JPH0256923A - Treatment apparatus - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing device.
(従来の技術)
従来、半導体装置の製造工程等におけるフォトレジスト
膜の塗布工程やこのフォトレジスト膜の現像処理工程の
ような工程では、工程の無人化や連続処理等の見地から
被処理基板を1枚ずつ液状処理剤によって処理する処理
装置が多用されている。(Prior Art) Conventionally, in processes such as the photoresist film coating process and the photoresist film development process in the manufacturing process of semiconductor devices, the substrate to be processed has been Processing equipment that processes each sheet one by one with a liquid processing agent is often used.
このような処理装置としては、スピン式め処理装置や浸
漬式の処理装置が知られている1例えば現像装置の場合
、スピン式の処理装置では被処理基板の上方に配置され
たノズルやスプレー等から現像液を被処理基板上に供給
する。このため、表面張力の作用により被処理基板上に
盛り上る液量に限度がある。また、現像液の供給量によ
っては塗布むらが生じたりする問題がある。また、現像
液が被処理基板に被着した際の衝撃によっても現像むら
等を生じ易い。As such processing equipment, spin-type processing equipment and immersion-type processing equipment are known. For example, in the case of a developing device, a spin-type processing equipment uses nozzles, sprays, etc. placed above the substrate to be processed. A developer is supplied onto the substrate to be processed. Therefore, there is a limit to the amount of liquid that can rise on the substrate to be processed due to the effect of surface tension. Further, there is a problem that uneven coating may occur depending on the amount of developer supplied. In addition, uneven development is likely to occur due to impact when the developer adheres to the substrate to be processed.
これに対して、浸漬式の処理装置は、液盛り時の衝撃が
少ない、しかも、液盛り速度が速く、また液盛り高さを
高く設定することが可能である等の利点を有している。On the other hand, immersion type processing equipment has advantages such as less shock when filling up the liquid, faster filling speed, and the ability to set the height of the filling higher. .
特に、浸漬式の処理装置は。Especially for immersion type processing equipment.
近年解像度を向上させるために界面活性剤を添加した現
像液のような表面張力の低い現像液を使用する際には、
不可欠な装置となりつつある。In recent years, when using a developer with low surface tension, such as a developer with surfactants added to improve resolution,
It is becoming an indispensable device.
浸漬式の現像装置としては、被処理基板の下面周辺部と
液密に接触して、被処理基板を充分に浸漬処理できる内
容積を有したカップを具備し被処理基板とによって処理
槽を形成するようにした構造のものが知られている。The immersion-type developing device is equipped with a cup that is in liquid-tight contact with the lower peripheral part of the substrate to be processed and has an internal volume that can sufficiently immerse the substrate, and forms a processing tank with the substrate to be processed. There are known structures that allow this.
このような現像装置は、被処理基板に対して現像液を緩
かに供給するために、被処理基板の側方に位置するカッ
プ内部に現像液の供給機構を設けている。この現像液供
給機構は、例えば第7図に示すように、カップ2内部の
被処理基板1の側方位置に環状の外周溝3を形成してい
る。この外周溝3に現像液供給管4を接続するとともに
、被処理基板1の方向に延びるスリット状のノズル5を
形成している。このような構造により、外周溝3に供給
された現像液32を被処理基板1の全方位から処理槽に
供給している。Such a developing device is provided with a developer supply mechanism inside a cup located on the side of the substrate to be processed, in order to slowly supply the developer to the substrate to be processed. As shown in FIG. 7, for example, this developer supply mechanism has an annular outer circumferential groove 3 formed inside the cup 2 at a side position of the substrate 1 to be processed. A developer supply pipe 4 is connected to this outer circumferential groove 3, and a slit-shaped nozzle 5 extending in the direction of the substrate 1 to be processed is formed. With such a structure, the developer 32 supplied to the outer circumferential groove 3 is supplied to the processing tank from all directions of the substrate 1 to be processed.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述の現像装置では、現像液32の供給
停止後に外周溝3内の現像液32がノズル5から処理槽
に向って流出してしまう。このため外周溝3内に空気だ
まり7が形成されてしまう。この空気だまり7は、連続
して現像液32を吐出している際にはほとんど影響はな
い。しかし、長期間放置すると空気だまり7は大きくな
り、現像液吐出量にバラツキを生じさせる原因となる。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-described developing device, the developer 32 in the outer circumferential groove 3 flows out from the nozzle 5 toward the processing tank after the supply of the developer 32 is stopped. For this reason, an air pocket 7 is formed within the outer circumferential groove 3. This air pocket 7 has almost no effect when the developer 32 is continuously discharged. However, if left for a long period of time, the air pocket 7 becomes large, causing variations in the amount of developer discharged.
また、現像液吐出時に空気も同時に吐出してしまう。つ
まり、泡混じりの吐出となって現像むらや現像不良の原
因となっている。Further, when the developer is discharged, air is also discharged at the same time. In other words, the discharge is mixed with bubbles, which causes uneven development and poor development.
