JPH06120132A - Resist coater - Google Patents

Resist coater

Info

Publication number
JPH06120132A
JPH06120132A JP28939092A JP28939092A JPH06120132A JP H06120132 A JPH06120132 A JP H06120132A JP 28939092 A JP28939092 A JP 28939092A JP 28939092 A JP28939092 A JP 28939092A JP H06120132 A JPH06120132 A JP H06120132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
nozzle
pressurized gas
solvent
resist solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28939092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatoshi Shiraishi
雅敏 白石
Masami Akumoto
正巳 飽本
Akihiro Fujimoto
昭浩 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP28939092A priority Critical patent/JPH06120132A/en
Publication of JPH06120132A publication Critical patent/JPH06120132A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To prevent crystal of resist solution re-attaching to a nozzle. CONSTITUTION:A resist coater spreads resist solution on a wafer W to be processed which is sucked and retained by a spin chuck 50, from a solution feeding nozzle 60. In the resist coater the following are installed; a nozzle awaiting part 62 which makes a nozzle wait, and a dummy spouting part 64 which performs dummy spouting (dummy dispensing). A solvent discharging part 108 which makes the solvent flow down along the whole periphery of the inner wall of the dummy spouting part 64 is formed, thereby discharging crystal or the like of the resist solution scattered at the time of dummy dispensing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製造工程にあっては、被
処理基板、例えば半導体ウエハやLCD用ガラス基板上
にフォトリソグラフィー技術を用いて所定の回路パター
ンの転写を行っており、このような工程にあっては、基
板上に感光剤であるフォトレジスト液を塗布するための
レジスト塗布装置が用いられている。このような塗布装
置は、レジスト液収容部に貯留されているレジスト液を
例えばベローズポンプ等を用いて圧送し、これをノズル
から半導体ウエハ表面上に所定のレジスト液を吐出さ
せ、この後、スピンチャックによりウエハを高速回転さ
せてレジスト液をウエハ表面全面に拡散させ、均一なコ
ーティング膜を得るようになっている。この場合、コー
ティングに使用するノズルは、不使用時には例えばスピ
ンチャックの側部に設けられたソルベントバスを有する
待機部に待機されており、レジスト液は揮発性溶媒に溶
解されていることから固化を防止するためにノズル先端
は溶媒中或いは溶媒蒸気中に浸漬されている。そして、
コーティング時には、ノズル中に残留している乾燥気味
のレジスト液を廃棄するいわゆるダミーディスペンスを
直前に行って、引き続きコーティング処理を行うように
なっている。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, a predetermined circuit pattern is transferred onto a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD by using a photolithography technique. In that case, a resist coating apparatus for coating a photoresist liquid, which is a photosensitive agent, on a substrate is used. In such a coating apparatus, the resist solution stored in the resist solution storage section is pressure-fed using, for example, a bellows pump or the like, and a predetermined resist solution is ejected from the nozzle onto the surface of the semiconductor wafer. The chuck rotates the wafer at a high speed to diffuse the resist solution over the entire surface of the wafer to obtain a uniform coating film. In this case, the nozzle used for coating is in a standby state when not in use, for example, in a standby section having a solvent bath provided on the side of the spin chuck, and the resist liquid is dissolved in a volatile solvent so that it does not solidify. To prevent it, the nozzle tip is immersed in a solvent or solvent vapor. And
At the time of coating, a so-called dummy dispense for discarding the dry resist solution remaining in the nozzle is performed immediately before, and the coating process is subsequently performed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、レジスト液
としては製品の多様化に対応して、例えば高粘度であっ
て溶媒に溶けにくいPIQ(ポリイミド系)レジスト液
や粘度は低いが結晶化し易く一旦結晶化すると溶けにく
いSOG(Spin on glass)レジスト液等
が使用される場合がある。しかしながらこれらのレジス
ト液は、ノズル先端をソルベントバスにて溶媒中或いは
溶媒蒸気中に浸漬させているとはいえ、一旦結晶固化す
ると非常にとれにくくなり、しかも、ダミーディスペン
スを行った際に飛ばされた結晶が待機部内ではね返って
再度ノズルに付着し、パーティクルの発生原因になると
いう改善点を有していた。また、待機部のソルベントバ
スに飛ばされたレジスト液の結晶などが推積し、これを
例えばフッ酸等により頻繁に洗浄しなければならないと
いう改善点も有していた。
In response to the diversification of products as a resist solution, for example, a PIQ (polyimide-based) resist solution which has a high viscosity and is difficult to dissolve in a solvent or a low viscosity but easy to crystallize In some cases, SOG (Spin on glass) resist solution or the like that is difficult to dissolve when crystallized is used. However, even though these resist solutions have their nozzle tips immersed in a solvent or solvent vapor in a solvent bath, once they are crystallized, they become very difficult to remove, and moreover, they are blown off when performing dummy dispensing. In addition, the crystals rebound in the standby portion and adhere to the nozzle again, which causes the generation of particles. Further, there is an improvement that crystals of the resist solution blown off in the solvent bath of the standby section are accumulated and must be frequently washed with, for example, hydrofluoric acid.

【0004】更には、レジスト液の吐出方式としてベロ
ーズポンプを採用した場合にはこの中に残留するレジス
ト液が固化する傾向となり、塗膜に悪影響を及ぼすとい
う改善点を有していた。そこでこのベローズポンプ方式
に代えてN2 ガス加圧によるレジスト吐出方式が検討さ
れている。このN2 ガスレジスト吐出方式は図7に示す
ように構成されている。すなわち、供給するレジスト液
を収容するレジスト液収容部は、ガラス製のレジスト収
容容器2の開口部4に例えばテフロン製Oリング等より
なるシール部材6を介設して蓋体8を螺合させて内部に
レジスト液10を収容し、加圧したN2 ガスによりレジ
スト液10をノズル側へ圧送するように構成されてい
る。しかしながら、この場合にはシール部材6の一部に
リークが発生していると、その部分から加圧気体(N
2 )のみならず溶媒蒸気12も洩出してしまい、その結
果、レジスト液の粘度が上昇してウエハ上に塗布される
レジスト膜の膜厚が経時変化してしまうという改善点を
有していた。本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、レジスト液の結晶がノズルに再付着すること
を防止すると共にレジスト液の粘性の変化に伴うレジス
ト膜の膜厚が継時変化することを防止することができる
レジスト塗布装置を提供することにある。
Further, when a bellows pump is adopted as the method for discharging the resist solution, the resist solution remaining therein tends to solidify, which has an adverse effect on the coating film. Therefore, instead of this bellows pump method, a resist discharge method by pressurizing N 2 gas is being studied. This N 2 gas resist discharge method is configured as shown in FIG. That is, the resist solution containing section for containing the supplied resist solution is provided with a sealing member 6 made of, for example, a Teflon O-ring or the like in the opening 4 of the glass resist containing container 2 and the lid body 8 is screwed. The resist solution 10 is housed inside, and the resist solution 10 is pressure-fed to the nozzle side by the pressurized N 2 gas. However, in this case, if a leak occurs in a part of the seal member 6, the pressurized gas (N
2 ) Not only the solvent vapor 12 leaked out, but as a result, the viscosity of the resist solution increased and the thickness of the resist film coated on the wafer changed over time. . The present invention focuses on the above problems,
It was created to solve this effectively. An object of the present invention is to provide a resist coating apparatus capable of preventing the crystal of the resist liquid from reattaching to the nozzle and preventing the resist film thickness from continuously changing due to the change of the viscosity of the resist liquid. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、上記問題
点を解決するために、揮発性溶媒に溶解されたレジスト
液を貯留するレジスト液収容部から供給されたレジスト
液を液供給ノズルから被処理基板上に供給して塗布する
レジスト塗布装置において、前記液供給ノズルを溶媒中
または溶媒蒸気中に浸漬して待機させるノズル待機部
と、前記被処理基板上にレジスト液を塗布する前に前記
ノズルからレジスト液のダミー吐出を行うためのダミー
吐出部とを設け、前記ダミー吐出部の内壁に沿って溶媒
を流下させる溶媒放出部を形成したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention provides a liquid supply nozzle for supplying a resist liquid supplied from a resist liquid storage portion which stores a resist liquid dissolved in a volatile solvent. In a resist coating apparatus for supplying and coating on a substrate to be processed, a nozzle standby part for immersing the liquid supply nozzle in a solvent or solvent vapor to stand by, and before coating a resist liquid on the substrate to be processed. And a dummy discharge part for performing dummy discharge of the resist liquid from the nozzle, and a solvent discharge part for causing the solvent to flow down along the inner wall of the dummy discharge part.

