JPH0254543A - ボンディング装置 - Google Patents
ボンディング装置Info
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- JPH0254543A JPH0254543A JP63205492A JP20549288A JPH0254543A JP H0254543 A JPH0254543 A JP H0254543A JP 63205492 A JP63205492 A JP 63205492A JP 20549288 A JP20549288 A JP 20549288A JP H0254543 A JPH0254543 A JP H0254543A
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
-
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のボンディング装置に関し、特にボ
ールボンディング装置に関する。
ールボンディング装置に関する。
従来、この種のボンディング装置は第３図（ａ）に示す
ように、ボンディングワイヤー１１の先端にトーチ１２
によりボール１３を形成し、第３図（ｂ）に示すように
そのボール１３をキャピラリ１４により下降させ、ボー
ル１３が半導体素子１５の電極１６に接触した後、当初
設定された量だけキャピラリ１４を沈み込ませて圧着し
、ボンディングを行っていた（第３図（ｃ） 、 （ｄ
） ） 。
ように、ボンディングワイヤー１１の先端にトーチ１２
によりボール１３を形成し、第３図（ｂ）に示すように
そのボール１３をキャピラリ１４により下降させ、ボー
ル１３が半導体素子１５の電極１６に接触した後、当初
設定された量だけキャピラリ１４を沈み込ませて圧着し
、ボンディングを行っていた（第３図（ｃ） 、 （ｄ
） ） 。
上述した従来、のボンディング装置はワイヤーのボール
が半導体素子電極に接触してからの沈み込み量が一定に
設定されているため、キャピラリによる圧着後の圧着幅
がボール形成時のボールの大きさで決定される。このた
め、ワイヤーと、トーチの距離の変動やトーチ電圧の変
動により、ボール形成時のボールが変動し、圧着幅が一
定にできない、圧着幅が小さくなると、ボンディング強
度が、低下し、信顆性を損い、圧着幅が大きいと、隣接
する半導体素子電極と接触して歩留の低下を招くという
欠点がある。
が半導体素子電極に接触してからの沈み込み量が一定に
設定されているため、キャピラリによる圧着後の圧着幅
がボール形成時のボールの大きさで決定される。このた
め、ワイヤーと、トーチの距離の変動やトーチ電圧の変
動により、ボール形成時のボールが変動し、圧着幅が一
定にできない、圧着幅が小さくなると、ボンディング強
度が、低下し、信顆性を損い、圧着幅が大きいと、隣接
する半導体素子電極と接触して歩留の低下を招くという
欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決したボンディング装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来のボンディング装置に対し、本発明は半導
体素子電極にワイヤーを圧着した時の圧着幅を感知して
ボンディングの圧着を完了するという相違点を有する。
体素子電極にワイヤーを圧着した時の圧着幅を感知して
ボンディングの圧着を完了するという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係るボンディング装
置においては、ボンディングキャピラリに、ボンディン
グ時に該キャピラリにて圧着されたボンディングワイヤ
ーに接触して導通する対をなす電極を有するものである
。
置においては、ボンディングキャピラリに、ボンディン
グ時に該キャピラリにて圧着されたボンディングワイヤ
ーに接触して導通する対をなす電極を有するものである
。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例１を工程順に示
す断面図である。
す断面図である。
図において、第１図（ａ）に示すように、キャピラリ５
はその中央にボンディングワイヤー１の挿通孔５ａを有
し、その下端面にワイヤー１のボール３を半導体素子６
の電極７に圧着する圧着面５ｂを有している。第１図（
ａ）において、本発明はキャピラリ５の左右に対をなす
Ｅ［４ａ、４ｂをその相互間を絶縁して設け、該電極４
ａ、４ｂの先端４ｃ、４ｃをキャピラリ５の圧着面５ｂ
に沿って折り曲げ、その間隙をワイヤー１のボール３の
圧着幅に相当する寸法に設置したものである。
はその中央にボンディングワイヤー１の挿通孔５ａを有
し、その下端面にワイヤー１のボール３を半導体素子６
の電極７に圧着する圧着面５ｂを有している。第１図（
ａ）において、本発明はキャピラリ５の左右に対をなす
Ｅ［４ａ、４ｂをその相互間を絶縁して設け、該電極４
ａ、４ｂの先端４ｃ、４ｃをキャピラリ５の圧着面５ｂ
に沿って折り曲げ、その間隙をワイヤー１のボール３の
圧着幅に相当する寸法に設置したものである。
実施例において、第１図（ａ）に示すように、ボンディ
ングワイヤー１の先端にトーチ２によりボール３を形成
する０次に、絶縁された相対向する電極４ａ、４ｂを有
したキャピラリ５によりボンディングワイヤー１を下降
させて半導体素子６の電極７に圧着させる０次に、キャ
ピラリ５を沈み込ませてボンディングワイヤー１のボー
ル３が絶縁された相対向する電極４の両方に接触したら
キャピラリ５の沈み込みを止めボンディングを完了させ
る。絶縁された相対向する電ｆ！４ａ、４ｂはセラミッ
ク等の絶縁物で作られたキャピラリ５上に金属印刷等に
より形成させる。
ングワイヤー１の先端にトーチ２によりボール３を形成
する０次に、絶縁された相対向する電極４ａ、４ｂを有
したキャピラリ５によりボンディングワイヤー１を下降
させて半導体素子６の電極７に圧着させる０次に、キャ
ピラリ５を沈み込ませてボンディングワイヤー１のボー
ル３が絶縁された相対向する電極４の両方に接触したら
キャピラリ５の沈み込みを止めボンディングを完了させ
る。絶縁された相対向する電ｆ！４ａ、４ｂはセラミッ
ク等の絶縁物で作られたキャピラリ５上に金属印刷等に
より形成させる。
（実施例２）
第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の実施例２を示す図
