JPH0260131B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0260131B2 JPH0260131B2 JP2666884A JP2666884A JPH0260131B2 JP H0260131 B2 JPH0260131 B2 JP H0260131B2 JP 2666884 A JP2666884 A JP 2666884A JP 2666884 A JP2666884 A JP 2666884A JP H0260131 B2 JPH0260131 B2 JP H0260131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- resistor
- current
- darlington
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はフオトダーリントントランジスタを用
いた小形光電検出装置に関する。
いた小形光電検出装置に関する。
（従来技術）
従来、１個のフオトトランジスタと１個のトラ
ンジスタをダーリントン接続してなるフオトダー
リントントランジスタを用いた光電検出装置にお
いては、フオトダーリントントランジスタがトラ
ンジスタ及びフオトトランジスタの双方のベー
ス・エミツタ間の電圧の影響を受けるために飽和
電圧が大（約１〜1.2ボルト）となつてTTL等の
ようにＯボルトレベルが低い（約0.6〜0.8ボル
ト）ロジツクICの入力として直結することは不
可能であり、又、トランジスタのベース・エミツ
タ間の電荷が放電されにくいために動作速度が遅
いという問題があつた。
ンジスタをダーリントン接続してなるフオトダー
リントントランジスタを用いた光電検出装置にお
いては、フオトダーリントントランジスタがトラ
ンジスタ及びフオトトランジスタの双方のベー
ス・エミツタ間の電圧の影響を受けるために飽和
電圧が大（約１〜1.2ボルト）となつてTTL等の
ようにＯボルトレベルが低い（約0.6〜0.8ボル
ト）ロジツクICの入力として直結することは不
可能であり、又、トランジスタのベース・エミツ
タ間の電荷が放電されにくいために動作速度が遅
いという問題があつた。
（発明の目的）
従つて、本発明の第１の目的は、飽和電圧を小
にできるとともに動作速度を速くすることができ
るフオトダーリントントランジスタを用いた小形
光電検出装置を提供するにある。
にできるとともに動作速度を速くすることができ
るフオトダーリントントランジスタを用いた小形
光電検出装置を提供するにある。
本発明の第２の目的は、更にフオトダーリント
ントランジスタの出力にヒステリシス特性をもた
せることができて、そのフオトダーリントントラ
ンジスタの後段にヒンテリシス特性をもつ外部回
路を用いる必要がない小形光電検出装置を提供す
るにある。
ントランジスタの出力にヒステリシス特性をもた
せることができて、そのフオトダーリントントラ
ンジスタの後段にヒンテリシス特性をもつ外部回
路を用いる必要がない小形光電検出装置を提供す
るにある。
（発明の要約）
本発明は、ダーリントン接続されたフオトトラ
ンジスタ及び第１のトランジスタのコレクタを第
１の端子に接続するとともに、これらのエミツタ
間に第１の抵抗を接続し、更に、第１のトランジ
スタのエミツタを第２及び第３の抵抗を介して第
２のトランジスタのベース及びエミツタに接続
し、前記第２のトランジスタのコレクタ及びエミ
ツタを第２及び第３の端子に接続し、そして、こ
れらをチツプ化するようにしたことに特徴を有
し、これによりフオトダーリントントランジスタ
を１個の電子部品として取扱うことができるよう
にし、更には、前記フオトトランジスタのための
発光素子と抵抗との直列回路に直流電源から通電
するようにし、その発光素子と抵抗との共通接続
点を前記第１の端子に接続し、フオトダーリント
ントランジスタに流れる電流が発光素子を経て流
れるようにせんとするものである。
ンジスタ及び第１のトランジスタのコレクタを第
１の端子に接続するとともに、これらのエミツタ
間に第１の抵抗を接続し、更に、第１のトランジ
スタのエミツタを第２及び第３の抵抗を介して第
２のトランジスタのベース及びエミツタに接続
