JPH0255936B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0255936B2 JPH0255936B2 JP16160486A JP16160486A JPH0255936B2 JP H0255936 B2 JPH0255936 B2 JP H0255936B2 JP 16160486 A JP16160486 A JP 16160486A JP 16160486 A JP16160486 A JP 16160486A JP H0255936 B2 JPH0255936 B2 JP H0255936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- coating
- rotation
- film thickness
- speed rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 33
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明はレジスト塗布方法に関し、特に高分
子、高粘度のレジストを半導体基板上に塗布する
方法に関わる。
子、高粘度のレジストを半導体基板上に塗布する
方法に関わる。
(従来の技術)
従来、レジスト塗布は、開空間にて均一に排気
を行ないながらレジストを滴下した後、一定回転
又は多段回転で膜厚を抑制しながらレジスト塗布
及び乾燥を行つて来た。
を行ないながらレジストを滴下した後、一定回転
又は多段回転で膜厚を抑制しながらレジスト塗布
及び乾燥を行つて来た。
しかしながら、電子ビーム露光用のレジストの
ような高分子、高粘度のレジストは、レジスト
滴下直後における立上がりの加速度、回転塗布
時の排気、環境温度等の条件によりレジスト塗布
状態が変動する事がわかつている。例えば、の
立上がりの加速度が十分大きく取れるスピンモー
タでない場合や、の排気が強すぎてレジストの
溶媒の乾燥が早い場合などは滴下時の滴下跡がそ
のまま膜厚変動として残つたり、スピンコート時
に飛散するレジストが乾燥し糸状になり、塗布回
転中もしくは回転停止時に基板上に糸状のレジス
トが乗り塗布不良となる場合が多い。
ような高分子、高粘度のレジストは、レジスト
滴下直後における立上がりの加速度、回転塗布
時の排気、環境温度等の条件によりレジスト塗布
状態が変動する事がわかつている。例えば、の
立上がりの加速度が十分大きく取れるスピンモー
タでない場合や、の排気が強すぎてレジストの
溶媒の乾燥が早い場合などは滴下時の滴下跡がそ
のまま膜厚変動として残つたり、スピンコート時
に飛散するレジストが乾燥し糸状になり、塗布回
転中もしくは回転停止時に基板上に糸状のレジス
トが乗り塗布不良となる場合が多い。
ところで、この問題に対しては、効果なスピン
モータを用いて高速回転までの加速度を上げたり
2乗加速度法等を用いたり、回転開始時塗布釜内
の排気を一時的に停止したり、塗布時の排気量を
制御して改善されてきた。しかし、十分な効果が
上がるには至らない。
モータを用いて高速回転までの加速度を上げたり
2乗加速度法等を用いたり、回転開始時塗布釜内
の排気を一時的に停止したり、塗布時の排気量を
制御して改善されてきた。しかし、十分な効果が
上がるには至らない。
また、最近になつて本発明者らにより上記対策
を目的とした密閉塗布方式も検討されその効果が
ある事が確認されて来たが、塗布後の基板表面検
査においてダスト及びレジスト班点が全体の10%
程度存在する事が判明し、必要とされている。
を目的とした密閉塗布方式も検討されその効果が
ある事が確認されて来たが、塗布後の基板表面検
査においてダスト及びレジスト班点が全体の10%
程度存在する事が判明し、必要とされている。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、塗
布ムラを防止してレジスト膜厚を均一に維持しつ
つ、ダストやレジスト班点を低減し得るレジスト
塗布方法を提供することを目的とする。
布ムラを防止してレジスト膜厚を均一に維持しつ
つ、ダストやレジスト班点を低減し得るレジスト
塗布方法を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段と作用)
本発明は、レジストの最終膜厚を決定する高速
回転終了までの塗布期間中に少なくとも1回塗布
釜本体内を開空間にし、溶剤ミストの排気を行な
うことを特徴とし、これによりダストやレジスト
班点の低減、並びに均一膜厚なレジストを得るこ
とができる。
回転終了までの塗布期間中に少なくとも1回塗布
釜本体内を開空間にし、溶剤ミストの排気を行な
うことを特徴とし、これによりダストやレジスト
班点の低減、並びに均一膜厚なレジストを得るこ
とができる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図を
参照して説明する。ここで、第1図は本発明に係
るレジスト塗布装置の概略断面図、第2図は密閉
塗布時の塗布回転数の特性図を示す。
参照して説明する。ここで、第1図は本発明に係
るレジスト塗布装置の概略断面図、第2図は密閉
塗布時の塗布回転数の特性図を示す。
図中の1は、塗布釜本体である。この塗布釜本
体1の側壁部及び底部は空洞部2となつており、
該空洞部2は排気フアン3に連通されている。前
記塗布釜本体1の略中央部には、例えば矢印A方
向に回転可能なスピンチヤツク4が設けられてい
る。このスピンチヤツク4上には、被処理体とし
てのマスクブランクス5が吸着されている。前記
塗布釜本体1の上部には側壁部の空洞部2を閉じ
るように取外し自在な密閉蓋6が設けられ、該密
閉蓋6の略中央部にはレジストノルズ7が取付け
られている。
体1の側壁部及び底部は空洞部2となつており、
該空洞部2は排気フアン3に連通されている。前
記塗布釜本体1の略中央部には、例えば矢印A方
向に回転可能なスピンチヤツク4が設けられてい
る。このスピンチヤツク4上には、被処理体とし
てのマスクブランクス5が吸着されている。前記
塗布釜本体1の上部には側壁部の空洞部2を閉じ
るように取外し自在な密閉蓋6が設けられ、該密
閉蓋6の略中央部にはレジストノルズ7が取付け
られている。
こうした構造のレジスト塗布装置の動作は次の
如く行なう。まず、スピンチヤツク4にマスクブ
ランクス5をのせ吸着するとともに、密閉蓋6と
塗布釜本体1の側壁上部とを密着させ、塗布釜本
体内を完全に密閉状態とする。つづいて、レジス
トノズル7よりマスクブランクス5中央にレジス
トを滴下する。この滴下が終了したと同時に、低
速回転例えば立上がり0.5秒にて0r.p.mから200r.
