JPH0261538A - 微粒子測定装置 - Google Patents

微粒子測定装置

Info

Publication number
JPH0261538A
JPH0261538A JP63212147A JP21214788A JPH0261538A JP H0261538 A JPH0261538 A JP H0261538A JP 63212147 A JP63212147 A JP 63212147A JP 21214788 A JP21214788 A JP 21214788A JP H0261538 A JPH0261538 A JP H0261538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
light
square wave
inputted
value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63212147A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0718787B2 (ja
Inventor
Mutsuhisa Hiraoka
睦久 平岡
Yasushi Zaitsu
財津 靖史
Tokio Oodo
大戸 時喜雄
Hiroshi Hoshikawa
星川 寛
Fumio Toyama
外山 文生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP63212147A priority Critical patent/JPH0718787B2/ja
Publication of JPH0261538A publication Critical patent/JPH0261538A/ja
Publication of JPH0718787B2 publication Critical patent/JPH0718787B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザビームで照射された測定流体から出射
される直接散乱光または蛍光散乱光を受光し″CC測測
定流体含まれる無機性または有機性微粒子の個数1粒径
、性状等を測定する微粒子測定装置、特に、微粒子測定
の結果が正確な装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体や医薬品の製造プロセスでは環境空気の清浄度や
超純水、薬品の品質等を検査するために。
また、医学、生物学等の分野では生体組織、血液等の状
態を検査するために、塵埃等の無機性微粒子や細胞等の
有機性微粒子の個数、粒径、性状等を測定する上述の微
粒子測定装置が用いられ℃い1、この微粒子測定装置は
、従来、たとえば、第3図に示したように構成され1い
ろ。
すなわち、第3図においC,tは測定流体2が本図の紙
面に垂直に貫流するようにした透明な筒体状70−セル
、3は、レーザ光4aを出射するレーザ装置4と、レー
ザ光4aを集束して70−セルl中の所定領域1aを集
束されたレーザビーム6で照射するようCごした集束レ
ンズ5とからなる投光部で、7は70−セル1を透過し
たレーザビーム6を吸収することによつ工、この透過し
たレーザビーム6が後述する微粒子測定に影響を与えろ
ことのないようにしたビームブロックである。
8は、上述の所定領域1stこ存在する微粒子9がレー
ザビーム6で照射さハることによって、この微粒子9か
らレンズ5の光軸に対し℃垂直な方向に出射される直接
散乱光10を集光し℃光検出器11に入射させるようf
こした集光レンズ、12は検出器11の受光面ttaが
レンズ8を介し1眺める視野を限定し1迷光が受光面1
iarこ入射しないようにした絞りで、13はレンズ8
と検出器11と絞り12とからなる受光部である。この
場合、検出器11は受光面11a「こ入射した光の光量
に応じた受光信号ttbを出力するように構成され工い
る。
14(:入力される受光信号ttbを内蔵のしきい値V
sで二値化しτその結果に応じた二値化信号14gを出
力するコンパレータ、15はセット信号16aが入力さ
4ると光検出器!!から入力される受光信号ttbの値
のピーク値に応じたピークホールド信号15aを出力し
く以後、信号llbの値のピーク値に応じた信号15a
を出力する動作をピークホールド動作ということがある
。)。
リセット信号tabが入力されると出力信号15aをリ
セットさせるピークホールド回路、16tX二値化信号
14aが入力さハ、この信号14a中に方形波パルス1
7が現れると前述のセット信号16aを出力し該方形波
パルス17が消滅すると所定の時間τを経過した後前述
