JPH0250488A - 超伝導配線 - Google Patents
超伝導配線Info
- Publication number
- JPH0250488A JPH0250488A JP63201613A JP20161388A JPH0250488A JP H0250488 A JPH0250488 A JP H0250488A JP 63201613 A JP63201613 A JP 63201613A JP 20161388 A JP20161388 A JP 20161388A JP H0250488 A JPH0250488 A JP H0250488A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- wiring
- current
- resistance
- normal
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は配線技術に関するもの、より詳しくは半導体集
積回路及び超伝導集積回路及びそれらの混合型集積回路
における超伝導配線に関するものである。
積回路及び超伝導集積回路及びそれらの混合型集積回路
における超伝導配線に関するものである。
(従来の技術)
ジョセフソン接合を中心とする超伝導集積回路において
は超伝導配線が用いられるため、無歪な高速の信号伝送
が可能である。また超伝導集積回路の高集積化、大容量
化に伴い配線が微細化されたとしても配線抵抗が増大し
て回路の特性を損なうようなことはない。
は超伝導配線が用いられるため、無歪な高速の信号伝送
が可能である。また超伝導集積回路の高集積化、大容量
化に伴い配線が微細化されたとしても配線抵抗が増大し
て回路の特性を損なうようなことはない。
最近、イツトリウム、バリウム、銅混合酸化物に代表さ
れる酸化物セラミックスが発見され、77に以上で超伝
導体として動作することが報告されて以来、半導体集積
回路のチップ上、あるいはチップ間の配線に該酸化物超
伝導体を使用しようとする研究が活発である。半導体集
積回路においてはAIやAl−8iなどの低抵抗配線が
多用されているが、集積回路の高密度化に伴い、総配線
長が増加し、配線抵抗が問題となってくる。超伝導配線
を用いれば、配線抵抗のない理想的な配線を実現でき線
路の微細化がさらに可能となる。
れる酸化物セラミックスが発見され、77に以上で超伝
導体として動作することが報告されて以来、半導体集積
回路のチップ上、あるいはチップ間の配線に該酸化物超
伝導体を使用しようとする研究が活発である。半導体集
積回路においてはAIやAl−8iなどの低抵抗配線が
多用されているが、集積回路の高密度化に伴い、総配線
長が増加し、配線抵抗が問題となってくる。超伝導配線
を用いれば、配線抵抗のない理想的な配線を実現でき線
路の微細化がさらに可能となる。
(発明が解決しようとする課題)
超伝導配線を実際に用いる場合、その臨界電流密度が充
分高いことが必要である。一般に用いられる超伝導材料
は酸化物超伝導材料を含めて、第2種超伝導体であり、
超伝導体内に侵入する磁束線をピン止めするピン止め力
を強化することで臨界電流密度を高めることができる。
分高いことが必要である。一般に用いられる超伝導材料
は酸化物超伝導材料を含めて、第2種超伝導体であり、
超伝導体内に侵入する磁束線をピン止めするピン止め力
を強化することで臨界電流密度を高めることができる。
電流を印加した場合、各磁束線にはローレンツ力が働き
磁束線を動かそうとする。このローレンツ力がピン止め
力をこえることがないような電流レベルであれば超伝導
状態がこわされることはない。
磁束線を動かそうとする。このローレンツ力がピン止め
力をこえることがないような電流レベルであれば超伝導
状態がこわされることはない。
しかしながら、ピン止め力を超伝導体全体にわたって均
一につくることはむつかしく、一部ピン止め力が弱い部
分では磁束線が動き、電圧が発生する。そのためジュー
ル熱が生じ、第2図に示すように超伝導状態から常伝導
状態に遷移した部分12が発生する。この常伝導部分1
2は高抵抗であり印加された電流により、ジュール熱が
発生し、常伝導部分12は第2図の矢印13の方向に拡
大し、ついには全体が常伝導転移してしまう。この常伝
導状態は印加電流を消去しない限り超伝導状態に復帰し
ない。さらに回路の集積化が進むにつれ、1チツプに印
加される電流は増大し、超伝導配線の局所的な常伝導転
移の可能性が増加することになる。
一につくることはむつかしく、一部ピン止め力が弱い部
分では磁束線が動き、電圧が発生する。そのためジュー
ル熱が生じ、第2図に示すように超伝導状態から常伝導
状態に遷移した部分12が発生する。この常伝導部分1
2は高抵抗であり印加された電流により、ジュール熱が
発生し、常伝導部分12は第2図の矢印13の方向に拡
大し、ついには全体が常伝導転移してしまう。この常伝
導状態は印加電流を消去しない限り超伝導状態に復帰し
