JPH025599Y2 - - Google Patents

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JPH025599Y2
JPH025599Y2 JP1983145024U JP14502483U JPH025599Y2 JP H025599 Y2 JPH025599 Y2 JP H025599Y2 JP 1983145024 U JP1983145024 U JP 1983145024U JP 14502483 U JP14502483 U JP 14502483U JP H025599 Y2 JPH025599 Y2 JP H025599Y2
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JP
Japan
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shielding
layer
plastic
magnetic
heat
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JP1983145024U
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JPS6054398U (ja
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  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
この考案は電磁シールド作用と磁気シールド作
用をかね備えたシールド用熱収縮性チユーブに関
する。 従来電子機器に用いられている電磁波シールド
は主として筐体構造のもので、例えばABS樹脂
のような硬質の樹脂中に金属フイラーを充填した
混和物を成型したものが多く用いられてきてお
り、可撓性のものは末だ実用化されていない。 一方機器の小型化が進む中で素子間の磁気ノイ
ズのシールドは一般的には行なわれておらず、素
子間の距離配列により干渉をしのいでいるので省
スペース化を達成できないでいるのが現状であ
る。 本考案はこのような状況に鑑みなされたもの
で、電磁波シールド層と磁気シールド層を有する
熱収縮性ゴム.プラスチツクチユーブに存し、特
に電磁波シールド層として導電性物質を10〜20容
量%含んだゴム.プラスチツクを用い、磁気シー
ルド層として磁性体の粉末を20〜60容量%含んだ
ゴム.プラスチツクを用いたものである。 次に本考案の実施例を図面により説明すれば、
第1図はゴム.プラスチツクからなる熱収縮層1
の内側に前記した配合の電磁波シールド層2と前
記した配合の磁気シールド層3を順次設けて構成
したシールド用熱収縮性チユーブである。又、第
2図はゴム.プラスチツクからなる熱収縮層1の
内側に前記した配合の磁気シールド層3と前記し
た配合の電磁波シールド層2とを順次設けて構成
したシールド用熱収縮性チユーブである。 ここに熱収縮層として用いられる材料は、シリ
コンゴムの如きゴム材料もしくはポリエチレン、
エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンアクリル
酸共重合体、ポリプロピレン等に電子線照射或は
延伸等により歪を付写した各種のゴム.プラスチ
ツク材料が適用される。又、電磁波シールド層は
これら材料に純銅、黄銅、アルミニウム、鋼等の
金属の金属粉、金属繊維又はフレーク及びカーボ
ンブラツク、カーボン繊維等の導電性物質を添加
したものであり、10〜20容量%を含んだものが良
い。この場合10容量%未満ではシールド効果が少
なく、20容量%を越えると伸び、引張強さの低下
が著るしい。又、磁気シールド層は前記ゴム.プ
ラスチツク材料にフエライトの如き磁性体の粉末
を20〜60容量%含んだものが良い。この場合20容
量%より少ない場合は、磁気遮蔽の効果が薄く実
用的でなく、逆に60容量%を越えた場合は遮蔽効
果は飽和するが伸びや引張り強さが低下する。 因みに、ポリエチレンにアルミ繊維を遮蔽材と
し厚さ1mmとしたものの電流シールド効果を表示
すれば次のとおりである。 但しシールド効果は、100MHzにおける計算値
を示す。 なお一般的にシールド効果が現わわれるのは10
〜30゜dB以上である。
【表】 又、ポリエチレンにNi.Zn系フエライトを遮蔽
材として入れた磁気シールド効果、(透磁率)を
表示すれば次のとおりである。
【表】 なお上記2つの表で加工性とは引張、成形、押
出等の綜合評価をしたものである。 上記の如く本考案における配合範囲は実験結果
等から定めたものであり、これによればこの範囲
を外れたものは混練性及び強度、成形性等及びシ
ールド性のいづれかの特性が悪く実用上好ましく
ないことが理解されるであろう。 又、各層の材料は異種のものでもよいが、同種
の方が層間の濡れ性が良いので気密なものを製造
することができる。 なお本考案に於て最外層は遮蔽材料を含有して
いないゴム又はプラスチツクであるから材料が酸
化されにくく、未使用状態で保管中も長期に亘り
熱収縮性を保有することができる。 以上の如く本考案によれば、電磁シールド層と
磁気シールド層を備えた熱収縮性チユーブである
ので、これを電子機器を内装するようにして加熱
すれば、瞬間的に収縮して電磁波及び磁気シール
ドを達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図とも本考案の実施例を示す横断
面図である。 1……熱収縮層、2……電磁波シールド層、3
……磁気シールド層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゴム.プラスチツクからなる熱収縮性チユーブ
    1の内側に、導電性物質を10〜20容量%含んだゴ
    ム.プラスチツクからなる電磁波シールド層2
    と、磁性体の粉末を20〜60容量%含んだゴム.プ
    ラスチツクからなる磁気シールド層3とが設けら
    れていることを特徴とするシールド用熱収縮性チ
    ユーブ。
JP14502483U 1983-09-21 1983-09-21 シ−ルド用熱収縮性チユ−ブ Granted JPS6054398U (ja)

Priority Applications (1)

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JP14502483U JPS6054398U (ja) 1983-09-21 1983-09-21 シ−ルド用熱収縮性チユ−ブ

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Publication Number Publication Date
JPS6054398U JPS6054398U (ja) 1985-04-16
JPH025599Y2 true JPH025599Y2 (ja) 1990-02-09

Family

ID=30323242

Family Applications (1)

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JP14502483U Granted JPS6054398U (ja) 1983-09-21 1983-09-21 シ−ルド用熱収縮性チユ−ブ

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5257378U (ja) * 1975-10-24 1977-04-25
JPS568900A (en) * 1979-07-03 1981-01-29 Tohoku Metal Ind Ltd Electromagnetic wave shielding plate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5257378U (ja) * 1975-10-24 1977-04-25
JPS568900A (en) * 1979-07-03 1981-01-29 Tohoku Metal Ind Ltd Electromagnetic wave shielding plate

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Publication number Publication date
JPS6054398U (ja) 1985-04-16

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