JPH0252716B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0252716B2
JPH0252716B2 JP5159383A JP5159383A JPH0252716B2 JP H0252716 B2 JPH0252716 B2 JP H0252716B2 JP 5159383 A JP5159383 A JP 5159383A JP 5159383 A JP5159383 A JP 5159383A JP H0252716 B2 JPH0252716 B2 JP H0252716B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporation
zinc
evaporation crucible
molten metal
receiving plate
Prior art date
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Expired
Application number
JP5159383A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59177368A (ja
Inventor
Yoshimitsu Nakamura
Toshio Taguchi
Tetsuyoshi Wada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Nippon Steel Nisshin Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Nisshin Steel Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd, Nisshin Steel Co Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP5159383A priority Critical patent/JPS59177368A/ja
Publication of JPS59177368A publication Critical patent/JPS59177368A/ja
Publication of JPH0252716B2 publication Critical patent/JPH0252716B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、鋼帯等の被めつき材に連続的に金属
皮膜を真空蒸着する真空蒸着装置に関する。
従来の亜鉛真空蒸着装置を第1図及び第2図に
示す。この装置は、アンコイラ1から巻戻された
被めつき材である鋼帯2を入側差圧排気室群3か
ら真空蒸着室4に入れ、その表面に蒸発るつぼ5
から蒸発した亜鉛を蒸着する。亜鉛を蒸着した鋼
帯2は、出側差圧排気室群6を経てコイラ7に巻
かれて製品となる。
上記蒸発るつぼ5に保持されている溶融亜鉛8
は、大気中にある溶解炉9から大気圧により連通
管10を介して補給される。蒸発るつぼ5、連通
管10及び溶解炉9にはヒータ11,12が付設
されて、所定の温度に溶融亜鉛8を加熱してい
る。
なお図中13は、溶融炉9を上昇又は下降させ
て蒸発るつぼ5内の亜鉛レベルを一定に保持又は
変更するためのレベル調整機。14は、差圧排気
室群3,6に設けられたシールロール。15は、
同室群3,6に設けられた排気口。16は、真空
蒸着室4に設けられた排気口である。排気口1
5,16は真空ポンプ(図示せず)に連結してい
る。
しかしこの装置は、蒸発るつぼ5内の溶融亜鉛
8の表面に酸化亜鉛皮膜(スカム)17が浮いて
おり、沸騰現象の原因となつている。沸騰が生じ
ると、液滴状の亜鉛が生成して鋼帯2に付着し、
この結果蒸着面の状態を悪化させ、製品価値を損
う問題がある。
酸化亜鉛皮膜(スカム)17が生成する原因と
しては、以下に示すスタートアツプ法に欠点があ
るためである。すなわち蒸着作業を一時停止する
場合、第2図に示すように溶解炉9のレベルを下
げて蒸発るつぼ5内から溶融亜鉛8を排出する必
要がある。この際、溶融亜鉛の一部が蒸発るつぼ
5及び連通管10の内壁に付着残留する。この付
着亜鉛18は大気又は不活性ガス雰囲気中の酸化
性ガスにより酸化され、付着亜鉛18の表面に酸
化亜鉛皮膜17を生成する。
この状態で次にスタートアツプすると、溶解炉
9から連通管10を介して蒸発るつぼ5内に溶融
亜鉛8が供給される。そしてこの通過溶融亜鉛に
より、連通管10や蒸発るつぼ5に付着していた
酸化亜鉛皮膜17が剥離し、蒸発るつぼ5内の溶
融亜鉛8の表面にスカムとして浮遊してしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、スタートアツプ前に酸化
皮膜を除去することにより、スタートアツプを良
好におこなうことができる真空蒸着装置を得んと
するものである。
すなわち本発明は、被めつき材が走行する真空
蒸着室内に溶融金属を入れた蒸発るつぼを配置し
た真空蒸着装置において、上記蒸発るつぼの内側
に間隙を設けて取付けられ下部を上記蒸発るつぼ
の溶融金属に浸漬可能に突出した受け板と、下部
を上記蒸発るつぼの溶融金属に浸漬して上記受け
板方向に移動自在に設けたかきとり板とを具備し
たことを特徴とする。
以下本発明を第3図〜第5図にもとづいて説明
する。
第3図は本発明の一実施例を示す真空蒸着装置
の説明図、第4図は蒸発るつぼの平面図、第5図
は同断面図である。この装置は、真空蒸着室4、
蒸発るつぼ5、溶解炉9、連通管10、ヒータ1
1,12などを備えているが、これらの構成は第
1図に示すものと同じなので、同一符号を付して
その説明を省略する。本発明に係る真空蒸着装置
は、従来のものに加えて更に受け板19とかきと
り板20とを設けている。受け板19は、逆L字
状をなし、蒸発るつぼ5の上部内壁に取付けられ
ている。この受け板19の下端は真空蒸着時の液
