JPH0254924A - 半導体ウエーハ積載治具 - Google Patents

半導体ウエーハ積載治具

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JPH0254924A
JPH0254924A JP20461888A JP20461888A JPH0254924A JP H0254924 A JPH0254924 A JP H0254924A JP 20461888 A JP20461888 A JP 20461888A JP 20461888 A JP20461888 A JP 20461888A JP H0254924 A JPH0254924 A JP H0254924A
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wafer
quartz glass
glass body
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carrier
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博至 木村
Shigeru Nukui
明日 繁
Hidekazu Uno
宇野 英一
Masarou Tamatsuka
正郎 玉塚
Mamoru Uehara
上原 守
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Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、ポート又はマザーポートとして機能するウェ
ーハ積載治具に係り、特に耐熱セラミックで形成された
ウェーハ搬送体により炉芯管より搬出入可能に形成され
た半導体ウェーハ81a治具に関する。
「従来の技術」 従来より、例えば略円形状の半導体ウェーハ表面に処理
ガスを流しながら、略400−1400℃前後の高温雰
囲気下で加熱処理を行う、酸化、拡散、気相生長、アニ
ール等の半導体製造工程は公知であり、この種の製造工
程では量産性の向上と搬送容易化を図る為に前記ウェー
ハを整列配置可能なウェーハポートを用い、更に近年に
おいてはウェーハ処理枚数の増加を図るとかハンドリン
グを容易にする為に、前記ポートを複数個搭載させるマ
ザーポートを用いて多鞠枚のウェーハの加熱処理を行っ
ている。
一方近年の熱処理装置においては、ポートと炉芯管との
摺擦に起因するパーティクルの発生等を防止する為に、
基側に設けた駆動部により片持支持され、該駆動部によ
り炉芯管3の軸線方向に沿って往復動回部に構成した搬
送アームを用意し、該アームの先側上面に、ポートを搭
載した状態で炉芯管内に装入した後、そのままアームと
半導体ウェーハ群を炉芯管に対し非接触の状態を維持し
ながら熱処理を行う、いわゆるポート中空加熱処理方式
と、炉芯管内に所定位置まで装入したアームを所定量下
降させて前記ポートを炉芯管内周面上にa鐙させた後、
前記搬送アームのみを炉芯管より抜き出して熱処理を行
う、いわゆるソフトランディング(ポート設置加熱処理
)方式が提案されているが、いずれの熱処理方式におい
ても1片持支持された搬送アームの先側にポートを載設
する構成を取る為に、重量負担が大であり、而も前記搬
送体は高温雰囲気下に曝される為に、耐熱性も必要とさ
れる。
かかる条件を満足させる為に、従来より高強度であり而
も高温で変形する事がないSIC(炭化珪素)材又はA
l203(アルミナ)等の耐熱性セラミック材を用いて
前記搬送体を形成している。
「発明が解決しようとする課題」 しかしながら耐熱性セラミック材は高温下に曝されると
不純物を発生し易いという欠点を有する為に、該セラミ
ック材で形成された搬送体上にポートにより整列保持さ
れたウェーハを搭載して熱処理を行った場合、前記搬送
体より飛散した不純物がウェーハ表面に付着し、ミクロ
の製品欠陥の原因となる。
又前記ウェーハの製品品質の向上を図る為には、熱処理
工程中の熱分布の均熱化を図る事が必須の要件であるが
、SiC材やAl103等のセラミック材は石英ガラス
に比較して熱伝導性が良好な為に、而も該セラミック材
により形成される搬送体はウェーハを加熱処理する高温
雰囲気域から常温下にある炉芯管外まで延在する構成を
採る為に、前記高温雰囲気域より搬送体を伝って炉芯管
外へ熱が逃げ易く、この為前記高温雰囲気域の均熱維持
を図るのが困難であり、結果として前記搬送体上に直立
配置しているウェーハの垂直方向に沿って(搬送体より
遠去かる方向に沿って)熱分布のバラツキが生じマクロ
の製品品質が低下する。
他方また、焼結セラミックである炭化珪素やアルミナは
、多数の気孔を含む構造のものであるために、不純物を
取り込み易いとか、あるいは摩擦や劣化によってパーテ
