は何ら■〜■の方法に限定
されるものではない。

■　ジアミン類又はジアミン誘導体と二塩基酸又は二塩
基酸誘導体の重縮合反応 ■　ジニトリル又はジアミドとホルムアミドとの反応 ■　ジイソシアナートと二塩基酸との重付加反応 ■　アミノ酸又はその誘導体の自己縮合■　ラクタムの
開８１重合 次に上記■〜■の方法のうち、■の方法、即ち請求項（
３）の方法について説明する。

請求項（３）の方法においては、疎水処理したＡ１Ｎ粉
体を二塩基酸又はその誘導体の溶液に分散させた後、と
のＡｎＮ粉体分散液にジアミン類又はジアミン誘導体を
添加して、ＡＩＬＮ粉体の粒子表面で重合反応させる。

具体的には次のような方法で行なう。

まず、１．８−オクタンジカルボニルクロリド等の二塩
基酸又はその誘導体を、シクロヘキサン／クロロホルム
＝３＝１の混合溶媒等の有機溶媒に、０．２ｍｏＪＺ／
ｕ程度溶解する（溶液Ｉ）。

別に、１．６−ジアミツヘキサン等のジアミン類又はそ
の誘導体を水（蒸留水）に０．０４ｍｏＩＬ／λ程度溶
解する（溶液ＩＩ　）。疎水処理したＡｊＺＮ粉体を溶
液Ｉに加えて攪拌し十分に分散させる（分散液ｍ）、Ａ
ｌＮ粉体の添加量は溶液１１０ｍｊ２に対して１０〜２
０ｇ程度とするのが好ましい。次に、この分散液ＩＩＩ
に、界面活性剤の水溶液（２〜１０体積％程度）を加え
て乳化させる。この場合、界面活性剤溶液の量は乳化が
起こる程度で良く、その添加量を適宜調整することによ
り乳化液を調製する（乳化液■）、一般には、界面活性
剤の量がＡＩＬＮ粉体１５ｇに対して２〜４ｍ１１程度
となるように界面活性剤溶液を添加する。

次に乳化液■を攪拌しながら、これに前記溶液ＩＩを加
えて重合反応を起こさせる。この場合、溶液ＩＩは、乳
化液■中の１．８−オクタンジカルボニルクロリド等の
二塩基酸又はその誘導体と重合反応を起こすに十分な量
の１．６−ジアミツヘキサン等のジアミン類又はその誘
導体が添加されるようにその添加量を適宜調製する。

このようにして界面重合法によりＡｆＬＮ粉体粒子の表
面にポリアミド樹脂被膜を形成させた後、シクロヘキサ
ン／クロロホルム＝　３　：　１（体ｆａ比）からなる
混合溶媒等の有機溶媒を加えて反応を終了させる。

なお、上記界面重合法において、二塩基酸又はその誘導
体としては、１．８−オクタンジカルボニルクロリドの
他、１，４−ブタンジカルボン酸、１，７−へブタンジ
カルボン酸、１，５−ペンタンジカルボン酸、１．６−
ヘキサンジカルボン酸及びその塩化物等を用いることが
できる。

また、ジアミン類又はジアミン誘導体としては１．６−
シアミツヘキサンの他、１，７−ジアミノへブタン、１
．８−ジアミノオクタン、１．９−ジアミノノナン、１
．１０−ジアミノデカン、エチレンジアミン、トリメチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレ
ンジアミン及びその誘導体等を用いることができる。

［作用コ ポリアミド樹脂によれば耐水性、耐熱性に優れ、しかも
機械的強度も著しく高い被膜が形成される。

特に、請求項（２）の方法によりとりわけ請求項（３）
の方法により、疎水処理したＡＩＬＮ粉体表面に界面重
合法によりポリアミド樹脂被膜を形成することにより、
被膜の密着性が良く、しかもその膜厚も薄く均一で、粒
子が小さくほぼ単粒子毎の被覆がなされた高特性ＡｌＮ
粉体が得られる。

［実施例］ 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

なお、以下の実施例及び比較例において、用いた試薬は
下記の通りである。

１亙星】 ■　１．８−オクタンジカルボニルクロリド：塩化セバ
コイル（和光純薬味製） ＣＩＬＣＯ（ＣＨ２）ａ　Ｃ０ＣＪ２＝２３９．１■　
１，６−シアミツヘキサン（ヘキサメチレンジアミン）
（和光純薬味製） ＮＨ２（ＣＨ２）ａＮＨ２＝１１６．２１■　クロロホ
ルム（和光純薬味製） ＣＨＣｊ２３　＝１１９ ■　シクロヘキサン（和光純薬味製） Ｃ８Ｈ１２＝８４．２ ■　界面活性剤 エマルゲンＡ−８０（■花王製） （ポリオキシエチレン誘導体、ＨＬＢ＝１２．８）■　
カップリング剤 ＫＢＭ１００３　（信越化学工業■製）ＣＨ２ＣＨＳ　
ｉ　（ＯＣＨ３）３　＝１４８．２また、原料のＡλＮ
粉体としては、次の■又は■を、焼結助剤としては次の
■を用いた。