p.mとし、200r.p.mで3秒間回転を行なつた後、
0.5秒の立上がりにて400r.p.mの通常回転まで上
げ、20秒間この回転数にて高速回転塗布を行な
い、塗布を終了する(第2図参照)。この際、所
定最終膜厚を決定する高速回転数までの約4秒間
(第2図の斜線部の期間)、密閉蓋6を上げて塗布
釜本体1を開放し、排気フアン3を動作させてレ
ジストを溶かしている溶剤のミストを除去した。
如く行なう。まず、スピンチヤツク4にマスクブ
ランクス5をのせ吸着するとともに、密閉蓋6と
塗布釜本体1の側壁上部とを密着させ、塗布釜本
体内を完全に密閉状態とする。つづいて、レジス
トノズル7よりマスクブランクス5中央にレジス
トを滴下する。この滴下が終了したと同時に、低
速回転例えば立上がり0.5秒にて0r.p.mから200r.
p.mとし、200r.p.mで3秒間回転を行なつた後、
0.5秒の立上がりにて400r.p.mの通常回転まで上
げ、20秒間この回転数にて高速回転塗布を行な
い、塗布を終了する(第2図参照)。この際、所
定最終膜厚を決定する高速回転数までの約4秒間
(第2図の斜線部の期間)、密閉蓋6を上げて塗布
釜本体1を開放し、排気フアン3を動作させてレ
ジストを溶かしている溶剤のミストを除去した。
上記実施例によれば、レジストの最終膜厚を決
定する高速回転数までの約4秒間、塗布釜本体1
内を開空間にして排気フアン3により溶剤ミスト
の排気を行なうため、従来と比べダストやレジス
ト斑点を低減できる。事実、ダスト、レジスト班
点が主原因とされる塗布不良の発生率が、約10%
程度(従来)から1%以下に低減され、大幅な塗
布改善を達成できた。また、本来の密閉塗布の長
所である塗布膜厚の均一性も維持できる。
定する高速回転数までの約4秒間、塗布釜本体1
内を開空間にして排気フアン3により溶剤ミスト
の排気を行なうため、従来と比べダストやレジス
ト斑点を低減できる。事実、ダスト、レジスト班
点が主原因とされる塗布不良の発生率が、約10%
程度(従来)から1%以下に低減され、大幅な塗
布改善を達成できた。また、本来の密閉塗布の長
所である塗布膜厚の均一性も維持できる。
なお、上記実施例では、レジスト塗布回転中の
溶剤ミストの排気を第2図に示す如く1回行なつ
たが、これに限らない。例えば、第3図に示す如
く、塗布時のスピンチヤツク回転数が急激に立上
がつてレジストがマスクブランクスより大量に飛
散し、溶剤ミストが発生し易い期間、例えば立上
げ時0〜5秒、3.5〜5.0秒に夫々1回づつ計2回
排気を行なつても上記実施例と同様な効果を得る
ことができる。
溶剤ミストの排気を第2図に示す如く1回行なつ
たが、これに限らない。例えば、第3図に示す如
く、塗布時のスピンチヤツク回転数が急激に立上
がつてレジストがマスクブランクスより大量に飛
散し、溶剤ミストが発生し易い期間、例えば立上
げ時0〜5秒、3.5〜5.0秒に夫々1回づつ計2回
排気を行なつても上記実施例と同様な効果を得る
ことができる。
[発明の効果]
以上詳述した如く本発明によれば、レジスト膜
厚を均一に維持しつつ、ダストやレジスト班点を
低減し得る信頼性の高いレジスト塗布方法を提供
できる。
厚を均一に維持しつつ、ダストやレジスト班点を
低減し得る信頼性の高いレジスト塗布方法を提供
できる。
第1図は本発明に係るレジスト塗布装置の概略
断面図、第2図及び第3図は夫々本発明に係る密
閉塗布時の塗布回転数の特性図を示す。 1……塗布釜本体、2……空洞部、3……排気
フアン、4……スピンチヤツク、5……マスクブ
ランクス(被処理体)、6……密閉蓋、7……レ
ジストノルズ。
断面図、第2図及び第3図は夫々本発明に係る密
閉塗布時の塗布回転数の特性図を示す。 1……塗布釜本体、2……空洞部、3……排気
フアン、4……スピンチヤツク、5……マスクブ
ランクス(被処理体)、6……密閉蓋、7……レ
ジストノルズ。
Claims (1)
- 1 密閉型のレジスト塗布装置を用いて被処理体
上にレジストを塗布するレジスト塗布方法におい
て、レジストの最終膜厚を決定する低速回転から
高速回転終了までの塗布期間中、少なくとも高速
回転の立上がり時に塗布釜本体内を短時間開空間
にし、溶剤ミストの排気を行なうことを特徴とす
るレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16160486A JPS6317527A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16160486A JPS6317527A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6317527A JPS6317527A (ja) | 1988-01-25 |
JPH0255936B2 true JPH0255936B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=15738316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16160486A Granted JPS6317527A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6317527A (ja) |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP16160486A patent/JPS6317527A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6317527A (ja) | 1988-01-25 |
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