JPH0260110A - インダクタデバイス - Google Patents

インダクタデバイス

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JPH0260110A
JPH0260110A JP63210668A JP21066888A JPH0260110A JP H0260110 A JPH0260110 A JP H0260110A JP 63210668 A JP63210668 A JP 63210668A JP 21066888 A JP21066888 A JP 21066888A JP H0260110 A JPH0260110 A JP H0260110A
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inductance
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mol
magnetic
pbo
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Takeyoshi Ikeda
池田 勇悦
Tadao Yahagi
矢作 忠勇
Motoi Kumagai
熊谷 基
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、フェライトコアを磁心とした固定コイルやフ
ィルターなどのインダクタデバイスに関するものである
。さらに詳しくいえば、本発明は外部応力に対してイン
ダクタンス変化が小さく、かつ小型化が可能な開磁路型
インダクタデバイスに関するものである。
従来の技術 テレビ、ビデオレコーダー、自動車電話等の電子機器に
は、インダクタデバイスとして酸化物磁性材料であるフ
ェライトコアを磁心とするフィルターや固定コイルが多
く用いられている。この固定コイルやフィルターでは機
械的強度の確保、耐湿性の向上、保形性の維持などを目
的としてドラムをなどの磁心に巻線を施した後に樹脂の
塗装や成型の外装が行われる。
しかし、このような樹脂外装材の施された固定コイルや
フィルターでは、磁心として用いられるフェライトコア
が外装材の硬化、収縮などの応力により、インダクタン
スの変化を生起し、外装樹脂量や硬化温度等の製造条件
によって取得インダクタンスにバラツキが生じるのを避
けられず、そのため、インダクタンス公差の小さい高品
質のものが得られないという問題点があった。
この問題点を解決するために、磁心形状を大型化したり
、応力を吸収するためにバッファコート樹脂を塗装した
りしているが、いずれも電子機器の小型化、薄型化、低
コスト化等の設計要求に応えられなかった。またインダ
クタンスのバラツキの問題も十分には解決されてはいな
い。
したがって、小型、薄型、かつ高精度で、しかも低コス
トのインダクタデバイスの開発が強く要望されており、
そのためには樹脂外装の応力変動に安定で、インダクタ
ンス変化の小さいフェライトコアの開発が望まれていた
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような従来の欠点を克服し、樹脂外装の
応力に対してインダクタンス変化の小さいフェライトコ
アを用いた開磁路型インダクタデバイスを提供すること
を目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、樹脂外装の応力に対してインダクタンス
変化の小さい開磁路型インダクタデバイスを開発するた
めに種々研究を重ねた結果、Fe、O。
及びNiOを含有し、場合により特定の金属酸化物を含
む基本成分に、特定量比のPbOを含有させた組成物の
焼結体を磁心として用いることにより、その目的を達成
しうろことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成
するに至った。
すなわち、本発明は、Fe20sとNiOと、場合によ
りCuO1ZnO及びCooの中の1種又は2種以上と
を含有する基本成分に、PbO0.5〜30重量%を配
合した組成物の焼結体を磁心とし、その周囲に導線を所
要回数巻回し、さらにその上に合成樹脂被覆を施して成
るインダクタデバイスを提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における磁心には、FezesとNiOと、場合
によりCuO1ZnO及びCooの中の1種又は2種以
上とを含有する基本成分に、PbO0.5〜30重量%
を配合した組成物の焼結体を用いることが重要である。
この焼結体としては、固有抵抗が高< (10’〜10
’Ω・cm) 、高周波特性がよく、磁心の形状へ直巻
できるものが好ましく、特にNi −Cu −Zn −
Cu系、Ni−Cu−Zn系、Ni−Cu系のものが有
用であり、実用的に好ましい基本成分の組成は、Ff3
zOs 30〜50モル%、NiO70モル%以下、C
uOO〜15モル%、ZnO0〜35モル%及びCoo
 O〜1.0モル%の範囲にある各酸化物成分から成る
Fe、0.が50モル%を越えるとFe2+析出により
ρが減少するし、また30モル%未満では透磁率が減少
する。CuOを含有させると焼結性が向上するが、15
モル%を越えるとQが低下する。ZnOを含有させると
透磁率が増加するが、35モル%を越えるとキュリー点
が100°C以下に低下する。Cooを含有させるとQ
が増加するが、1モル%を越えるとコスト高になる。N
iOはFe2O3、CubSZnO1C00量が決まる
と必然的に決まる。また、酸化マンガンや酸化マグネシ
ウムなどの酸化物を含有させても効果的である。
本発明においては、このような基本成分にPbO0,5
〜30重量%含有させた焼結体を磁心に用いることが重
要である。PbOの添加量は好ましくは1%以上、さら
に好ましくは2%以上である。
このPbOの必要量は、併用されるZnOの量により左
右され、一般にZnOの量が多い場合は、PbOの量は
少なくてよく、逆にZnOの量が少ない場合は、PbO
の量を多くする必要がある。例えばZnOを18モル%
含むものについては、pbo i〜3重量%程度で効果
があるが、ZnOを含まないものについてはL5重量%
程度を添加しないと効果が得られない。
またZnOを30モル%含むものについてはPbO0.