また、上述した現像装置は、ノズル形状をスリット状と
することによって吐出時の圧力損失を低減する効果を有
している。しかし、処理槽内への吐出状態が不均一にな
りやすいという問題がある。Furthermore, the above-described developing device has the effect of reducing pressure loss during discharge by making the nozzle shape slit-like. However, there is a problem in that the state of discharge into the processing tank tends to be uneven.
これらの問題は、例えばレジスト塗布装置として浸漬式
の処理装置を用いる場合においても同様であり、レジス
トの形成むらや膜厚むら等の原因となる。These problems are the same even when a dipping type processing device is used as a resist coating device, for example, and cause uneven resist formation, uneven film thickness, and the like.
本発明の目的は、現像液やレジスト液のような液状処理
剤の供給を安定させて、気泡の混入や塗布むら等による
処理不良を防止した処理装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a processing apparatus that can stabilize the supply of a liquid processing agent such as a developer or a resist solution and prevent processing defects due to inclusion of air bubbles, uneven coating, and the like.
(課題を解決するための手段)
本発明は、被処理基板を出入れする開口部を有し、かつ
、収容した該被処理基板の裏面を底部に液密に接触させ
て処理槽を構成するカップと、該カップの周壁内に前記
処理槽と連通して形成された外周溝と、一端側が液状処
理剤供給源に接続し。(Means for Solving the Problems) The present invention constitutes a processing tank that has an opening through which a substrate to be processed is taken in and taken out, and in which the back surface of the accommodated substrate to be processed is brought into liquid-tight contact with the bottom. A cup, an outer circumferential groove formed in a peripheral wall of the cup to communicate with the processing tank, and one end thereof connected to a liquid processing agent supply source.
かつ、他端側か前記外周溝に所定間隔で複数個連結した
ノズルと、前記外周溝の開口端縁よりも前記外周溝の底
部側に向って前記カップの内周壁に垂下された仕切板と
を具備することを特徴とする処理装置を得るものである
。and a plurality of nozzles connected to the outer circumferential groove at predetermined intervals on the other end side, and a partition plate suspended from the inner circumferential wall of the cup toward the bottom side of the outer circumferential groove from the opening edge of the outer circumferential groove. The present invention provides a processing device characterized by comprising:
(作 用)
本発明の処理装置においては、ノズル前方に液状処理剤
の供給源となる環状の外周溝上面高さと少なくとも同一
の高さを有する仕切板が設置されている。ここで、外周
溝からノズルを介して供給される液状処理剤は、−旦仕
切板上部を通過して処理槽内に供給され、外周溝内への
液状処理剤の供給が停止されても仕切板とノズルとの間
に形成される液だまりに処理剤が残存する。そして、こ
の液だまりの液面は外周溝上面の高さと少なくとも同一
となるため、外周溝内への気泡の混入が防止される。ま
た、外周溝から小径のノズルを多数形成しているので、
液状処理剤を被処理基板の全方位から安定して供給する
ことが可能となる。従って、液状処理剤を安定して供給
することが可能になるとともに、気泡の混入等による処
理不良の発生を防止できる。(Function) In the processing apparatus of the present invention, a partition plate having at least the same height as the top surface height of the annular outer circumferential groove serving as a supply source of the liquid processing agent is installed in front of the nozzle. Here, the liquid processing agent supplied from the outer circumferential groove through the nozzle passes through the upper part of the partition plate and is supplied into the processing tank, and even if the supply of the liquid processing agent into the outer circumferential groove is stopped, The processing agent remains in the liquid pool formed between the plate and the nozzle. Since the liquid level of this liquid pool is at least the same as the height of the upper surface of the outer circumferential groove, air bubbles are prevented from entering the outer circumferential groove. In addition, since many small diameter nozzles are formed from the outer circumferential groove,
It becomes possible to stably supply the liquid processing agent from all directions of the substrate to be processed. Therefore, it becomes possible to stably supply the liquid processing agent, and it is possible to prevent processing defects due to the inclusion of air bubbles and the like.
(実施例)
以下、本発明装置を浸漬式の現像装置に適用した一実施
例につき1図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the apparatus of the present invention is applied to an immersion type developing apparatus will be described with reference to one drawing.
第1図は、本発明の一実施例の浸漬処理装置の断面図で
ある。図中11は、例えば半導体ウェハからなる被処理
基板である。被処理基板11は、載置台12に保持され
るようになっている。載置台12には、載置台12とと
もに被処理基板11を高速で回転させる回転機構13に
連結されている。また、載置台12は、内カップ14中
央部に形成された貫通孔14a内に遊挿されて配置され
ている。FIG. 1 is a sectional view of an immersion treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, 11 is a substrate to be processed, which is made of, for example, a semiconductor wafer. The substrate to be processed 11 is held on a mounting table 12 . The mounting table 12 is connected to a rotation mechanism 13 that rotates the processing target substrate 11 together with the mounting table 12 at high speed. Further, the mounting table 12 is loosely inserted into a through hole 14a formed in the center of the inner cup 14.
