JPH0250164A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH0250164A JPH0250164A JP9102289A JP9102289A JPH0250164A JP H0250164 A JPH0250164 A JP H0250164A JP 9102289 A JP9102289 A JP 9102289A JP 9102289 A JP9102289 A JP 9102289A JP H0250164 A JPH0250164 A JP H0250164A
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- resist
- resist pattern
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用するレジストパタ
ーン形成方法に関する。
ーン形成方法に関する。
近年、半導体装置における高集積化および高密度化の進
展に伴い、その中に形成される回路パターンも微細化さ
れてきている。さらには、高信頼度化および高性能化へ
の要求も高くなり、このため製造プロセスの最適化や形
成パターンの高精度化等が不可欠なものとなっている。
展に伴い、その中に形成される回路パターンも微細化さ
れてきている。さらには、高信頼度化および高性能化へ
の要求も高くなり、このため製造プロセスの最適化や形
成パターンの高精度化等が不可欠なものとなっている。
従来、このような要望に応えるべ（次に示す工程からな
るレジストパターン形成方法が採用されている。すなわ
ち、基板上にポジ型のフォトレジスト層を形成し、次に
このレジスト層に露光用の光源を用いてパターンを転写
した後、現像によって所定のレジストパターンを形成し
てから、このレジストパターンをマスクとしてエツチン
グ処理を施すことにより行うものである。
るレジストパターン形成方法が採用されている。すなわ
ち、基板上にポジ型のフォトレジスト層を形成し、次に
このレジスト層に露光用の光源を用いてパターンを転写
した後、現像によって所定のレジストパターンを形成し
てから、このレジストパターンをマスクとしてエツチン
グ処理を施すことにより行うものである。
ところで、この種レジストパターン形成方法においては
、ポジ型のフォトレジストとしてナフトキノンジアジド
を感光基とするものが広く使用されている。この場合、
例えば感光剤として２，３．４トリヒドロキシベンゾフ
エノンの１．２−ナフトキノンジアジドスルフォン酸エ
ステルをフェノールノボラックレジンに添加したフォト
レジストでは、露光によりナフトキノンジアジドが光反
応を起こしてインデンカルボン酸に変化し、この露光部
分がアルカリ現像液に可溶となる。これにより、現像時
に選択的に露光部分が除去され、所定のパターンを得る
ことができる。
、ポジ型のフォトレジストとしてナフトキノンジアジド
を感光基とするものが広く使用されている。この場合、
例えば感光剤として２，３．４トリヒドロキシベンゾフ
エノンの１．２−ナフトキノンジアジドスルフォン酸エ
ステルをフェノールノボラックレジンに添加したフォト
レジストでは、露光によりナフトキノンジアジドが光反
応を起こしてインデンカルボン酸に変化し、この露光部
分がアルカリ現像液に可溶となる。これにより、現像時
に選択的に露光部分が除去され、所定のパターンを得る
ことができる。
ところが、従゛来のレジストパターン形成方法において
は、フォトレジスト層を短波長紫外線、Ｘ線あるいは電
子ビーム等によって直接に露光するものであるため、こ
れらの露光量が増大するとフォトレジスト層中の樹脂や
感光剤が空気中の酸素と副反応（酸化反応）し架橋を起
こしていた。この結果、現像時に露光部分のレジストが
溶けきれず、残渣が発生して高精度なレジストパターン
を得ることができないという問題があった。なお、露光
量が所定の値に達するまでは溶解速度が増加するが、露
光量がそれ以上になると逆に溶解速度が減少することが
第３図から理解できる。ただし、同図は、２５０ｎｍ付
近の紫外光で露光されたレジスト層の現像液よる溶解速
度を露光エネルギに対してプロットしたものである。
は、フォトレジスト層を短波長紫外線、Ｘ線あるいは電
子ビーム等によって直接に露光するものであるため、こ
れらの露光量が増大するとフォトレジスト層中の樹脂や
感光剤が空気中の酸素と副反応（酸化反応）し架橋を起
こしていた。この結果、現像時に露光部分のレジストが
溶けきれず、残渣が発生して高精度なレジストパターン
を得ることができないという問題があった。なお、露光
量が所定の値に達するまでは溶解速度が増加するが、露
光量がそれ以上になると逆に溶解速度が減少することが
第３図から理解できる。ただし、同図は、２５０ｎｍ付
近の紫外光で露光されたレジスト層の現像液よる溶解速
度を露光エネルギに対してプロットしたものである。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、現像
時の残渣の発生を防止することができ、もって高精度な
レジストパターンを得ることができるレジストパターン
形成方法を提供するものである。
時の残渣の発生を防止することができ、もって高精度な
レジストパターンを得ることができるレジストパターン
形成方法を提供するものである。
本発明に係るレジストパターン形成方法は、基板上にレ
ジスト層を形成し、次にこのレジスト層を露光した後、
これを現像するレジストパターン形成方法であって、レ
ジスト層上に露光前に酸素遮断膜を形成するものである
。
ジスト層を形成し、次にこのレジスト層を露光した後、
これを現像するレジストパターン形成方法であって、レ
ジスト層上に露光前に酸素遮断膜を形成するものである
。
本発明においては、酸素遮断膜で露光量の増大によって
生じるレジスト層中の樹脂や感光剤の架橋反応を抑制す
ることができる。
生じるレジスト層中の樹脂や感光剤の架橋反応を抑制す
ることができる。
以下、本発明によるレジストパターン形成方法につき、
第１図を用いて説明する。
第１図を用いて説明する。
先ず、予め半導体基板１に例えば０ＦＰＲ−８００（東
京応化社製）のポジ型フォトレジストを塗布することに
より厚さ１．２μｍのレジスト層２を形成する。次いで
、ホットプレート（図示せず）上で基板１を加熱（プリ
ベーク）する、しかる後、レジスト層２上に例えばポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）からなる厚さ１．０μ−の
酸素遮断膜３を塗布し、所定のマスク４を介して２５Ｏ
ｎｍ付近の紫外線で露光してから、例えばテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド（２，３８％の水溶液
）からなる有機アルカリ現像液によって現像する。
京応化社製）のポジ型フォトレジストを塗布することに
より厚さ１．２μｍのレジスト層２を形成する。次いで
、ホットプレート（図示せず）上で基板１を加熱（プリ