【0006】第2の発明は、上記問題点を解決するため
に、揮発性溶媒に溶解されたレジスト液を貯留するレジ
スト液収容部から供給されたレジスト液を液供給ノズル
から被処理基板上に供給して塗布するレジスト塗布装置
において、前記レジスト液収容部の開口部に所定の間隔
を隔てて設けた複数のシール部材を介して蓋体を設け、
前記シール部材間に形成される空間部に加圧気体を供給
する加圧気体供給通路を形成すると共に前記空間部と前
記レジスト液収容部内とを連通する連通路を形成し、加
圧気体供給通路から供給される加圧気体により前記レジ
スト液を圧送するように構成したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a second aspect of the present invention provides a resist solution supplied from a resist solution storage part for storing a resist solution dissolved in a volatile solvent from a solution supply nozzle onto a substrate to be processed. In a resist coating apparatus for supplying and coating, a lid is provided via a plurality of seal members provided at predetermined intervals in the opening of the resist liquid storage section,
A pressurized gas supply passage for supplying a pressurized gas to the space formed between the seal members is formed, and a communication passage for connecting the space and the resist liquid storage portion is formed, and the pressurized gas supply passage is formed. The resist solution is pressure-fed by a pressurized gas supplied from.

【0007】[0007]

【作用】第1の発明によれば、液供給ノズルを使用しな
いときにはノズルをノズル待機部に待機させておき、コ
ーティングを行う場合には、直前にこのノズルをダミー
吐出部にもって行きここでまずレジスト液のダミー吐出
を行ってノズル内の揮発気味のレジスト液をこれに付着
している結晶と共に吹き飛ばし、その後、引き続いてレ
ジスト液を被処理基板上に吐出し、コーティングを行
う。従って、吹き飛ばされたレジスト液の結晶はダミー
吐出部にて受けられ、ここの内壁全周に設けた溶媒放出
部から流下する溶媒により排除され、結晶がはね返って
再度ノズルに付着することを阻止することができる。
According to the first aspect of the invention, when the liquid supply nozzle is not used, the nozzle is made to stand by in the nozzle standby portion, and when coating is performed, this nozzle is brought to the dummy ejection portion immediately before, and here, first, Dummy discharge of the resist solution is performed to blow off the volatile resist solution in the nozzle together with the crystals adhering to it, and then the resist solution is subsequently discharged onto the substrate to be processed for coating. Therefore, the crystals of the resist solution blown off are received by the dummy discharge part, and are removed by the solvent flowing down from the solvent discharge part provided on the entire inner wall of the dummy discharge part, and the crystals are prevented from rebounding and adhering to the nozzle again. be able to.

【0008】また、第2の発明によれば、レジスト液収
容部の開口部に蓋体を装着する際に設けた複数、例えば
2つのシール部材により区画形成される空間部に加圧気
体供給通路を介して加圧気体を供給することにより、こ
の加圧気体は連通路を介して収容部側へ導入される。導
入された加圧気体の圧力によりレジスト液はノズル側へ
圧送されることになり、また、シール部材の一部に洩れ
が生じても、そこから大気中へ洩れるのは加圧気体だけ
であり、溶媒蒸気が大気中へ洩れることを防止すること
ができる。
According to the second aspect of the invention, the pressurized gas supply passage is provided in the space defined by a plurality of, for example, two sealing members provided when the lid is attached to the opening of the resist solution containing portion. By supplying the pressurized gas through the, the pressurized gas is introduced into the accommodation portion side through the communication passage. Due to the pressure of the introduced pressurized gas, the resist liquid is pumped to the nozzle side, and even if a part of the seal member leaks, only the pressurized gas leaks to the atmosphere. It is possible to prevent the solvent vapor from leaking into the atmosphere.

【0009】[0009]

【実施例】以下に、本発明に係るレジスト塗布装置の一
実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に
係るレジスト塗布装置の一実施例を示す概略全体構成
図、図2は本発明の塗布装置が配置された基板処理シス
テムの構成を示す図、図3は図1に示す塗布装置の塗布
ユニットの平面図、図4はレジスト塗布ユニットの要部
を示す要部断面図、図5は本発明装置に用いるレジスト
液収容部を示す断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the resist coating apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram showing an embodiment of a resist coating apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system in which the coating apparatus of the present invention is arranged, and FIG. 3 is a coating shown in FIG. FIG. 4 is a plan view of a coating unit of the apparatus, FIG. 4 is a sectional view of a principal portion of the resist coating unit, and FIG. 5 is a sectional view of a resist solution container used in the apparatus of the present invention.

【0010】まず、本発明に係るレジスト塗布装置14
が配置される基板処理システム16について説明する。
この基板処理システム16は、その一側に被処理基板と
して例えば半導体ウエハWを収容する複数のカセット1
8を載置可能に構成したキャリアステーション20を有
し、この中央部には基板の搬入・搬出及び基板の位置決
めを行いつつこれを保持してメインアーム22との間で
受け渡しを行う補助アーム24が設けられている。この
メインアーム22は、基板処理システム16の中央部に
てその長さ方向に移動可能に2基設けられており、この
移送路の両側に各種処理装置が配置されている。具体的
には、この処理装置としてはキャリアステーション20
側の側方には、半導体ウエハをブラシ洗浄するためのブ
ラシスクラバ26及び高圧ジェット水により洗浄を施す
ための高圧ジェット洗浄機28等が並設されると共に、
メインアームの移送路の反対側には現像装置30が2基
並設され、その隣には、2基の加熱装置32が積み重ね
て設けられている。
First, the resist coating apparatus 14 according to the present invention.
The substrate processing system 16 in which is arranged will be described.
The substrate processing system 16 includes a plurality of cassettes 1 on one side thereof, for example, semiconductor wafers W as substrates to be processed.
8 has a carrier station 20 configured to be mounted, and an auxiliary arm 24 for carrying in / out a substrate and positioning the substrate while holding the carrier station 20 and delivering the substrate 8 to / from the main arm 22. Is provided. Two main arms 22 are provided in the central portion of the substrate processing system 16 so as to be movable in the length direction, and various processing devices are arranged on both sides of this transfer path. Specifically, the carrier station 20 is used as this processing device.
A brush scrubber 26 for brush-cleaning the semiconductor wafer, a high-pressure jet cleaner 28 for cleaning with high-pressure jet water, and the like are provided in parallel on the side.
Two developing devices 30 are arranged side by side on the opposite side of the transfer path of the main arm, and two heating devices 32 are stacked next to each other.