のリセット信号16bを出力するリセット回路で% 1
8は信号14aに含まれる方形波パルス170個数を計
数してこの計数結果に応じた信号18aを出力する計数
回路である。19はピークホールド信号tSaと二値化
信号14aとがそれぞれ第1入力端子191゜第2入力
端子192に入力さ4.信号14aに現れる前述の方形
波パルスが消滅すると信号15aの値を読み吹ってこの
読み取り結果に応じた信号f9aを出力する信号値読暖
回路、20は上述の各部からなる微粒子測定装置である
次に微粒子測定装R20の動作を第4図の要部波形図を
も参照し工説明する。すなわち、70−−+z7tz 
t ニオケル領域1 Hに微粒子9が現れ工数乱光10
が出射されると、受光信号ttbの大きさV 64?、
= ト、t[g 4 図tこ示したようにコンパレータ
14内蔵のしきい値Vsをこえ℃変化する。このため、
コンパレータ14が出方する二値化信号14aに時刻1
1でLレベルからHレベルに変化し時刻t、でHレベル
からLレベルに変化する方形波パルス17が現れるが、
この場合、リセット回路16はLレベルである前述のセ
ット信号16aとHレベルである前述のリセット信号t
abとからt、【る二値信号161な出力するように構
成さハてぃ℃。
さらに、このリセット回路【6は入力される二値化信号
t4aに応じ℃上述のような信号出方動作をするように
構成され1いるので、信号14aにパルス17が現れる
とリセット回路出方信号1610レベルが第4図図示の
ように変化する。したがって、ピークホールド信号15
aの値Uが時刻t1以後信号flbの値Vに比例して増
大して、信号値Vbiピーク値Vpr、:達する時刻1
.以後このピーク値Vpに比例したUpに保持されるこ
とになり。
信号値U+z時刻t、から時間τを経過した時刻t。
にOになる。
微粒子測定装置20fこおい1:は各部が上述のようr
こ構成され工いC1かつ受光信号ttbのピーク値Vp
が微粒子90粒径に対応しているので。
計数回路1Bの出力信号18arごよって微粒子90個
数を測定することができ、信号値読吹回路19の出力信
号19 a t:よっ℃微粒子9の粒径を測定すること
ができることが明らかである。
〔発明が解決しようとする課題〕
微粒子測定装置20は上述のように構成さ名ているが、
レーザ装置4が牛導体レーザであると。
一般C−7レーザビーム6の横断面内における光の強度
分布は第5図に示したようtこなり工いろ。すなワチ、
第5図(A) )2レーザビーム6のレンズ8の線Pt
こ沿りたレーザビーム6の強度分布図、第5図における
X、X、〜X、は直線P上の位置で、こ名らの図かられ
かるように、横断面がほば楕円状に形成されたレーザビ
ーム6の該横断面における光の強度分布は該ビームの中
央部において光強度のピーク値を示すガウス分布状をな
し1いるが、ビーム6の同辺部におい1:は干渉縞21
に応じて光の強弱が交互にくり返す、ビーム6の中央部
における光強度のピーク値よりもはるかに小さいピーク
値が複数個出現する分布となつτいる。また。
レーザ装置4がHe −N eレーザやArイオンレー
ザであると、これらのレーザ装置では通常レーザ装置4
が出射するレーザ光4aに上記のような干渉縞が発生し
℃いろことは少ないが、それでも出射角が主ビームのそ
れと異なる副次ビームを遮断するなどの目的で、レーザ
ビーム6に図示し1いないスリットを通過させるように
する場合、前記主ビーム回折縞が発生するので、このよ
うな場合。
矢張り、レーザビーム6の横断面内の光強度分布は第5
図(B)に示したようになる。
したがつ1.第5図(A)と同じ光強度分布な有するレ
ーザビーム6の横断面内を、第6図(A)に示したよう
に一個の微粒子9が直fIAPに沿っctA示の矢印方
向に横切ると、第3図に示した光検出器」lが出力する
受光信号ttbの波形は第6図(B)に示したようにな
ることが明らかで、この場合、信号11bにおける雑音
を除去するために設けられているコンパレータ14内蔵
のしきい値v3が、第6図(B)に示したように設定さ
れ工いると、−個の微粒子9「ご対し℃コンパレータ1
4が出力する二値化信号14a中に複数個の方形波パル
ス17が現れることになる。
つまり、微粒子測定装置20におい′Cは、二値化信号
14aに現れる方形波パルス17の個数を計数すること
によつて微粒子9の個数を測定するようにしtいて、微
粒子9が小さいためf:、受光信号ttbの波高が低い
時には、該信号11bにおけろ第6図(B)に示した副
パルスt tbzの波高がしきい値VSよりも低くなつ
1.このパルス11b2にもとづ(方形波パルス17が
発生することはないが、微粒子9が大きいために信号1
1bの波高が高い時には、前記副パルスttbzの波高