である。
である。
本実施例はセラミック製のキャピラリ５の両側にそれぞ
れ電極８ａ、８ｂを銀銅ロー材１０で接着させてキャピ
ラリ５に絶縁された相対向する電極８ａ、Ｆ３ｂを装備
したものである。その動作は第１図と同様である。
れ電極８ａ、８ｂを銀銅ロー材１０で接着させてキャピ
ラリ５に絶縁された相対向する電極８ａ、Ｆ３ｂを装備
したものである。その動作は第１図と同様である。
以上説明したように本発明は、絶縁された相対向する！
極の間隔を希望するボンディング圧着幅に設定するこ
とにより、ボンディングワイヤーの圧着幅を感知しなが
らボンディングを実施することができ、常に一定した希
望したボンディング圧着幅のボンディングを行うことが
でき、ボンディング強度の安定および隣接した半導体素
子電極へのボンディングワイヤーの接触を防止できる効
果がある。
極の間隔を希望するボンディング圧着幅に設定するこ
とにより、ボンディングワイヤーの圧着幅を感知しなが
らボンディングを実施することができ、常に一定した希
望したボンディング圧着幅のボンディングを行うことが
でき、ボンディング強度の安定および隣接した半導体素
子電極へのボンディングワイヤーの接触を防止できる効
果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例１を工程順に示
す断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例２を示す断面
図、（ｂ）は同底面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は従来例
を工程順に示す断面図である。 １．１１・・・ボンディングワイヤー ２・・・トーチ ３・・・ボンディングワイヤーボール ４ａ、４ｂ、８ａ、８ｂ・・・絶縁された相対向する電
極 ５・・・キャピラリ ７・・・半導体素子電極 ６・・・半導体装置 ｌボ°ン丹〉グツイヤ ノν／Ｓ ｌ 、４−７４ 一＼ＪＳ １／ Ｊ１４ （ｄ） 一／３ 〜１６ へ／Ｅ 図
す断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例２を示す断面
図、（ｂ）は同底面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は従来例
を工程順に示す断面図である。 １．１１・・・ボンディングワイヤー ２・・・トーチ ３・・・ボンディングワイヤーボール ４ａ、４ｂ、８ａ、８ｂ・・・絶縁された相対向する電
極 ５・・・キャピラリ ７・・・半導体素子電極 ６・・・半導体装置 ｌボ°ン丹〉グツイヤ ノν／Ｓ ｌ 、４−７４ 一＼ＪＳ １／ Ｊ１４ （ｄ） 一／３ 〜１６ へ／Ｅ 図
Claims (1)
- （１）ボンディングキャピラリに、ボンディング時に該
キャピラリにて圧着されたボンディングワイヤーに接触
して導通する対をなす電極を有することを特徴とするボ
ンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205492A JPH0254543A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | ボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205492A JPH0254543A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | ボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254543A true JPH0254543A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16507752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205492A Pending JPH0254543A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | ボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620793A (en) * | 1993-11-05 | 1997-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing paper and method of image formation employing the same |
| US5623716A (en) * | 1991-09-20 | 1997-04-22 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Process for image forming using a photosensitive member having an amorphous carbon layer as an outermost surface layer |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63205492A patent/JPH0254543A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623716A (en) * | 1991-09-20 | 1997-04-22 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Process for image forming using a photosensitive member having an amorphous carbon layer as an outermost surface layer |
| US5620793A (en) * | 1993-11-05 | 1997-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing paper and method of image formation employing the same |
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