【0011】更に、この機器の側方には、接続用ユニッ
ト34を介して、半導体ウエハにフォトレジストを塗布
する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン装置36
が設けられ、この下方にはクーリング装置38が配置さ
れている。この装置36、38の側部には加熱装置32
が2列で2個ずつ積み重ねるように配置されている。ま
た、メインアームの移送路を挟んでこれら加熱装置32
やアドヒージョン装置36等の反対側には半導体ウエハ
にフォトレジスト液を塗布する本発明に係るレジスト塗
布装置14が2台並設されている。尚、図示されてない
がこれらレジスト塗布装置14の側部には、レジスト膜
に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設
けられる。
Further, on the side of this device, an adhesion device 36 for hydrophobizing the semiconductor wafer through a connecting unit 34 before applying the photoresist to the semiconductor wafer.
Is provided, and the cooling device 38 is disposed below this. A heating device 32 is provided on the side of the device 36, 38.
Are arranged so that two of them are stacked in two rows. In addition, these heating devices 32 are sandwiched across the transfer path of the main arm.
On the opposite side of the adhesion device 36 and the like, two resist coating devices 14 according to the present invention for coating a photoresist liquid on a semiconductor wafer are provided in parallel. Although not shown, an exposure device or the like for exposing a predetermined fine pattern on the resist film is provided on the side of the resist coating device 14.

【0012】このように構成された基板処理システム1
6に組み込まれる本発明のレジスト塗布装置14は、図
1に示すように被処理基板として例えば半導体ウエハW
にレジスト液40を実際に塗布するレジスト塗布ユニッ
ト42とこのユニット42にレジスト液収容部44から
レジスト液40を供給するレジスト供給ユニット46と
により主に構成されている。このレジスト塗布ユニット
42は、半導体ウエハWを真空チャックにより吸着可能
に保持し、且つ駆動モータ48により回転可能になされ
た上下動可能なスピンチャック50を有しており、この
スピンチャック50の周辺部には、レジスト液塗布時に
飛散するレジスト液やサイドリンス時に飛散するリンス
液を受け取るカップ52が設けられている。
The substrate processing system 1 thus configured
As shown in FIG. 1, the resist coating apparatus 14 of the present invention incorporated in the semiconductor device 6 is, for example, a semiconductor wafer W as a substrate to be processed.
A resist coating unit 42 that actually coats the resist solution 40 and a resist supply unit 46 that supplies the resist solution 40 to the unit 42 from the resist solution container 44. The resist coating unit 42 has a spin chuck 50 that holds a semiconductor wafer W so that it can be adsorbed by a vacuum chuck and that is rotatable by a drive motor 48. The spin chuck 50 can move up and down. Is provided with a cup 52 for receiving the resist solution that is scattered when the resist solution is applied and the rinse solution that is scattered when the side rinse is performed.

【0013】このカップ52の底部は、廃液を一側に集
めるために傾斜されており、この傾斜端部には廃液を排
出するための排液配管54が接続されると共に他端部に
はカップ52内の雰囲気を排出するための排気配管56
が接続されており、その雰囲気は図示しないミストトラ
ップを経て排出される。上記カップ52の側部には、レ
ジスト液塗布後にウエハ周縁部のレジストを溶解除去す
るサイドリンス部58が設けられると共にスピンチャッ
ク50を挟んでその反対側にはレジスト液を吐出する液
供給ノズル60を待機させるノズル待機部62とレジス
ト液のダミー吐出を行うダミー吐出部64が並設されて
いる。
The bottom of the cup 52 is inclined to collect the waste liquid on one side, and a drainage pipe 54 for discharging the waste liquid is connected to the inclined end and the other end is cupped. Exhaust pipe 56 for exhausting the atmosphere in 52
Are connected, and the atmosphere is discharged through a mist trap (not shown). A side rinse portion 58 for dissolving and removing the resist on the peripheral portion of the wafer after applying the resist liquid is provided on the side portion of the cup 52, and a liquid supply nozzle 60 for discharging the resist liquid on the opposite side with the spin chuck 50 sandwiched therebetween. A nozzle standby unit 62 for waiting for the liquid and a dummy discharge unit 64 for performing dummy discharge of the resist liquid are arranged in parallel.

【0014】本実施例にあってはノズル待機部62は、
2個隣接されており、これらは案内レール66上を例え
ば図示しないエアシリンダ等を駆動源として一体的に移
動し得るように構成されている。そして、それぞれのノ
ズル待機部62には、異なる種類のレジスト液を吐出す
るための液供給ノズル60が待機されている。尚、図1
にあっては1つのノズルのみを記す。これに対して、ダ
ミー吐出部64はカップ50の外側に固定的に設けられ
る。そして、この液供給ノズル60は、搬送レール68
に沿って移動可能になされた把持アーム70により把持
されてダミー吐出部64、スピンチャック50に向けて
往復移動可能になされる。また、この把持アーム70
は、ノズルを把持するために上下方向にも移動可能にな
されている。
In this embodiment, the nozzle standby unit 62 is
Two of them are adjacent to each other and are configured so as to be able to move integrally on the guide rail 66 by using, for example, an air cylinder (not shown) as a drive source. The liquid supply nozzles 60 for ejecting different types of resist liquids are on standby in the respective nozzle standby portions 62. Incidentally, FIG.
In that case, only one nozzle is described. On the other hand, the dummy discharge part 64 is fixedly provided outside the cup 50. Then, the liquid supply nozzle 60 is provided with a carrier rail 68.
It is gripped by a gripping arm 70 that is movable along the direction, and can be reciprocally moved toward the dummy ejection unit 64 and the spin chuck 50. Also, this gripping arm 70
Is movable in the vertical direction to grip the nozzle.

【0015】一方、上記ノズル待機部62は、レジスト
液を溶解する溶媒72を途中まで収容した、例えばステ
ンレスやポリプロピレン等よりなるソルベントバス74
を有しており、このバス74は、待機部基台76にボル
ト78により着脱自在に取り付けられている。このバス
74及び基台76の底部には、溶媒72を導入する導入
通路80が貫通させて設けられると共にこの導入通路8
0には、図示しない溶媒源に連結されたフレキシブルな
溶媒導入管82が接続されている。また、バス74の高
さ方向の中央部にはこれと基台76を貫通させてオーバ
ーフローした溶媒を排出する排出通路84が設けられる
と共にこの排出通路84にはフレキシブルな溶媒排出管
86が接続されている。
On the other hand, the nozzle stand-by portion 62 contains a solvent 72 for dissolving the resist solution halfway, and a solvent bath 74 made of, for example, stainless steel or polypropylene.
The bus 74 is detachably attached to the standby portion base 76 with bolts 78. An introduction passage 80 for introducing the solvent 72 is provided to penetrate through the bottoms of the bath 74 and the base 76, and the introduction passage 8 is provided.
A flexible solvent introduction tube 82 connected to a solvent source (not shown) is connected to 0. A discharge passage 84 for discharging the overflowed solvent by penetrating the base 74 and the base 76 is provided at the center of the bus 74 in the height direction, and a flexible solvent discharge pipe 86 is connected to the discharge passage 84. ing.