し、前記第２のトランジスタのコレクタ及びエミ
ツタを第２及び第３の端子に接続し、そして、こ
れらをチツプ化するようにしたことに特徴を有
し、これによりフオトダーリントントランジスタ
を１個の電子部品として取扱うことができるよう
にし、更には、前記フオトトランジスタのための
発光素子と抵抗との直列回路に直流電源から通電
するようにし、その発光素子と抵抗との共通接続
点を前記第１の端子に接続し、フオトダーリント
ントランジスタに流れる電流が発光素子を経て流
れるようにせんとするものである。
（実施例）
以下、本発明を透過形のものに適用した一実施
例につき図面を参照しながら説明する。
例につき図面を参照しながら説明する。
先ず、第１図に従つて全体の構成について述べ
る。１はチツプ化されたフオトダーリントントラ
ンジスタであり、これは、従来のフオトダーリン
トントランジスタに相当するところのダーリント
ン接続されたNPN形のフオトトランジスタ２及
びNPN形の第１のトランジスタ３と、これらの
フオトトランジスタ２及び第１のトランジスタ３
のエミツタ間に接続された第１の抵抗４と、
NPN形の第２のトランジスタ５と、このトラン
ジスタ５のベースと前述の第１のトランジスタ３
のエミツタとの間に接続された第２の抵抗６と、
該第１のトランジスタ３のエミツタと第２のトラ
ンジスタ５のエミツタ間に接続された第３の抵抗
７とから構成され、第１のトランジスタ３のコレ
クタは第１の端子８に接続されているとともに、
第２のトランジスタ５のコレクタ及びエミツタは
夫々第２及び第３の端子９及び１０に接続されて
いる。そして、このフオトダーリントントランジ
スタ１において、第１の端子８は抵抗１１を介し
て直流電源の負端子たるアースに接続され、第２
の端子９は出力端子１２に接続されているととも
に抵抗１３を介して直流電源の正電位（＋Ｖ）が
印加される電源端子１４に接続され、第３の端子
１０はアースに接続されている。１５は前述のフ
オトトランジスタ２のベースと所定の間隔の検出
路１６を存して配設された発光素子たる発光ダイ
オードであり、そのアノードは電源端子１４に接
続され、カソードは第１の端子８に接続されてい
る。
る。１はチツプ化されたフオトダーリントントラ
ンジスタであり、これは、従来のフオトダーリン
トントランジスタに相当するところのダーリント
ン接続されたNPN形のフオトトランジスタ２及
びNPN形の第１のトランジスタ３と、これらの
フオトトランジスタ２及び第１のトランジスタ３
のエミツタ間に接続された第１の抵抗４と、
NPN形の第２のトランジスタ５と、このトラン
ジスタ５のベースと前述の第１のトランジスタ３
のエミツタとの間に接続された第２の抵抗６と、
該第１のトランジスタ３のエミツタと第２のトラ
ンジスタ５のエミツタ間に接続された第３の抵抗
７とから構成され、第１のトランジスタ３のコレ
クタは第１の端子８に接続されているとともに、
第２のトランジスタ５のコレクタ及びエミツタは
夫々第２及び第３の端子９及び１０に接続されて
いる。そして、このフオトダーリントントランジ
スタ１において、第１の端子８は抵抗１１を介し
て直流電源の負端子たるアースに接続され、第２
の端子９は出力端子１２に接続されているととも
に抵抗１３を介して直流電源の正電位（＋Ｖ）が
印加される電源端子１４に接続され、第３の端子
１０はアースに接続されている。１５は前述のフ
オトトランジスタ２のベースと所定の間隔の検出
路１６を存して配設された発光素子たる発光ダイ
オードであり、そのアノードは電源端子１４に接
続され、カソードは第１の端子８に接続されてい
る。
次に、本実施例の作用につき第２図をも参照し
て述べる。最初に電源端子１４に正電位（＋Ｖ）
を印加すると、発光ダイオード１５を介して抵抗
１１に電流I11が流れる。従つて、発光ダイオー
ド１５に流れる電流I15は前記電流I11と等しい
（I15＝I11）。そして、発光ダイオード１５に電流
I15が流れると、該発光ダイオード１５はその電
流I15に比例した光量で発光するようになり、こ
れをフオトトランジスタ２が受光してそのコレク
タ・エミツタ間に電流が流れ、これにより、第１
のトランジスタ３にベース電流が流れて該第１の
トランジスタ３が飽和（オン）方向に移行してそ