ベーク）する、しかる後、レジスト層２上に例えばポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）からなる厚さ１．０μ−の
酸素遮断膜３を塗布し、所定のマスク４を介して２５Ｏ
ｎｍ付近の紫外線で露光してから、例えばテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド（２，３８％の水溶液
）からなる有機アルカリ現像液によって現像する。
このようにして、半導体基板に対してレジストパターン
を形成することができる。
を形成することができる。
このようなレジストパターン形成方法においては、酸素
遮断膜３で露光量の増大によって生じるレジスト層２中
の樹脂や感光剤の架橋反応を抑制することができるから
、現像時に露光部分のレジスト層２を溶解させて残渣の
発生を防止することができる。
遮断膜３で露光量の増大によって生じるレジスト層２中
の樹脂や感光剤の架橋反応を抑制することができるから
、現像時に露光部分のレジスト層２を溶解させて残渣の
発生を防止することができる。
すなわち、本発明の現像時における露光レジスト層の溶
解速度は、第２図に示すように露光エネルギの増加に応
じて単調増加するのである。
解速度は、第２図に示すように露光エネルギの増加に応
じて単調増加するのである。
なお、本実施例においては、酸素遮断膜３としてポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）からなるものを示したが、本
発明はこれ゛に限定されず、この他高分子膜、無機膜で
あっても酸素遮断膜であれば何等差し支えない。
ニルアルコール（ＰＶＡ）からなるものを示したが、本
発明はこれ゛に限定されず、この他高分子膜、無機膜で
あっても酸素遮断膜であれば何等差し支えない。
また、本実施例においては、レジスト層２の形成にポジ
型フォトレジストを使用する例を示したが、本発明はネ
ガ型フォトレジストを使用できることは勿論である。
型フォトレジストを使用する例を示したが、本発明はネ
ガ型フォトレジストを使用できることは勿論である。
さらに、本発明においては、酸素遮断膜３が現像液に可
溶性のものであるが、現像液に不溶である酸素遮断膜を
用いる場合には現像前に酸素遮断膜を除去する工程を備
えるものとする。
溶性のものであるが、現像液に不溶である酸素遮断膜を
用いる場合には現像前に酸素遮断膜を除去する工程を備
えるものとする。
以上説明したように本発明によれば、基板上にレジスト
層を形成し、次にこのレジスト層を露光した後、これを
現像するレジストパターン形成方法であって、レジスト
層上に露光前に酸素遮断膜を形成するので、この酸素遮
断膜で露光量の増大によって生じるレジスト層中の樹脂
や感光剤の架橋反応を抑制することができる。したがっ
て、現像時において露光部分のレジスト層を溶解させて
残渣の発生を防止することができるから、高精度なレジ
ストパターンを得ることができる。
層を形成し、次にこのレジスト層を露光した後、これを
現像するレジストパターン形成方法であって、レジスト
層上に露光前に酸素遮断膜を形成するので、この酸素遮
断膜で露光量の増大によって生じるレジスト層中の樹脂
や感光剤の架橋反応を抑制することができる。したがっ
て、現像時において露光部分のレジスト層を溶解させて
残渣の発生を防止することができるから、高精度なレジ
ストパターンを得ることができる。
第１図は本発明に係るレジストパターン形成方法を説明
するための断面図、第２図は同じくレジストパターン形
成方法におけるレジスト溶解速度と露光エネルギの関係
を示す図、第３図は従来のレジストパターン形成方法に
おけるレジスト溶解速度と露光エネルギの関係を示す図
である。 １・・・・半導体基板、２・・・・レジスト層、３・・
・・酸素遮断膜。 代 理 人 大 岩 増 雄第１ 第２ 第３
するための断面図、第２図は同じくレジストパターン形
成方法におけるレジスト溶解速度と露光エネルギの関係
を示す図、第３図は従来のレジストパターン形成方法に
おけるレジスト溶解速度と露光エネルギの関係を示す図
である。 １・・・・半導体基板、２・・・・レジスト層、３・・
・・酸素遮断膜。 代 理 人 大 岩 増 雄第１ 第２ 第３
Claims (1)
- 基板上にレジスト層を形成し、次にこのレジスト層を露
光した後、これを現像するレジストパターン形成方法に
おいて、前記レジスト層上に露光前に酸素遮断膜を形成
することを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9102289A JPH0250164A (ja) | 1988-05-11 | 1989-04-10 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-115261 | 1988-05-11 | ||
| JP11526188 | 1988-05-11 | ||
| JP9102289A JPH0250164A (ja) | 1988-05-11 | 1989-04-10 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250164A true JPH0250164A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=26432501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9102289A Pending JPH0250164A (ja) | 1988-05-11 | 1989-04-10 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250164A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5723337A (en) * | 1994-08-13 | 1998-03-03 | Georg Muller | Method for measuring and controlling the oxygen concentration in silicon melts and apparatus therefor |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP9102289A patent/JPH0250164A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5723337A (en) * | 1994-08-13 | 1998-03-03 | Georg Muller | Method for measuring and controlling the oxygen concentration in silicon melts and apparatus therefor |
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