JPH0255974A - Nmr装置の照射側90゜パルス設定法 - Google Patents
Nmr装置の照射側90゜パルス設定法Info
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- JPH0255974A JPH0255974A JP63207759A JP20775988A JPH0255974A JP H0255974 A JPH0255974 A JP H0255974A JP 63207759 A JP63207759 A JP 63207759A JP 20775988 A JP20775988 A JP 20775988A JP H0255974 A JPH0255974 A JP H0255974A
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- irradiation
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 9
- 208000019300 CLIPPERS Diseases 0.000 abstract description 21
- 208000021930 chronic lymphocytic inflammation with pontine perivascular enhancement responsive to steroids Diseases 0.000 abstract description 21
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- XILIYVSXLSWUAI-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl n'-phenylcarbamimidothioate;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCN(CC)CCSC(N)=NC1=CC=CC=C1 XILIYVSXLSWUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001911 insensitive nuclei enhancement by polarisation transfer Methods 0.000 description 1
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
照射用発振器の出力をゲートN路及び照射用電力用増幅
器を通して増幅しプローブに印加するように構成したN
MR装置の照射側90”パルス設定法に関する。
器を通して増幅しプローブに印加するように構成したN
MR装置の照射側90”パルス設定法に関する。
最近のNMR装置における異種核間のヘテロスピンデカ
ップリング測定では、広い周波数範囲で効率良く測定を
行うために、コンポジットパルス(例えばWAUGHパ
ルス、WALTZ16、MLEV64等)が使用されて
いる。
ップリング測定では、広い周波数範囲で効率良く測定を
行うために、コンポジットパルス(例えばWAUGHパ
ルス、WALTZ16、MLEV64等)が使用されて
いる。
これらのパルス列において例えば
5883143531483143535・・・・・・
のようなものがあるが、ここで数字は90°パルス幅P
wq、の倍数を示す、数字の上のバーの有無は、バー無
しがパルス中の高周波の位相O′Cを示し、上にバーの
あるものがパルス中の高周波の位相180’を示してい
る。すなわち、上記の例は、第1パルスが90°パルス
幅Pw、。の5倍で位相が180’、第2パルスが90
1パルスI&1PW9゜の8倍で位相がOoというパル
ス列からなることを意味している。このようにパルス列
は、あるデカップリングパワーの大きさに於ける照射側
の90°パルス幅P w q。を最小単位とし、そのP
wq。
のようなものがあるが、ここで数字は90°パルス幅P
wq、の倍数を示す、数字の上のバーの有無は、バー無
しがパルス中の高周波の位相O′Cを示し、上にバーの
あるものがパルス中の高周波の位相180’を示してい
る。すなわち、上記の例は、第1パルスが90°パルス
幅Pw、。の5倍で位相が180’、第2パルスが90
1パルスI&1PW9゜の8倍で位相がOoというパル
ス列からなることを意味している。このようにパルス列
は、あるデカップリングパワーの大きさに於ける照射側
の90°パルス幅P w q。を最小単位とし、そのP
wq。
のN倍、M倍といったパルス幅を組合せ、しかもそれら
のパルスの位相がO”、180°と交互に変化させる位
相変調を行うものである。
のパルスの位相がO”、180°と交互に変化させる位
相変調を行うものである。
また、INEPT、DEPT測定の場合にも照射側の1
)(磁化を90°、180’といったフリップアングル
で変化させる。これらの応用測定において、良いNMR
データを得るためには、照射側の90°パルス幅を正確
に、しかも早く簡単に知る必要がある。
)(磁化を90°、180’といったフリップアングル
で変化させる。これらの応用測定において、良いNMR
データを得るためには、照射側の90°パルス幅を正確
に、しかも早く簡単に知る必要がある。
第4図は一般的に使用されている1H側の高周波回路の
ブロック図を示す。第4図に示す回路は、1H照射用と