のコレクタ・エミツタ間に電流が流れ、この電流
は第２の抵抗６と第３の抵抗７に分流してその第
２の抵抗６に分流した電流が第２のトランジスタ
５のベース電流となり、該第２のトランジスタ５
は飽和（オン）方向に移行する。そして、この時
にフオトダーリントントランジスタ１に流れる電
流I1は発光ダイオード１５にも流れるので、該発
光ダイオード１５に流れる電流I15は電流I1及び
I11の和（I15＝I1＋I11）となり、発光ダイオード
１５はこの電流I15（＝I1＋I11）に比例して光量を
増大して発光する。この結果、フオトトランジス
タ２のコレクタ・エミツタ間の電流が増大すると
ともに、第１のトランジスタ５のコレクタ・エミ
ツタ間の電流が増大し、第２のトランジスタ５の
ベース電流が増大し、従つて、フオトダーリント
ントランジスタ１に流れる電流I1が増大し、発光
ダイオード１５に流れる電流I15が更に増大する。
以下、同様の動作が連続的に行なわれることにな
つて、第２のトランジスタ５は急速にオン状態と
なり、出力端子１２とアースとの間の出力電圧は
第２図の特性laで示すように急速に低下する。そ
して、以上の動作は第１のトランジスタ３が飽和
状態になるまで行なわれる。このような状態にお
いて、検出路１６に被検出物体１７が侵入してき
て発光ダイオード１５からフオトトランジスタ２
に投光される光をしや断し始めると、該フオトト
ランジスタ２のコレクタ・エミツタ間の電流が減
少するとともに、第１のトランジスタ３のベース
電流が減少して該トランジスタ３は不飽和（オ
フ）方向に移行し、従つて、トランジスタ３のコ
レクタ・エミツタ間の電流が減少して第２のトラ
ンジスタ５のベース電流が減少し、そのトランジ
スタ５は不飽和（オフ）方向に移行する。これに
よつて、フオトダーリントントランジスタ１に流
れる電流I1が減少し、これに応じて発光ダイオー
ド１５に流れる電流I15が減少し、発光ダイオー
ド１５の光量が減少する。この結果、フオトトラ
ンジスタ２のコレクタ・エミツタ間の電流が減少
するとともに、第１のトランジスタ５のコレク
タ・エミツタ間の電流が減少し、従つて、フオト
ダーリントントランジスタ１に流れる電流I1が減
少し、発光ダイオード１５に流れる電流I15が更
に減少する。以下、同様の動作が連続的に行なわ
れることになつて、第２のトランジスタ５は急速
にオフ状態となり、出力端子１２とアースとの間
の出力電圧は第２図の特性lbに示すように急速に
上昇する。
て述べる。最初に電源端子１４に正電位（＋Ｖ）
を印加すると、発光ダイオード１５を介して抵抗
１１に電流I11が流れる。従つて、発光ダイオー
ド１５に流れる電流I15は前記電流I11と等しい
（I15＝I11）。そして、発光ダイオード１５に電流
I15が流れると、該発光ダイオード１５はその電
流I15に比例した光量で発光するようになり、こ
れをフオトトランジスタ２が受光してそのコレク
タ・エミツタ間に電流が流れ、これにより、第１
のトランジスタ３にベース電流が流れて該第１の
トランジスタ３が飽和（オン）方向に移行してそ
のコレクタ・エミツタ間に電流が流れ、この電流
は第２の抵抗６と第３の抵抗７に分流してその第
２の抵抗６に分流した電流が第２のトランジスタ
５のベース電流となり、該第２のトランジスタ５
は飽和（オン）方向に移行する。そして、この時
にフオトダーリントントランジスタ１に流れる電
流I1は発光ダイオード１５にも流れるので、該発
光ダイオード１５に流れる電流I15は電流I1及び
I11の和（I15＝I1＋I11）となり、発光ダイオード
１５はこの電流I15（＝I1＋I11）に比例して光量を
増大して発光する。この結果、フオトトランジス
タ２のコレクタ・エミツタ間の電流が増大すると
ともに、第１のトランジスタ５のコレクタ・エミ
ツタ間の電流が増大し、第２のトランジスタ５の
ベース電流が増大し、従つて、フオトダーリント
ントランジスタ１に流れる電流I1が増大し、発光
ダイオード１５に流れる電流I15が更に増大する。
以下、同様の動作が連続的に行なわれることにな
つて、第２のトランジスタ５は急速にオン状態と
なり、出力端子１２とアースとの間の出力電圧は
第２図の特性laで示すように急速に低下する。そ
