JPH0246407A - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
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- JPH0246407A JPH0246407A JP19683188A JP19683188A JPH0246407A JP H0246407 A JPH0246407 A JP H0246407A JP 19683188 A JP19683188 A JP 19683188A JP 19683188 A JP19683188 A JP 19683188A JP H0246407 A JPH0246407 A JP H0246407A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 25
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101150110330 CRAT gene Proteins 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003955 hot wall epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光集積回路或いは光電子集積回路等の構成要
素として用いられるＩＩ −ＩＶ族化合物半導体の光導
波路に関する。
素として用いられるＩＩ −ＩＶ族化合物半導体の光導
波路に関する。
［従来の技術］
従来報告されているＩＩ〜ＩＶ族化合物半導体の光導波
路は、トシャ・ヨコカワ、アプライド・フィジックス゛
レター（Ｔｏｓｈｉｙａ Ｙｏｋｏｇａｗａ、 Ａｐｐ
ｌＰｈｙｓ、 Ｌｅｆｆ） Ｖｏｌ、 ５２、Ｎｏ、２
、（１９８８１１２０に記載されている構造のものであ
る。第５図は該光導波路の概略図であり、６はＧ ａ
Ａ ｓ基板、７はＺｎＳより成るクラッド層、８はＺｎ
５ｅ−ＺｎＳ超格子より成る導波路層、９は５１０２の
ストライブである。この先導波路は５１０２のス［・ラ
イブ幅が６ Ｉｆ ｍ、導波路層の厚さが０４〜１．２
４１１ｍの時、波長が０．６３３１１ｍの光に対してシ
ングルモードとなり、又伝相Ω損失１；ｌ：０．７］ｄ
Ｂ／ｃｍであると報告されている。
路は、トシャ・ヨコカワ、アプライド・フィジックス゛
レター（Ｔｏｓｈｉｙａ Ｙｏｋｏｇａｗａ、 Ａｐｐ
ｌＰｈｙｓ、 Ｌｅｆｆ） Ｖｏｌ、 ５２、Ｎｏ、２
、（１９８８１１２０に記載されている構造のものであ
る。第５図は該光導波路の概略図であり、６はＧ ａ
Ａ ｓ基板、７はＺｎＳより成るクラッド層、８はＺｎ
５ｅ−ＺｎＳ超格子より成る導波路層、９は５１０２の
ストライブである。この先導波路は５１０２のス［・ラ
イブ幅が６ Ｉｆ ｍ、導波路層の厚さが０４〜１．２
４１１ｍの時、波長が０．６３３１１ｍの光に対してシ
ングルモードとなり、又伝相Ω損失１；ｌ：０．７］ｄ
Ｂ／ｃｍであると報告されている。
［発明が解決しようとする課題）
しかし、前述の従来技術の光導波路は導波路層上にス１
−ライブ状のＳｉＯ□を形成することにより、界面と平
行な方向の実効的な屈折率段差をつけている為、この方
向における導波路領域とクラッド域との屈折率の段差が
小さく光の閉じ込めが有効に行われないという課題を有
する。そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、
その目的とするところは光を有効に閉じ込める構造の１
１ＩＶ族化合物半導体の先導波路及びその製造方法を提
供するところにある。
−ライブ状のＳｉＯ□を形成することにより、界面と平
行な方向の実効的な屈折率段差をつけている為、この方
向における導波路領域とクラッド域との屈折率の段差が
小さく光の閉じ込めが有効に行われないという課題を有
する。そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、
その目的とするところは光を有効に閉じ込める構造の１
１ＩＶ族化合物半導体の先導波路及びその製造方法を提
供するところにある。
［課題を解決するための手段１
本発明の光導波路は、基板上にＩＩ −ＩＶ族化合物半
導体より成る第１のクラッド層と該クラッド層よりも大
きな屈折率を有するＩＩ −ＩＶ族化合物より成る導波
路層と該導波路層よりも小さな屈折率を有するＩＩ −
ＩＶ族化合物半導体より成る第２のクラッド層を積層し
た構造を有しかつ少なくとも導波路層及び第２のクラッ
ド層がリッジ型であることを特徴とする。さらに該先導
波路の第１の製造方法は、基板上に第１のクラッド層を
形成する工程と、該第１のクラット層上にマスクを形成
する工程と、該マスクを用いて導波路層及び第２のクラ
ッド層を第１のクララｉ・層上の一部に選択的に形成す
る工程と、マスクを除去する工程とを含むことを特徴と
する。又第２の製造方法（Ｊ、基板上にマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いて第１のクラッド層及び導波
路層及び第２のクラッド層を基板上の一部に選択的に形
成する工程と、マスクを除去する工程とを含むことを特
