JPH0265143A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH0265143A JPH0265143A JP63215759A JP21575988A JPH0265143A JP H0265143 A JPH0265143 A JP H0265143A JP 63215759 A JP63215759 A JP 63215759A JP 21575988 A JP21575988 A JP 21575988A JP H0265143 A JPH0265143 A JP H0265143A
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- optical semiconductor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体装置の製造方法に係り、とくに光半導
体素子がベースに接着される際の接着層の製造方法に関
する。
体素子がベースに接着される際の接着層の製造方法に関
する。
［従来の技術］
第４図、第５図は従来の光半導体装置の製造方法を示す
図である。図中１は金属製のベース、２はベースｌの一
部を形成する金属製のマウント部、３．４はベース１を
貫通する外部端子、５は外部端子３．４をベースｌに固
定する断絶材、６はシリコン材からなる約１ ｍ ｎ（
程度のサブマウント、７はサブマウント６をマウント部
２に接着するＡｇ（恨）ペースト、８は半導体レーザー
等のチッ状のＧａＡｓ等の化合物半導体で形成される光
半導体素子、９は光半導体素子８をサブマウントに接着
するインジウム（Ｉｎ）などの低融点金属層である。
図である。図中１は金属製のベース、２はベースｌの一
部を形成する金属製のマウント部、３．４はベース１を
貫通する外部端子、５は外部端子３．４をベースｌに固
定する断絶材、６はシリコン材からなる約１ ｍ ｎ（
程度のサブマウント、７はサブマウント６をマウント部
２に接着するＡｇ（恨）ペースト、８は半導体レーザー
等のチッ状のＧａＡｓ等の化合物半導体で形成される光
半導体素子、９は光半導体素子８をサブマウントに接着
するインジウム（Ｉｎ）などの低融点金属層である。
次に従来の製造方法について述べる。まず第５図の如く
、ベースｌを用意する。次にベース１のマウント部２の
第５図符号Ａで示す側面にＡｇペーストを塗布し、第４
図の如くサブマウント６を接着する。ここで、サブマウ
ント６の面にはＩｎ層の膜厚を均一にするため、予め薄
着あるいはメツキ等によって厚さ５μｍ程度のＩｎ層を
形成しておき、Ｉｎが形成されていない面をマウント部
２へ接着する面にする。次に、光半導体素子８をＩｎ層
上に置き、Ｉｎを溶融してサブマウン！・６に接着（融
着）する。その後、図示しないが光半導体素子８の電極
を外部端子４にワイヤボンドし、符号Ｂで示す斜面にモ
ニター用フ第１・ダイオードを取付け、フォトダイオー
ドの電極は端子３にワイヤボンドした後、ベースにキャ
ップ封止することによって光半導体装置が完成する。
、ベースｌを用意する。次にベース１のマウント部２の
第５図符号Ａで示す側面にＡｇペーストを塗布し、第４
図の如くサブマウント６を接着する。ここで、サブマウ
ント６の面にはＩｎ層の膜厚を均一にするため、予め薄
着あるいはメツキ等によって厚さ５μｍ程度のＩｎ層を
形成しておき、Ｉｎが形成されていない面をマウント部
２へ接着する面にする。次に、光半導体素子８をＩｎ層
上に置き、Ｉｎを溶融してサブマウン！・６に接着（融
着）する。その後、図示しないが光半導体素子８の電極
を外部端子４にワイヤボンドし、符号Ｂで示す斜面にモ
ニター用フ第１・ダイオードを取付け、フォトダイオー
ドの電極は端子３にワイヤボンドした後、ベースにキャ
ップ封止することによって光半導体装置が完成する。
他の従来例としてサブマウントを使用せずに、マウント
部２の側面へに直接ｉｎ小片を用いて光半導体素子８を
取付ける方法がある。
部２の側面へに直接ｉｎ小片を用いて光半導体素子８を
取付ける方法がある。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記光半導体装置の製造方法においては
、光半導体素子を接着するサブマウン１を必要とし、こ
のため部品点数が増え、作業工程が増加して生産性の向
上に好ましくない等の課題がある。
、光半導体素子を接着するサブマウン１を必要とし、こ
のため部品点数が増え、作業工程が増加して生産性の向
上に好ましくない等の課題がある。
又、後者の場合は、Ｉｎの厚みを薄くすることが困難で
、１ｎの盛り上りが生し、発光の妨げとなる場合がある
。
、１ｎの盛り上りが生し、発光の妨げとなる場合がある
。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記課題を解決
するために本発明では、柔軟性を有するテープ面に接着
層を形成し、該テープをベースの選択された箇所に押し
当て該接着層を核ベース上に転写させ、該ベースの接着
層上に光半導体素子を接着する光半導体装置の製造方法
にした。
するために本発明では、柔軟性を有するテープ面に接着
層を形成し、該テープをベースの選択された箇所に押し
当て該接着層を核ベース上に転写させ、該ベースの接着
層上に光半導体素子を接着する光半導体装置の製造方法
にした。
光半導体装置を上記製造方法にすることにより、部品点
数を減らし、作業工程が減少して生産性の向上が図れる
。
数を減らし、作業工程が減少して生産性の向上が図れる
。
（実施例］
次に本発明になる光半導体装置の製造方法の実施例につ
いて説明する。第１図〜第３図は本発明に係る光半導体
装置の製造方法の実施例を示す図である。図中、上述し
た第４図、第５図と対応する部分には同一符号を付し、
その詳細な説明を省略する。
いて説明する。第１図〜第３図は本発明に係る光半導体
装置の製造方法の実施例を示す図である。図中、上述し
た第４図、第５図と対応する部分には同一符号を付し、
その詳細な説明を省略する。
第３図において、１０はマウント部２の側面に形成され