ない。さらに回路の集積化が進むにつれ、1チツプに印
加される電流は増大し、超伝導配線の局所的な常伝導転
移の可能性が増加することになる。
(課題を解決するための手段)
本発明によれば、基板上の超伝導材料よりなる配線部分
において該配線部分全体にわたり、上部または上部及び
側壁部分を低抵抗金属により被覆したことを特徴とする
超伝導配線が得られる。
において該配線部分全体にわたり、上部または上部及び
側壁部分を低抵抗金属により被覆したことを特徴とする
超伝導配線が得られる。
(作用)
超伝導配線は、抵抗が完全にゼロである理想的な配線で
あり、無歪の高品位信号伝送を可能とする。しかしなが
ら、一部に常伝導部分が発生すると、その高い抵抗によ
り高ジュール熱が発生し、常伝導部分の拡大を抑制する
ことができない。本発明では超伝導配線を低抵抗金属で
被覆することにより、常伝導転移した部分の抵抗を小さ
くおさえ、そこで発生するジュール熱を冷媒の冷却能力
以下におさえるものである。この結果、超伝導配線の一
部が常伝導状態に転移したとしても、印加している電流
を切ることなく、超伝導配線を超伝導状態に復帰させる
ことができる。
あり、無歪の高品位信号伝送を可能とする。しかしなが
ら、一部に常伝導部分が発生すると、その高い抵抗によ
り高ジュール熱が発生し、常伝導部分の拡大を抑制する
ことができない。本発明では超伝導配線を低抵抗金属で
被覆することにより、常伝導転移した部分の抵抗を小さ
くおさえ、そこで発生するジュール熱を冷媒の冷却能力
以下におさえるものである。この結果、超伝導配線の一
部が常伝導状態に転移したとしても、印加している電流
を切ることなく、超伝導配線を超伝導状態に復帰させる
ことができる。
(実施例)
第1図は本発明の詳細な説明するための断面図で、図に
おいて、1は超伝導配線、2は低抵抗金属、3は常伝導
部分、4は流れる電流、5はシリコン基板、6は絶縁膜
を示す。本実施例では超伝導材料としでは第二種超伝導
体である酸化物超伝導体及び金属超伝導体いずれを用い
ることも可能である。また低抵抗金属材料としては銅、
アルミニウム、ケイ化アルミニウムなどが考えられる。
おいて、1は超伝導配線、2は低抵抗金属、3は常伝導
部分、4は流れる電流、5はシリコン基板、6は絶縁膜
を示す。本実施例では超伝導材料としでは第二種超伝導
体である酸化物超伝導体及び金属超伝導体いずれを用い
ることも可能である。また低抵抗金属材料としては銅、
アルミニウム、ケイ化アルミニウムなどが考えられる。
第1図に示す配線に電流を印加すると、電流は定常状態
では抵抗ゼロである超伝導配線1を通って流れる。超伝
導配線1内に侵入している磁束線には、印加電流により
ローレンツ力がががっている。このローレンツ力が超伝
導配線1のピン止め力より小さい場合には超伝導状態が
こわれることはない。
では抵抗ゼロである超伝導配線1を通って流れる。超伝
導配線1内に侵入している磁束線には、印加電流により
ローレンツ力がががっている。このローレンツ力が超伝
導配線1のピン止め力より小さい場合には超伝導状態が
こわれることはない。
しかし、超伝導配線1内にピン止め力の弱いところが存
在した場合、磁束線が動き、電圧が発生し、ジュール熱
が生じる。この時、超伝導配線の一部が常伝導転移し、
常伝導部分2が生じる。一般にこの常伝導部分の抵抗は
高いため、印加電流の大部分は電流バス3のように低抵
抗金属を通って流れ、ジュール熱の発生を小さくおさえ
る。この時、発生するジュール熱を冷媒の冷却能力以下
におさえることは可能であり、その時には、いったん生
じた常伝導部分2を超伝導状態に復帰させることができ
る。磁束線がピン止めされるビンは超伝導配線内に多数
存在し、常伝導転移する原因となった磁束線は次のピン
でピン止めされ、超伝導状態に復帰した超伝導配線は、
超伝導状態を維持することができる。
在した場合、磁束線が動き、電圧が発生し、ジュール熱
が生じる。この時、超伝導配線の一部が常伝導転移し、
常伝導部分2が生じる。一般にこの常伝導部分の抵抗は
高いため、印加電流の大部分は電流バス3のように低抵
抗金属を通って流れ、ジュール熱の発生を小さくおさえ
る。この時、発生するジュール熱を冷媒の冷却能力以下
におさえることは可能であり、その時には、いったん生
じた常伝導部分2を超伝導状態に復帰させることができ
る。磁束線がピン止めされるビンは超伝導配線内に多数
存在し、常伝導転移する原因となった磁束線は次のピン
でピン止めされ、超伝導状態に復帰した超伝導配線は、
超伝導状態を維持することができる。
(発明の効果)
本発明では電流を印加した超伝導配線に生じる常伝導部
分を電流を切らずに超伝導状態に復帰させることができ
る。すなわち、電源線などの大電流を加える配線部分に
おいても超伝導状態を安定に維持することのできる超伝
導配線を得ることができる。
分を電流を切らずに超伝導状態に復帰させることができ
る。すなわち、電源線などの大電流を加える配線部分に