内カップ14上部には、浸漬現像時に被処理基板11を
吸着保持する円形の吸着パッド15が設けられている。A circular suction pad 15 is provided above the inner cup 14 to suction and hold the substrate 11 during immersion development.
吸着パッド15は、図示を省略した例えば真空ポンプの
ような真空機構に接続されている。The suction pad 15 is connected to a vacuum mechanism such as a vacuum pump, which is not shown.
この吸着パッド15によって被処理基板11の下面周辺
部と内カップ14とが液密にシールされる。内カップ1
4上部には、現像終了後に被処理基板11の下面を洗浄
するための洗浄ノズル16も設けられている。この内カ
ップ14は、外側下方に向けて傾斜された傾斜面14b
を有する円筒状をなしている。The suction pad 15 liquid-tightly seals the lower surface of the substrate 11 and the inner cup 14 . inner cup 1
A cleaning nozzle 16 for cleaning the lower surface of the substrate 11 to be processed after development is also provided on the top of the substrate 4 . This inner cup 14 has an inclined surface 14b inclined outwardly and downwardly.
It has a cylindrical shape.
内カップ14の上方には、この内カップ14の傾斜面1
4bと対面する如く、同一方向に傾斜された傾斜面17
aをその下側に有し、かつ処理槽の側壁を構成する開孔
17bを有する円筒状の上カップ17が配置されている
。内カップ14と上カップ17とは、上カップ17の内
側下部に設置されたシールリング18によって液密に接
触するよう構成されている。Above the inner cup 14, there is a slope 1 of the inner cup 14.
An inclined surface 17 inclined in the same direction so as to face 4b.
A cylindrical upper cup 17 having a hole 17b on its lower side and forming a side wall of the processing tank is disposed. The inner cup 14 and the upper cup 17 are configured to be in liquid-tight contact with each other by a seal ring 18 installed at the inner lower part of the upper cup 17.
そして、被処理基板11、内カップ14、シールリング
18および上カップ17によって液密な処理槽が構成さ
れる。The substrate to be processed 11, the inner cup 14, the seal ring 18, and the upper cup 17 constitute a liquid-tight processing tank.
上カップ17内には、現像液供給機構19が設けられて
いる。現像液供給機構19は、第2図および第3図に示
すように、環状の外周溝20の内周側から多数の小径ノ
ズル21a、 21a・・・によって構成されたノズル
群21が穿設されている。外周溝20は連通してもよい
が、断続した溝でもよい。ノズル群21の内側には、液
だまり23を形成するように所定の間隔を設けて円筒状
の仕切板22が形成されている。A developer supply mechanism 19 is provided within the upper cup 17 . As shown in FIGS. 2 and 3, the developer supply mechanism 19 has a nozzle group 21 formed from a large number of small-diameter nozzles 21a, 21a, . ing. The outer circumferential groove 20 may be continuous, or may be an interrupted groove. Inside the nozzle group 21, cylindrical partition plates 22 are formed at predetermined intervals so as to form a liquid pool 23.
この仕切板22の上面は、外周溝20の上面20aの高
さと少なくとも同一とされている。この上面は、好まし
くは外周溝20の上面20aよりも若干高くする。さら
に仕切板22の内側には、各ノズル21a。The upper surface of this partition plate 22 is at least the same height as the upper surface 20a of the outer circumferential groove 20. This upper surface is preferably slightly higher than the upper surface 20a of the outer circumferential groove 20. Further, inside the partition plate 22, each nozzle 21a is provided.
21a・・・ 液だまり23と連通し、仕切板22上部
によって形成された吐出通路24下方に屈曲させるよう
に突き当て板25が設けられている。また、外周溝20
には使用液量に応じた本数の現像液供給管z6が接続さ
れている。21a... An abutting plate 25 is provided so as to communicate with the liquid pool 23 and bend the discharge passage 24 formed by the upper part of the partition plate 22 downward. In addition, the outer peripheral groove 20
A number of developer supply pipes z6 corresponding to the amount of liquid to be used are connected to the developer supply pipes z6.
なお、ノズル群21は、例えば6インチの基板に対して
6Q/win程度で現像液を吐出させる場合、各ノズル
21a、 21a・・・の径を直径2m、数量を36ケ
程度と小径、多数とする。これによって、圧力損失を2
)cg/a#以下程度の低損失におさえることができ
る。また、吐出の均一性と吐出量゛とを同時に満足させ
ることができる。Note that the nozzle group 21 has a small diameter of about 36 nozzles, with a diameter of 2 m for each nozzle 21a, 21a, etc., and a large number of nozzles, for example, when discharging the developer at a rate of about 6Q/win to a 6-inch substrate. shall be. This reduces the pressure loss by 2
) It is possible to suppress the loss to as low as cg/a# or less. Further, uniformity of discharge and discharge amount can be satisfied at the same time.
上カップ17外周には、リンス・洗浄時や乾燥時等に液
の飛散を防止するように外カップ27が設けられている
。An outer cup 27 is provided on the outer periphery of the upper cup 17 to prevent liquid from scattering during rinsing/cleaning, drying, etc.
