JPH0261061A - スパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットの製造方法Info
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- JPH0261061A JPH0261061A JP21119588A JP21119588A JPH0261061A JP H0261061 A JPH0261061 A JP H0261061A JP 21119588 A JP21119588 A JP 21119588A JP 21119588 A JP21119588 A JP 21119588A JP H0261061 A JPH0261061 A JP H0261061A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの製造方法に関する。
トの製造方法に関する。
〔従来の技術］
希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは大きく別けて、希土類遷移金属合金相
のみが存在する単相タイプと、希土類金属相と遷移金属
相と希土類遷移金属合金相の３相タイプとが良く知られ
ている。３相タイプは、さらに２つの製造方法があり、
特開昭６１−９９６４０に示す焼結タイプと、特願昭６
２−３１５６１３、特願昭６２−３１５６１４に示す含
浸タイプがある。
グ用ターゲットは大きく別けて、希土類遷移金属合金相
のみが存在する単相タイプと、希土類金属相と遷移金属
相と希土類遷移金属合金相の３相タイプとが良く知られ
ている。３相タイプは、さらに２つの製造方法があり、
特開昭６１−９９６４０に示す焼結タイプと、特願昭６
２−３１５６１３、特願昭６２−３１５６１４に示す含
浸タイプがある。
この含浸タイプの場合、遷移金属粉末上に希土類遷移金
属鋳塊を置き、鋳塊を溶融させ粉末内に浸み込ませて作
成する方法のため、粉末のコントロールが重要となって
くる。
属鋳塊を置き、鋳塊を溶融させ粉末内に浸み込ませて作
成する方法のため、粉末のコントロールが重要となって
くる。
つまり、粉末の空孔内に溶融した鋳塊が浸み込みターゲ
ットが作られるのであるから、ターゲット組成は、粉末
の空孔率で決定されることになる。そのため、従来は種
々の空孔率を持つ粉末を用意し、種々のターゲット組成
を作成していた。
ットが作られるのであるから、ターゲット組成は、粉末
の空孔率で決定されることになる。そのため、従来は種
々の空孔率を持つ粉末を用意し、種々のターゲット組成
を作成していた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし前述の従来技術では、種々の空孔率の遷移金属粉
末を用意しなければならず、コストアップになっていた
。
末を用意しなければならず、コストアップになっていた
。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、１種類の空孔率の遷移金属粉末
のみを用い、種々の組成のターゲットを提供するところ
にある。
の目的とするところは、１種類の空孔率の遷移金属粉末
のみを用い、種々の組成のターゲットを提供するところ
にある。
１課題を解決するための手段］
（１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造するためのターゲットにおいて、型
内に遷移金属粉末と希土類金属粉末とを混合した混合粉
と、希土類遷移金属台金鋳塊を入れ、遷移金属の融点あ
るいは希土類金属の融点と鋳塊の融点との間の温度で、
型内を加熱することを特徴とする。
ッタリングにて製造するためのターゲットにおいて、型
内に遷移金属粉末と希土類金属粉末とを混合した混合粉
と、希土類遷移金属台金鋳塊を入れ、遷移金属の融点あ
るいは希土類金属の融点と鋳塊の融点との間の温度で、
型内を加熱することを特徴とする。
（２）スパッタリング用ターゲットの主たる組成が、Ｓ
ｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希
土類金属と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも１種
以上の重希土類金属とを含み、さらにＦｅ、Ｃｏのうち
少なくとも１種以上の遷移金属を含むことを特徴とする
。
ｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希
土類金属と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも１種
以上の重希土類金属とを含み、さらにＦｅ、Ｃｏのうち
少なくとも１種以上の遷移金属を含むことを特徴とする
。
（３）スパッタリング用ターゲットの主たる組成が、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄ、ｙのうちの少なくとも１種以上の重希土
類金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移
金属を含むことを特徴とする。
ｄ、Ｔｂ、Ｄ、ｙのうちの少なくとも１種以上の重希土
類金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移
金属を含むことを特徴とする。
【作 用１
本発明の上記の構成によれば、遷移金属粉末の空孔率の
不足分を希土類金属粉末を混合させることにより、所望
の種々の組成のターゲットを供給するものである。
不足分を希土類金属粉末を混合させることにより、所望
の種々の組成のターゲットを供給するものである。
ｒ実施例１］
ＴｂＦｅＣｏ系について本発明効果を確認した。まずＦ
ｅ ＊ｏＣＯ＋ｏａ ｔ％の２００ｕｍ粒径の粉末を
用意し、次にＴｂの２００μｍ粒径の粉末を用意した。
ｅ ＊ｏＣＯ＋ｏａ ｔ％の２００ｕｍ粒径の粉末を
用意し、次にＴｂの２００μｍ粒径の粉末を用意した。
両粉末とも空孔率は４３％程度である。さらにＴ ｂｙ
２（Ｆ ｅｏ、＋＋ ＣＯｏ、＋ ） ２８ ａ ｔ％
の母合金鋳塊を用意した。この母合金融点は８４７°Ｃ
であり、ＦｅＣｏ粉融点は１５００℃程度、Ｔｂ扮融点
は１４５０℃程度である。
２（Ｆ ｅｏ、＋＋ ＣＯｏ、＋ ） ２８ ａ ｔ％
の母合金鋳塊を用意した。この母合金融点は８４７°Ｃ
であり、ＦｅＣｏ粉融点は１５００℃程度、Ｔｂ扮融点
は１４５０℃程度である。
これら原料を用い、ＦｅＣｏ扮中に種々の割合でＴｂ粉
を混合し、その混合粉末を４″φ内径のアルミナででき
た型に敷き、その上に母合金鋳塊を置き、真空中で１０
００°Ｃに加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中
に出来上がった成形体を取り出し外周加工、研磨し４″
φＸ３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。出
来上がったターゲット組成及び用いた混合粉割合を次表
に示す。
を混合し、その混合粉末を４″φ内径のアルミナででき
た型に敷き、その上に母合金鋳塊を置き、真空中で１０
００°Ｃに加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中
に出来上がった成形体を取り出し外周加工、研磨し４″
φＸ３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。出
来上がったターゲット組成及び用いた混合粉割合を次表
に示す。
表 １
これらＴｂ扮混合割合を変えたターゲットを第３図に示
すスパッタ装置に装着し、基板ホルダー内組成分布を見
た。第３図の３１がスパッタリングターゲットで３２が
３００φの基板ホルダーであり、公転する。第２図がホ
ルダー内組成分布図である。２１がＴｂ扮混合率０％の
ターゲット、２２がＴｂ粉混合率５％のターゲット、２
３がＴｂ粉混合率１０％のターゲット、２４がＴｂ扮混
合率１８％のターゲットである。
すスパッタ装置に装着し、基板ホルダー内組成分布を見
た。第３図の３１がスパッタリングターゲットで３２が
３００φの基板ホルダーであり、公転する。第２図がホ
ルダー内組成分布図である。２１がＴｂ扮混合率０％の
ターゲット、２２がＴｂ粉混合率５％のターゲット、２
３がＴｂ粉混合率１０％のターゲット、２４がＴｂ扮混
合率１８％のターゲットである。
いづれのターゲットにおいても、本発明製造法によるタ
ーゲットで成膜した組成分布は極めて小さく、良好な均
一性を示している０本発明ターゲットの金属組織模式図
を第１図に示す、１がＦ ｅ ｏｏｃ Ｏ＋ａａ ｔ％
扮粉末２がＴｂ相、３がＴｂＦｅＣｏ相、４がＴｂ粉末
である。
ーゲットで成膜した組成分布は極めて小さく、良好な均
一性を示している０本発明ターゲットの金属組織模式図
を第１図に示す、１がＦ ｅ ｏｏｃ Ｏ＋ａａ ｔ％
扮粉末２がＴｂ相、３がＴｂＦｅＣｏ相、４がＴｂ粉末
である。
本実施例はＴｂＦｅＣｏに限るものでなく。
ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、等のＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち
の少なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏの
うちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全ての組
成系についても有効であることを確認した。又、希土類
粉末を混合する割合も実施例に限定されないのは言うま
でもない。
Ｆｅ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、等のＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち
の少なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏの
うちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全ての組
成系についても有効であることを確認した。又、希土類
粉末を混合する割合も実施例に限定されないのは言うま
でもない。
［実 施 例 ２］
次にＮｄＤｙＦｅＣｏ系について本発明効果を確認した
。原料としてＦ ｅ ｓａｃ Ｏ２゜ａｔ％の２００ｕ
ｍ平均粒径の粉末を用意し、 Ｎ ｄ ２０Ｄ ｙａｏ
ａ ｔ％の２００μｍ平均粒径の粉末を用意した。粉末
の空孔率は両方とも４３％程度である。さらに（Ｎｄｏ
、ｘ Ｄｙｏ、ａ ） 、ｚ、＊ （Ｆｅｏ、ｓＣ００
，２） ２ｔ、ａａｔ％の母合金鋳塊を作る。この鋳塊
の融点は８３０℃程度と低い、又、Ｆｅａ。
。原料としてＦ ｅ ｓａｃ Ｏ２゜ａｔ％の２００ｕ
ｍ平均粒径の粉末を用意し、 Ｎ ｄ ２０Ｄ ｙａｏ
ａ ｔ％の２００μｍ平均粒径の粉末を用意した。粉末
の空孔率は両方とも４３％程度である。さらに（Ｎｄｏ
、ｘ Ｄｙｏ、ａ ） 、ｚ、＊ （Ｆｅｏ、ｓＣ００
，２） ２ｔ、ａａｔ％の母合金鋳塊を作る。この鋳塊
の融点は８３０℃程度と低い、又、Ｆｅａ。
Ｃｏ２ｏａｔ％粉の融点は１５００℃程度であり、Ｎ
ｄ ｘｏＤ ｙａｏａ ｔ％扮の融点は１４００℃程度
である。
ｄ ｘｏＤ ｙａｏａ ｔ％扮の融点は１４００℃程度
である。
これら原料を用い、ＦｅＣｏ粉中に種々の割合でＮｄＤ
ｙ扮を混合し、その混合粉末を４″φ内径のアルミナ製
型に敷き、その上に母合金鋳塊を置き、真空中で１００
０℃に加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出
来上がった成形体を取り出し外周加工、研磨し４″φＸ
３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。出来上
がったターゲット組成及び用いた混合粉割合を次表に示
す。
ｙ扮を混合し、その混合粉末を４″φ内径のアルミナ製
型に敷き、その上に母合金鋳塊を置き、真空中で１００
０℃に加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出
来上がった成形体を取り出し外周加工、研磨し４″φＸ
３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。出来上
がったターゲット組成及び用いた混合粉割合を次表に示
す。
表 ２
これらＮｄＤ、ｙ粉混合割合を変えたターゲットを第３
図に示すスパッタ装置に装着し、基板ホルダー内組成分
布を見た。第４図がホルダー内組成分布図である。４１
がＮｄＤｙ扮混合率１０％のターゲット、４２がＮｄＤ
、ｙ粉混合率１８％のターゲット、４３がＮｄＤｙ粉混
合率２３％のタゲット、４４がＮｄＤｙ扮混合率２８％
のターゲットである。いづれのターゲットにおいても、
本発明製造法によるターゲットで成膜した組成分布は極
めて小さく、良好な均一性を示している０本発明ターゲ
ットの金属組織も第１図と同様であった。
図に示すスパッタ装置に装着し、基板ホルダー内組成分
布を見た。第４図がホルダー内組成分布図である。４１
がＮｄＤｙ扮混合率１０％のターゲット、４２がＮｄＤ
、ｙ粉混合率１８％のターゲット、４３がＮｄＤｙ粉混
合率２３％のタゲット、４４がＮｄＤｙ扮混合率２８％
のターゲットである。いづれのターゲットにおいても、
本発明製造法によるターゲットで成膜した組成分布は極
めて小さく、良好な均一性を示している０本発明ターゲ
ットの金属組織も第１図と同様であった。
本実施は、ＮｄＤｙＦｅＣｏに限るものでなく、ＮｄＴ
ｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＴｂＦｅＣｏ
、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＧｄＦｅ等のＳｍ、
Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希土類
金属と、Ｇｄ。
ｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＴｂＦｅＣｏ
、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＧｄＦｅ等のＳｍ、
Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希土類
金属と、Ｇｄ。
Ｔｂ、Ｄｙのうち少なくとも１種以上の重希土類金属と
、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移金属とを
含む全ての組成系について本発明効果があることを確認
している。
、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移金属とを
含む全ての組成系について本発明効果があることを確認
している。
又、希土類粉末の混合割合も本実施例に限定されないの
は言うまでもない。
は言うまでもない。
さらに両実施とも、主たる希土類遷移金属組成にＴｉ、
Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｉｎ、等の添加元素が
加わっても何ら本発明をそこなうものではない。
Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｉｎ、等の添加元素が
加わっても何ら本発明をそこなうものではない。
以上述べたように、本発明によれば、遷移金属粉末に希
土類粉末を混合させることにより、遷移金属粉末の空孔
率を制御する必要がな（なり、希望組成のターゲットが
作れるものである。
土類粉末を混合させることにより、遷移金属粉末の空孔
率を制御する必要がな（なり、希望組成のターゲットが
作れるものである。
第１図は、本発明ターゲットの金属組織模式第２図は、
ＴｂＦｅＣｏ本発明ターゲットの基板ホルダー内組成分
布図。 第３図は、スパッタ装置図。 第４図は、ＮｄＤｙＦｅＣｏ本発明ターゲットの基板ホ
ルダー内組成分布図。 Ｆ ｅ ９ａｃ Ｏ＋ｏａ ｔ％扮粉 末ｂ相 ＴｂＦｅＣｏ相 Ｔｂ扮粉 末ｂ扮混合率Ｏ％のターゲット Ｔｂ粉混合率５％のターゲット Ｔｂ扮混合率ｌＯ％のターゲラ ト ２４・・・Ｔｂ粉混合率１８％のターゲット３１・・・
スパッタリングターゲット ３２・・・３００φの基板ホルダー ４１・・・ＮｄＤｙ粉混合率１０％のターゲット ４２・・・ＮｄＤｙ粉混合率１８％のターゲット ４３・・・ＮｄＤｙ扮混合率２３％のターゲット ４４・・・ＮｄＤｙ粉混合率２８％のターゲット 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
ＴｂＦｅＣｏ本発明ターゲットの基板ホルダー内組成分
布図。 第３図は、スパッタ装置図。 第４図は、ＮｄＤｙＦｅＣｏ本発明ターゲットの基板ホ
ルダー内組成分布図。 Ｆ ｅ ９ａｃ Ｏ＋ｏａ ｔ％扮粉 末ｂ相 ＴｂＦｅＣｏ相 Ｔｂ扮粉 末ｂ扮混合率Ｏ％のターゲット Ｔｂ粉混合率５％のターゲット Ｔｂ扮混合率ｌＯ％のターゲラ ト ２４・・・Ｔｂ粉混合率１８％のターゲット３１・・・
スパッタリングターゲット ３２・・・３００φの基板ホルダー ４１・・・ＮｄＤｙ粉混合率１０％のターゲット ４２・・・ＮｄＤｙ粉混合率１８％のターゲット ４３・・・ＮｄＤｙ扮混合率２３％のターゲット ４４・・・ＮｄＤｙ粉混合率２８％のターゲット 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造するためのターゲットにおいて、型
内に遷移金属粉末と希土類金属粉末とを混合した混合粉
と、希土類遷移金属合金鋳塊を入れ、前記遷移金属の融
点あるいは前記希土類金属の融点と前記鋳塊の融点との
間の温度で、前記型内を加熱することを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲットの製造方法。 - （２）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の
軽希土類金属と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも
１種以上の重希土類金属とを含み、さらにＦｅ、Ｃｏの
うち少なくとも１種以上の遷移金属を含むことを特徴と
する第１項記載のスパッタリング用ターゲットの製造方
法。 - （３）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の重希
土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷
移金属を含むことを特徴とする第１項記載のスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21119588A JPH0261061A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21119588A JPH0261061A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261061A true JPH0261061A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16601952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21119588A Pending JPH0261061A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0261061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106011758A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 浙江舒玛新材料有限公司 | 一种光通信和磁储存镀膜用稀土-过渡金属旋转靶材及其制备方法 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21119588A patent/JPH0261061A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106011758A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 浙江舒玛新材料有限公司 | 一种光通信和磁储存镀膜用稀土-过渡金属旋转靶材及其制备方法 |
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