【0016】このソルベントバス74の上端開口部は、
液供給ノズル60のノズル本体88の下端部によりこれ
を被うようになされており、この時、ノズル部90は溶
媒72の蒸気中に浸漬されるか或いはその先端を溶媒7
2中に浸漬させる。溶媒72中に浸漬させるか否かは、
使用するレジスト液に依存し、例えばレジスト液として
PIQを使用する場合はノズル部の下端部を溶媒中に浸
漬させ、SOGの場合にはその下端部を溶媒中には浸漬
させないで全体を溶媒蒸気中に位置させる。このノズル
本体88には、レジスト供給ユニット46からのフレキ
ジブルなレジスト液移送管92が接続されると共に把持
アーム70により把持される把持用突起94が形成され
る。また、このノズル本体88には、一端がノズル部9
0の外周に連結され、他端には洗浄液チューブ89が接
続された洗浄液流路91が形成されている。
The upper end opening of this solvent bath 74 is
The lower end portion of the nozzle body 88 of the liquid supply nozzle 60 covers the nozzle body 90. At this time, the nozzle portion 90 is immersed in the vapor of the solvent 72 or the tip thereof is covered with the solvent 7.
Immerse in 2. Whether to immerse in the solvent 72,
Depending on the resist solution used, for example, when PIQ is used as the resist solution, the lower end of the nozzle is immersed in the solvent, and in the case of SOG, the lower end is not immersed in the solvent and the whole is a solvent vapor. Position it inside. The nozzle body 88 is connected with a flexible resist liquid transfer pipe 92 from the resist supply unit 46 and is formed with a gripping projection 94 that is gripped by the gripping arm 70. Further, one end of the nozzle main body 88 has a nozzle portion 9
A cleaning liquid flow passage 91 is formed which is connected to the outer periphery of 0 and has a cleaning liquid tube 89 connected to the other end.

【0017】そして、ダミー吐出部64は、少なくとも
ノズル部90を収容し得る大きさの開口部を上端に備え
た肉厚中空のダミー吐出ユニット96を有しており、こ
のユニット96は吐出部基台100にボルト102によ
り着脱自在に取り付けられている。このユニット96は
例えばステンレスやポリプロピレン等により構成され、
その下端部には、基台100を貫通させて排出口104
が形成されており、この排出口104には液排出管10
6が接続されている。そして、このダミー吐出ユニット
96の中空部の下部の内壁にはその全周方向に沿って溶
媒を流下させるための溶媒放出部108が形成されてい
る。具体的には、この溶媒放出部108は、中空ダミー
吐出ユニット96の内壁にその周方向に沿って形成され
た溶媒貯留溝110より成り、この溝110のユニット
中心側には環状の堰112が設けられており、溝内に貯
留した溶媒114を必要に応じて堰112からオーバフ
ローさせて吐出ユニット96の内壁全周から溶媒を流下
し得るように構成されている。この貯留溝110には、
ダミー吐出ユニット96及び吐出部基台100を貫通さ
せて設けた導入通路116が接続されると共にこの導入
通路116には図示しない溶媒源に連結されたフレキシ
ブルな溶媒導入管118が接続されている。
The dummy discharge part 64 has a thick hollow dummy discharge unit 96 having an opening at the upper end which can accommodate at least the nozzle part 90, and this unit 96 has a discharge part base. It is detachably attached to the base 100 with bolts 102. The unit 96 is made of, for example, stainless steel or polypropylene,
At the lower end, the base 100 is penetrated and the discharge port 104 is provided.
The liquid discharge pipe 10 is formed in the discharge port 104.
6 is connected. A solvent discharge portion 108 for flowing the solvent down is formed on the inner wall of the lower portion of the hollow portion of the dummy discharge unit 96 along the entire circumferential direction. Specifically, the solvent discharge part 108 is composed of a solvent storage groove 110 formed along the circumferential direction on the inner wall of the hollow dummy discharge unit 96, and an annular weir 112 is provided on the unit center side of the groove 110. It is provided so that the solvent 114 stored in the groove overflows from the weir 112 as necessary to allow the solvent to flow down from the entire circumference of the inner wall of the discharge unit 96. In this storage groove 110,
An introduction passage 116 provided so as to penetrate the dummy discharge unit 96 and the discharge part base 100 is connected, and a flexible solvent introduction pipe 118 connected to a solvent source (not shown) is connected to the introduction passage 116.

【0018】一方、液供給ノズル60のノズル部90に
対応するダミー吐出ユニット96の内壁部分にはノズル
部90を乾燥させるために窒素ガス等の乾燥気体を噴出
するための気体噴出口120が形成されると共にこの気
体噴出口120からは他端にフレキシブルな気体供給管
122が接続された気体導入通路124が上記ユニット
等を貫通させて設けられている。また、ノズル部90を
挟んで気体噴出口120の反対側には気体排出口124
が形成されており、これには気体排出通路126及びフ
レキシブルな気体排出管128が順次接続されており、
この排出管128に介設した図示しないエゼクタ(空気
圧式真空装置)により強制排気するように構成されてい
る。一方、レジスト供給ユニット46は、レジスト液収
容部44として上端部が開口されたガラス製容器130
を有しており、この内部には溶媒により溶解されたレジ
スト液40が収容されている。
On the other hand, in the inner wall portion of the dummy discharge unit 96 corresponding to the nozzle portion 90 of the liquid supply nozzle 60, a gas ejection port 120 for ejecting a dry gas such as nitrogen gas to dry the nozzle portion 90 is formed. In addition, a gas introduction passage 124, to which a flexible gas supply pipe 122 is connected to the other end from the gas ejection port 120, is provided so as to penetrate the unit and the like. In addition, the gas outlet 124 is provided on the opposite side of the gas outlet 120 with the nozzle portion 90 interposed therebetween.
Is formed, to which a gas discharge passage 126 and a flexible gas discharge pipe 128 are sequentially connected,
The eject pipe 128 is configured to perform forced exhaust by an ejector (pneumatic vacuum device) not shown. On the other hand, the resist supply unit 46 includes a glass container 130 having an upper end opened as the resist liquid storage portion 44.
The resist liquid 40 dissolved in a solvent is contained in the inside.