して用いる場合、スイッチ26がb側にセットされ、1
H核用電力増幅器24の出力側に接続されているダイオ
ードクリッパ25をバイパスさせている。
ブロック図を示す。第4図に示す回路は、1H照射用と
して用いる場合、スイッチ26がb側にセットされ、1
H核用電力増幅器24の出力側に接続されているダイオ
ードクリッパ25をバイパスさせている。
これは+1(核用電力増幅器24の出力がIOW以上で
、しかも連続波となる場合があり、その場合にはダイオ
ードクリンパ25を焼損させることが予想されるため、
スイッチ26又は高周波リレー等を用いてダイオードク
リッパ25をバイパスさせているのである。
、しかも連続波となる場合があり、その場合にはダイオ
ードクリンパ25を焼損させることが予想されるため、
スイッチ26又は高周波リレー等を用いてダイオードク
リッパ25をバイパスさせているのである。
他方、1H観測用として用いる場合には、第4図のスイ
ッチ26がa側にセットされ、ダイオードクリッパ25
が+H核用電力増幅器24の出力側に挿入接続される。
ッチ26がa側にセットされ、ダイオードクリッパ25
が+H核用電力増幅器24の出力側に挿入接続される。
このような接続で得られた90°パルス幅は、実際の照
射時の1H核90゜パルス幅とは等しくならない。何故
ならばダイオードクリッパ25の挿入損が零でないため
、その分だけ誤差となるからである。
射時の1H核90゜パルス幅とは等しくならない。何故
ならばダイオードクリッパ25の挿入損が零でないため
、その分だけ誤差となるからである。
ずなわち、90°パルス幅Pw、。は、照射側のパルス
幅を徐々に変化させて、得られるNMR信号強度が最小
になるパルス幅Pw、、。を捜し、そのPw、、。を2
で割った値として得られる。
幅を徐々に変化させて、得られるNMR信号強度が最小
になるパルス幅Pw、、。を捜し、そのPw、、。を2
で割った値として得られる。
このようにNMR信号強度が最小になるまで何回もNM
R測定を繰り返し、得られた90@パルス幅PW9゜か
ら照射時の90°パルス幅を求めるため、ダイオードク
リッパ25の挿入損を予測し90°にある定数(装置係
数)をかけて補正し、照射側の90°パルス幅Pw、。
R測定を繰り返し、得られた90@パルス幅PW9゜か
ら照射時の90°パルス幅を求めるため、ダイオードク
リッパ25の挿入損を予測し90°にある定数(装置係
数)をかけて補正し、照射側の90°パルス幅Pw、。
′を得ている。
しかし、装置係数は、装置ごとに実測して決めているわ
けではなく、予めある値に固定して使用している。とこ
ろが実際にはダイオードクリッパ25の挿入損、スイッ
チ26の挿入損の値が一定していない。このため正確な
901パルス幅を得ることができない。
けではなく、予めある値に固定して使用している。とこ
ろが実際にはダイオードクリッパ25の挿入損、スイッ
チ26の挿入損の値が一定していない。このため正確な
901パルス幅を得ることができない。
従って、装置ごとに実測して決めようとすると、90°
パルス幅を得るためには、その都度NMR測定条件を設
定し、NMR測定を何回も繰り返す操作が必要になる。
パルス幅を得るためには、その都度NMR測定条件を設
定し、NMR測定を何回も繰り返す操作が必要になる。
本発明は、上記の課題を解決するものであって、照射側
の90°パルス幅を正確に設定できるNMR装置の照射
側90°パルス設定法を捷供することを目的とするもの
である。
の90°パルス幅を正確に設定できるNMR装置の照射
側90°パルス設定法を捷供することを目的とするもの
である。
そのために本発明は、照射用発振器の出力をゲート回路
及び照射用電力用増幅器を通して増幅しプローブに印加
するように構成したNMR装置において、パルス幅を段
階的に変化させながら照射用電力用増幅器をC級動作さ
せてNMR信号をサンプリングし、NMR信号強度が最
小になるパルス幅の1/2の値を90°パルス幅とする
ことを特徴とするものである。
及び照射用電力用増幅器を通して増幅しプローブに印加
するように構成したNMR装置において、パルス幅を段
階的に変化させながら照射用電力用増幅器をC級動作さ
せてNMR信号をサンプリングし、NMR信号強度が最
小になるパルス幅の1/2の値を90°パルス幅とする
ことを特徴とするものである。
本発明のNMR装置の照射側90@パルス設定法では、
照射用電力用増幅器をC級動作させてNMR信号をサン
プリングするので、ダイオードクリッパを接続しなくて
もノイズを除くことができる。そして、この中からNM
R信号強度が最小になる180°パルス幅を見つけ、1
/2することにより90″パルス幅を求めることができ
る。このように照射用電力増幅器の特性を0級で動作さ
せることにより、装置によって変動するダイオードクリ
ッパの挿入損やスイッチの挿入損をな(すことができる
。
照射用電力用増幅器をC級動作させてNMR信号をサン
プリングするので、ダイオードクリッパを接続しなくて
もノイズを除くことができる。そして、この中からNM
R信号強度が最小になる180°パルス幅を見つけ、1
/2することにより90″パルス幅を求めることができ
る。このように照射用電力増幅器の特性を0級で動作さ
せることにより、装置によって変動するダイオードクリ
ッパの挿入損やスイッチの挿入損をな(すことができる
。
〔実施例〕