一方、内カップ14の内側下部には、この現像装置全体
の下面および側面を囲むように、円筒容器状の下カップ
28が固着されている。下カップ28には、載置台12
が遊挿される貫通孔28aが形成されている。下カップ
28の下面外周には、現像液等の排出を行う排出溝28
bが設けられている。 排出溝28bには、排出管29
が接続されている。 また、排出溝28bは、リンス・
洗浄時や乾燥時等に被処理基板11の内側に飛散ミスト
が巻込まれることを防止する排気管30が接続されてい
る。排気管30は、図示を省略した排気機構に接続され
ている。On the other hand, a cylindrical container-shaped lower cup 28 is fixed to the inner lower part of the inner cup 14 so as to surround the lower and side surfaces of the entire developing device. The lower cup 28 has a mounting table 12.
A through hole 28a is formed into which the holder is loosely inserted. A discharge groove 28 is provided on the outer periphery of the lower surface of the lower cup 28 for discharging the developer, etc.
b is provided. A discharge pipe 29 is provided in the discharge groove 28b.
is connected. Further, the discharge groove 28b is provided with a rinse groove.
An exhaust pipe 30 is connected to prevent scattered mist from being drawn into the inside of the substrate 11 to be processed during cleaning, drying, etc. The exhaust pipe 30 is connected to an exhaust mechanism (not shown).
下カップ28下面には、下カップ28および丙カップ1
4の昇降を制御する1例えばエアーシリンダのような昇
降駆動機構31が設けられている。昇降駆動機構31の
駆動によって、現像状態と洗浄・リンスおよび乾燥状態
の区別がなされる。On the lower surface of the lower cup 28, the lower cup 28 and the C cup 1 are arranged.
An elevating and lowering drive mechanism 31 such as an air cylinder, for example, is provided to control the elevating of the motor. By driving the elevating drive mechanism 31, a distinction is made between a developing state and a cleaning/rinsing and drying state.
このように構成された浸漬式現像装置は、次のようにし
て浸漬現像処理を行う。The immersion type developing device configured as described above performs immersion development processing in the following manner.
まず、第4図に示す如く、リンス・洗浄および乾燥状態
で待機している載置台12上に被処理基板11を載置し
て吸着保持させる。被処理基板11の搬入・搬出は1例
えばカップ全体を昇降させる昇降駆動機構を設けて行う
。すなわち、昇降駆動機構・により、リンス・洗浄およ
び乾燥状態にあるカップ全体を昇降させて、載置台12
の上面を外カツプ27以上に位置させる。この状態で外
部の搬送機構により、被処理基板11の搬入、搬出を行
う。First, as shown in FIG. 4, the substrate 11 to be processed is placed on the mounting table 12, which is waiting in a rinsed, cleaned and dry state, and is held by suction. The substrate to be processed 11 is carried in and out by providing, for example, an elevating drive mechanism for elevating the entire cup. That is, the entire cup in the rinsed, washed, and dry state is raised and lowered by the raising and lowering drive mechanism, and placed on the mounting table 12.
The upper surface of the cup is positioned above the outer cup 27. In this state, the substrate to be processed 11 is carried in and carried out by an external transport mechanism.
次に、昇降駆動機構31により下カップ28および内カ
ップ14を上昇させ、被処理基板11を載置台12上か
ら吸着パット15上に載せ代える。被処理基板11が吸
着パット15上に載置されたところで真空機構を作動さ
せる。これによって載置部を液密にシ−ルする。続いて
、上カップ17の下側に設けられたシールリング18に
内カップ14の傾斜面14bが当接する位置まで昇降駆
動機構31を上昇させる。そして、昇降駆動機構31の
押圧力によってシールリング18と内カップ14とを液
密に接触する位置で保持する。このようにして処理槽を
形成させる。この状態が第1図に示した状態である。Next, the lower cup 28 and the inner cup 14 are raised by the elevating drive mechanism 31, and the substrate 11 to be processed is placed on the suction pad 15 from the mounting table 12. When the substrate 11 to be processed is placed on the suction pad 15, the vacuum mechanism is activated. This seals the mounting portion liquid-tight. Subsequently, the elevating drive mechanism 31 is raised to a position where the inclined surface 14b of the inner cup 14 comes into contact with the seal ring 18 provided on the lower side of the upper cup 17. Then, the seal ring 18 and the inner cup 14 are held in a position where they are in liquid-tight contact with each other by the pressing force of the elevating drive mechanism 31. In this way, a processing tank is formed. This state is the state shown in FIG.