がしきい値v3よりも高くなり′C%二値化信号14a
には第6図(B) rこ示した信号t、xbにおける主
パルス11blにもとツく方形波パルス17のほかに副
パルスttbzにもとづく方形波パルス17が現f1″
C1この結果−個の微粒子9に対して複数個の方形波パ
ルス17が計数回路18で計数されることになる。故に
、微粒子測定装置20には測定結果が不正確であるとい
う問題点がある。
本発明の目的は、レーザビーム6における干渉縞や回折
縞のために受光信号ttbに現れる副パルスttbzに
起因する方形波パルス17を計1f[Lないようにして
、正確な微粒子測定結果が得られるようにすることにあ
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため1本発明によれば、微粒子な含
む測定流体にレーザビームを照射する投光部と、前記レ
ーザビームの照射によつ又前記微粒子から出射される散
乱光を受光L℃この受光結果に応じた受光信号を出力す
る受光部と、前記受光信号を二値化し工その結果に応じ
た二値化信号を出力てろコンパレータと、前記二値化信
号に含まれろ方形波パルスが入力されると所定時間継続
する第1信号を出力する第1信号処理手段と、入力され
る前記受光信号の最大ピーク値に応じた第2信号を出力
する第2信号処理手段とを備え、前記第1信号にもとづ
き前記微粒子の個数を測定すると共に、前記第2信号「
こもとづき前記微粒子の粒径を測定するように微粒子測
定装置を構成するものとする。
〔作用〕
上記のように構成すると、レーザビームにおける干渉縞
や回折縞によつてコンパレータが出カスる二値化信号中
に短い時間間隔で複数個の方形パルスが現れ工も、第1
信号が継続する所定時間を適宜設定することによつ1第
1信号処理手段からは一個の微粒子に対しニー個の第1
信号が出力されるようにすることができ、また、第2信
号処理手段が出力する第2信号の値を上記第1信号にも
とづい工読み堆ることにより−この読み暖り値ヲ上記微
粒子の粒径に応じた値とすることができるので、正確な
測定を行うことができろ微粒子測定装置が得られろこと
になる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例の構成図で1本図の第3図と
異なる所は、方形波パルス17が入力されると所定時間
Tの間Hレベルを継続し、第1方形波パルス17が入力
さ4た後時間Tを経過しない時刻fこ第2方形波パルス
17が入力されるとこの第2方形波パルス17が入力さ
れた時刻から更め1時間Tを経過する間Hレベルを継続
する二値信号22aを出力するワンショット回路22が
第3図に示した各部に追加さt1″Cいることで、この
場合1図から明らかなように、信号22aがリセット回
路16と計数回路18と信号値読取回路19とに入力さ
れ℃いる。23は第1図に図示した各部からなる微粒子
測定装置である。
次に、微粒子測定装置23の動作を第2図の要部波形図
をも参照し一説明する。すなわち、受光信号11t)l
こ発生した前述の副パルス1【b2のうちの最初の副パ
ルスttb2tが時刻1tにおい℃コンパレータ14に
おけるしきい値Vsを上まわると、コンパレータ14が
出力する二値化信号14aがHレベルになつ℃このため
ワンショット回路22から時間Tの間Hレベルを継続す
る二値2信号22aが出力され、この結果、リセット回
路16が出力する二値信号161がHレベルからLレベ
ルに変化し℃ピークホールド回路L5にピークホールド
動作をさせるセット信号16aになる。したがって、受
光信号ttbにおける副パルスttbztがピーク値V
pxを呈した後1時刻t1から時間Tを経過しない時刻
t、におい℃副パルスttbztの値がしきい値V8を
下まわった時、ピークホールド信号15aの値Uはピー
ク値Vplに対応したUplになつ工いろが1時刻t、
では二値信号22aのレベルがHレベルノママで、信号
22aがHレベルからLレベルに変化しない限り信号値
読取回路19は信号15aに対する信号値読み取り動作
をしないように構成され工いるので信号値読取回路19
の出力信号191には変化が現ガない。また、計数回路
18は信号22aがHレベルになる都度計数動作をする
ように構成され1いるので1時刻t。
では出力信号tSaが数値!に応じた信号C,:なるが
1時刻t!では信号22aがHレベルを継続し−いるの
で信号18aにも変化が現れない。
次に、受光信号ttbに1時刻t、から時間Tを経過し
ない時刻t3で、信号値Vがしきい値Vsを上まわる第
2の副パルス11b22が現れると二値化信号14aが
再びHレベルになるので、この時読にHレベルにあろ二
値信号22aは時刻t1から更め℃時間Tの間Hレベル
を継続する信号とナリ、シたがっ11時刻t、では信号