して、以上の動作は第１のトランジスタ３が飽和
状態になるまで行なわれる。このような状態にお
いて、検出路１６に被検出物体１７が侵入してき
て発光ダイオード１５からフオトトランジスタ２
に投光される光をしや断し始めると、該フオトト
ランジスタ２のコレクタ・エミツタ間の電流が減
少するとともに、第１のトランジスタ３のベース
電流が減少して該トランジスタ３は不飽和（オ
フ）方向に移行し、従つて、トランジスタ３のコ
レクタ・エミツタ間の電流が減少して第２のトラ
ンジスタ５のベース電流が減少し、そのトランジ
スタ５は不飽和（オフ）方向に移行する。これに
よつて、フオトダーリントントランジスタ１に流
れる電流I1が減少し、これに応じて発光ダイオー
ド１５に流れる電流I15が減少し、発光ダイオー
ド１５の光量が減少する。この結果、フオトトラ
ンジスタ２のコレクタ・エミツタ間の電流が減少
するとともに、第１のトランジスタ５のコレク
タ・エミツタ間の電流が減少し、従つて、フオト
ダーリントントランジスタ１に流れる電流I1が減
少し、発光ダイオード１５に流れる電流I15が更
に減少する。以下、同様の動作が連続的に行なわ
れることになつて、第２のトランジスタ５は急速
にオフ状態となり、出力端子１２とアースとの間
の出力電圧は第２図の特性lbに示すように急速に
上昇する。
このような本実施例によれば、次のような効果
を得ることができる。即ち、フオトダーリントン
トランジスタ１は、フオトトランジスタ２とダー
リントン接続された第１のトランジスタ３の後段
に第２のトランジスタ５を接続して、この第２の
トランジスタ５のコレクタ・エミツタ間から出力
電圧を得るようにしたので、第３のトランジスタ
５はフオトトランジスタ２及び第１のトランジス
タ３のベース・エミツタ間電圧の影響を受けるこ
とはなく第１のトランジスタ３単体としての飽和
特性で飽和するようになり、従つて、飽和電圧が
極めて低く、TTL等のＯボルトレベルの低いロ
ジツクICとの直結が可能となる。又、フオトダ
ーリントントランジスタ１における第１のトラン
ジスタ３のベース・エミツタ間に第１の抵抗４を
接続するようにしているので、第１のトランジス
タ３のベース・エミツタ間の電荷を速やかに放電
させることができ、従つて、動作速度が速くなる
ものである。更に、フオトダーリントントランジ
スタ１に流れる電流I1を発光ダイオード１５に流
すようにしたので、出力端子１２とアースとの間
の出力電圧に第２図に示すようなヒステリシス特
性をもたせることができ、従つて、光の入光、し
や光の中間部分で出力電圧の不安定部分が生ずる
ことはないので、フオトダーリントントランジス
タ１の後段にコンパレータ、シユミツト回路等の
ヒステリシス特性をもつ外部回路を用いる必要は
ない。
を得ることができる。即ち、フオトダーリントン
トランジスタ１は、フオトトランジスタ２とダー
リントン接続された第１のトランジスタ３の後段
に第２のトランジスタ５を接続して、この第２の
トランジスタ５のコレクタ・エミツタ間から出力
電圧を得るようにしたので、第３のトランジスタ
５はフオトトランジスタ２及び第１のトランジス
タ３のベース・エミツタ間電圧の影響を受けるこ
とはなく第１のトランジスタ３単体としての飽和
特性で飽和するようになり、従つて、飽和電圧が
極めて低く、TTL等のＯボルトレベルの低いロ
ジツクICとの直結が可能となる。又、フオトダ
ーリントントランジスタ１における第１のトラン
ジスタ３のベース・エミツタ間に第１の抵抗４を
接続するようにしているので、第１のトランジス
タ３のベース・エミツタ間の電荷を速やかに放電
させることができ、従つて、動作速度が速くなる
ものである。更に、フオトダーリントントランジ
スタ１に流れる電流I1を発光ダイオード１５に流
すようにしたので、出力端子１２とアースとの間
の出力電圧に第２図に示すようなヒステリシス特
性をもたせることができ、従つて、光の入光、し
や光の中間部分で出力電圧の不安定部分が生ずる
ことはないので、フオトダーリントントランジス
タ１の後段にコンパレータ、シユミツト回路等の
ヒステリシス特性をもつ外部回路を用いる必要は
ない。
尚、上記実施例は本発明を透過形のものに適用
して述べたものであるが、フオトダーリントント