次に、現像液供給管26から現像液を外周溝20に供給
する。この外周溝20に供給された現像液32は、ノズ
ル群21を介して液だまり23に供給される。次いで、
現像液32は、仕切板22上部を乗り越えて突き当て板
25によって下方に向けて形成された吐出通路24を通
過し、処理槽内に被処理基板11の側面下方側から徐々
に供給される。この際に、現像液32は、多数の小径ノ
ズル21a、 21a・・・によって構成されたノズル
群21から処理槽内に供給される。このため、現像液3
2は、被処理基板11の全周方向から均一に被処理基板
11上に液盛りされる。また、現像液32の供給が停止
されても液だまり23内の現像液32は、処理槽側に流
出しない、従って°、現像液32の上面は、仕切板22
の上面高さに保たれる。Next, a developer is supplied from the developer supply pipe 26 to the outer circumferential groove 20 . The developer 32 supplied to the outer circumferential groove 20 is supplied to the liquid reservoir 23 via the nozzle group 21 . Then,
The developer 32 passes over the upper part of the partition plate 22, passes through the discharge passage 24 formed downward by the abutment plate 25, and is gradually supplied into the processing tank from the lower side of the side surface of the substrate 11 to be processed. At this time, the developer 32 is supplied into the processing tank from the nozzle group 21 composed of a large number of small diameter nozzles 21a, 21a, . . . . For this reason, developer solution 3
2 is uniformly deposited on the substrate 11 to be processed from the entire circumferential direction of the substrate 11 to be processed. Further, even if the supply of the developer 32 is stopped, the developer 32 in the liquid reservoir 23 will not flow out to the processing tank side.
is maintained at the top surface height.
そして、液だまり23と仕切板22との作用により、外
周溝20内にも絶えずその上面20aまで現像液32が
満たされている。これによって空気だまりが現像液32
中に形成されるのを防止できる。Due to the action of the liquid pool 23 and the partition plate 22, the outer circumferential groove 20 is constantly filled with the developer 32 up to its upper surface 20a. This removes the air pocket from the developer solution 32.
can be prevented from forming inside.
また、処理槽内に所定量の現像液32を満たし、所定時
間の浸漬現像処理を行った後、昇降駆動機構31を下降
させる。これによって液密にシールされていた内カップ
14と上カップ17とが切り離される。その結果、現像
液32は、自然落下によって上カップ17と内カツプ1
4間に形成された排出通路33にそって排出溝28bに
流れる。そして、現像液32は、排出管29を通って外
部に排出される。現像液32の排出は、排出通路の開口
面積を゛充分に取ることができるので、迅速に行うこと
が可能である。Further, after filling the processing tank with a predetermined amount of developer 32 and performing immersion development processing for a predetermined time, the elevating drive mechanism 31 is lowered. As a result, the inner cup 14 and the upper cup 17, which have been liquid-tightly sealed, are separated. As a result, the developer 32 naturally falls between the upper cup 17 and the inner cup 1.
It flows into the discharge groove 28b along the discharge passage 33 formed between the discharge grooves 28b. The developer 32 is then discharged to the outside through the discharge pipe 29. The developer solution 32 can be discharged quickly because the opening area of the discharge passage can be sufficiently secured.
さらに、昇降駆動機構31を下降させて被処理基板11
を載置台12上に載せ代える(第4図に示す状態)。こ
の状態で回転機構13を作動させる。これによって、被
処理基板11を高速で回転させる。そして、被処理基板
11上に残存する現像液32を振り切る。これと同時に
1図示を省略したリンスノズルからリンス液を吐出させ
て、現像の停止と被処理基板11上のリンスを行う。Furthermore, the lifting drive mechanism 31 is lowered to remove the substrate 11 to be processed.
is placed on the mounting table 12 (the state shown in FIG. 4). In this state, the rotation mechanism 13 is operated. As a result, the substrate 11 to be processed is rotated at high speed. Then, the developer 32 remaining on the substrate 11 to be processed is shaken off. At the same time, a rinsing liquid is discharged from a rinsing nozzle (not shown) to stop the development and rinse the substrate 11 to be processed.
また、裏面洗浄ノズル16からも洗浄液を噴出させて同
時に被処理基板11の裏面を洗浄する。Further, the cleaning liquid is also ejected from the backside cleaning nozzle 16 to clean the backside of the substrate 11 to be processed at the same time.
この洗浄工程の際には、排気管30からカップ内の排気
を行い、図中矢印Aで示すような排気流を形成する。す
なわち、リンス液等の飛散ミストが被処理基板11上に
付着することを防止する。During this cleaning step, the inside of the cup is exhausted from the exhaust pipe 30 to form an exhaust flow as shown by arrow A in the figure. In other words, the scattered mist of the rinse liquid or the like is prevented from adhering to the substrate 11 to be processed.
リンスおよび裏面洗浄工程が終了した後、被処理基板1
1を一定時間さらに回転させる。そして、被処理基板1
1を乾燥させる。このようにして一連の浸漬現像工程が
終了する。After the rinsing and backside cleaning steps are completed, the substrate to be processed 1
1 is further rotated for a certain period of time. Then, the substrate to be processed 1
Dry 1. In this way, a series of immersion development steps is completed.