5重量%程度で効果が認められる。第1図は基本組成F
e20s 48.5モル%、CuO4,0モル%、Zn
018.0モル%及びNi 29.5モル%のものにつ
いて、PbOの量比を変化させたときの外部応力に対す
るインダクタンス変化率を示すグラフである。また、第
2図は各種材質のドラム型磁心を用いた場合の外部応力
に対するインダクタンス変化率を示すグラフである。
この第2図から明らかなように、従来品ではB郁で示さ
れるように外部応力の変動に対し、インダクタンスの変
化が大きいのに対し、本発明品では外部応力の変動に対
しインダクタン・スの変化が小さく、特にA部のような
平坦部の多い材質のもの、例えばX1% X2、X3な
どが好ましい。
次に、磁心の形状としては巻線後に開磁路型形成しうる
もの、例えば丸棒コアやドラムコアなどが効果的である
次に、本発明においては、このような磁心の周囲に導線
を所要回数巻回し、さらにその上に合成樹脂を被覆する
ことが必要である。
従来のフェライト磁心は外装樹脂等から加わる外部応力
のバラツキに対して10%以上の変動もまれではなかっ
たが、本発明の磁心は2%以内のインダクタンス変化率
への改善が容易に得られる。
また、PbOの含有率の上限は特に臨界的な意味を持た
ないが、30重量%を越えると透磁率が低下する。
なお、透磁率の低下による種々の特性低下は巻線の巻回
数を増やすことによって容易に調整することができる。
なお、本発明の効果が得られる理由については十分には
解明されていないが、Pboを含有させた焼結7エライ
トを製造する過程において、Pboが結晶粒界に析出し
、開磁路型形成しうる形状と相まって外部応力が容易に
吸収されることにより、磁気特性が応力に対して安定化
されるものと推測される。
本発明において、被覆材料として用いられる合成樹脂は
、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよい。この
ようなものの例としては、ポリオレフィン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキ
シ樹脂などを挙げることができる。
これらの合成樹脂による被覆は、浸せき、塗布、吹き付
けなどで行うこともできるし、また射出成形、流し込成
形などの型成形によって行うこともできる。
次に、添付図面に従って、本発明のインダクタデバイス
の構造を説明する。
第3図は、合成樹脂として例えばエポキシ系塗料を用い
、その中へ所定の磁心lにポリウレタン鋼線2を巻回し
た構造体を浸せきすることによって絶縁被覆5を形成さ
せた例を部分断面図によって示したものである。なお、
3はリード線、4は接触量銅箔である。
第4図は、リード線3を端部に接続した所定の磁心lに
ポリウレタン銅線2を巻回し、その上にエポキシ系塗料
を塗布して絶縁被覆5を形成させた例の部分断面図を示
したものである。
第5図は、所定の磁心lに銅線を巻回してコイル2を形
成し、かつ磁心の端部に金属端子6を付した構造体の上
に射出成形により外装樹脂5を施した例の一部断面斜視
図を示したものである。
発明の効果 本発明のインダクタデバイスは、樹脂外装の応力に対し
てインダクタンス変化が小さく、例えば樹脂外装の硬化
、収縮力や樹脂外装を行う時の塗装厚さ等の条件変化が
あっても、磁心の磁気特性が安定しているという、従来
のインダクタからは予想し得ない特徴を有している。
すなわち、第6図は、本発明のインダクタと市販インダ
クタのそれぞれ巻線後、樹脂外装前にほぼ同じレベルの
温度特性を有するものについて、同じ樹脂外装を行った
後における温度特性を調べた結果を示すグラフであるが
、市販のインダクタの場合(破線)は、樹脂外装後に樹
脂外装前のもの(鎖線)に比べそのインダクタンス変化
率が著しく大きくなっているのに対し、本発明のインダ
クタの場合(実線)は樹脂外装後に逆にインダクタンス
変化率が著しく小さくなっている。
本発明のインダクタはこのように磁気特性が安定に保た
れているため、工程管理が容易になる上、インダクタン
スのバラツキの小さい狭公差インダクタデバイスを容易
に製造することができ、かつ小型化が可能になるなどの
産業上顕著な効果を奏する。
実施例 次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 モル成分比がFe2O3:NiO:CuO:Zn0= 