ィクルを発生し易く、これによりウェーハに悪影響を与
える問題もある。
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、半導体ウェーハ
積載治具を有効に活用して耐熱セラミック、で形成され
たウェーハ搬送体の前述した各種欠点を解消せんとした
番をその目的とする。
即ち、搬送体全体を石英ガラス材で包被する事なく、ウ
ェーハへの不純物の付着や熱分布の不均一化等の欠点を
解消し得る事が可能な半導体つ工−ハ積載治具を提供す
る事を目的とする。
「課題を解決する為の手段」 本発明はかかる技術的課題を達成する為に下記構成要件
からなる発明を提案する。
■本発明に係るウェーハ積載治具Aは複数のウェーハを
搭載回旋に形成した、ポート又はマザーポートとして機
イ艶する石英ガラス体1から構成される。
■そして本発明は特に、前記石英ガラス体lが前記耐熱
セラミック製ウェーハ搬送体2の少なくともウェーハ塔
載部位20を実質的に包被可能に、炉芯管3軸線方向に
沿って延設する中空体で構成した点を第1の特徴とする
ものである。
この場合少なくともウェーハ塔載部位20を実質的に包
被するとは、該耐熱、セラミック製のウェーハ搬送体2
より発生する不純物がウェーハ5に付着するのを実質的
に防止する程度に隠蔽されていればよく、従って中空体
の下面側等のウェーハ5と対面しない側の一部が開口さ
れている場合も本発明の技術的範囲に含まれる。しかし
ながら、より好ましくは前記石英ガラス体1を、入口端
側が開口された中空鞘状体から形成するとともに、該鞘
状体の開口部より前記搬送体2が石英ガラス体1内に嵌
入出可能に構成するのがよい。
■そして本発明の第2の特徴とする所は、好ましくは前
記石英ガラス体lのウェーハ5搭載部位20と対面する
位置に、炉芯管3軸線とほぼ直交する面上に沿って一又
は複数の石英ガラス製板状部材B、6′を固設した点に
ある。
この場合前記板状部材8?6°は、炉芯管3人口側のみ
に取付けてもよいが、好ましくは1石英ガラス体1の長
手方向両端側に固設する事により本発明の効果が円滑に
達成される。
「作用」 かかる発明によれば、耐熱性セラミック材の搬送体2を
用いつつも、ウェーハ搬送体2の高温雰囲気下に曝され
る部分を中空石英ガラス体lにより実質的に包被させた
為に、熱処理によりセラミック材より発生した不純物を
前記石英ガラス体lにより封止させる事が出来、この結
果搬送体2より派生した不純物やパーティクルの飛散が
石英ガラス体1により阻止され、ウェーハ5表面に不純
物が付着する恐れを除去する事が出来、ミクロの製品欠
陥が大幅に低減し得る。
特に石英ガラス材は前記したようにセラミック材に比較
して均熱性が高く、而も該セラミック材の高温雰囲気下
に曝される部分を実質的に隠蔽する如く石英ガラス体l
がセラミック材周囲を包被している為に、ウェーハ収納
区域の熱が搬送体z側に伝熱する事なく石英ガラス体1
により遮熱され、結果としてウェーハの均熱維持を容易
に図るπが出来及びウェーハ表面の熱分布特性の変動を
防止し得、マクロの製品品質が大幅に向上する。
特に本発明は請求項2)に記載したように、石英ガラス
体lのウェーハ搭載部位20と対面する位置にほぼ直立
させて石英ガラス製板状部材6,6゛を配置したが故に
、ウェーハ収納区域25が前記石英ガラス体1と前記板
状部材6,6′に挟まれ実質的に閉鎖空間となる為に、
ウェーハ収納域25の均熱維持とウェーハ5表面に不純
物が付着する恐れを除去する東が出来、ミクロとマクロ
の製品品質が大幅に向上する。
この結果前記搬送体2は周囲に石英ガラス管を被塑する
二重管構成を採る必要がない為に重量負担の軽減と熱容
量の低下を図る事が出来、結果として加熱処理時間と消
費電力の低減とともにつ工−ハ処理枚数を大にした場合
においても搬送体2が大きくたわむ専なく、結果として
搬送体2先端が炉芯管3内周面に接触したり、破損した
りする恐れを除く事が出来る。
又前記石英ガラス体1は中空体で形成されている為に、
そのまま炉芯管3内周面その他の部位に設置する喉が出
来、結果として設置面積が大になる為にソフトランディ
ングのようにその状態で加熱処理をしても脚部材lのよ
うに溶着する恐れが大幅に低減するとともに、炉芯管3
軸線方向に沿って延設する中空体であるが故に、前記ウ
ェーハ搬送体2の往復動により前記石英ガラス体1を脱
着させる41が可能であり、搬送工程の自動化と無人化
が達成出来る。
「実施例」 以下、図面を参照して本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
第1図は、本発明の実施例に係るウェーハ積載治具を用
いた熱処理装置を示し、その全体構成を簡単に説明する
に、Aは高純度石英ガラス材で形成されたウェーハ積載
治具として機能するマザーポートで、複数枚のウェーハ
5を整列保持する一又は複数のカセットポート4を搭載