以上のように、この実施例の浸漬式の現像装置によれば
、現像液供給機構を外周溝、ノズル群および外周溝上面
高さと少なくとも同一の高さを有する仕切板によって構
成している。このため、外周溝内への現像液の供給が停
止された後にも、仕切板外周側に設けられた液だまり内
は、絶えず外周溝上の面高さと少なくとも同一の高さの
液面の現像液が残存している。その結果、外周溝内も同
様に上面まで現像液が満たされ、これ以上の現像液の流
出は起こらない。従って、長時間に亘って装置の運転を
停止した後にも外周溝内に空気だまりが形成されること
がない。そして、絶えず一定量の現像液を吐出すること
が可能になる。しかも。As described above, according to the immersion type developing device of this embodiment, the developer supply mechanism is constituted by the outer circumferential groove, the nozzle group, and the partition plate having at least the same height as the upper surface height of the outer circumferential groove. Therefore, even after the supply of developer into the outer circumferential groove is stopped, the liquid level in the liquid pool provided on the outer circumferential side of the partition plate is always at least the same as the surface height above the outer circumferential groove. remains. As a result, the inside of the outer circumferential groove is similarly filled with the developer up to the upper surface, and no further developer flows out. Therefore, even after the operation of the device is stopped for a long time, air pockets are not formed in the outer circumferential groove. This makes it possible to constantly discharge a constant amount of developer. Moreover.
現像液中に気泡の混入も発生せず、吐出量のバラツキや
気泡の混入による現像むらや現像不良が防止される。ま
た、多数の小径ノズルからなるノズル群によって処理槽
内に現像液を供給している。No air bubbles are mixed into the developer, and uneven development and poor development due to variations in discharge amount and air bubbles are prevented. Further, the developer is supplied into the processing tank by a nozzle group consisting of a large number of small diameter nozzles.
このため、多少圧力損失が大きくなるものの、小径、多
数としていることから全体としての圧力損失は吐出量に
影響が生じない程度に低減させることができる。この小
径、多数のノズル群によって、被処理基板の全周方向か
ら均一に現像液を供給することが可能になる。その結果
、現像ムラが防止される。For this reason, although the pressure loss increases somewhat, since the diameter is small and the number of tubes is large, the overall pressure loss can be reduced to such an extent that the discharge amount is not affected. This small-diameter, large number of nozzle groups makes it possible to uniformly supply the developer from the entire circumference of the substrate to be processed. As a result, uneven development is prevented.
また、第5図に示すように、現像液供給機構に、ノズル
群21を通過した後の吐出通路24の上部に空気抜き通
路34を設けても良い、この空気抜き通路34によって
更に現像液の供給が安定する。Further, as shown in FIG. 5, the developer supply mechanism may be provided with an air vent passage 34 above the discharge passage 24 after passing through the nozzle group 21. This air vent passage 34 further facilitates the supply of the developer. Stabilize.
これは、一般に現像液は表面張力を持つ。このため、仕
切板22と突き当て板25間の狭い吐出通路24には現
像液がその表面張力で残存していることがある。この状
態で現像液が吐出されると、吐出通路24内の空気が現
像液と混合されて吐出される。This is because developing solutions generally have surface tension. Therefore, the developer may remain in the narrow discharge passage 24 between the partition plate 22 and the abutting plate 25 due to its surface tension. When the developer is discharged in this state, the air within the discharge passage 24 is mixed with the developer and is discharged.
そこで、第5図に示すように吐出通路24の上面に空気
抜き通路34を設ける。これによって、吐出された現像
液のみを吐出通路24を通して吐出させる。Therefore, as shown in FIG. 5, an air vent passage 34 is provided on the upper surface of the discharge passage 24. As a result, only the discharged developer is discharged through the discharge passage 24.
そして残存空気は空気抜き通路34より排出することが
可能となる。The remaining air can then be discharged from the air vent passage 34.
この空気抜き通路34は、吐出通路24の上面高さと同
一に外周側に向は形成することが好ましい。It is preferable that the air vent passage 34 be formed toward the outer periphery at the same height as the upper surface of the discharge passage 24 .
その大きさは、ある程度の溝幅例えば0.01〜0.5
m程度であることが好ましい、このような形状とするこ
とによって、液だまり23から上方へ向かった現像液が
空気抜き通路34側へ来ても液体は通らず、気体のみを
通すことが可能となる。Its size is determined by a certain groove width, for example, 0.01 to 0.5
By having such a shape, which is preferably about m, even if the developer flowing upward from the liquid pool 23 comes to the air vent passage 34 side, the liquid does not pass through, and only gas can pass through. .
なお、本発明の処理装置は、液状処理剤を被処理基板全
面に被着させるもの1例えば半導体ウェハの製造工程等
において行われるフォトレジスト液の塗布等においても
レジスト液の供給が安定することから有効な装置である
。The processing apparatus of the present invention is suitable for applying a liquid processing agent to the entire surface of a substrate to be processed. It is an effective device.