おいても超伝導状態を安定に維持することのできる超伝
導配線を得ることができる。
第1図、第2図は、それぞれ本発明の実施例および従来
例を説明するための断面図である。 図において、 1、11−9.超伝導配線、2,12・・・常伝導部分
、3・、・低抵抗金属、4・・・電流の流れ、13・・
・常伝導部分の拡大する方向、5,15・・・シリコン
基板、6,16・・・絶縁膜を示す。 第 図 第 図 13常伝導部分の拡大する方向 12常伝導部分
例を説明するための断面図である。 図において、 1、11−9.超伝導配線、2,12・・・常伝導部分
、3・、・低抵抗金属、4・・・電流の流れ、13・・
・常伝導部分の拡大する方向、5,15・・・シリコン
基板、6,16・・・絶縁膜を示す。 第 図 第 図 13常伝導部分の拡大する方向 12常伝導部分
Claims (1)
- 基板上の超伝導材料よりなる配線部分において該配線部
分全体にわたり上部、または上部及び側壁部を低抵抗金
属により被覆したことを特徴とする超伝導配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201613A JPH0250488A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 超伝導配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201613A JPH0250488A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 超伝導配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250488A true JPH0250488A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16443964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201613A Pending JPH0250488A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 超伝導配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250488A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501647A (ja) * | 2000-06-23 | 2004-01-22 | ワイス・ホールディングズ・コーポレイション | 野性型およびキメラのインフルエンザウイルス様粒子(vlp)のアセンブリー |
| JP2009502789A (ja) * | 2005-07-19 | 2009-01-29 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 組み換えインフルエンザワクチン |
| JP2009511084A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | ノババックス, インコーポレイテッド | 機能的インフルエンザウイルス様粒子(vlp) |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63201613A patent/JPH0250488A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501647A (ja) * | 2000-06-23 | 2004-01-22 | ワイス・ホールディングズ・コーポレイション | 野性型およびキメラのインフルエンザウイルス様粒子(vlp)のアセンブリー |
| JP2009502789A (ja) * | 2005-07-19 | 2009-01-29 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 組み換えインフルエンザワクチン |
| JP2009511084A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | ノババックス, インコーポレイテッド | 機能的インフルエンザウイルス様粒子(vlp) |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JPN6015016618; Current Topics in Microbiology and Immunology Vol.333, 2009, p.269-289 * |
| JPN6017024957; J. Virol. 77 (19), 2003, p.10575-10583 * |
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