■　ＴＯＹＡＬＮＩＴＥ、Ｆ （東洋アルミニウム■製） ■　高純度窒化アルミニウム、Ｆ （徳山ソーダ■製） ■　Ｙ２０３ （信越化学工業■製） 実施例１．比較例Ｉ ＡｌＮ粉本の疎　　工里 ＡｌＮ粉体（徳山ソーダ■製、高純度窒化アルミニウム
、Ｆ）２５ｇにアセトン５ｏｍｆ１．を加え、ガラス乳
鉢にて混練した後、カップリング剤０．２５ｍｕ　（１
，０％（体積−溶媒／重量−ＡｌＮ））を添加し、更に
５分間混練し、次いで１０分間乾燥後粉砕した。

ポリアミド７膜のン 塩化セバコイル２５ｇをシクロヘキサン／クロロホルム
−３：１（体積比）の混合溶媒５００ｍ１に溶解して、
０．２Ｍの溶液を調製した（溶液■）。

別に、１，６−ジアミツヘキサン２．３２ｇを蒸留水５
００ｍｆＬに溶解して、０．０４Ｍの溶液を調製した（
溶液ＩＩ　）。上述の方法で疎水処理したＡｉＮ粉体（
実施例１）及び疎水ＩＡ埋をしていないＡ、ＱＮ粉体（
比較例１）１５ｇをそれぞれ溶液Ｉに加えて良く攪拌し
、十分に分散させた（分散液ｍ　）。次にこの分散液Ｉ
ＩＩを、界面活性剤１．０ｍＡを蒸留水５０ｍ１に加え
て激しく攪拌して得られた液に加えて乳化させた（乳化
液■）。次いで、この乳化液■を攪拌しながら、これに
前記溶液１１を加えて重合反応を生起させ、ＡｌＮ粉体
表面にポリアミド樹脂の被膜を形成させた。最後に、前
記混合溶媒を加えて反応を終了させた。

ポリアミド　脂？膜の　！ 実施例１及び比較例！で得られたスラリーから、それぞ
れ粉体粒子を取り出し、光学顕微鏡にて被膜形成の様子
を調べた。各々の光学顕微鏡写真を第３図（ａ）〜（Ｃ
）（実施例１）及び第４図（ａ）〜（Ｃ）（比較例１）
に示す。

第３図（ａ）〜（Ｃ）より、実施例１で得られたものは
、原料のＡｌＮ粉体が疎水処理により溶媒との馴染み（
濡れ性）が向上され分散性が高められていることから、
形成された被膜は膜厚が薄く均一で、しかも粒子の粒径
も小さく、はぼ単粒子毎に被膜形成がなされていること
が確認された。

一方、第４図（ａ）〜（Ｃ）より、比較例１で得られた
ものは、原料のＡλＮ粉体が親水性で溶媒との馴染みが
悪く、分散性が低いことから、形成された被膜も不均一
で、また粒子の粒径の大きいものが存在し、粒子集合体
に被膜が形成されているものがあることが確認された。

五」」■【基型 ■　８０℃、２４時間大気中乾燥 実施例１で得られたスラリーを少量ビーカーに採り、８
０℃で２４時間エアバス中にて乾燥し、ＡｆＬ（ＯＨ）
ａの生成状況をＸ線回折（ＣｕＫα、以下同様、）によ
り調べた。

また、未処理のＡＩＬＮ粉体の水溶液についても同様の
処理を施し、Ａｌ１（ＯＨ）ｓの生成状況をＸ線回折に
より調べた。

結果を第５図に示す。

この結果から明らかなように、未処理ＡｉＮではＡＪｌ
　（ＯＨ）３　　（ＢａｙｅｒｉｔｅｘＢＹ）が生成し
ているのに対し、実施例１で得られた表面被覆ＡｉＮに
はＡｆｌ（ＯＨ）３のピークは全く検出されなかった。

■　２００℃急熱乾燥 実施例１で得られたスラリーをそのまま２００℃に加熱
したホットプレート上で急激に乾燥させ、Ａｎ（ＯＨ）
３の生成状況をＸ線回折により調べた。