また、第6図に示す如く、排気管30に気液分離装置B
等を接続するのが望ましい。すなわち、図中40は、真
空発生手段を構成する圧縮空気源である。真空発生手段
は、吸着用の真空を発生するために、圧縮空気を供給す
ることにより真空を発生するものである。この圧縮空気
源40からの空気流入口41を通じて圧縮空気を供給す
ることにより内部のベンチュリーにより真空口42に真
空を発生し、排気口43から排出する空気圧式真空装置
44が設けられている。そして、真空口42は、真空路
をなすパイプ45により内カップ14の吸着パッド15
に配管接続されている。吸着バッド15と真空吸引路4
6と空気圧式真空装置44とから真空吸着手段が構成さ
れている。この真空吸着手段の空気圧式真空装置44の
排気口43には、気体と液体を分離する気液分離装置A
47が配管接続されている。そして、気液分離された気
体は排気口A48から、液体は排液口A49からそれぞ
れ排出される。In addition, as shown in FIG. 6, a gas-liquid separator B is connected to the exhaust pipe 30.
It is desirable to connect the That is, numeral 40 in the figure is a compressed air source constituting the vacuum generating means. The vacuum generating means generates a vacuum by supplying compressed air in order to generate a vacuum for adsorption. A pneumatic vacuum device 44 is provided which supplies compressed air from the compressed air source 40 through an air inlet 41 to generate a vacuum in a vacuum port 42 using an internal venturi and exhausts the vacuum from an exhaust port 43. The vacuum port 42 is connected to the suction pad 15 of the inner cup 14 by a pipe 45 forming a vacuum path.
The piping is connected to the Suction pad 15 and vacuum suction path 4
6 and the pneumatic vacuum device 44 constitute a vacuum suction means. The exhaust port 43 of the pneumatic vacuum device 44 of this vacuum adsorption means is equipped with a gas-liquid separator A for separating gas and liquid.
47 is connected by piping. The separated gas and liquid are discharged from the exhaust port A48 and the liquid from the drain port A49, respectively.
一方、下カップ28の排気管30は、配管50にて気液
分離装置B51に接続されている。この気液分離装置B
51は大容積に形成されている。すなわち、気液分離装
置B51は、排気流の減圧効果と内部に設けられたバッ
フルにより微細なミストを集めて液化するように構成さ
れている。この気液分離装置B51によって分離された
液体は排液口B52から、気体は排気口B53から排出
される。また、排気口B53はアルカリ排気処理装置5
4に接続され、排気処理が完了するように構成されてい
る。On the other hand, the exhaust pipe 30 of the lower cup 28 is connected to a gas-liquid separator B51 via a pipe 50. This gas-liquid separator B
51 is formed to have a large volume. That is, the gas-liquid separator B51 is configured to collect fine mist and liquefy it using the pressure reduction effect of the exhaust flow and the baffle provided inside. The liquid separated by this gas-liquid separator B51 is discharged from a liquid drain port B52, and the gas is discharged from an exhaust port B53. In addition, the exhaust port B53 is connected to the alkaline exhaust treatment device 5.
4 to complete the exhaust process.
ここで、気液分離装置A41の排気口A48は、上記配
管に接続されており、気体は気液分離装置B51にて処
理されるようになっている。Here, the exhaust port A48 of the gas-liquid separator A41 is connected to the piping, and the gas is processed in the gas-liquid separator B51.
また、下カップ28の排液管29、気液分離装WIA4
7の排液口A49、気液分離装置B51の排液口B52
は、集液パイプ55により集液され、排液処理装置(図
示せず)によって処理されるように構成されている。In addition, the drain pipe 29 of the lower cup 28, the gas-liquid separator WIA4
7 drain port A49, liquid drain port B52 of gas-liquid separator B51
The liquid is collected by a liquid collection pipe 55, and is configured to be treated by a waste liquid treatment device (not shown).
また、内カップ14の上面の被処理基板11の下面周縁
部を吸着する真空吸着手段を次のように構成しても良い
、すなわち、溝状の真空吸引路46の周囲上面を平面上
に形成する。また、被処理基板11との接触面の大きさ
をこの被処理基板11の大きさ以下、具体的には同等か
僅かに小さい程度にする。Further, the vacuum suction means for suctioning the lower peripheral edge of the substrate to be processed 11 on the upper surface of the inner cup 14 may be configured as follows. That is, the upper surface around the groove-shaped vacuum suction path 46 may be formed on a flat surface. do. Further, the size of the contact surface with the substrate 11 to be processed is set to be equal to or slightly smaller than the size of the substrate 11 to be processed.
更に、液体を弾く性質を有する塑水性材料例えば三弗化
エチレン樹脂で形成された吸着バッド15を環状に設け
ておく。三弗化エチレン樹脂は、塑水性、耐薬品性に優
れており、また例えば四弗化エチレン樹脂等に比較して
硬度が高く、半導体ウェハとの吸着においても損傷する
ことが少なく、さらに真空吸引の際に傷等によるリーク
が少ない。Furthermore, an annular suction pad 15 made of a hydroplastic material having a property of repelling liquid, such as trifluoroethylene resin, is provided. Ethylene trifluoride resin has excellent water plasticity and chemical resistance, and is also harder than, for example, tetrafluoroethylene resin, so it is less likely to be damaged when adsorbed with semiconductor wafers, and it is also less susceptible to vacuum suction. There is less leakage due to scratches etc.