22aのレベルに変化がないから計数回路の出方信号1
8aにも変化が現れない。また1時刻t、から時間Tを
経過しない時刻t4で副パルス目b22の信号値VがV
Sを下まわった時、ピークホールド信号15aの値Uは
副パルス11b22のピーク値Vpg tこ応じた値U
pzになつ℃いるが信号22aのレベルに変化がないの
で、信号値読取回路の出力信号19aJこも変化が現れ
ない。
そうL℃、微粒子測定装置23においCは1時刻t、以
後、前記と同様に、受光信号ttb中に先を二発生した
先発副パルスlIb2または主パルス11b16;Vs
を上まわる時刻tから時間Tを経過しない間に、当該先
発副パルス11b2または主パルスttbiがVsを下
まわり、さらに、上記時刻tから時間Trt経過しない
間に前記の先発副パルス11b2または主パルス11b
1に続いて受光信号ttb中に発生する後発副パルス1
1b2または主パルスttbtがVsを上まわるように
時間Tが設定さ4″Cいるので、第2図におい″c1信
号11b仁副パルス11b24が発生しtこのパルスが
時刻t。
でVsを上まわった時、出力信号18as19ar、’
:は何等の変化もないが、第2図の場合1時刻t、から
時間1゛を経過した時刻t6までの間に後続L−cVs
を上まわるパルスttbt、ttb20発生がないので
1時刻t、で信号22aがLレベルになる。 しかるに
1時刻t6では図から明らかなようC,:ピークホール
ド信号15aの値Uは主パルスttbtのピーク値”1
p3tご対応したUp3t:なり工いろ。したがつ″C
,時刻時刻で信号値読取回路19が信号15aに対する
信号値読み取り動作を行り℃出力信号19aが信号値[
Jpsに応じた信号になり、この時。
既に計数回路の出力信号teaは1に対応した信号にな
つ1い℃、この信号値は信号22aがHレベルからLレ
ベルに変化しても変化しないように計数回路18が構成
され工いるので、したかつ工。
時刻t、におい℃、信号19aと188とによつ1主パ
ルスttbtを発生させた微粒子9の粒径と個数とを測
定することができることになる。
なお、第2図tこおい−Cは1時刻t6から時間τを経
過した時刻t、でリセット回路の出力信号161がピー
クホールド回路15にリセット動作をさせるリセット信
号16bであるHレベル信号になるように、当該リセッ
ト回路16が構成され工いる。
したかつ工1時刻t、でピークホールド信号15Mがリ
セット状態になる。
第1図においてを1.各部の構成並びに動作が上述の通
りであるので、ワンショット回路22を。
二値化信号14aに含まれる方形波パルス17が入力さ
れると所定時間Tの間継続する第1信号とL℃の二値信
号22aにおけるHレベル信号を出力する第1信号処理
手段であるということができ。
また、ピークホールド回路15?I/、入力される受光
信号ttbの最大ピーク値に応じた第2信号とL℃のピ
ークホールド信号15ai出方する第2信号処理手段で
あるということかできτ、さらに。
測定装置23を、前記第1信号とし工の信号22atこ
おけるHレベル信号にもとづき微粒子9の個数を測定す
ると共に、前記第2信号とし工のピークホールド信号1
5aにもとづき微粒子9の粒径を測定する微粒子測定装
置であるということができる。
微粒子測定装置23は上述のように構成され工いるので
、レーザビーム6における干渉縞や回折縞によつ一コン
パレータ14が出方する二値化信号14a中に時間Tを
こえない短い時間間隔で複数個の方形波パルス17か現
れ工も、ワンショット回路22からは一個の微粒子9に
対し℃−回だけ二値信号22aにおけるHレベル信号が
gt信号とし工出力され、かつ、この第1信号が消滅し
t信号22aがLレベルとなることにより℃読取回路1
9に読み取られろピークホールド信号15aの値は、前
記第1信号が継続し℃いろ間に受光信号ttbに発生し
た主パルスttbtのピーク値Vp3に応じた値Up3
であつC,このUp3が主パルスttbiを発生させた
微粒子9の粒径に・対応し1いることは明らかであるか
ら、このような微粒子測定装置23によれば、計数回路
I8及び信号値読取回路19が一個の副パルスttb2
を一個en微粒子と誤昭し℃動作することがたくなり工
、このため、微粒子9に対する個数並びに粒径の測定を
正確に行うことができることになる。
上述の実施例は、微粒子9を含む測定流体2が70−セ
ルl中を貫流し、かつ受光部13が集束レンズ5の光軸
信対し”[90’側方に散乱する直接散乱光10を受光
する方式の微粒子測定装置であったが1本発明においτ
は、測定流体2が鞘状に形成された清浄気流中を貫流す
るように構成されτい℃もよく、また、受光部13がレ
ンズ5の光軸に対し1:90°以外の角度で散乱する直