【0019】そして、図5に示すように、容器130の
開口部は溶媒に対して耐腐食性の大きな材料、例えばテ
フロンよりなる蓋体132が螺合させて取り付けられて
いる。この場合、開口部の周縁部上端と蓋体8の下面
(周縁部上端と対向する面)及び開口部の周縁部内側面
と蓋体8の内側凸部134の側面(周縁部内側面と対向
する面)との間には所定の間隔を隔てて例えばテフロン
製のOリングよりなる2つのシール部材136、138
が介設されており、これらシール部材136、138間
には空間部140が形成されている。これらシール部材
136、138により開口部が完全に密閉されて溶媒蒸
気が容器外へ洩出しなければ何ら問題は生じないが、実
際においてはシール部材の不備等により溶媒蒸気の洩出
の可能性が必ず存在する。そのため、本実施例にあって
は、上記蓋体132を貫通させて上記リング状の空間部
140に連通する例えば配管を使用した加圧気体供給通
路142が形成されており、この通路142を介して図
示しない窒素ガス源より所定の圧力、例えば1.5気圧
程度の加圧気体を供給するように構成されている。
As shown in FIG. 5, a lid 132 made of a material having a high corrosion resistance to a solvent, for example, Teflon is screwed and attached to the opening of the container 130. In this case, the upper edge of the peripheral edge of the opening, the lower surface of the lid 8 (the surface facing the upper edge of the peripheral edge), the inner surface of the peripheral edge of the opening, and the side surface of the inner convex portion 134 of the lid 8 (the surface opposing the inner surface of the peripheral edge). ) And a seal member 136, 138 made of, for example, a Teflon O-ring at a predetermined interval.
And a space 140 is formed between the seal members 136 and 138. No problem arises unless the solvent vapor leaks out of the container by completely sealing the openings by these seal members 136 and 138. However, in reality, there is a possibility that the solvent vapor leaks due to a defective seal member or the like. Must exist. Therefore, in the present embodiment, a pressurized gas supply passage 142 using, for example, a pipe that penetrates the lid 132 and communicates with the ring-shaped space 140 is formed. A pressurized gas having a predetermined pressure, for example, about 1.5 atm is supplied from a nitrogen gas source (not shown).

【0020】更に、蓋体132の凸部134には、上記
空間部140とレジスト液収容部すなわちガラス製容器
130内の上部とを連通するための連通路144が形成
されており、空間部140内へ導入した加圧気体Gを容
器130内へ導入し、この圧力により、容器内の底部ま
で挿入したレジスト液移送管92を介してレジスト液4
0を圧送し得るように構成されている。従って、加圧気
体Gの流れの上流側である空間部140内へは溶媒蒸気
が流入せず、上側のシール部材136から大気中へ洩出
するガスは窒素ガスだけとなり溶媒蒸気が大気中へ洩出
することがない。このレジスト液移送管92には、途中
に開閉弁146が介設されると共に液を供給側に引き戻
すためのサックバック部148が分岐させて接続されて
いる。また、加圧気体供給通路142には、フィルタ1
50及び開閉弁152が順次介設されてN2 ガス源に接
続されている。
Further, the convex portion 134 of the lid body 132 is formed with a communication passage 144 for communicating the space portion 140 with the resist solution storage portion, that is, the upper portion in the glass container 130, and the space portion 140. The pressurized gas G introduced into the container 130 is introduced into the container 130, and this pressure causes the resist solution 4 to pass through the resist solution transfer pipe 92 inserted to the bottom of the container.
It is configured so that 0 can be pumped. Therefore, the solvent vapor does not flow into the space 140, which is the upstream side of the flow of the pressurized gas G, and the only gas leaking from the upper sealing member 136 into the atmosphere is nitrogen gas, and the solvent vapor into the atmosphere. There is no leakage. An on-off valve 146 is provided in the middle of the resist liquid transfer pipe 92, and a suck back portion 148 for returning the liquid to the supply side is branched and connected. In addition, in the pressurized gas supply passage 142, the filter 1
50 and an on-off valve 152 are sequentially interposed and connected to the N 2 gas source.

【0021】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、被処理基板としての半導
体ウエハWはキャリアステーション20のカセット18
から補助アーム24を介して搬送されてメインアーム2
2に受け渡され、これをブラシスクラバ26内に搬送す
る。このスクラバ26内にてブラシ洗浄されたウエハW
は引続いて乾燥される。尚、ブラシ洗浄の代わりに必要
に応じて高圧ジェット洗浄機28内にて高圧ジェット水
により洗浄される。この後、ウエハWは、アドヒージョ
ン処理装置36にて疎水化処理が施され、クーリング装
置38にて冷却された後、本発明のレジスト塗布装置1
4にてレジスト液すなわち感光膜が塗布形成される。そ
して、このフォトレジストが加熱装置32にて加熱され
てベーキング処理が施された後、図示しない露光装置に
て所定のパターンが露光される。そして、露光後フォト
レジスト現像装置30内へ収容し、ここで現像液により
現像処理した後にリンス液により現像液を洗い流し、現
像処理を完了する。
Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. First, the semiconductor wafer W as the substrate to be processed is stored in the cassette 18 of the carrier station 20.
From the main arm 2 via the auxiliary arm 24.
2 is delivered to the brush scrubber 26. Wafer W brush-cleaned in this scrubber 26
Are subsequently dried. Instead of brush cleaning, cleaning is performed with high-pressure jet water in the high-pressure jet cleaning machine 28 as needed. After that, the wafer W is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion treatment device 36 and cooled by the cooling device 38, and then the resist coating device 1 of the present invention.
At 4, a resist solution, that is, a photosensitive film is applied and formed. Then, after the photoresist is heated by the heating device 32 to be subjected to a baking process, a predetermined pattern is exposed by an exposure device (not shown). Then, the photoresist is housed in the photoresist developing device 30 after exposure, where it is developed with a developing solution and then rinsed with a rinse solution to complete the developing process.

【0022】その後、処理済みのウエハWはキャリアス
テーション20のカセット18内に収納されたのち搬出
されて次の処理工程に向けて移送されることになる。こ
こで、上記レジスト塗布装置14内におけるレジスト液
40のコーティング操作を詳述すると、まず、メインア
ーム22により半導体ウエハWをスピンチャック50上
に載置してこれを吸引保持する。コーティング操作を行
わない場合には、液供給ノズル60をノズル待機部62
へ載置してノズル部90をソルベントバス74内の溶媒
72中または溶媒蒸気中に浸漬させておき、このノズル
部90にレジスト液が結晶化して付着することを極力回
避する。
Thereafter, the processed wafer W is stored in the cassette 18 of the carrier station 20 and then carried out to be transferred to the next processing step. Here, the coating operation of the resist liquid 40 in the resist coating device 14 will be described in detail. First, the semiconductor wafer W is placed on the spin chuck 50 by the main arm 22 and held by suction. When the coating operation is not performed, the liquid supply nozzle 60 is connected to the nozzle standby unit 62.
And the nozzle portion 90 is immersed in the solvent 72 or the solvent vapor in the solvent bath 74 to prevent the resist liquid from crystallizing and adhering to the nozzle portion 90 as much as possible.