また、上記三弗化エチレン樹脂は、熱伝導性が低く現像
中に処理温度が変化するのが好ましくない現像処理にお
いても、断熱効果を発揮し良好な現像処理が可能となる
。Furthermore, the trifluoroethylene resin exhibits a heat insulating effect and enables good development processing even in development processing where it is undesirable for the processing temperature to change during development due to its low thermal conductivity.
このように吸着パッド15が塑水性材料で形成し、かつ
、被処理基板11との接触面を被処理基板11より小さ
くしているので、被処理基板11を回転するだけで、残
存する液をほぼ完全に振り切れることになり液の残存を
ほぼ無くすことができる。As described above, since the suction pad 15 is made of a hydroplastic material and the contact surface with the substrate 11 to be processed is smaller than that of the substrate 11 to be processed, the remaining liquid can be removed simply by rotating the substrate 11 to be processed. It can be shaken off almost completely, and there is almost no remaining liquid.
以上説明したように本発明によれば、長期間停止した後
にも安定して液状処理剤を供給することが可能となるた
め、処理むら等の不良発生率を低減することが可能にな
る。As explained above, according to the present invention, it is possible to stably supply a liquid processing agent even after a long period of stoppage, and therefore it is possible to reduce the incidence of defects such as processing unevenness.
第1図は本発明装置の一実施例を説明するための浸漬式
現像装置の構成図、第2図は第1図の現像液供給部説明
図、第3図は第2図のX−X間断面図、第4図は第1図
浸漬式現像装置の動作説明図、第5図及び第6図は本発
明装置の他の実施例説明図、第7図は従来の浸漬処理装
置の構成図である。
11・・・被処理基板 14・・・内カップ1
5・・・吸着パッド 17・・・上カップ18
・・・シールリング 19・・・現像液供給機構
20・・・外周溝 21・・・ノズル群2
1a・・・小径ノズル 22・・・仕切板24・
・・吐出通路 26・・・現像液供給管27
・・・外カップ
32・・・現像液Fig. 1 is a block diagram of an immersion type developing device for explaining one embodiment of the device of the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram of the developer supply section in Fig. 1, and Fig. 3 is a diagram taken along line X-X in Fig. 2. 4 is an explanatory diagram of the operation of the immersion type developing apparatus shown in FIG. 1, FIGS. 5 and 6 are explanatory diagrams of other embodiments of the apparatus of the present invention, and FIG. 7 is a configuration of a conventional immersion processing apparatus. It is a diagram. 11... Substrate to be processed 14... Inner cup 1
5... Suction pad 17... Upper cup 18
... Seal ring 19 ... Developer supply mechanism 20 ... Outer circumferential groove 21 ... Nozzle group 2
1a... Small diameter nozzle 22... Partition plate 24.
...Discharge passage 26...Developer supply pipe 27
...Outer cup 32...Developer
Claims (1)
該被処理基板の裏面を底部に液密に接触させて処理槽を
構成するカップと、該カップの周壁内に前記処理槽と連
通して形成された外周溝と、一端側が液状処理剤供給源
に接続し、かつ、他端側が前記外周溝に所定間隔で複数
個連結したノズルと、前記外周溝の開口端縁よりも前記
外周溝の底部側に向って前記カップの内周壁に垂下され
た仕切板とを具備することを特徴とする処理装置。a cup having an opening through which a substrate to be processed can be taken in and taken out and forming a processing tank by bringing the back side of the accommodated substrate to be in liquid-tight contact with the bottom; an outer circumferential groove formed in communication; a plurality of nozzles whose one end side is connected to a liquid processing agent supply source and whose other end side is connected to the outer circumferential groove at predetermined intervals; A processing device comprising: a partition plate hanging down from the inner circumferential wall of the cup toward the bottom side of the outer circumferential groove.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8449289A JP2724870B2 (en) | 1988-04-08 | 1989-04-03 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-86735 | 1988-04-08 | ||
JP8673588 | 1988-04-08 | ||
JP8449289A JP2724870B2 (en) | 1988-04-08 | 1989-04-03 | Processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0256923A true JPH0256923A (en) | 1990-02-26 |
JP2724870B2 JP2724870B2 (en) | 1998-03-09 |
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ID=26425526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8449289A Expired - Fee Related JP2724870B2 (en) | 1988-04-08 | 1989-04-03 | Processing equipment |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2724870B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014501043A (en) * | 2010-11-30 | 2014-01-16 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | Wafer or die processing method |
JP2021027247A (en) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP8449289A patent/JP2724870B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014501043A (en) * | 2010-11-30 | 2014-01-16 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | Wafer or die processing method |
JP2021027247A (en) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
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JP2724870B2 (en) | 1998-03-09 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |