JPH0246719A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0246719A JPH0246719A JP19723388A JP19723388A JPH0246719A JP H0246719 A JPH0246719 A JP H0246719A JP 19723388 A JP19723388 A JP 19723388A JP 19723388 A JP19723388 A JP 19723388A JP H0246719 A JPH0246719 A JP H0246719A
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- electron beam
- resist
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- reactive gas
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Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 28
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はパターン形成方法に関し、さらに詳しくは反応
性ガス雰囲気中におかれたレジスト塗布基板上に、集束
された電子ビームを照射することにより、レジストを直
接パターニングするパターン形成方法に関する。
性ガス雰囲気中におかれたレジスト塗布基板上に、集束
された電子ビームを照射することにより、レジストを直
接パターニングするパターン形成方法に関する。
［従来の技術およびその課題］
近年、超ＬＳＩレベルの高密度集積回路の開発に伴い、
パターンの微細化が要求され、１塵以下の寸法を十分制
御してパターン形成することが必要となってきており、
このためリソグラフィ手段として、光学的方法から電子
ビームの直接描画方法へと移行してきている。この電子
ビームリソグラフィにおいては、電子ビームに感応する
、例えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）等
の電子ビームレジストが用いられ、現像プロセスを経て
、パターン形成されていた。
パターンの微細化が要求され、１塵以下の寸法を十分制
御してパターン形成することが必要となってきており、
このためリソグラフィ手段として、光学的方法から電子
ビームの直接描画方法へと移行してきている。この電子
ビームリソグラフィにおいては、電子ビームに感応する
、例えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）等
の電子ビームレジストが用いられ、現像プロセスを経て
、パターン形成されていた。
しかしながら、これらの電子ビーム用レジストを用いて
実際に集積回路等で使われるパターンを形成する場合に
は、近接効果が大きな問題となる。
実際に集積回路等で使われるパターンを形成する場合に
は、近接効果が大きな問題となる。
すなわち、電子ビームが照射されると、主に基板表面で
発生した二次電子がレジスト中で散乱される。
発生した二次電子がレジスト中で散乱される。
このため、近接したパターンの大小によって入射された
領域のレジストは、次工程の現像プロセスで現像した時
に、レジスト感度が変化し、所望の微細パターンが得ら
れない、いわゆる近接効果と呼ばれる現象が生じていた
。この効果はパターンの微細化と共に顕著となり、制御
性や鮮明度等のパターン精度に支障をきたしていた。
領域のレジストは、次工程の現像プロセスで現像した時
に、レジスト感度が変化し、所望の微細パターンが得ら
れない、いわゆる近接効果と呼ばれる現象が生じていた
。この効果はパターンの微細化と共に顕著となり、制御
性や鮮明度等のパターン精度に支障をきたしていた。
また、従来のパターン形成方法では現像プロセスを必ず
経ているため工程が複雑となり、経済的に不利であった
。
経ているため工程が複雑となり、経済的に不利であった
。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、電子ビームを用いてパターン形成を
行うに際して、パターン形成の精度がレジスト感度に依
存する現像プロセスを経ることなく、従って近接効果を
無視できる微細パターン形成方法を提供することにより
、パターン精度の向上および工程の簡略化を図ることを
目的とする。
になされたもので、電子ビームを用いてパターン形成を
行うに際して、パターン形成の精度がレジスト感度に依
存する現像プロセスを経ることなく、従って近接効果を
無視できる微細パターン形成方法を提供することにより
、パターン精度の向上および工程の簡略化を図ることを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、集束された電子ビームを反応性ガス雰囲気中
でレジスト塗布基板上の所望領域に照射して、前記レジ
ストを直接パターニングすることを特徴とするパターン
形成方法である。
でレジスト塗布基板上の所望領域に照射して、前記レジ
ストを直接パターニングすることを特徴とするパターン
形成方法である。
本発明は、Ｊ、 Ｗ、 ｃｏｂｕｒｎ等によって見出さ
れた電子ビームアシストエツチング効果（Ｊ、 Ａｐｌ
）ｌ。
れた電子ビームアシストエツチング効果（Ｊ、 Ａｐｌ
）ｌ。
Ｐｈｙ、 ５０，３１８９．（１９７９） ）を微細加
工技術に適用し、電子ビーム直接微細加工技術を提供す
るものである。
工技術に適用し、電子ビーム直接微細加工技術を提供す
るものである。
［作用］
レジスト上に、集束された電子ビームを照射すると、レ
ジスト上の電子ビームを照射された領域のみがエツチン
グされ、所望のパターンを現像プロセスを経ることなく
、直接形成することができる。レジスト上のエツチング
深さは、電子ビームの照ｅＡ損を制御することによって
、所望の深さにすることができる。また、エツチング幅
も、ビームの照射量やビーム系の制御を行うことによっ
て制御することができる。
ジスト上の電子ビームを照射された領域のみがエツチン
グされ、所望のパターンを現像プロセスを経ることなく
、直接形成することができる。レジスト上のエツチング
深さは、電子ビームの照ｅＡ損を制御することによって
、所望の深さにすることができる。また、エツチング幅
も、ビームの照射量やビーム系の制御を行うことによっ
て制御することができる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本実施例に用いる電子ビームエツチング装置の
概略構成図である。本装置は主に、電子ビーム照射系１
０９，１１０，１１１ 、試料室１０８、副試料室１０