48.5:31.5 :5:15であるNi−Cu−Z
n系フェライトを従来の慣用法で作成した。このフェラ
イトにPbOを10重量%添加し、混合後、外形4關、
長さ3mmのドラム型コアを加圧成形し、950〜12
00°Cで2時間焼成して酸化物磁性フェライト焼結体
から成るドラム型磁心を得た。この磁心と市販の上記N
i−Cu−Zn系フェライト焼結体から成る該磁心と同
形状の磁心に、インダクタンス値30μHが得られるよ
うに試料数100個を巻線した後、エポキシ樹脂で1 
、5mmの厚さに塗装し、乾燥し、焼き付けた。このよ
うにして得られたインダクタデバイスについて、インダ
クタンスを測定し、インダクタンスの変化率を調べた。
市販品を用いた場合のインダクタンス変化率の平均値は
−6,5%でバラツキ範囲は5.4μHであるのに対し
て、PbO含有磁心を用いた本発明品においては、イン
ダクタンス変化率の平均値は+0.2%でバラツキ範囲
は1.5μHとなり、著しい改善が認められた。
実施例2 実施例1におけるドラム型磁心の外形及び長さをともに
2闘に代え、樹脂外装をより外部応力の大きい樹脂酸を
法により行うようにした以外は、実施例1と同様にして
インダクタデバイスを作成し、インダクタンスを測定し
、インダクタンスの変化率を調べた。市販品を用いた場
合のインダクタンス変化率の平均値は−8,7%でバラ
ツキ範囲は7.5μHであるのに対して、PbO含有磁
心を用いた本発明品においては、インダクタンス変化率
の平均値は−1,5%でバラツキ範囲は2.1μHとな
り、著しい改善が認められた。
このように、本発明品は樹脂の収縮による外部応力に対
して極めて安定であり、十分実用性があることが分る。
実施例3 Fe、0.47モル%、CuO8モル%、ZnO29モ
ル%及びNiO16モル%から成る基本組成にた対し、
0〜15重量%のPbOを配合した材料を用いて、外径
5■、長さ6mmの丸棒状磁心を作成し、これに銅線を
100回巻き付けたのち、エポキシ系塗料を1.5mm
の厚さに塗布し開磁路型インダクタを製造した。
別に同じ材料を用いて外径2.0mm、内径1 、5m
m。
高さ0.3mm、 トロイダル状磁心を作成し、銅線を
同様に巻き付けたのち、同じエポキシ塗料を1.5mm
の厚さに塗布して閉磁路型インダクタを製造した。
これらのインダクタについてそれぞれ樹脂外装前後にお
けるインダクタンス変化率を求めた結果を次表に示す。
閉磁路では全く効果が認められない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の磁心におけるPbO含有量とインダ
クタンス変化率の関係を示すグラフ、第2図は外部応力
とインダクタンス変化率の関係を示すグラフ、第3図は
本発明のインダクタの構造の1例を示す部分断面側面図
、第4図は別の例の部分断面側面図、第5図はさらに別
の例の部分的破断した斜面図、第6図は本発明のインダ
クタと市販インダクタの温度特性の差を示すグラフであ
る。 図中符号lは磁心、2は巻線、3はリード線、5は合成
樹脂絶縁被覆である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Fe_2O_3とNiOと、場合によりCuO、Z
    nO及びCoOの中の1種又は2種以上を含有する基本
    成分に、PbO0.5〜30重量%を配合した組成物の
    焼結体を磁心とし、その周囲に導線を所要回数巻回し、
    さらにその上に合成樹脂被覆を施して成る開磁路型イン
    ダクタデバイス。 2 基本成分がFe_2O_330〜50モル%、Ni
    O70モル%以下、CuO0〜15モル%、ZnO0〜
    35モル%及びCoO0〜1.0モル%から成る請求項
    1記載の開磁路型インダクタデバイス。 3 外部応力に対するインダクタンス変化率2%以内で
    ある請求項1又は2記載の開磁路型インダクタデバイス
JP63210668A 1988-08-26 1988-08-26 インダクタデバイス Expired - Lifetime JPH0724242B2 (ja)

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Cited By (2)

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