JPH0245970A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0245970A JPH0245970A JP19746188A JP19746188A JPH0245970A JP H0245970 A JPH0245970 A JP H0245970A JP 19746188 A JP19746188 A JP 19746188A JP 19746188 A JP19746188 A JP 19746188A JP H0245970 A JPH0245970 A JP H0245970A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、三次元の半導体装置の製造方法に関するもの
である。
である。
従来の技術
２層の活性領域を有する従来の三次元の半導体装置の工
程順断面図を第２図に示し、以下、その工程の説明を行
う。尚、簡明化のため、図中にはシリコン基板上に形成
した１層めの回路素子の製造工程は省略し、２層めの回
路素子の製造工程のみを示した。
程順断面図を第２図に示し、以下、その工程の説明を行
う。尚、簡明化のため、図中にはシリコン基板上に形成
した１層めの回路素子の製造工程は省略し、２層めの回
路素子の製造工程のみを示した。
まず、第２図（、）に示すように、シリコン基板１上に
所定のＬＯＣＯ９２（素子分離領域）、ゲート酸化膜３
、ゲート電極４、ソース・ドレイン拡散層６、絶縁膜６
、コンタクトホール７、ポリシリコンの配線層８の形成
処理を行ったのち、これらを覆う層間の絶縁膜９を形成
する。その後、絶縁膜９に、シリコン層１１をＣＶＤ法
により形成する。つづいて、レーザービームの照射によ
シシリコン層１１の結晶化を行う。つぎに、第２図中）
に示すように、シリコン層１１を、トランジスタを形成
する領域のみに残し、他はエツチング除去する。その後
ゲート酸化膜にゲート電極１３、ソース・ドレイン拡散
層１４を順次形成し２層めの活性領域にトランジスタを
形成する。その後、絶縁膜１６で全体を覆う。つぎに、
第２図（０）に示すように、シリコン基板１上に形成し
た１層めのトランジスタと絶縁膜９上に形成した２層め
のトランジスタを接続するコンタクトホーＡ／１６を形
成する。つづいて、２層めの配線層１７を形成する。
所定のＬＯＣＯ９２（素子分離領域）、ゲート酸化膜３
、ゲート電極４、ソース・ドレイン拡散層６、絶縁膜６
、コンタクトホール７、ポリシリコンの配線層８の形成
処理を行ったのち、これらを覆う層間の絶縁膜９を形成
する。その後、絶縁膜９に、シリコン層１１をＣＶＤ法
により形成する。つづいて、レーザービームの照射によ
シシリコン層１１の結晶化を行う。つぎに、第２図中）
に示すように、シリコン層１１を、トランジスタを形成
する領域のみに残し、他はエツチング除去する。その後
ゲート酸化膜にゲート電極１３、ソース・ドレイン拡散
層１４を順次形成し２層めの活性領域にトランジスタを
形成する。その後、絶縁膜１６で全体を覆う。つぎに、
第２図（０）に示すように、シリコン基板１上に形成し
た１層めのトランジスタと絶縁膜９上に形成した２層め
のトランジスタを接続するコンタクトホーＡ／１６を形
成する。つづいて、２層めの配線層１７を形成する。
最後に、配線層および素子を保護するための絶縁膜１８
を形成し、２層の活性領域を有する半導体装置の製造工
程を終了する。
を形成し、２層の活性領域を有する半導体装置の製造工
程を終了する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記方法によ９２層の活性領域を有する
半導体装置で形成した場合、２層めの活性領域に形成し
たトランジスタの特性が悪い。それは、２層めの活性領
域の結晶に問題があるためである。つまり、結晶性が悪
いため、ゲートに電圧を印加しなくても、ソース・ドレ
イン間に微小電流が流れてしまい、回路としての機能の
妨げとなる。
半導体装置で形成した場合、２層めの活性領域に形成し
たトランジスタの特性が悪い。それは、２層めの活性領
域の結晶に問題があるためである。つまり、結晶性が悪
いため、ゲートに電圧を印加しなくても、ソース・ドレ
イン間に微小電流が流れてしまい、回路としての機能の
妨げとなる。
課題を解決するための手段
２層めの活性領域を、結晶性を有する絶縁膜であるＭｑ
ｏ−Ａ１２ｏ３膜上に形成し、レーザービームの照射を
行うことにより、２層めの活性層であるシリコン層の結
晶性が向上する。
ｏ−Ａ１２ｏ３膜上に形成し、レーザービームの照射を