可能に構成している。
2は炭化珪素材で形成されたウェーハ搬送体2で、第5
図に示す如く、部側をガイドレールBに沿って移動可能
な駆動部7に取付け1片持支持状態で炉芯管3軸線方向
に往復動可能に構成されている。
炉芯管3は公知のように周囲に発熱体8が囲繞され、炉
芯管3内に収納したウェーハ5に所定の熱処理を施すよ
うに構成されている。
次に前記ウェーハ搬送体2及びマザーポートAの形状に
ついて詳細に説明する。
ウェーハ搬送体2は、六個の駆動部7取付は位置より直
線状に伸びる円管状の筒部21と、その先側に前記筒部
21の弧状部位20を徐々に拡幅化して形成される連接
部22を介して直線方向に延設する断面円弧状の先側部
位20が形成し、そして前記連接部22の上面側を開口
する事なく封止して強度性の向上を図っている。
先側部位20は、炉芯管3内径よりやや小径にして且つ
ウェーハ5直径より大なる曲率半径で断面円弧状に形成
するとともに、該挿入部23の長さをポート本体として
機能する石英ガラス体1長さと同等か僅かに大に設定し
、更にその短手幅を後記するガラス体lに対応させて幅
広に形成するとともに、必要に応じガラス体開口部ll
内への挿入容易化を図る為にその先端側をR状に形成す
る。
一方マザーポートAは第2図及び第3図に示すように石
英ガラス体lと該ガラス体lの入口端と出口端に垂直に
固設した略円板状の石英ガラス製板状部材6.6′から
なる。
石英ガラス体1は炉芯管3軸線方向に沿って直線状に延
設する断面略円弧状の中空鞘状体で形成するとともに、
入口端側を開口し、該開口部11よりポート中空部12
内に前記搬送体先側部位20が嵌入山可俺に形成する。
中空部内面と搬送体先側部位表面との間のクリアランス
は、これが小さすぎると前記嵌入出の操作が困難になる
のみならず、熱膨張係数の差から石英ガラス体の破損が
起るおそれがあるし、一方大きすぎるとセラミック搬送
体から揮散する汚染成分を隠蔽する効果がそこなわれる
ようになるので、設計に当っては必要最小限のクリアラ
ンスとすることが望ましい。
又石英ガラス体lの上面側両側縁1aは平面状に形成さ
れカセットポート4がガタつく事なく搭載可能に構成す
るとともに、前記ポート中空部12の上面側を搬送体2
先側部位20上面と面接触可能に同径の円弧で形成する
。そして更に前記石英ガラス体1の出口端側は均熱性維
持の面で封止させるのがよいが必要に応じて開口させ、
ポート中空部12内を処理ガスが流れるように構成して
もよい。
板状部材6.Boは、遮熱効果を高める為に泡入り石英
ガラス板で形成され、そしてその形状を石英ガラス体1
外径より僅かに大にして且つ炉芯管3内径より小なる円
板状に形成するとともに、−の板状部材Bはその下側周
縁を石英ガラス体l上面に沿って削成し、該板状部材8
を前記石英ガラス体りの入口端上面に直立状態に固設す
る。又前記出口端側に位置する板状部材6′はその下側
周縁をポー)A底端形状沿って削成し、石英ガラス体1
出口端側を封止可能に固着している。
尚、板状部材6°は図面に示すように円板の両側を僅か
に削成して長円状に形成してもよく、これによりウェー
ハ搬送体2先端部分においては、僅かな重量負担の増加
でもたわみ量が多くなる為に、これを解消する事が可能
となる。
第4図は本発明の実施例に係る!i!I藏治具をウェー
ハポートとして機能させた他の実施例で、前記石英ガラ
ス体1の上面両側縁及び上面中央部に、長手方向に平行
に延設する3本の支持棒14を固設し、該支持棒14に
多段状にウェーハ5保持溝15を刻設し、ウェーハポー
トA’として機能させている。
次に上記第1図に示した処理装置の作用を第5図に基づ
いて筒単に説明する。
第5図はポート中空加熱処理方式の動作手順を示し、先
ずウェーハ5を整列保持したカセットポート4を搭載し
たマザーポートAを図示しない炉芯管3人口側延長線上
の任意個所に載置した状態で、前記ポート中空部12内
にウェーハ搬送体2の先側部位20を挿入させた後、前
記ポートA及びウェーハ5が炉芯管3内周面に接触しな
い位置まで搬送体2を昇動させ、次にこの状態でガイド
レール8に沿って搬送体2を炉芯管3内に装入して搬送
体2基側に取付けた蓋体10により閉塞させた後、その
まま搬送体2と半導体ウェーハ5群を炉芯管3に対し中
空保持状態を維持しなから熱処理を行う。
この際前記搬送体先側部位20の高温雰囲気下に曝され
る部分がマザーポートにより隠蔽し、更に石英ガラス体
1の長手力向両端側には板状部材6゜6°直を配置され
ている為に結果としてウェーハ収納域25を実質的に閉
鎖する事となる為に、搬送体2から発生する不純物が該
ウェーハ収納域25内に侵入するのを防止する事が出来
る。
又熱処理は公知のように炉芯管3内に処理ガスを流しな
がら行われる訳であるが、前記石英ガラス体lの長手力