接散乱光を受光するように構成され工い−もよいことは
上述した所から明らかである。そうして、また1本発明
は、光検出器11の前[1ilit二光学フイルタや分
光器を配置することによつ1散乱光lo゛中の蛍光成分
を該検出器!!で検出し″C微粒子9の性状を調査する
ようにした微粒子測定装置「こも適用できろものである
〔発明の効果〕
上述したように1本発明rこおいては、微粒子を含む測
定流体にレーザビームを照射する投光部と。
このレーザビームの照射によっ1微粒子から出射される
散乱光を受光してこの受光結果に応じた受光信号を出力
する受光部と、この受光信号な二値化し工その結果に応
じた二゛値化信号を出力するコンパレータと、二値化信
号に含まれる方形波パルスが入力されると所定時間継続
する第1信号を出力する第1信号処理手段と、入力さ4
る受光信号の清大ピーク値に応じた第2信号を出力する
第2信号処理手段とを備え、第1信号にもとづき微粒子
の個数を測定すると共に、第2信号にもとづき微粒子の
粒径を測定するように微粒子測定装置を構成した。
このため、上記のように構成すると、レーザビームにお
けろ干渉縞や回折縞によつてコンパレータが出力する二
値化信号中に短い時間間隔で複数個の方形パルスが現t
1″Cも、第1信号が継続する所定時間を適宜設定する
ことによつて第1信号処理手段からは一個の微粒子に対
し℃−個の第1信号が出力されるようにすることができ
、また、第2信号処理手段が出力する第2信号の値を上
記第1信号にもとづい℃読み取ることによってこの読み
をり値を上記微粒子の粒径に応じた値とすることができ
るので1本発明には正確な測定を行うことができる微粒
子測定装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図を工水発明の一実施例の構成図、第2図は第1図
における要部の波形説明図、第3図は従来の微粒子測定
装置の構成図、第4図は第3図における要部の波形説明
図、第5図(A)は第3図におけろレーザビームの模式
的横断面図、第5図(B)は第5図(A)における要部
の光強度分布図、第6図(A) tX第5図(A)に対
応したレーザビームの模式的横断面図、第6図(B)は
第3図における要部の第4図とは異なる波形説明図であ
る。 2・・・・・・測定流体、3・・・・・・投光部、6・
・・・・・ レーザビーム、9・・・・・・微粒子、1
0・・・・・・直接散乱光、11b・・・受光信号、1
3・・・・・・受光部、14・・・・・・コンパレータ
。 t4a・・・・・・二値化信号、  15・・・・・・
ピークホールド回路。 tSa・・・・・・ピークホールド信号、17・・・・
・・方形波パルス、20.23・・・・・・微粒子測定
装置、22・・・・・・ワンショット回路、22a・・
・・・・二値信号。 / lbt 男 2  図 箋 囚 箋 図 算 閉 属 乙 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)微粒子を含む測定流体にレーザビームを照射する投
    光部と、前記レーザビームの照射によつて前記微粒子か
    ら出射される散乱光を受光してこの受光結果に応じた受
    光信号を出力する受光部と、前記受光信号を二値化して
    その結果に応じた二値化信号を出力するコンパレータと
    、前記二値化信号に含まれる方形波パルスが入力される
    と所定時間継続する第1信号を出力する第1信号処理手
    段と、入力される前記受光信号の最大ピーク値に応じた
    第2信号を出力する第2信号処理手段とを備え、前記第
    1信号にもとづき前記微粒子の個数を測定すると共に、
    前記第2信号にもとづき前記微粒子の粒径を測定するこ
    とを特徴とする微粒子測定装置。
JP63212147A 1988-08-26 1988-08-26 微粒子測定装置 Expired - Lifetime JPH0718787B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63212147A JPH0718787B2 (ja) 1988-08-26 1988-08-26 微粒子測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63212147A JPH0718787B2 (ja) 1988-08-26 1988-08-26 微粒子測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0261538A true JPH0261538A (ja) 1990-03-01
JPH0718787B2 JPH0718787B2 (ja) 1995-03-06