徴とする。
導体より成る第１のクラッド層と該クラッド層よりも大
きな屈折率を有するＩＩ −ＩＶ族化合物より成る導波
路層と該導波路層よりも小さな屈折率を有するＩＩ −
ＩＶ族化合物半導体より成る第２のクラッド層を積層し
た構造を有しかつ少なくとも導波路層及び第２のクラッ
ド層がリッジ型であることを特徴とする。さらに該先導
波路の第１の製造方法は、基板上に第１のクラッド層を
形成する工程と、該第１のクラット層上にマスクを形成
する工程と、該マスクを用いて導波路層及び第２のクラ
ッド層を第１のクララｉ・層上の一部に選択的に形成す
る工程と、マスクを除去する工程とを含むことを特徴と
する。又第２の製造方法（Ｊ、基板上にマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いて第１のクラッド層及び導波
路層及び第２のクラッド層を基板上の一部に選択的に形
成する工程と、マスクを除去する工程とを含むことを特
徴とする。
〔実施例１］
第１図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＩＶ族化合物
半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅより
成る導波路層、４ばＺｎＳより成るクラッド層である。
半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅより
成る導波路層、４ばＺｎＳより成るクラッド層である。
この構造において、界面と垂直な方向は導波路層の屈折
率が２３４に対して上部及び下部のクラッド層の屈折率
が２３］てあり屈折率の段差は十分に大きく、又界面と
平行な方向においても屈折率が２３４の導波路層を屈折
率が１．０の大気で挟んだ構造の為屈折率の段差は十分
に大きい。この様に導波路層とその周囲との屈折率の段
差が大きい為、導波路層への光の閉じ込めが有効に行わ
れる。又導波路層とクラッド層の屈折率差が比較的小さ
い為、シングルモードとなる導波路層の厚さの許容範囲
が広くなりシングルモードの光導波路の作製が容易であ
る。０．６３２８ｇｍの波長の光を用いて該光導波路の
伝搬損失を測定したところ０ 、 ５ ｄＢ／ｃｍ以下
と低損失なものであった。これば、前述した様に光が導
波路層内に有効に閉し込められている為、ＧａＡｓ基板
中への光のしみ出しが小さくＧａＡｓ基板内での吸収が
小さいことを示す。又、後述する様に光導波路の製造工
程において導波路層のエツチングをする必要がない為、
導波路層の表面が平坦であり散乱用が小さいことも低損
失の一因である。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等のＩＩ −ＩＶ
族化合物半導体は、基板のＧａＡｓと同し閃亜鉛鉱型の
結晶構造である為ＧａＡｓ基板上に容易にエビクキシャ
ル成長できる。又、発光素子及び受光素子等の光デバイ
スや電子デバイスもＧａＡｓ基板上に作製することがで
きる為、本発明の光導波路はこれらのデバイスを集積化
した光集積回路或いは光電子集積回路等に容易に応用す
ることができる。又基板としてＧ ａ、 Ａ ｓ以外に
もＩｎＰ等の１ｉｔＶ族半導体基板も用いることができ
る。又導波路層及びクラッド層の材料として表１に示し
た様なＩＩ −ＩＶ族化合物半導体を用いることもてき
る。
率が２３４に対して上部及び下部のクラッド層の屈折率
が２３］てあり屈折率の段差は十分に大きく、又界面と
平行な方向においても屈折率が２３４の導波路層を屈折
率が１．０の大気で挟んだ構造の為屈折率の段差は十分
に大きい。この様に導波路層とその周囲との屈折率の段
差が大きい為、導波路層への光の閉じ込めが有効に行わ
れる。又導波路層とクラッド層の屈折率差が比較的小さ
い為、シングルモードとなる導波路層の厚さの許容範囲
が広くなりシングルモードの光導波路の作製が容易であ
る。０．６３２８ｇｍの波長の光を用いて該光導波路の
伝搬損失を測定したところ０ 、 ５ ｄＢ／ｃｍ以下
と低損失なものであった。これば、前述した様に光が導
波路層内に有効に閉し込められている為、ＧａＡｓ基板
中への光のしみ出しが小さくＧａＡｓ基板内での吸収が
小さいことを示す。又、後述する様に光導波路の製造工
程において導波路層のエツチングをする必要がない為、
導波路層の表面が平坦であり散乱用が小さいことも低損
失の一因である。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等のＩＩ −ＩＶ
族化合物半導体は、基板のＧａＡｓと同し閃亜鉛鉱型の
結晶構造である為ＧａＡｓ基板上に容易にエビクキシャ
ル成長できる。又、発光素子及び受光素子等の光デバイ
スや電子デバイスもＧａＡｓ基板上に作製することがで
きる為、本発明の光導波路はこれらのデバイスを集積化
した光集積回路或いは光電子集積回路等に容易に応用す
ることができる。又基板としてＧ ａ、 Ａ ｓ以外に
もＩｎＰ等の１ｉｔＶ族半導体基板も用いることができ
る。又導波路層及びクラッド層の材料として表１に示し
た様なＩＩ −ＩＶ族化合物半導体を用いることもてき
る。
表１
以下に上述した第１図の光導波路の製造方法を第３図（
ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板
上に下部のクラッド層となるＺｎＳ層をＭＯＣＶＤ法に
よりエビクキシャル成長し、次に熱ＣＶＤ法等によりマ
スク５の３１０２を堆積する。この状態が第３図（ａ）
である。ＺｎＳのエビクキシャル成長方法には、他にＭ
ＢＥ法、ＭＯＭＢＥ法或いはホットウォールエピタキシ
ー法等が有り、これ等の方法によってもＺｎＳのクラッ
ド層を同様に形成することが可能である。次にフォトリ
ングラフィ技術により５ＩＯ２のパクーニングを行う。
ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板
上に下部のクラッド層となるＺｎＳ層をＭＯＣＶＤ法に
よりエビクキシャル成長し、次に熱ＣＶＤ法等によりマ
スク５の３１０２を堆積する。この状態が第３図（ａ）
である。ＺｎＳのエビクキシャル成長方法には、他にＭ
ＢＥ法、ＭＯＭＢＥ法或いはホットウォールエピタキシ
ー法等が有り、これ等の方法によってもＺｎＳのクラッ
ド層を同様に形成することが可能である。次にフォトリ
ングラフィ技術により５ＩＯ２のパクーニングを行う。
この場合導波路層を形成する部分の５ＩＯ２膜をエツチ
ングにより除去する。この状態が第３図（ｂ）である。
ングにより除去する。この状態が第３図（ｂ）である。
パクーニングされたＳ ｉ ０２をマスクとして選択エ
ピタキシャル成長により導波路層のＺｎ５ｅ及びクラッ
ド層のＺｎＳを連続して形成する。この時マスクのＳｉ
Ｏ□上には堆積物がなく第３図（ｃ）の様な状態となる
。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以下
の様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及びＳ
及びＳｅの有機化合物を用い、成長圧力が１００ Ｔｏ
ｒｒ以下、成長温度が４００℃以上７００℃以下、ＩＶ
族原料とＩＩ族原料の供給モル比が６以下の条件の下で
減圧ＭＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。導波
路層のＺｎ５ｅ及びクラッド層のＺｎＳを形成した後、
沸酸系のエッチャントにより５ｉｎ２を除去し第３図（
ｄ）の様に光導波路が完成する。上記の例ではマスクと
して一３ｉ０２を用いた例について示したが、Ｓｉ３Ｎ
４等の他の誘電体薄膜或いはＷ等も同様に用いることが
てきる。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピ
タキシャル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅ
のそれぞれの有機化合物を原料として用いる。
ピタキシャル成長により導波路層のＺｎ５ｅ及びクラッ
ド層のＺｎＳを連続して形成する。この時マスクのＳｉ
Ｏ□上には堆積物がなく第３図（ｃ）の様な状態となる
。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以下
の様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及びＳ
及びＳｅの有機化合物を用い、成長圧力が１００ Ｔｏ
ｒｒ以下、成長温度が４００℃以上７００℃以下、ＩＶ
族原料とＩＩ族原料の供給モル比が６以下の条件の下で
減圧ＭＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。導波
路層のＺｎ５ｅ及びクラッド層のＺｎＳを形成した後、
沸酸系のエッチャントにより５ｉｎ２を除去し第３図（
ｄ）の様に光導波路が完成する。上記の例ではマスクと
して一３ｉ０２を用いた例について示したが、Ｓｉ３Ｎ
４等の他の誘電体薄膜或いはＷ等も同様に用いることが
てきる。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピ
タキシャル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅ
のそれぞれの有機化合物を原料として用いる。
［実施例２１
第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＩＶ族化合物
半導体の光導波路の概略断面図である。ｌはＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅより
成る導波路層、４はＺｎＳより成るクラッド層である。
半導体の光導波路の概略断面図である。ｌはＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅより
成る導波路層、４はＺｎＳより成るクラッド層である。
この構造において、界面と垂直な方向は導波路層の屈折
率が２．３４に対して上部及び下部のり５ラド層の屈折
率が２．３１であり屈折率の段差は十分に大きく、又界
面と平行な歩行においても屈折率が２．３４の導波路層
を屈折率が１．０の大気で挟んだ構造の為屈折率の段差
は十分に大きい。この様に導波路層とその周囲との屈折
率の段差が大きい為、導波路層への光の閉じ込めが有効
に行われる。又導波路層とクラッド層の屈折率差が比較
的小さいため、シングルモードとなる導波路層の厚さの
許容範囲が広くなりシングルモードの光導波路の作製が
容易である。０．６３２８μｍの波長の光を用いて該先
導波路の伝搬損失を測定したところ０ 、５ ｄＢ／ｃ
ｍ以下と低損失なものであった。これは、前述した様に
光が導波路層内に有効に閉し込められている為、ＧａＡ
ｓ基板中への光のしみ出しが小さくＧａＡｓ基板内での
光吸収が小さいことを示す。
率が２．３４に対して上部及び下部のり５ラド層の屈折
率が２．３１であり屈折率の段差は十分に大きく、又界
面と平行な歩行においても屈折率が２．３４の導波路層
を屈折率が１．０の大気で挟んだ構造の為屈折率の段差
は十分に大きい。この様に導波路層とその周囲との屈折
率の段差が大きい為、導波路層への光の閉じ込めが有効
に行われる。又導波路層とクラッド層の屈折率差が比較
的小さいため、シングルモードとなる導波路層の厚さの
許容範囲が広くなりシングルモードの光導波路の作製が
容易である。０．６３２８μｍの波長の光を用いて該先
導波路の伝搬損失を測定したところ０ 、５ ｄＢ／ｃ
ｍ以下と低損失なものであった。これは、前述した様に
光が導波路層内に有効に閉し込められている為、ＧａＡ
ｓ基板中への光のしみ出しが小さくＧａＡｓ基板内での
光吸収が小さいことを示す。
又、後述する様に光導波路の製造工程において導波路層
のエツチングをする必要がない為、導波路層の表面が平
坦であり散乱損が小さいことも低損失の一因である。又
光導波路を構成している導波路層のＺｎ５ｅ及び２つの
クラッド層を成しているＺｎＳを同一成長炉内で連続し
て形成できる為、これらの界面における不純物濃度或い
は欠陥濃度が低くなる。これにより導波路層のＺｎ５ｅ
中の不純物或いは欠陥濃度が低くなる。この様に本発明
の構造の光導波路においては、導波路層及び導波路層と
クラッド層との界面における不純物或いは欠陥濃度が低
くなる為、該不純物或いは欠陥が形成する深い準位に関
する光吸収が減少し低損失の光導波路となる。
のエツチングをする必要がない為、導波路層の表面が平
坦であり散乱損が小さいことも低損失の一因である。又
光導波路を構成している導波路層のＺｎ５ｅ及び２つの
クラッド層を成しているＺｎＳを同一成長炉内で連続し
て形成できる為、これらの界面における不純物濃度或い
は欠陥濃度が低くなる。これにより導波路層のＺｎ５ｅ
中の不純物或いは欠陥濃度が低くなる。この様に本発明
の構造の光導波路においては、導波路層及び導波路層と
クラッド層との界面における不純物或いは欠陥濃度が低
くなる為、該不純物或いは欠陥が形成する深い準位に関
する光吸収が減少し低損失の光導波路となる。
ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等のＩＩ −ＩＶ族化合物半導体は
、基板のＧａＡｓと同じ閃亜鉛鉱型の結晶構造である為
ＧａＡｓ基板上に容易にエビタ午シャル成長できる。又
、発光素子及び受光素子等の光デバイスや電子デバイス
もＧａＡＳ基板上に作製することができる為、本発明の
先導波路はこれらのデバイスを集積化した光集積回路或
いは光電子集積回路等に容易に応用することができる。
、基板のＧａＡｓと同じ閃亜鉛鉱型の結晶構造である為
ＧａＡｓ基板上に容易にエビタ午シャル成長できる。又
、発光素子及び受光素子等の光デバイスや電子デバイス
もＧａＡＳ基板上に作製することができる為、本発明の
先導波路はこれらのデバイスを集積化した光集積回路或
いは光電子集積回路等に容易に応用することができる。
又基板としてＧａＡｓ以外にもＩｎＰ等のＩｌｌ −Ｖ
族半導体基板も用いることができる。又導波路層及びク
ラッド層の材料として表１に示した様なＩＩ−ＩＶ族化
合物半導体を用いることもてきる。
族半導体基板も用いることができる。又導波路層及びク
ラッド層の材料として表１に示した様なＩＩ−ＩＶ族化
合物半導体を用いることもてきる。
以下に上述した第２図の光導波路を第４図（ａ）〜（ｄ
）を用いて説明する。初めに、ＧａＡＳ基板上に熱ＣＶ
Ｄ法等によりマスク５の８１０□を堆積する。この状態
が第４図（ａ）である。次にフォトリングラフィ技術に
よりＳｉｎ。
）を用いて説明する。初めに、ＧａＡＳ基板上に熱ＣＶ
Ｄ法等によりマスク５の８１０□を堆積する。この状態
が第４図（ａ）である。次にフォトリングラフィ技術に
よりＳｉｎ。
のパターニングを行う。この場合導波路層を形成する部
分の５Ｉ０２をエツチングにより除去する。この状態が
第４図（ｂ）である。パターニングされた５１０２をマ
スクとして選択エビクキシャル成長により下部のクララ
１−層となるＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅ及び上部の
クラッド層となるＺｎＳを同一の成長炉内で連続して形
成する。この時マスクの５ｉｎ２上には堆積物がなく第
４図（Ｃ）の様な状態となる。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選
択エピタキシャル成長は以下の様な方法で行うことがで
きる。原料としてＺｎ及びＳ及びＳｅの有機化合物を用
い、成長圧力が１００Ｔｏｒｒ以下、成長温度が４００
℃以上７００℃以下、ＩＶ族原料とＩＩ族原料の供給モ
ル比が６以下の条件の下テ減圧ＭＯＣＶＤ法或イｌｊ：
Ｍ ＯＭ Ｂ Ｅ法ニヨり行う。上部のクラッド層の
ＺｎＳまて形成した後、沸酸系のエッヂヤントによりＳ
】０．を除去し第４図（ｄ）の様に光導波路が完成する
。上記の例においてはマスクとしてＳ】０２を用いた例
について示したが、Ｓｉ３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或い
はＷ等も同様に用いることがてきる。又、ＣｄＳ、Ｚｎ
Ｔｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシャル成長する場合、
Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅのそれぞれの有機化合物を
原料として用いる。
分の５Ｉ０２をエツチングにより除去する。この状態が
第４図（ｂ）である。パターニングされた５１０２をマ
スクとして選択エビクキシャル成長により下部のクララ
１−層となるＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅ及び上部の
クラッド層となるＺｎＳを同一の成長炉内で連続して形
成する。この時マスクの５ｉｎ２上には堆積物がなく第
４図（Ｃ）の様な状態となる。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選
択エピタキシャル成長は以下の様な方法で行うことがで
きる。原料としてＺｎ及びＳ及びＳｅの有機化合物を用
い、成長圧力が１００Ｔｏｒｒ以下、成長温度が４００
℃以上７００℃以下、ＩＶ族原料とＩＩ族原料の供給モ
ル比が６以下の条件の下テ減圧ＭＯＣＶＤ法或イｌｊ：
Ｍ ＯＭ Ｂ Ｅ法ニヨり行う。上部のクラッド層の
ＺｎＳまて形成した後、沸酸系のエッヂヤントによりＳ
】０．を除去し第４図（ｄ）の様に光導波路が完成する
。上記の例においてはマスクとしてＳ】０２を用いた例
について示したが、Ｓｉ３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或い
はＷ等も同様に用いることがてきる。又、ＣｄＳ、Ｚｎ
Ｔｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシャル成長する場合、
Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅのそれぞれの有機化合物を
原料として用いる。
［発明の効果］
以上述べた様に本発明の１１− ＩＶ族化合物半導体の
光導波路は下記の効果を有する。
光導波路は下記の効果を有する。
１）本発明の光導波路の構造において光の閉し込めを有
効に行うことができる。
効に行うことができる。
１ｉ）ｊ）により光学的な非線形効果を有効に使うこと
が可能になる。
が可能になる。
１１】）シングルモードとなる導波路の厚さの許容］
１ 範囲が広い為、シングルモードの光導波路が容易に作製
できる。
１ 範囲が広い為、シングルモードの光導波路が容易に作製
できる。
ｉｖ）可視の光に対して低損失である。
■）発光素子及び受光素子を構成するＩｌｌ −Ｖ族化
合物半導体と同し結晶構造を有する為、これ等の光デバ
イスと同一基板上に本発明の先導波路を容易に作製する
ことが可能である。これは、本発明の光導波路が光集積
回路或いは光電子集積回路等の構成要素として適してい
ることを意味する。
合物半導体と同し結晶構造を有する為、これ等の光デバ
イスと同一基板上に本発明の先導波路を容易に作製する
ことが可能である。これは、本発明の光導波路が光集積
回路或いは光電子集積回路等の構成要素として適してい
ることを意味する。
又、本発明の光導波路の製造方法は以下の様な効果を有
１−る。
１−る。
ｖｉ）上記の構造の光導波路をセルファラインプロセス
で容易に作製することができる。
で容易に作製することができる。
ｖ ｉ、 ｉ ｌ導波路層のエツチング工程が不要であ
る為、エツチングによって必然的に起る表面の荒れを防
ぐことができ散乱損失の小さい先導波路を作製すること
ができる。
る為、エツチングによって必然的に起る表面の荒れを防
ぐことができ散乱損失の小さい先導波路を作製すること
ができる。
ｖｉｉｉ）実施例２て述べた構造の先導波路は１回の成
長て導波Ｂ層及びクラット層が形成できる為、高品質の
先導波路が容易にしかも高い歩留りて作製できる。
長て導波Ｂ層及びクラット層が形成できる為、高品質の
先導波路が容易にしかも高い歩留りて作製できる。
第１図は本発明の実施例にお（ＪるＩＩ −ＩＶ族化合
物半導体の光導波路の概略断面図。 第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例における第１
図の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における第２図
の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第５図は従来技術のＩＩ −ＩＶ族化合物半導体の光導
波路の概略図。 ■・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＺｎＳクラッド層 ３・・・Ｚｎ５ｅ導波路層 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｓ ｉ Ｏ２マスク ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子導波路層 ・ＳｉＯ□ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）（ｄ）
物半導体の光導波路の概略断面図。 第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例における第１
図の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における第２図
の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第５図は従来技術のＩＩ −ＩＶ族化合物半導体の光導
波路の概略図。 ■・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＺｎＳクラッド層 ３・・・Ｚｎ５ｅ導波路層 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｓ ｉ Ｏ２マスク ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子導波路層 ・ＳｉＯ□ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）（ｄ）
Claims (3)
- （１）基板上にII−IV族化合物半導体より成る第１のク
ラッド層と該クラッド層よりも大きな屈折率を有するI
I−IV族化合物より成る導波路層と該導波路層よりも小
さな屈折率を有するII−IV族化合物半導体より成る第２
のクラッド層を積層した構造を有しかつ少なくとも導波
路層及び第２のクラッド層がリッジ型であることを特徴
とする光導波路。 - （２）基板上に第１のクラッド層を形成する工程と、該
第１のクラッド層上にマスクを形成する工程と、該マス
クを用いて導波路層及び第２のクラッド層を第１のクラ
ッド層上の一部に選択的に形成する工程と、マスクを除
去する工程を含むことを特徴とする光導波路の製造方法
。 - （３）基板上にマスクを形成する工程と、該マスクを用
いて第１のクラッド層及び導波路層及び第２のクラッド
層を基板上の一部に選択的に形成する工程と、マスクを
除去する工程を含むことを特徴とする第２項記載の光導
波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683188A JPH0246407A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683188A JPH0246407A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246407A true JPH0246407A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16364392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19683188A Pending JPH0246407A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063582A3 (de) * | 1998-05-29 | 2000-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen |
| US11438905B2 (en) | 2016-11-03 | 2022-09-06 | Interdigital Patent Holdings, Inc. | Frame structure in NR |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19683188A patent/JPH0246407A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063582A3 (de) * | 1998-05-29 | 2000-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen |
| US6838391B2 (en) | 1998-05-29 | 2005-01-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Method of semiconductor processing including fluoride |
| US11438905B2 (en) | 2016-11-03 | 2022-09-06 | Interdigital Patent Holdings, Inc. | Frame structure in NR |
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