た厚さ５μｍ程度のＩｎ層であり、このＩｎ層ＩＯに光
半導体素子８が接着（融着）される。ここで、Ｉｎ層１
０の厚さは、上記寸法以上にすると光半導体素子８がＩ
ｎ層１０に深く埋もれ、このため、光半導体装置８から
発生する光線がこのＩｎ層に邪魔される恐れがあるので
好しいくない。
た厚さ５μｍ程度のＩｎ層であり、このＩｎ層ＩＯに光
半導体素子８が接着（融着）される。ここで、Ｉｎ層１
０の厚さは、上記寸法以上にすると光半導体素子８がＩ
ｎ層１０に深く埋もれ、このため、光半導体装置８から
発生する光線がこのＩｎ層に邪魔される恐れがあるので
好しいくない。
次に、製造方法について述べる。まず第１図に示す如く
、マウント部２を形成したベース１を用意する。次に、
柔軟性を有する金属または樹脂のテープ１１の片面にＩ
ｎを蒸着あるいはメツキ等の適当な方法で付着させて５
μ繭程度の１０層１２を形成する。次に、第１図の如く
、テープ１１のＩｎ層が付着した面をマウン１部２の面
に向は加熱セーター１３を備えたピンで押し当てる。
、マウント部２を形成したベース１を用意する。次に、
柔軟性を有する金属または樹脂のテープ１１の片面にＩ
ｎを蒸着あるいはメツキ等の適当な方法で付着させて５
μ繭程度の１０層１２を形成する。次に、第１図の如く
、テープ１１のＩｎ層が付着した面をマウン１部２の面
に向は加熱セーター１３を備えたピンで押し当てる。
次に、加熱ヒーター１３を通電した後、ビン１４を図面
上方に上げることにより、第２図の如く１０層１２をマ
ウント部２に上に転写させ１０層１２を形成する。次に
、第３図の如く、光半導体素子８をＩｎ層１２上に置き
、Ｉｎを？８融してマウント部２に接着（融着）する。
上方に上げることにより、第２図の如く１０層１２をマ
ウント部２に上に転写させ１０層１２を形成する。次に
、第３図の如く、光半導体素子８をＩｎ層１２上に置き
、Ｉｎを？８融してマウント部２に接着（融着）する。
その後図示しないが、光半導体素子８の電極を外部端子
４に、又モニター用フォトダイオードの電極を端子３に
夫々ワイヤボンドし、ベース１にキャップで封止するこ
とによって光半導体装置が完成する。ここで、テープ１
１の如く平坦な面に１０層１２を形成しているため、均
一な膜厚のＩｎ層が容易に形成できる。又テープ１１を
順送りにすれば、マウント部２へのＩｎ層の転写工程が
自動化でき、量産性に適する。
４に、又モニター用フォトダイオードの電極を端子３に
夫々ワイヤボンドし、ベース１にキャップで封止するこ
とによって光半導体装置が完成する。ここで、テープ１
１の如く平坦な面に１０層１２を形成しているため、均
一な膜厚のＩｎ層が容易に形成できる。又テープ１１を
順送りにすれば、マウント部２へのＩｎ層の転写工程が
自動化でき、量産性に適する。
なお、上記説明中、Ｉｎ層の代わりにハンダ層、金スズ
層あるいはスズ層などの低融点で柔らかい金属を使用し
てもよい。
層あるいはスズ層などの低融点で柔らかい金属を使用し
てもよい。
上述の如く、本発明による光半導体装置の製造方法は、
柔軟性を有するテープ面に接着層を形成し、該テープを
ベースの選択された箇所に押し当て該接着層を該ベース
上に転写させ、該ベースの接着層上に光半導体素子を接
着するため、部品点数を減少し、作業工程が減少して生
産性が向上する等の効果が生じる。
柔軟性を有するテープ面に接着層を形成し、該テープを
ベースの選択された箇所に押し当て該接着層を該ベース
上に転写させ、該ベースの接着層上に光半導体素子を接
着するため、部品点数を減少し、作業工程が減少して生
産性が向上する等の効果が生じる。
第１図〜第３図は本発明に係る光半導体装置の製造方法
の実施例を示し、第１図はベースに接着層を形成する工
程を示す要部断面図、°第２図はベース上に接着層が形
成された様子を示す要部断面図、第３図はベースに光半
導体素子を接着した状態を示す要部断面図、第４図、第
５図は従来の光半導体装置を示し、第４図は要部断面図
、第５図はベースの斜視図である。 Ｉ・・ベース、２・・・ベースのマウント部、６・・・
サブマウント、８・・・光半導体素子、９．１２・・・
接着層。
の実施例を示し、第１図はベースに接着層を形成する工
程を示す要部断面図、°第２図はベース上に接着層が形
成された様子を示す要部断面図、第３図はベースに光半
導体素子を接着した状態を示す要部断面図、第４図、第
５図は従来の光半導体装置を示し、第４図は要部断面図
、第５図はベースの斜視図である。 Ｉ・・ベース、２・・・ベースのマウント部、６・・・
サブマウント、８・・・光半導体素子、９．１２・・・
接着層。
Claims (1)
- 柔軟性を有するテープ面に接着層を形成し、該テープを
ベースの選択された箇所に押し当て該接着層を該ベース
上に転写させ、該ベースの接着層上に光半導体素子を接
着したことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215759A JPH0265143A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215759A JPH0265143A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265143A true JPH0265143A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16677758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215759A Pending JPH0265143A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265143A (ja) |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215759A patent/JPH0265143A/ja active Pending
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