Family

ID=16617668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63212147A Expired - Lifetime JPH0718787B2 (ja) 1988-08-26 1988-08-26 微粒子測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0718787B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07306133A (ja) * 1994-03-14 1995-11-21 Hitachi Electron Eng Co Ltd 微粒子検出器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61178643A (ja) * 1985-02-05 1986-08-11 Toa Medical Electronics Co Ltd 粒子分析装置
JPS62123334A (ja) * 1985-11-22 1987-06-04 Toshiba Corp 粒径測定装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61178643A (ja) * 1985-02-05 1986-08-11 Toa Medical Electronics Co Ltd 粒子分析装置
JPS62123334A (ja) * 1985-11-22 1987-06-04 Toshiba Corp 粒径測定装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07306133A (ja) * 1994-03-14 1995-11-21 Hitachi Electron Eng Co Ltd 微粒子検出器

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0718787B2 (ja) 1995-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2641927B2 (ja) 微粒子測定装置
US4957363A (en) Apparatus for measuring characteristics of particles in fluid by detecting light scattered at the particles
US11181455B2 (en) Calibration verification for optical particle analyzers
US4764013A (en) Interferometric apparatus and method for detection and characterization of particles using light scattered therefrom
KR101857950B1 (ko) 고정확 실시간 미세 입자 크기 및 개수 측정 장치
JPS6311838A (ja) 粒子寸法検出装置
CN108956402B (zh) 一种具有复合多光敏区结构的高灵敏度粉尘浓度检测方法
JPH04157339A (ja) 粒径・速度測定装置
US6522405B2 (en) Method and apparatus for monitoring sub-micron particles
JPS63143830A (ja) ヘイズ欠陥検出方法
US6844537B2 (en) Method and device for measuring the velocity of a moving surface
US4696571A (en) Suspended sediment sensor
JP3151036B2 (ja) サブミクロン粒子の検出方法および装置
JPH0261538A (ja) 微粒子測定装置
CN110857909B (zh) 测量微粒粒径的系统
JPH0792076A (ja) 粒子解析装置
US3536898A (en) Detection device
JP3265080B2 (ja) パルス信号測定方法
JP2001091451A (ja) 結晶欠陥解析装置
JPH02128142A (ja) 光学的微粒子測定装置
JPH0226054Y2 (ja)
JPH02245638A (ja) 検体検査装置
JPH06180280A (ja) 粒子計数方法
JPH01314953A (ja) 光学的表面検査装置
JPH02193042A (ja) 粒子寸法検出装置に使用するための粒子検出装置