また、未処理のＡｌＮ粉体の水溶液についても同様の処
理を施し、ＡＪｌ（Ｏ）Ｉ）ｓの生成状況をＸ線回折に
より調べた。

結果を第６図に示す。

この結果から明らかなように、未処理ＡＩＮではＡＪｌ
　（ＯＨ）３　　（Ｂａｙｅｒｉ　ｔｅ＝ＢＹ。

Ｂｏｅｈｍｉ　ｔｅ＝＋Ｂｏ）が生成しているのに対し
、実施例１で得られた表面液１ｉＡｊ！ＮにはＡｆＬ（
Ｏ）Ｉ）３のピークは全く検出されなかった。

■　ミリング処理 実施例１で得られた表面被覆Ａ１．Ｎ粉体を２００℃で
急熱乾燥させた後、アルミナポット（粉体：５０ｇ、水
：５０ｇ、５ｍｍφの玉石：１５０ｇ）にて２４時間ミ
リングした後、上記■と同様の２００℃急熱乾燥処理を
行ない、ＡＪＺ（ＯＨ）ａの生成状況をＸ線回折により
調べた。

また、未処理のＡＪＩＮ粉体についても同様の処理を施
し、Ａ１（ＯＨ）３の生成状況をＸ線回折により調べた
。

結果を第７図に示す。

この結果から明らかなように、未処理ＡＪＩＮではＡｌ
Ｎの全てがＡｌｌ　（ＯＨ）ｘ　　（Ｂａｙｓ−ｒ　ｉ
　ｔｅ＝ＢＹ）に変化してしまっているのに対し、実施
例１で得られた表面被覆ＡＩＮにはＡｊＬ（ＯＨ）ａの
ピークは全く検出されなかった。

■　焼成 ２００℃乾燥程度では、結晶性の低い水酸化アルミニウ
ムのＸ線のピークは検出されないため、１８５０℃で焼
成（窒素雰囲気中）し、コランダムの生成状況からＡＪ
ｌ（ＯＨ）、の有無を調べてみる。即ち、実施例１で得
られたスラリーに前記■の２００℃急熱乾燥処理を行な
フた後、１８５０℃で、Ｎ２雰囲気中にて焼成し、コラ
ンダムの生成状況をＸ線回折により調べ、焼成前のもの
と比較した。

結果を第８図に示す。

第８図により次のことが明らかである。焼成後のＡＩｌ
、Ｎは結晶性が良くなったためにＡＪ：ＬＮのピークが
大きくなり、また２θ＝２５（ｄｅｇ、）以下のブロー
ドなピーク（ポリアミドと推定される。）が消失してい
る。焼成前のＡｌＮに非晶質ＡＩＬ（ＯＨ）３が存在す
るならば、焼成後のＡλＮにα−Ａ１２０３のピークが
現れるはずであるが、焼成後のＡＩＮにはコランダム、
水酸化アルミニウムのピークは共に検出されなかった。

従って、焼成前のＡｌＮの２０＝２５　（ｄｅｇ、）以
下のブロードのピークの中には非晶質Ａｆｌ（ＯＨ）３
のピークは含まれておらず、Ａ　Ｊｌ（ＯＨ）　３は存
在しないことが明らかである。

比較例２（特開昭６２−２０７７７０号）実施例１にお
いて疎水処理して得られたＡＪＺＮ粉体を特開昭６２−
２０７７７０号記載の方法に従ってオレイン酸ナトリウ
ムで処理した。

得られたＡｌ１Ｎ粉体を、アルミナポット（粉体：５０
ｇ、水：５０ｇ、５ｍｍφの玉石：１５０ｇ）で７２時
間ミリング処理した後、実施例１の■と同様の２００℃
急熱乾燥処理を行ない、Ａｕ　（ＯＨ）ａの生成状況を
Ｘ線回折により調べた。

また、実施例１で得られた表面被覆Ａ４Ｎ粉体について
も同様の処理を行ない、Ａｆｌ（ＯＨ）３の生成状況を
Ｘ線回折により調べた。

結果を第９図に示す。

第９図より、比較例２のＡ４Ｎ粉体は機械的強度が低く
、ミリング処理により改質被膜が破壊するため、Ａｆｌ
Ｎが全てＡｎ（ＯＨ）３（Ｂａｙｅｒｉｔｅ＝ＢＹ、Ｇ
ｉｂｂｓｉｔｅ＝Ｇｌ）に変わっていることが認められ
る。これに対し、実施例１で得られた表面被覆ＡｆＬＮ
ではＡｌ２（ＯＨ）３は生成しておらず、本発明のＡλ
Ｎは機械的強度に優れ、耐久性が著しく高い。

実施例２ ＴＯＹＡＬＮＩＴＥ、Ｆに焼結助剤としてＹ２Ｏ３を５
瓜量％加え、ブタノール中、７２時間ボールミル（アル
ミナポット）で混合した後２００℃で急熱乾燥した。