面レベルAより下で、かつかきとり時の液面レベ
ルBより上に位置している。上記かきとり板20
は下端がかきとり時の液面レベルBよりも下方に
あつて、受け板19と対向する内壁から受け板1
9方向に移動できるようになつている。かきとり
板20の駆動は、例えば第5図に示すようにかき
とり板20を滑車21に巻いたチエーン22(又
はワイヤ)に取付け、滑車21を連結棒23を介
して真空蒸着室外の駆動装置(図示せず)に連結
してこれを回転させることによりおこなう。なお
図中24は蒸着室隔壁、25はシール部である。
又かきとり板20の駆動手段は、この実施例に限
定されない。また受け板19及びかきとり板20
の材質は、溶融金属と反応せず、かつ耐熱性のあ
るものが好ましく、例えば溶融金属が亜鉛の場
合、W,Mo等の高融点金属、Al2O3,ZrO2等の
酸化物、炭素質材料などが好ましい。また受け板
19は、蒸発るつぼ5と一体として製作してもよ
い。次にこの真空蒸着装置のスタートアツプ方法
につき説明する。
溶解炉9を予め加熱して炉内の蒸発用亜鉛など
を溶融させておく。一方蒸発るつぼ5、受け板1
9及び連通管10を溶融金属の融点以上に加熱し
ておく。又かきとり板20は、受け板19の反対
側の位置(第4図に示す位置)に待機させてお
く。この状態で真空蒸着室4内を排気して、溶融
金属8(溶融亜鉛)をかきとり時のレベルBまで
供給する。このかきとり板20を受け板19の位
置まで移動して、溶融金属8上の酸化皮膜17を
かきとる。次にレベル調節機13により溶融金属
8のレベルを蒸着レベルAまで上げて蒸着を開始
する。
この操作により溶融金属8上の酸化皮膜17
は、かき取られて受け板19に集められ封入され
ている。このため蒸発面には酸化皮膜はなく、異
常沸騰を生ずることはない。
なお受け板19に集められた酸化皮膜17は、
運転を停止し、溶融金属8を蒸発るつぼ5から溶
解炉9に抜き出した時に、溶解炉9内の溶融金属
表面に浮遊した酸化皮膜として取り除く。またこ
の装置は、亜鉛の真空蒸着に限らず、他の金属に
も適用できる。
以上説明したように、本発明によれば蒸着時に
溶融金属の蒸発面上に酸化皮膜がないので、異常
沸騰を生ぜず、正常な蒸着をおこなうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の真空蒸着装置の説明図、第2図
は同装置のスタートアツプ時の説明図、第3図は
本発明の一実施例を示す真空蒸着装置の説明図、
第4図は同装置の蒸発るつぼの平面図、第5図は
同断面図である。 1……アンコイラ、2……鋼帯、3……入側差
圧排気室群、4……真空蒸着室、5……蒸発るつ
ぼ、6……出側差圧排気室群、7……コイラ、8
……溶融亜鉛(溶融金属)、9……溶解炉、10
……連通管、11,12……ヒータ、13……レ
ベル調整機、14……シールロール、15,16
……排気口、17……酸化亜鉛皮膜(酸化皮膜)、
18……付着亜鉛、19……受け板、20……か
きとり板、21……滑車、22……チエーン、2
3……連結棒、24……蒸着室隔壁、25……シ
ール部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被めつき材が走行する真空蒸着室内に溶融金
    属を入れた蒸発るつぼを配置した真空蒸着装置に
    おいて、上記蒸発るつぼの内側に間隙を設けて取
    付けられ下部を上記蒸発るつぼの溶融金属に浸漬
    可能に突出した受け板と、下部を上記蒸発るつぼ
    の溶融金属に浸漬して上記受け板方向に移動自在
    に設けたかきとり板とを具備したことを特徴とす
    る真空蒸着装置。
JP5159383A 1983-03-29 1983-03-29 真空蒸着装置 Granted JPS59177368A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5159383A JPS59177368A (ja) 1983-03-29 1983-03-29 真空蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5159383A JPS59177368A (ja) 1983-03-29 1983-03-29 真空蒸着装置

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Publication Number Publication Date
JPS59177368A JPS59177368A (ja) 1984-10-08
JPH0252716B2 true JPH0252716B2 (ja) 1990-11-14

Family

ID=12891206

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JP5159383A Granted JPS59177368A (ja) 1983-03-29 1983-03-29 真空蒸着装置

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JP2870719B2 (ja) * 1993-01-29 1999-03-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3406488B2 (ja) * 1997-09-05 2003-05-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US6207006B1 (en) 1997-09-18 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
CN117888061B (zh) * 2024-03-14 2024-05-24 天水天光半导体有限责任公司 一种银金属蒸发真空镀膜的方法

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