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第1図は本発明に係るNMR装置の照射側90°パルス
設定法の1実施例を説明するためのシステム構成図、第
2図はダイオードクリッパのバイパス回路を示す図、第
3図は照射用電力増幅器のバイアス点を変化させるタイ
ミングの例を示すタイムチャートである。図中、1は照
射用発振器、2はゲート回路、3と12は照射用電力増
幅器、4はプローブ、5はマグネット、6は高周波増幅
器、7は復調器、8はA/D変換器、9はCPU。
設定法の1実施例を説明するためのシステム構成図、第
2図はダイオードクリッパのバイパス回路を示す図、第
3図は照射用電力増幅器のバイアス点を変化させるタイ
ミングの例を示すタイムチャートである。図中、1は照
射用発振器、2はゲート回路、3と12は照射用電力増
幅器、4はプローブ、5はマグネット、6は高周波増幅
器、7は復調器、8はA/D変換器、9はCPU。
10はメモリ、11はパルサ、13はダイオードクリッ
パ、14はスイッチを示す。
パ、14はスイッチを示す。
第1図において、照射用電力増幅器3は、第2図に示す
ようにダイオードクリッパ13とこれをバイパス制御す
るスイッチ14からなる回路が出力側に接続されている
が、本発明では、これをC級動作させる。このC級動作
では出力からノイズがなくなるので、この場合にはダイ
オードクリッパ13が必要なくなる。パルサ11は、C
PU9より設定されたタイミングでパルスを生成し、ゲ
ート回路2及び照射用電力増幅器3を制御するものであ
り、これらの制御の下で照射用発振器1からゲート回路
2を通してプローブ4にパルスを照射する。そして、N
MR信号は、高周波増幅器6、復調器7、A/D変換器
8を通してCPU9にサンプリングされる。
ようにダイオードクリッパ13とこれをバイパス制御す
るスイッチ14からなる回路が出力側に接続されている
が、本発明では、これをC級動作させる。このC級動作
では出力からノイズがなくなるので、この場合にはダイ
オードクリッパ13が必要なくなる。パルサ11は、C
PU9より設定されたタイミングでパルスを生成し、ゲ
ート回路2及び照射用電力増幅器3を制御するものであ
り、これらの制御の下で照射用発振器1からゲート回路
2を通してプローブ4にパルスを照射する。そして、N
MR信号は、高周波増幅器6、復調器7、A/D変換器
8を通してCPU9にサンプリングされる。
次に本発明のNMR装置の照射側90°パルス設定法に
よる動作を説明する。
よる動作を説明する。
照射側の90°パルス幅自動設定プログラムがスタート
すると、照射用電力増幅器3の出力は、照射時と同等の
パワーで、あるパルス幅Pw、のRFパルスをプローブ
に印加する。この時の照射用電力増幅器3の出力部にあ
るダイオードクリッパ13は、第2図に示すようにバイ
パスされている。また、照射用電力増幅器3の出力ノイ
ズを小さくするために照射用電力増幅器3のトランジス
タのバイアスをC級動作させる。或いは第3図のタイム
チャートに示すようにパルサ11からのパルスでNMR
信号をサンプリングしている時のみC級動作させる。
すると、照射用電力増幅器3の出力は、照射時と同等の
パワーで、あるパルス幅Pw、のRFパルスをプローブ
に印加する。この時の照射用電力増幅器3の出力部にあ
るダイオードクリッパ13は、第2図に示すようにバイ
パスされている。また、照射用電力増幅器3の出力ノイ
ズを小さくするために照射用電力増幅器3のトランジス
タのバイアスをC級動作させる。或いは第3図のタイム
チャートに示すようにパルサ11からのパルスでNMR
信号をサンプリングしている時のみC級動作させる。
このようにして得られたNMR信号強度は絶対値で表し
、その値をメモリ10にストアする。
、その値をメモリ10にストアする。
次にパルス幅をPw、からPw、に変更し、NMR信号
を得て、その強度の値を再びメモリ10にストアする。
を得て、その強度の値を再びメモリ10にストアする。
以下同様にパルス幅をPw、からPw7まで変化させ、
取得したこれらのNMR信号の中からCPU9によりN
MR信号強度が最小であるパルス幅Pw、を選択する。
取得したこれらのNMR信号の中からCPU9によりN
MR信号強度が最小であるパルス幅Pw、を選択する。
このようにして得られたPw、を180″″パルス幅P
w、@。とし、180°パルス幅Pw、s。を2で割っ
て90°パルス幅Pw、。を得る。
w、@。とし、180°パルス幅Pw、s。を2で割っ
て90°パルス幅Pw、。を得る。
この90″パルス幅PW9゜の値を照射用パルス幅パラ
メータに入力する。
メータに入力する。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である0例えばパルス幅Pw、@
。を得るためにフーリエ変換後のNMMR信号ピークの
大きさを使用する例により説明したが、必ずしもフーリ
エ変換する必要はなく、FID信号の大きさを使用して
も良い。
く、種々の変形が可能である0例えばパルス幅Pw、@
。を得るためにフーリエ変換後のNMMR信号ピークの
大きさを使用する例により説明したが、必ずしもフーリ
エ変換する必要はなく、FID信号の大きさを使用して
も良い。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、照射
用電力増幅器のバイアス動作点を0級に変更するので、
RFパルスがオフされている時間帯で、電力増幅器から