向両端側には板状部材6.6′直立配置されている為に
いわゆるガス流緩衝板としても機能し、ウェーハ5前面
に直接処理ガスが衝突する事なく、該処理ガスが板状態
と炉芯管3内周間の空隙を通過しながら均等な濃度分布
で各ウェーハ5と接触する事が可能となる。
元に戻り、前記熱処理終了後搬送体2を炉芯管3軸線方
向に沿って退出させ、任意個所で搬送体2を下降させ且
つ設置した後、前記搬送体2をマザーポートAより抜出
させて次の動作に移る。以下これを綴り返す。
従ってかかる実施例によれば、前述した本発明の効果が
円滑に達成し得る事が理解される。
「効果」 以上記載の如く本発明によれば、搬送体を耐熱性セラミ
ック材で形成した場合においても該セラミック材の高温
雰囲気下に曝される部分を実質的に隠蔽する事が出来る
為に、搬送体より発生した不純物のウェーハ5表面に付
着する恐れの除去とウェーハ表面の熱分布特性の変動を
防止し得、ミクロとマクロの製品品質が大幅に向上する
′ この結果前記搬送体を、周囲に石英ガラス管を被覆
する二重管構成を採る事なく耐熱性セラミック材のみで
形成する事が出来る為に、結果として省部品点数化と小
型化、更には加熱処理時間と消費電力の低減を達成出来
る。
又前記積載治具を中空体で形成した為に、そのまま炉芯
管内周面その他の部位に設置する事が出来、結果として
設置面積が大になる為にソフトランディングのようにそ
の状態で加熱処理をしても脚部材のように溶着する恐れ
が大幅に低減するとともに、該治具が炉芯管軸線方向に
沿って延設する中空体であるが為に、前記ウェーハ搬送
体の往復動により前記石英ガラス体を脱着させる事が可
能であり、搬送工程の自動化と無人化が達成出来る。
等の種々の著効を有す。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る熱処理装置を示す斜視図
、第2図及び第3図は第1図に示したマ第4図は本発明
に係る石英ガラス体をウェー71ポートとして機能させ
た実施例を示す斜視図である。 第5図は第1図に示した処理装置の作用を示す動作説明
図である。 A:ウェーハ積載治具 l:石英ガラス体2:ウェーハ
搬送体 3:炉芯管 5:ウェーハ 6.6°:石英ガラス製板状部材“

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)耐熱セラミックで形成されたウェーハ搬送体により
    炉芯管より搬出入可能に形成された半導体ウェーハ積載
    治具において、複数のウェーハを直接又は間接的に搭載
    可能に形成した石英ガラス体からなり、該石英ガラス体
    が前記ウェーハ搬送体の少なくともウェーハ塔載部位を
    実質的に包被可能に、炉芯管軸線方向に沿って延設する
    中空体で形成した事を特徴とする半導体ウェーハ積載治
    具2)前記石英ガラス体のウェーハ搭載部位と対面する
    位置に、一又は複数の石英ガラス製板状部材をほぼ直立
    させて固設した請求項1)記載の半導体ウェーハ積載治
    具 3)前記石英ガラス体が、入口端が開口された中空鞘状
    体からなり、該開口部より前記搬送体が石英ガラス体内
    に嵌入出可能に構成した請求項1)記載のウェーハ積載
    治具 4)前記石英ガラス製板状部材が、石英ガラス体の長手
    方向両端側に固設されている請求項2)記載のウェーハ
    積載治具 5)耐熱セラミック搬送体を用いて炉芯管内に搬入出さ
    れる石英ガラス体からなる半導体ウェーハ積載治具にお
    いて、該石英ガラス体が複数のウェーハを直接又は間接
    的に塔載可能で且つ炉芯管軸線方向に形成された少なく
    とも一端開口の中空鞘構造を有し、そして前記石英ガラ
    ス体の少なくとも開口側に石英ガラス製板状部材を固設
    するとともに、前記耐熱セラミック搬送体の先端が前記
    一端開口より中空鞘状の石英ガラス体内に嵌入出可能に
    形成したことを特徴とするウェーハ積載治具
JP63204618A 1988-08-19 1988-08-19 半導体ウエーハ積載治具 Expired - Lifetime JPH0618179B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56150821A (en) * 1980-04-24 1981-11-21 Nec Kyushu Ltd Boat for heat treatment of semiconductor
JPS5844836U (ja) * 1981-09-21 1983-03-25 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体製造治具
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