行うことにより、２層めの活性層であるシリコン層の結
晶性が向上する。
作 用
本発明は、２層めの活性層の結晶性を向上させ、２層め
の活性領域に形成したトランジスタの特性の向上を計り
、三次元の半導体装置の製造を容易にする。
の活性領域に形成したトランジスタの特性の向上を計り
、三次元の半導体装置の製造を容易にする。
実施例
本発明にかかる２層の活性領域を有する三次元の半導体
装置の工程順断面図を第１図に示し、以下、その工程の
説明を行う。尚、簡明化のため、図中には、シリコン基
板上に形成した１層めの回路素子の製造工程は省略し、
２層めの回路素子の製造工程のみを示した。
装置の工程順断面図を第１図に示し、以下、その工程の
説明を行う。尚、簡明化のため、図中には、シリコン基
板上に形成した１層めの回路素子の製造工程は省略し、
２層めの回路素子の製造工程のみを示した。
まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
所定のＬＯＧＯ３２，ゲート酸化膜３、ゲート電極４、
ソース・ドレイン拡散層６、絶縁膜６、コンタクトホー
／Ｌ／ ７ 、ポリシリコンの配線層８の形成処理を行
ったのち、これらを覆う層間の絶縁膜９を形成する。つ
ぎに、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜９上に、反応
ガスとして、Ａ（ＩｃＩ！３．ＭｔｘＣ１１２゜Ｃ０２
，Ｈ２を用いて、約８００〜９００℃の雰囲気中で厚さ
１０００〜５ｏｏｏ人のＭｑＯ，ｓ、Ａｌ２Ｏ３膜１０
の成長を行う。つぎに、酸素雰素雰囲気中で、ＭｑＱ、
Ａ１２ｏ３膜１ｏにレーザービームの照射を行い、アニ
ールする。その後、２層めの活性層となるシリコン層１
１を約５０ｏＯ人形成する。
所定のＬＯＧＯ３２，ゲート酸化膜３、ゲート電極４、
ソース・ドレイン拡散層６、絶縁膜６、コンタクトホー
／Ｌ／ ７ 、ポリシリコンの配線層８の形成処理を行
ったのち、これらを覆う層間の絶縁膜９を形成する。つ
ぎに、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜９上に、反応
ガスとして、Ａ（ＩｃＩ！３．ＭｔｘＣ１１２゜Ｃ０２
，Ｈ２を用いて、約８００〜９００℃の雰囲気中で厚さ
１０００〜５ｏｏｏ人のＭｑＯ，ｓ、Ａｌ２Ｏ３膜１０
の成長を行う。つぎに、酸素雰素雰囲気中で、ＭｑＱ、
Ａ１２ｏ３膜１ｏにレーザービームの照射を行い、アニ
ールする。その後、２層めの活性層となるシリコン層１
１を約５０ｏＯ人形成する。
つづいて、レーザービーム照射によりシリコン層１１の
結晶化を行う。その後、第１図（ｃ）に示すように、シ
リコン層１１を、トランジスタを形成する領域にのみ残
し、他はエツチング除去する。その後、ゲート酸化膜１
２、ゲート電極１３、ソース・ドレイン拡散層１４を順
次・形成し、２層めの活性領域に、トランジスタを形成
する。つづいて、絶縁膜１６で全体を覆う。つぎに、シ
リコン基板１上に形成した１層めのトランジスタとＭｑ
Ｏ。
結晶化を行う。その後、第１図（ｃ）に示すように、シ
リコン層１１を、トランジスタを形成する領域にのみ残
し、他はエツチング除去する。その後、ゲート酸化膜１
２、ゲート電極１３、ソース・ドレイン拡散層１４を順
次・形成し、２層めの活性領域に、トランジスタを形成
する。つづいて、絶縁膜１６で全体を覆う。つぎに、シ
リコン基板１上に形成した１層めのトランジスタとＭｑ
Ｏ。
Ａｌ２Ｏ３膜１１上に形成した２層めのトランジスタを
接続するコンタクトホー／Ｌ’１６を形成する。
接続するコンタクトホー／Ｌ’１６を形成する。
その後、２層めの配線層１７を形成する。最後に、配線
層および素子を保護するための絶縁膜１８を形成し、２
層の活性領域を有する半導体装置の製造工程を終了する
。
層および素子を保護するための絶縁膜１８を形成し、２
層の活性領域を有する半導体装置の製造工程を終了する
。
尚、本実施例では、２層の活性領域を有する三次元の半
導体装置の製造工程について説明したが、本発明は、多
層の活性領域を有する三次元の半導体装置全般において
応用できるものである。
導体装置の製造工程について説明したが、本発明は、多
層の活性領域を有する三次元の半導体装置全般において
応用できるものである。
発明の効果
本発明によれば、２層めの活性領域を、結晶性を有する
絶縁膜であるＭｑＯ，Ａｌ２Ｏ３膜上に形成するため、
２層めの活性領域の結晶性が良くなり、２層めの活性領
域に形成したトランジスタの特性が向上する。これによ