【0023】次に、コーティング操作を行う場合には、
まず、把持アーム70(図3参照)を操作することによ
ってノズル待機部62に位置する液供給ノズル60を図
4中の実線にて示すようにダミー吐出部64のダミー吐
出ユニット96の上端部に設置する。この状態で前記レ
ジスト供給ユニット46側からレジスト液移送管92を
介して一時的にレジスト液40を供給し、液供給ノズル
60内に存在する乾燥気味のレジスト液を吐出させ、ダ
ミーディスペンスを行う。この時、同時に洗浄液チュー
ブ89を介して溶媒よりなる洗浄液を供給してノズル部
90の外面の洗浄を行い、これに付着して結晶化してい
るレジストを除去する。この場合、溶媒放出部108の
溶媒貯留溝110に満たした溶媒114をオーバフロー
させ、液排出管106の内壁に付着しているレジスト液
及びこの結晶を洗い流す。
Next, when performing a coating operation,
First, by operating the gripping arm 70 (see FIG. 3), the liquid supply nozzle 60 positioned in the nozzle standby portion 62 is placed on the upper end portion of the dummy discharge unit 96 of the dummy discharge portion 64 as shown by the solid line in FIG. Install. In this state, the resist solution 40 is temporarily supplied from the resist supply unit 46 side through the resist solution transfer pipe 92, the dry resist solution existing in the solution supply nozzle 60 is discharged, and dummy dispensing is performed. At this time, at the same time, a cleaning liquid composed of a solvent is supplied through the cleaning liquid tube 89 to clean the outer surface of the nozzle portion 90, and the resist adhering to this and crystallized is removed. In this case, the solvent 114 filled in the solvent storage groove 110 of the solvent discharge part 108 is overflowed to wash away the resist liquid and the crystals adhered to the inner wall of the liquid discharge pipe 106.

【0024】本実施例にあっては、内壁全周に渡って溶
媒114を流下させるようにしているので粘性の高い或
いは低いレジスト液にあってもレジスト液等を確実に洗
い流すことができ、また、ダミーディスペンスにより吹
き飛ばされた結晶が再度ノズル部90に付着することも
ない。更には、上記した理由により、液排出管106の
内壁に付着するレジスト液は全周に沿って洗い流される
ので、これが残留結晶化して管を閉塞することも防止で
きる。このような溶媒のオーバフローによる洗浄は、ダ
ミーディスペンス時のみならず、定期的或いは不定期的
に行うようにしてもよい。
In this embodiment, since the solvent 114 is made to flow down over the entire circumference of the inner wall, the resist solution and the like can be reliably washed off even in the case of resist solution having high or low viscosity. Also, the crystals blown off by the dummy dispense do not adhere to the nozzle portion 90 again. Further, for the above-mentioned reason, the resist liquid adhering to the inner wall of the liquid discharge pipe 106 is washed away along the entire circumference, so that it is possible to prevent the residual liquid crystallizing and blocking the pipe. Cleaning by such solvent overflow may be performed not only during dummy dispensing but also periodically or irregularly.

【0025】また、このダミーディスペンス時にノズル
部90の洗浄が終了したならば、気体噴出口120から
窒素ガス等をノズル部90の外周に吹き付け、この部分
の溶媒を乾燥させた後、コーティングへ移行する。これ
により、ウエハ上にて溶媒がボタ落ちすることを防止す
ることが可能となる。また、この時の排気は、エジェク
タ等を有する気体排気管128により強制的に行うので
飛散したパーティクルも効率的に排除することができ
る。特に、レジスト液としてPIQを使用する場合には
ノズル部先端5mm程度を待機中に溶媒中に浸漬させて
おくが、この溶媒を乾燥させる時に上記窒素ブローは大
きな効果を発揮する。
When the cleaning of the nozzle portion 90 is completed during this dummy dispensing, nitrogen gas or the like is sprayed from the gas ejection port 120 onto the outer periphery of the nozzle portion 90 to dry the solvent in this portion, and then the coating is performed. To do. This makes it possible to prevent the solvent from dropping on the wafer. Further, since the exhaust at this time is forcibly performed by the gas exhaust pipe 128 having an ejector or the like, scattered particles can be efficiently removed. In particular, when PIQ is used as the resist liquid, the tip of the nozzle portion of about 5 mm is immersed in a solvent during standby, and the nitrogen blowing has a great effect when the solvent is dried.

【0026】このようにして、ダミーディスペンス操作
が終了したならば、液供給ノズル60をウエハWの中心
部上方に位置させ、この上に所定量のレジスト液を供給
し、ウエハWを例えば2000rpmで高速回転させる
ことによりレジスト液を遠心力で分散させてコーティン
グを施す。このようにコーティングを終了したならば、
液供給ノズル60をノズル待機部62に戻すのである
が、好ましくはその前にダミー吐出部64にてノズル部
90の外周を洗浄し、その後ノズル待機部62に戻す。
これによれば、ノズル部90を常に清浄な状態にでき、
レジスト液の結晶化に伴うパーティクルの付着を一層確
実に防止することができる。また、ダミー吐出ユニット
96やソルベントバス74にレジスト液の結晶が付着し
た場合には、それぞれを取り付けているボルト78、1
02を緩めることにより容易に取り外して洗浄すること
ができ、メンテナンス性も良好となる。
When the dummy dispensing operation is completed in this way, the liquid supply nozzle 60 is positioned above the central portion of the wafer W, and a predetermined amount of resist liquid is supplied onto the liquid supply nozzle 60, and the wafer W is, for example, 2000 rpm. By rotating at high speed, the resist solution is dispersed by centrifugal force to apply the coating. If you finish coating like this,
The liquid supply nozzle 60 is returned to the nozzle standby portion 62, but preferably the outer periphery of the nozzle portion 90 is cleaned by the dummy ejection portion 64 before that, and then returned to the nozzle standby portion 62.
According to this, the nozzle part 90 can be always kept in a clean state,
It is possible to more reliably prevent the particles from adhering due to the crystallization of the resist solution. In addition, when crystals of the resist liquid adhere to the dummy discharge unit 96 and the solvent bath 74, the bolts 78 and 1 to which they are attached respectively.
By loosening 02, it can be easily removed and washed, and the maintainability becomes good.

【0027】一方、上記レジスト塗布ユニット42へレ
ジスト液を供給する場合(ダミーディスペンス時も含
む)には、レジスト供給ユニット46の加圧気体供給通
路142から、例えば1.5気圧程度の加圧気体、例え
ば窒素ガスを供給するのであるが、この供給された窒素
ガスはまず2つのシール部材136、138間に形成さ
れる空間部140に流入し、これより連通路144を介
してガラス容器130内に入り、このガス圧によりレジ
スト液40が圧送されることになる。この場合、両シー
ル部材136、138のシール性が不完全であってもガ
ラス容器130外の大気と接する側のシール部材136
がシール部材138に対して窒素ガス流の上流側である
ためにシール部材136からは主に窒素ガスのみが大気
側へ洩出することになり、しかも、ガラス製容器130
内の溶媒蒸気が空間部140に洩出することがない。従
って、溶媒蒸気が大気中へ洩出することを阻止すること
ができるので、容器内のレジスト液の粘性が経時変化す
ることを確実に防止することができる。特に、大気側の
シール部材136に供給通路142の導入口を近づけ、
容器内部側のシール部材138に連通路144のガス流
通口を近付けることにより、上記した溶媒蒸気の外気中
への洩出防止効果を一層向上させることができる。
On the other hand, when the resist solution is supplied to the resist coating unit 42 (including during the dummy dispensing), the pressurized gas supply passage 142 of the resist supply unit 46 is used to supply pressurized gas of, for example, about 1.5 atm. For example, nitrogen gas is supplied, and the supplied nitrogen gas first flows into the space 140 formed between the two seal members 136 and 138, and from this, the inside of the glass container 130 via the communication passage 144. Then, the resist liquid 40 is pressure-fed by this gas pressure. In this case, even if the sealability of both the seal members 136 and 138 is incomplete, the seal member 136 on the side in contact with the atmosphere outside the glass container 130.
Is upstream of the nitrogen gas flow with respect to the seal member 138, only nitrogen gas mainly leaks from the seal member 136 to the atmosphere side.
The solvent vapor therein does not leak into the space 140. Therefore, it is possible to prevent the solvent vapor from leaking into the atmosphere, and it is possible to reliably prevent the viscosity of the resist solution in the container from changing with time. In particular, bring the inlet of the supply passage 142 closer to the seal member 136 on the atmosphere side,
By bringing the gas flow port of the communication passage 144 close to the seal member 138 on the inner side of the container, the effect of preventing the solvent vapor from leaking into the outside air can be further improved.