得られたＡｊ２Ｎ　　Ｙ２Ｏ３粉体を原料として、実施
例１と同様の方法で疎水処理及びポリアミド被膜の形成
を行なフた。

得られた表面被覆ＡλＮ粉体な、耐水性の評価のために
水中にて１時間攪拌した後、２００℃で急熱乾燥した。

次いで、粉体を１０ｍｍφの成形型を用いてプレス成形
し、窒素雰囲気中、１８５０℃で２時間焼成した。

得られた焼結体について、真空理工社製「レーザーフラ
ッシュ熱定数測定装置（ＴＣ−３０００Ｊを用いて熱伝
導率を測定した。

結果を第１表に示す。

実施例３ ＡＩＬＮ粉体として、徳山ソーダ■製高純度ＡｎＮ、Ｆ
を用いたこと以外は、実施例１と同様にして焼結体を得
、その熱伝導率を測定した。

結果を第１表に示す。

比較例３ ＴＯＹＡＬＮＩＴＥ、Ｆに焼結助剤としてＹ２０３を５
重量％加え、ブタノール中、７２時間ボールミル（アル
ミナポット）で混合した後２００℃で急熱乾燥した。

得られたＡ　ＩＩ　Ｎ　−Ｙ　２０３粉体に成形用バイ
ンダーを４重量％添加（ブタノール中）した後、実施例
１と同様にして成形、焼成を行ない、得られた焼結体の
熱伝導率を測定した。

結果を第１表に示す。

比較例４ ＡＪＺＮ粉体として、徳山ソーダ＠製置純度ＡｆＬＮ、
Ｆを用いたこと以外は、比較例３と同様にして焼結体を
得、その熱伝導率を測定した。

結果を第１表に示す。

第１表 第１表より明らかなように、実施例２．３の焼結体は原
料粉体に水中での処理を施しているにもかかわらず、水
中での処理を行なっていない比較例３．４の焼結体に比
べ高い熱伝導率が得られている。

［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の表面被覆されたＡｌＮ粉体
の表面被膜は耐水性に優れるだけでなく、耐熱性、機械
的強度にも著しく優れる。このため、ＡｌＮ粉体粒子を
十分に保護することができるので、ＡＪＺＮ粉体の水系
での処理、成形が可能となり、しかも加熱処理やミリン
グ処理等にも高い耐久性を示す。

従って、本発明の表面被覆されたＡＪＺＮ粉末によれば
、水系処理、加熱処理、ミリング処理等の処理工程にお
いて保護被膜が破壊されることがないため、これらの処
理工程でＡｊ２Ｎ粉体がＡＪ：Ｌ（ＯＨ）ａに変化する
のが防止され、Ａｌ１２０３の生成のない、熱伝導率が
高く、諸特性に優れたＡＪＺＮ焼結体を得ることが可能
とされる。

しかして、このような本発明の表面被覆されたＡｌＮ粉
体は、請求項（２）の方法により、特に請求項（３）の
方法により効率的に製造することができ、高特性ポリア
ミド樹脂被膜を高い密着性にてＡｌＮ粉体粒子表面に形
成することが可能とされる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の表面被覆されたＡＪＺＮ粉
体の一例を示す模式的な断面図である。 第３図（ａ）〜（Ｃ）及び第４図（ａ）〜（ｃ）は各々
実施例１及び比較例１で得られたＡｌＮ粉体の粒子構造
を示す光学顕微鏡写真である。第５図、第６図、第７図
及び第８図は各々実施例１における測定結果を示すＸ線
回折線図である。第９図は比較例２のＡｉｔＮ粉体と実
施例１のＡｌＮ粉体との特性を比較するＸ線回折線図で
ある。 ＩＡ、ＩＢ・・・表面被覆されたＡｌＮ粉体、２・・・
ＡｌＮ粉体粒子、 ３・・・カップリング剤層、 ４・・・ポリアミド樹脂被膜。 実用新案登録出願人　株式会社イナックス代理人　　弁
理士　　重　野　　剛 ζ号 Ｓζ （ａ） （ｂ） 第 図 （＆） （ｂ） 第 図 第 図 手続補正書 事件の表示 昭和６３年特許願第２２１８７１、 発明の名称 表面被覆されたＡＩＮ粉体及びその製造方法補正をする
者 事件との関係　特許出願人

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）粒子表面がポリアミド樹脂で被覆されたＡｌＮ粉
   体。
2. （２）疎水処理されたＡｌＮ粉体の粒子表面に界面重合
   法によりポリアミド樹脂被膜を生成させることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載のＡｌＮ粉体の製造方
   法。
3. （３）カップリング剤により疎水処理されたＡｌＮ粉体
   を二塩基酸又はその誘導体の溶液に分散された後、この
   ＡｌＮ粉体分散液にジアミン又はジアミン誘導体を添加
   して、ＡｌＮ粉体の粒子表面で重合反応させることによ
   りポリアミド樹脂被膜を生成させることを特徴とする特
   許請求の範囲第２項に記載のＡｌＮ粉体の製造方法。