６および反応性ガス材料収納室１０１とから構成されて
いる。本実施例においては、Ｃｆ！Ｆ３１０２を反応性
ガスとして用い、集束された電子ビーム照射によりＰＭ
ＭＡレジストを直接加工した。
概略構成図である。本装置は主に、電子ビーム照射系１
０９，１１０，１１１ 、試料室１０８、副試料室１０
６および反応性ガス材料収納室１０１とから構成されて
いる。本実施例においては、Ｃｆ！Ｆ３１０２を反応性
ガスとして用い、集束された電子ビーム照射によりＰＭ
ＭＡレジストを直接加工した。
ＣβＦ３１０２を反応性ガス材料収納室１０１に入れ、
ＰＭＭＡレジストを塗布した８１基板１０５を試料台１
０４にセットする。電子ヒーム照躬系１０９〜１１１と
試料室１０８を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排
気する。副試料至１０６に設置されたピンホール１０７
は副試料室１０６内部と外部との差を保つためと、電子
ビーム１１２を基板１０５上に照射するための通路とし
て設置されている。副試料室１０６と反応性ガス材料収
納室１０１とは配管１０３により接続されており、ピン
ホール１０７を通して、副試料室１０６内部および反応
性ガス材料収納室１０１内部が真空排気される。反応性
ガス材料Ｃｊ！ Ｆ３は大気中では液体であるが真空に
引くことにより、容易に気化し、配管１０３を通り、副
試料室１０６内部が反応性カスであるＣｆｌ Ｆ３で充
満される。ピンホール１０７を通って集束された電子ビ
ーム１１２がＰＭＭＡレジスト塗布基板１０５に照射さ
れ、照射された場所の基板がエツチングされる。
ＰＭＭＡレジストを塗布した８１基板１０５を試料台１
０４にセットする。電子ヒーム照躬系１０９〜１１１と
試料室１０８を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排
気する。副試料至１０６に設置されたピンホール１０７
は副試料室１０６内部と外部との差を保つためと、電子
ビーム１１２を基板１０５上に照射するための通路とし
て設置されている。副試料室１０６と反応性ガス材料収
納室１０１とは配管１０３により接続されており、ピン
ホール１０７を通して、副試料室１０６内部および反応
性ガス材料収納室１０１内部が真空排気される。反応性
ガス材料Ｃｊ！ Ｆ３は大気中では液体であるが真空に
引くことにより、容易に気化し、配管１０３を通り、副
試料室１０６内部が反応性カスであるＣｆｌ Ｆ３で充
満される。ピンホール１０７を通って集束された電子ビ
ーム１１２がＰＭＭＡレジスト塗布基板１０５に照射さ
れ、照射された場所の基板がエツチングされる。
第２図は電子ビーム照射量に対するレジストのエツチン
グ深さの測定データの一例を示している。
グ深さの測定データの一例を示している。
同図より、照ｆＡ量を制御すれば、エツチング深さを制
御できることがわかる。また、エツチング幅の制御も、
ビームの照射量やビーム系の制御等の電子ビーム露光等
で蓄積された技術を用いることにより可能である。
御できることがわかる。また、エツチング幅の制御も、
ビームの照射量やビーム系の制御等の電子ビーム露光等
で蓄積された技術を用いることにより可能である。
本実施例ではレジストとしてＰＭＭ△を用いたが、加工
対象としてはこれに限らず、ノボラックレジスト等の他
のレジストヤポリイミド等の有機薄膜に対しても同様の
効果がある。
対象としてはこれに限らず、ノボラックレジスト等の他
のレジストヤポリイミド等の有機薄膜に対しても同様の
効果がある。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法によればレジストの
パターニングを現像プロセスを経ることなく直接行うこ
とができるので、従来の現像プロセスを介する方法と比
べて工程が簡略化され、また、高精度パターニングが実
現される。
パターニングを現像プロセスを経ることなく直接行うこ
とができるので、従来の現像プロセスを介する方法と比
べて工程が簡略化され、また、高精度パターニングが実
現される。
第１図は本発明の方法を実施するのに用いられる装置の
一例を示す概略構成図、第２図は電子ヒーム照剣樋とレ
ジストのエツチング深さとの関係の−例を示す図である
。 １０１・・・反応性ガス材料収納室 １０２・・・Ｃｆｌ Ｆ３ １０３・・・配管１
０４・・・試料台 １０５・・・３ｉ基板１０
６・・・副試料室 １０７・・・ピンホール１０
８・・・試料室 １０９、１１０．１１１・・・電子ビーム照射系１１２
・・・電子ビーム
一例を示す概略構成図、第２図は電子ヒーム照剣樋とレ
ジストのエツチング深さとの関係の−例を示す図である
。 １０１・・・反応性ガス材料収納室 １０２・・・Ｃｆｌ Ｆ３ １０３・・・配管１
０４・・・試料台 １０５・・・３ｉ基板１０
６・・・副試料室 １０７・・・ピンホール１０
８・・・試料室 １０９、１１０．１１１・・・電子ビーム照射系１１２
・・・電子ビーム
Claims (1)
- （１）集束された電子ビームを反応性ガス雰囲気中でレ
ジスト塗布基板上の所望領域に照射して、前記レジスト
を直接パターニングすることを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19723388A JPH0246719A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19723388A JPH0246719A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246719A true JPH0246719A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16371059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19723388A Pending JPH0246719A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246719A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174630A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19723388A patent/JPH0246719A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174630A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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