ノイズが出力されなくなる。
用電力増幅器のバイアス動作点を0級に変更するので、
RFパルスがオフされている時間帯で、電力増幅器から
ノイズが出力されなくなる。
そのためダイオードクリッパが不要となり装置計数を1
にすることができる。従って正確な90@パルス幅を測
定することができる。また、装置係数が1となったため
、照射側の90″パルス幅設定をCPUを駆使して自動
化し、操作性を向上することができる。
にすることができる。従って正確な90@パルス幅を測
定することができる。また、装置係数が1となったため
、照射側の90″パルス幅設定をCPUを駆使して自動
化し、操作性を向上することができる。
第1図は本発明に係るNMR装置の照射側906パルス
設定法の1実施例を説明するためのシステム構成図、第
2図はダイオードクリッパのバイパス回路を示す図、第
3図は照射用電力増幅器のバイアス点を変化させるタイ
ミングの例を示すタイムチャート、第4図は一般的に使
用されている1H側のRF回路のブロツク図である。 1・・・照射用発振器、2・・・ゲート回路、3と12
・・・照射用電力増幅器、4・・・プローブ、5・・・
マグネット、6・・・高周波増幅器、7・・・復調器、
8・・・A/D変換器、9・・・CPU、10・・・メ
モリ、11・・・パルサ、13・・・ダイオードクリッ
パ、14・・・スイッチ。 出 願 人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 阿 部 龍 吉(外4名)第 図 第3図 Cケ1)
設定法の1実施例を説明するためのシステム構成図、第
2図はダイオードクリッパのバイパス回路を示す図、第
3図は照射用電力増幅器のバイアス点を変化させるタイ
ミングの例を示すタイムチャート、第4図は一般的に使
用されている1H側のRF回路のブロツク図である。 1・・・照射用発振器、2・・・ゲート回路、3と12
・・・照射用電力増幅器、4・・・プローブ、5・・・
マグネット、6・・・高周波増幅器、7・・・復調器、
8・・・A/D変換器、9・・・CPU、10・・・メ
モリ、11・・・パルサ、13・・・ダイオードクリッ
パ、14・・・スイッチ。 出 願 人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 阿 部 龍 吉(外4名)第 図 第3図 Cケ1)
Claims (1)
- (1)照射用発振器の出力をゲート回路及び照射用電力
用増幅器を通して増幅しプローブに印加するように構成
したNMR装置において、パルス幅を段階的に変化させ
ながら照射用電力用増幅器をC級動作させてNMR信号
をサンプリングし、NMR信号強度が最小になるパルス
幅の1/2の値を90°パルス幅とすることを特徴とす
るNMR装置の照射側90°パルス設定法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63207759A JPH0255974A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Nmr装置の照射側90゜パルス設定法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63207759A JPH0255974A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Nmr装置の照射側90゜パルス設定法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0255974A true JPH0255974A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16545078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63207759A Pending JPH0255974A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Nmr装置の照射側90゜パルス設定法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0255974A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011137809A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-07-14 | Bruker Biospin Ag | Nmrシステムにおいてrf信号を調整する方法及びこの方法を実行するプローブヘッド |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63207759A patent/JPH0255974A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011137809A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-07-14 | Bruker Biospin Ag | Nmrシステムにおいてrf信号を調整する方法及びこの方法を実行するプローブヘッド |
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