ランジスタ１は高感度であるので反射形のものに
も充分適用できる。
して述べたものであるが、フオトダーリントント
ランジスタ１は高感度であるので反射形のものに
も充分適用できる。
その他、本発明は上記し且つ図面に示す実施例
にのみ限定されるものではなく、要旨を逸脱しな
い範囲内で適宜変形して実施し得ることは勿論で
ある。
にのみ限定されるものではなく、要旨を逸脱しな
い範囲内で適宜変形して実施し得ることは勿論で
ある。
本発明の小形光電検出装置は以上説明したよう
に、フオトダーリントントランジスタの飽和電圧
を小にできるとともに動作速度を速くすることが
でき、しかも、フオトダーリントントランジスタ
がチツプ化されているので１個の電子部品として
取扱うことができるものであり、更に、フオトダ
ーリントントランジスタの出力にヒステリシス特
性をもたせることができて、フオトダーリントン
トランジスタの後段にヒステリシス特性をもつ外
部回路を用いる必要がない等の優れた効果を奏す
るものである。
に、フオトダーリントントランジスタの飽和電圧
を小にできるとともに動作速度を速くすることが
でき、しかも、フオトダーリントントランジスタ
がチツプ化されているので１個の電子部品として
取扱うことができるものであり、更に、フオトダ
ーリントントランジスタの出力にヒステリシス特
性をもたせることができて、フオトダーリントン
トランジスタの後段にヒステリシス特性をもつ外
部回路を用いる必要がない等の優れた効果を奏す
るものである。
第１図は本発明の一実施例を示す電気的結線
図、第２図は同実施例の作用説明用の特性図であ
る。 図面中、１はフオトダーリントントランジス
タ、２はフオトトランジスタ、３は第１のトラン
ジスタ、４は第１の抵抗、５は第２のトランジス
タ、６及び７は第２及び第３の抵抗、８乃至１０
は第１乃至第３の端子、１１は抵抗、１４は電源
端子、１５は発光ダイオード（発光素子）を示
す。
図、第２図は同実施例の作用説明用の特性図であ
る。 図面中、１はフオトダーリントントランジス
タ、２はフオトトランジスタ、３は第１のトラン
ジスタ、４は第１の抵抗、５は第２のトランジス
タ、６及び７は第２及び第３の抵抗、８乃至１０
は第１乃至第３の端子、１１は抵抗、１４は電源
端子、１５は発光ダイオード（発光素子）を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダーリントン接続されたフオトトランジスタ
及び第１のトランジスタのエミツタ間に第１の抵
抗を接続し、前記第１のトランジスタのエミツタ
を第２及び第３の抵抗を介して第２のトランジス
タのベース及びエミツタに夫々接続し、前記第１
のトランジスタのコレクタ並びに前記第２のトラ
ンジスタのコレクタ及びエミツタを第１並びに第
２及び第３の端子に夫々接続して構成され、これ
らをチツプ化するようにしてなるフオトダーリン
トントランジスタを具備したことを特徴とする小
形光電検出装置。 ２ ダーリントン接続されたフオトトランジスタ
及び第１のトランジスタのエミツタ間に第１の抵
抗を接続し、前記第１のトランジスタのエミツタ
を第２及び第３の抵抗を介して第２のトランジス
タのベース及びエミツタに夫々接続し、前記第１
のトランジスタのコレクタ並びに前記第２のトラ
ンジスタのコレクタ及びエミツタを第１並びに第
２及び第３の端子に夫々接続して構成され、これ
らをチツプ化するようにしてなるフオトダーリン
トントランジスタを具備し、前記フオトトランジ
スタのための発光素子と抵抗との直列回路に直流
電源から通電するようにし、その発光素子と抵抗
との共通接続点を前記第１の端子に接続するよう