【0028】尚、上記した実施例にあっては蓋体132
の凸部134に連通路144を設けたが、図6に示すよ
うにこれを設けずに、蓋体132を貫通させてガス製容
器130内に延びる第1の加圧気体供給通路154を形
成するようにしてもよい。この実施例では図5に示す加
圧気体供給通路142は上記第1の加圧気体供給通路1
54となる。また、空間部140への気体の供給は第2
の加圧気体供給通路155により行う。このような場合
においては、第1の加圧気体供給通路154から供給さ
れる加圧気体、例えば1.5気圧の窒素ガスのガス圧に
よりレジスト液40は塗布ユニット42に向けて圧送さ
れることになる。この場合、第2の加圧気体供給通路1
55に供給する加圧気体の圧力が第1の加圧気体供給通
路154に供給する加圧気体の圧力よりも過度に大き過
ぎると容器内側のシール部材138のシール性が不備な
場合にはガラス容器130内に窒素ガスが漏れ溶媒蒸気
が第1の加圧気体供給通路154を逆流してしまう。そ
のため、これらの加圧気体の圧力を等しくするか或い
は、第2の加圧気体供給通路155への加圧気体の圧力
の方を僅かに高く設定しておく。これにより、大気側シ
ール部材136のシール性が不備な場合には、大気中へ
洩出するガスは窒素ガスだけとなり、前述と同様に溶媒
蒸気が大気中へ洩出することを確実に防止することがで
きる。以上の実施例にあっては、被処理基板として半導
体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、
例えばLCD用ガラス基板の塗布装置にも本発明を適用
し得るのは勿論である。
In the above embodiment, the lid 132
Although the communication path 144 is provided in the convex portion 134, the first pressurized gas supply path 154 that penetrates the lid 132 and extends into the gas container 130 is formed without providing the communication path 144 as shown in FIG. 6. You may do it. In this embodiment, the pressurized gas supply passage 142 shown in FIG. 5 is the first pressurized gas supply passage 1 described above.
54. In addition, the gas supply to the space 140 is the second
Of the pressurized gas supply passage 155. In such a case, the resist liquid 40 is pressure-fed toward the coating unit 42 by the gas pressure of the pressurized gas supplied from the first pressurized gas supply passage 154, for example, nitrogen gas of 1.5 atm. become. In this case, the second pressurized gas supply passage 1
If the pressure of the pressurized gas supplied to 55 is excessively higher than the pressure of the pressurized gas supplied to the first pressurized gas supply passage 154, the glass is used when the sealing property of the seal member 138 inside the container is insufficient. Nitrogen gas leaks into the container 130 and the solvent vapor flows backward through the first pressurized gas supply passage 154. Therefore, the pressures of these pressurized gases are made equal to each other, or the pressure of the pressurized gas to the second pressurized gas supply passage 155 is set to be slightly higher. As a result, when the sealing property of the atmosphere side seal member 136 is inadequate, the only gas that leaks to the atmosphere is nitrogen gas, and it is possible to reliably prevent solvent vapor from leaking to the atmosphere as described above. be able to. In the above embodiments, the semiconductor wafer was described as an example of the substrate to be processed, but the present invention is not limited to this.
Of course, the present invention can be applied to a coating device for a glass substrate for LCD, for example.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のように優れた作用効果を発揮することができる。ノズ
ル待機部と別個にダミー吐出部を設けてこの内壁に全周
に渡って溶媒を流下させるようにしたのでダミーディス
ペンス時にノズルにレジスト液の結晶が再付着すること
を防止できるのみならず、ノズル自体を常時、清浄に維
持することができる。また、レジスト液収容部のシール
部材間に形成した空間部へ加圧気体を供給し、この圧力
を収容部内へ導いてレジスト液を圧送するようにしたの
で、シール不備が生じてもシール部材から大気中に洩出
するのは加圧気体だけで溶媒蒸気が大気中へ洩出するこ
とを防止でき、従って、レジスト液の粘度が経時変化す
るのを阻止することができる。
As described above, according to the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. A dummy discharge part is provided separately from the nozzle standby part to allow the solvent to flow down the entire circumference on this inner wall, so it is possible not only to prevent re-adhesion of resist liquid crystals to the nozzle during dummy dispensing, but also to It can keep itself clean at all times. Further, since the pressurized gas is supplied to the space formed between the seal members of the resist liquid storage unit and the pressure is guided into the storage unit to pump the resist liquid, even if a seal defect occurs, the seal member can be used. It is possible to prevent the solvent vapor from leaking into the atmosphere by using only the pressurized gas to leak into the atmosphere, and thus prevent the viscosity of the resist solution from changing with time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例を示
す概略全体構成図である。
FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram showing an embodiment of a resist coating apparatus according to the present invention.

【図2】本発明の塗布装置が配置された基板処理システ
ムの構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system in which a coating apparatus of the present invention is arranged.

【図3】図1に示す塗布装置の塗布ユニットの平面図で
ある。
3 is a plan view of a coating unit of the coating apparatus shown in FIG.

【図4】レジスト塗布ユニットの要部を示す要部断面図
である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part showing a main part of a resist coating unit.

【図5】本発明装置に用いるレジスト液収容部を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing a resist liquid storage unit used in the apparatus of the present invention.

【図6】本発明装置に用いるレジスト液収容部の変形例
を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modified example of the resist liquid storage section used in the apparatus of the present invention.

【図7】レジスト塗布装置の従来のレジスト液収容部を
示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional resist solution storage portion of a resist coating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