り、三次元の半導体装置の機能が向上する。
絶縁膜であるＭｑＯ，Ａｌ２Ｏ３膜上に形成するため、
２層めの活性領域の結晶性が良くなり、２層めの活性領
域に形成したトランジスタの特性が向上する。これによ
り、三次元の半導体装置の機能が向上する。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造工
程を説明するだめの工程ＩＩ（［断面図、第２図は従来
の技術を説明するだめの工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＬＯＣＯ
３，３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・ゲー
ト電極、６・・・・・・拡散層、ｅ・・・・・・絶縁膜
、７・・・・・・コンタクトホール、８・・・・・・配
線層、９・・・・・・絶縁膜、１ｏ・・・・・・Ｍｑｏ
−Ａｌ２Ｏ３層、１１・・・・・・シリコン層、１２・
・・・・・ゲート酸化膜、１３・・・・・・ゲート電極
、１４・・・・・・拡散層、１６・・・・・・絶縁膜、
１６・・・・・・コンタクトホール、１７・・・・・・
配線Ｊｌ、１ａ・・・・・・絶縁膜。
程を説明するだめの工程ＩＩ（［断面図、第２図は従来
の技術を説明するだめの工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＬＯＣＯ
３，３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・ゲー
ト電極、６・・・・・・拡散層、ｅ・・・・・・絶縁膜
、７・・・・・・コンタクトホール、８・・・・・・配
線層、９・・・・・・絶縁膜、１ｏ・・・・・・Ｍｑｏ
−Ａｌ２Ｏ３層、１１・・・・・・シリコン層、１２・
・・・・・ゲート酸化膜、１３・・・・・・ゲート電極
、１４・・・・・・拡散層、１６・・・・・・絶縁膜、
１６・・・・・・コンタクトホール、１７・・・・・・
配線Ｊｌ、１ａ・・・・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 回路素子を設けた半導体基板上に絶縁膜を被着する工程
と、上記絶縁膜上にＭｇＯ・Ａｌ＿２Ｏ＿３膜を被着す
る工程と、上記ＭｇＯ・Ａｌ＿２Ｏ＿３膜上にシリコン
膜を被着し、活性領域を形成する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19746188A JPH0245970A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19746188A JPH0245970A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245970A true JPH0245970A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16374886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19746188A Pending JPH0245970A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245970A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156987A (en) * | 1991-12-18 | 1992-10-20 | Micron Technology, Inc. | High performance thin film transistor (TFT) by solid phase epitaxial regrowth |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP19746188A patent/JPH0245970A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156987A (en) * | 1991-12-18 | 1992-10-20 | Micron Technology, Inc. | High performance thin film transistor (TFT) by solid phase epitaxial regrowth |
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