にしたことを特徴とする小形光電検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2666884A JPS60170728A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 小形光電検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2666884A JPS60170728A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 小形光電検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170728A JPS60170728A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0260131B2 true JPH0260131B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=12199779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2666884A Granted JPS60170728A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 小形光電検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170728A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2683048B1 (fr) * | 1991-10-25 | 1994-02-04 | Electricite De France | Dispositif de mesure du champ electromagnetique dans un applicateur hyperfrequence. |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP2666884A patent/JPS60170728A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60170728A (ja) | 1985-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4176288A (en) | Zero voltage switching solid state relay | |
| KR900001583B1 (ko) | 광학적 물체검지장치 | |
| KR840004280A (ko) | 표시 구동장치 | |
| US4270046A (en) | Two-terminal optical sensor | |
| JPH0260131B2 (ja) | ||
| JPH0418248Y2 (ja) | ||
| KR930009152B1 (ko) | Ecl논리회로 | |
| JP2812874B2 (ja) | 光結合素子 | |
| US4871929A (en) | ECL logic gate | |
| JP2751320B2 (ja) | エミッタホロワ回路 | |
| US3153153A (en) | Isolated high efficiency interstage coupling circuit | |
| JPH0622325B2 (ja) | レベル変換回路 | |
| JPH039393Y2 (ja) | ||
| JP2596957B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JP2614294B2 (ja) | 受光半導体集積回路 | |
| CN108322206B (zh) | 一种光灵敏控制芯片及控制方法 | |
| JPH02280008A (ja) | 光センサ回路 | |
| JPH0292044A (ja) | 伝送回路 | |
| KR950005508Y1 (ko) | 티에스디(tsd) 회로 | |
| JPH05152862A (ja) | 受光ｉｃ | |
| SU743201A1 (ru) | Устройство дл установки логических элементов в исходное состо ние | |
| KR910003031Y1 (ko) | 리세트회로 | |
| JP2757438B2 (ja) | 光結合型リレー回路 | |
| JPH02148775A (ja) | 光センサ | |
| JPS5928076B2 (ja) | レ−ザダイオ−ドのバイアス回路 |