14 レジスト塗布装置 40 レジスト液 42 レジスト塗布ユニット 44 レジスト液収容部 46 レジスト供給ユニット 50 スピンチャック 52 カップ 60 液供給ノズル 62 ノズル待機部 64 ダミー吐出部 72、114 溶媒 74 ソルベントバス 90 ノズル部 96 ダミー吐出ユニット 108 溶媒放出部 110 溶媒貯留溝 112 堰 132 蓋体 136、138 シール部材 140 空間部 142 加圧気体供給通路 144 連通路 154 第1の加圧気体供給通路 155 第2の加圧気体供給通路 W 半導体ウエハ(被処理基板) 14 resist coating device 40 resist liquid 42 resist coating unit 44 resist liquid storage unit 46 resist supply unit 50 spin chuck 52 cup 60 liquid supply nozzle 62 nozzle standby unit 64 dummy discharge unit 72, 114 solvent 74 solvent bath 90 nozzle unit 96 dummy discharge Unit 108 Solvent release part 110 Solvent storage groove 112 Weir 132 Lid body 136, 138 Seal member 140 Space part 142 Pressurized gas supply passage 144 Communication passage 154 First pressurized gas supply passage 155 Second pressurized gas supply passage W Semiconductor wafer (substrate to be processed)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 昭浩 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akihiro Fujimoto 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 揮発性溶媒に溶解されたレジスト液を貯
留するレジスト液収容部から供給されたレジスト液を液
供給ノズルから被処理基板上に供給して塗布するレジス
ト塗布装置において、前記液供給ノズルを溶媒中または
溶媒蒸気中に浸漬して待機させるノズル待機部と、前記
被処理基板上にレジスト液を塗布する前に前記ノズルか
らレジスト液のダミー吐出を行うためのダミー吐出部と
を設け、前記ダミー吐出部の内壁に沿って溶媒を流下さ
せる溶媒放出部を形成したことを特徴とするレジスト塗
布装置。
1. A resist coating apparatus for supplying a resist solution supplied from a resist solution container storing a resist solution dissolved in a volatile solvent onto a substrate to be processed from a solution supply nozzle to apply the solution. Provided is a nozzle standby part for immersing the nozzle in a solvent or solvent vapor to stand by, and a dummy discharge part for performing dummy discharge of the resist liquid from the nozzle before applying the resist liquid on the substrate to be processed. The resist coating device is characterized in that a solvent discharge part is formed along the inner wall of the dummy discharge part for allowing the solvent to flow down.
【請求項2】 揮発性溶媒に溶解されたレジスト液を貯
留するレジスト液収容部から供給されたレジスト液を液
供給ノズルから被処理基板上に供給して塗布するレジス
ト塗布装置において、前記レジスト液収容部の開口部に
所定の間隔を隔てて設けた複数のシール部材を介して蓋
体を設け、前記シール部材間に形成される空間部に加圧
気体を供給する加圧気体供給通路を形成すると共に前記
空間部と前記レジスト液収容部内とを連通する連通路を
形成し、加圧気体供給通路から供給される加圧気体によ
り前記レジスト液を圧送するように構成したことを特徴
とするレジスト塗布装置。
2. A resist coating apparatus for supplying a resist solution supplied from a resist solution container storing a resist solution dissolved in a volatile solvent onto a substrate to be processed from a solution supply nozzle to apply the resist solution. A lid is provided through a plurality of seal members provided at a predetermined interval in the opening of the accommodating portion, and a pressurized gas supply passage for supplying pressurized gas to a space formed between the seal members is formed. In addition, a communication passage that connects the space portion and the inside of the resist liquid storage portion is formed, and the resist liquid is pressure-fed by the pressurized gas supplied from the pressurized gas supply passage. Coating device.
【請求項3】 揮発性溶媒に溶解されたレジスト液を貯
留するレジスト液収容部から供給されたレジスト液を液
供給ノズルから被処理基板上に供給して塗布するレジス
ト塗布装置において、前記レジスト液収容部の開口部に
所定の間隔を隔てて設けた複数のシール部材を介して蓋
体を設け、前記収容部に連通されて所定の圧力の第1の
加圧気体を供給する第1の加圧気体供給通路を形成し、
前記シール部材間に形成される空間部に連通されて前記
第1の加圧気体の圧力と等しいかこれより僅かに圧力の
大きい第2の加圧気体を供給する第2の加圧気体供給通
路を形成し、前記第1の加圧気体供給通路から供給され
る加圧気体により前記レジスト液を圧送するように構成
したことを特徴とするレジスト塗布装置。
3. A resist coating apparatus for supplying a resist solution supplied from a resist solution storage section for storing a resist solution dissolved in a volatile solvent onto a substrate to be processed from a solution supply nozzle to apply the resist solution. A lid is provided through a plurality of sealing members provided at a predetermined interval in the opening of the accommodating portion, and is connected to the accommodating portion to supply a first pressurized gas having a predetermined pressure. Forming a pressurized gas supply passage,
A second pressurized gas supply passage communicating with a space formed between the seal members and supplying a second pressurized gas having a pressure equal to or slightly higher than the pressure of the first pressurized gas. And the resist liquid is pressure-fed by the pressurized gas supplied from the first pressurized gas supply passage.
JP28939092A 1992-10-02 1992-10-02 Resist coater Pending JPH06120132A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28939092A JPH06120132A (en) 1992-10-02 1992-10-02 Resist coater

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28939092A JPH06120132A (en) 1992-10-02 1992-10-02 Resist coater

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000259966A Division JP3240296B2 (en) 1992-10-02 2000-08-29 Resist coating equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06120132A true JPH06120132A (en) 1994-04-28

Family

ID=17742607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28939092A Pending JPH06120132A (en) 1992-10-02 1992-10-02 Resist coater

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06120132A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598257B1 (en) * 2004-12-24 2006-07-07 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for providing an improved developing process in a semiconductor device manufacturing process
JP2012151500A (en) * 2012-04-02 2012-08-09 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, substrate processing method, utility supply apparatus of substrate processing apparatus, and utility supply method of substrate processing apparatus
JP2014036198A (en) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp Coating applicator and application method
KR101408788B1 (en) * 2010-09-01 2014-06-17 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR20160033358A (en) * 2014-09-17 2016-03-28 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
JP2018182150A (en) * 2017-04-18 2018-11-15 凸版印刷株式会社 Nozzle standby method, and paint application equipment

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598257B1 (en) * 2004-12-24 2006-07-07 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for providing an improved developing process in a semiconductor device manufacturing process
KR101408788B1 (en) * 2010-09-01 2014-06-17 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
JP2012151500A (en) * 2012-04-02 2012-08-09 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, substrate processing method, utility supply apparatus of substrate processing apparatus, and utility supply method of substrate processing apparatus
JP2014036198A (en) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp Coating applicator and application method
KR20160033358A (en) * 2014-09-17 2016-03-28 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
JP2018182150A (en) * 2017-04-18 2018-11-15 凸版印刷株式会社 Nozzle standby method, and paint application equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5853961A (en) Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
KR100340234B1 (en) Method for developing treatment
KR100549879B1 (en) Method for cleaning treatment of a cap for coating machine
JP2001232250A (en) Membrane forming apparatus
JPH11305184A (en) Manufacture of liquid crystal display panel, and cleaning device used therefor
US5993552A (en) Processing apparatus
JP3777542B2 (en) NOZZLE DEVICE, COATING DEVICE, AND COATING METHOD
KR100508575B1 (en) Method and apparatus for cleaning treatment
JPH06120132A (en) Resist coater
JPH04200768A (en) Coating apparatus
JP3225452B2 (en) Processing equipment
JP3240296B2 (en) Resist coating equipment
JP3189087B2 (en) Processing device and processing method
JP3691665B2 (en) Liquid processing equipment
JP2896731B2 (en) Processing liquid supply device
US5964257A (en) Apparatus and method for cleaning a liquid dispensing nozzle
JP3964475B2 (en) Substrate processing method and apparatus
JP2002204992A (en) Substrate treatment apparatus
JP3408895B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3289208B2 (en) Cleaning treatment method and cleaning treatment device
JP3277278B2 (en) Processing device and processing method
JP3453022B2 (en) Developing device
JP3266229B2 (en) Processing method
JP3013009B2 (en) Processing equipment
KR100280439B1 (en) Robot arm for semiconductor wafer cleaning device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010206