JPH0263531U - - Google Patents

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JPH0263531U
JPH0263531U JP14321688U JP14321688U JPH0263531U JP H0263531 U JPH0263531 U JP H0263531U JP 14321688 U JP14321688 U JP 14321688U JP 14321688 U JP14321688 U JP 14321688U JP H0263531 U JPH0263531 U JP H0263531U
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JP
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processing chamber
wafer
ultraviolet light
ozone
light
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JP14321688U
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図及び第３図はそれぞれ実施例を
示す概略断面図、第４図は従来の光アツシング装
置を示す概略断面図、第５図は従来の光アツシン
グ装置による素子の損傷を示す図である。 ２…処理室、４…ウエハ、６…紫外光源、８…
オゾン発生機、１０…排気口、１２…指向性の強
い紫外光、１４…光照射機構、１６…弱い紫外光
源、１８…弱い紫外光、２０…遮蔽板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ウエハを収容する処理室と、前記処理室に
    オゾンを供給するオゾン供給機構と、前記処理室
    のガスを排出する排気機構と、前記処理室外から
    ウエハを直接照射しない紫外光を前記処理室に導
    入する光照射機構とを備えた光アツシング装置。 (2) ウエハを収容する処理室と、前記処理室に
    オゾンを供給するオゾン供給機構と、前記処理室
    のガスを排出する排気機構と、前記処理室外から
    ウエハを直接照射しない紫外光を前記処理室に導
    入する光照射機構と、前記処理室内にあつて前記
    光照射機構の光よりも弱い光でウエハを照射する
    紫外光源とを備えた光アツシング装置。 (3) ウエハを収容する処理室と、前記処理室に
    オゾンを供給するオゾン供給機構と、前記処理室
    のガスを排出する排気機構と、前記処理室内に設
    けられた紫外光源と、この紫外光源とウエハの間
    に設けられ、照射光を全く通さないか一部を通す
    遮蔽板とを備えた光アツシング装置。
JP14321688U 1988-10-31 1988-10-31 Pending JPH0263531U (ja)

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JP14321688U JPH0263531U (ja) 1988-10-31 1988-10-31

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JP14321688U JPH0263531U (ja) 1988-10-31 1988-10-31

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JPH0263531U true JPH0263531U (ja) 1990-05-11

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JP14321688U Pending JPH0263531U (ja) 1988-10-31 1988-10-31

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JP (1) JPH0263531U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006002232A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Shimizu Densetsu Kogyo Kk 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006002232A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Shimizu Densetsu Kogyo Kk 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置

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