JPH0244140B2 - - Google Patents
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- JPH0244140B2 JPH0244140B2 JP59017591A JP1759184A JPH0244140B2 JP H0244140 B2 JPH0244140 B2 JP H0244140B2 JP 59017591 A JP59017591 A JP 59017591A JP 1759184 A JP1759184 A JP 1759184A JP H0244140 B2 JPH0244140 B2 JP H0244140B2
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- JP
- Japan
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- photoresist layer
- photoresist
- positive photoresist
- spin
- pattern
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、凹凸の大きな半導体基板上に微細な
レジストパターンを寸法精度良く形成するための
多層構造レジストプロセスの下層有機層の形成に
関するものである。
レジストパターンを寸法精度良く形成するための
多層構造レジストプロセスの下層有機層の形成に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
凹凸の大きな半導体基板上に微細なレジストパ
ターンを形成するため、有機層を回転塗布し、下
地の凹凸を平坦化した後、低温形成可能な無機薄
膜を形成し、その後前記無機薄膜並びに前記有機
層に対し、それぞれ、通常のリソグラフイー工程
を行う、いわゆる、多層構造レジストプロセスが
用いられる。下地の凹凸を平坦化するための有機
層として、フエノールノボラツク樹脂系のホトレ
ジストが良く用いられるが、下地の凹凸を完全に
平坦化することは難しく、特に下地パターンの密
度が小さい場合、熱処理だけでは完全な平坦化は
不可能であつた。
ターンを形成するため、有機層を回転塗布し、下
地の凹凸を平坦化した後、低温形成可能な無機薄
膜を形成し、その後前記無機薄膜並びに前記有機
層に対し、それぞれ、通常のリソグラフイー工程
を行う、いわゆる、多層構造レジストプロセスが
用いられる。下地の凹凸を平坦化するための有機
層として、フエノールノボラツク樹脂系のホトレ
ジストが良く用いられるが、下地の凹凸を完全に
平坦化することは難しく、特に下地パターンの密
度が小さい場合、熱処理だけでは完全な平坦化は
不可能であつた。
発明の目的
本発明は、上記の問題点の解決を図つたもので
あり、下層有機層にたとえばフエノールノボラツ
ク樹脂系のホトレジストを用い、回転塗布した
後、紫外線を全面に照射し、感光基を十分反応さ
せることで耐熱性を低下させ、この性質を利用し
て、半導体基板上の凹凸を完全に平坦化すること
の可能な半導体装置の製造方法を提供することを
目的とするものである。
あり、下層有機層にたとえばフエノールノボラツ
ク樹脂系のホトレジストを用い、回転塗布した
後、紫外線を全面に照射し、感光基を十分反応さ
せることで耐熱性を低下させ、この性質を利用し
て、半導体基板上の凹凸を完全に平坦化すること
の可能な半導体装置の製造方法を提供することを
目的とするものである。
発明の構成
本発明の多層構造レジストプロセスは、半導体
基板上の凹凸部を平坦化するため、まず、たとえ
ばフエノールノボラツク樹脂系のホトレジストを
回転塗布し、その後、これに紫外光を全面照射
し、たとえば200℃以上の熱処理を施こして、同
面の凹凸を完全に平坦化した後、無機薄膜を低温
形成する工程をそなえたものであり、しかる後、
通常のホトリソグラフイー工程を行うことによ
り、多層構造レジストプロセスで、高精度、微細
パターン形成を達成するものである。
基板上の凹凸部を平坦化するため、まず、たとえ
ばフエノールノボラツク樹脂系のホトレジストを
回転塗布し、その後、これに紫外光を全面照射
し、たとえば200℃以上の熱処理を施こして、同
面の凹凸を完全に平坦化した後、無機薄膜を低温
形成する工程をそなえたものであり、しかる後、
通常のホトリソグラフイー工程を行うことによ
り、多層構造レジストプロセスで、高精度、微細
パターン形成を達成するものである。
実施例の説明
本発明による多層構造レジストプロセスの下層
となるところの有機層の形成方法を実施例をもつ
て以下に説明する。第１図は下地凹凸パターンの
密度が異なる基板１上に、フエノールノボラツク
樹脂系のホトレジスト２を約2μｍの厚さになる
よう回転塗布する。この時点ではパターン密度が
小さい部分での完全な下地凹凸の平坦化はできて
いない。
となるところの有機層の形成方法を実施例をもつ
て以下に説明する。第１図は下地凹凸パターンの
密度が異なる基板１上に、フエノールノボラツク
樹脂系のホトレジスト２を約2μｍの厚さになる
よう回転塗布する。この時点ではパターン密度が
小さい部分での完全な下地凹凸の平坦化はできて
いない。
この後、例えばフエノールノボラツク樹脂系の
ホトレジストとして東京応化製のOFPR800を、
光源として超高圧水銀灯を用いた場合、波長域が
390〜450nｍの紫外光を、20W／cm2の強度で20秒
間全面照射し、ホトレジスト２中の感光基を十分
反応させた後、200℃30分の加熱処理を施こし、
同レジスト２を十分フローさせ、下地凹凸を平坦
化した後の断面構造を第２図に示した。
ホトレジストとして東京応化製のOFPR800を、
光源として超高圧水銀灯を用いた場合、波長域が
390〜450nｍの紫外光を、20W／cm2の強度で20秒
間全面照射し、ホトレジスト２中の感光基を十分
反応させた後、200℃30分の加熱処理を施こし、
同レジスト２を十分フローさせ、下地凹凸を平坦
化した後の断面構造を第２図に示した。
次に、このフエノールノボラツク樹脂系のホト
レジスト２の上に、例えばフエノールノボラツク
樹脂系のホトレジストを回転塗布し、写真食刻法
により上層のホトレジストに露光、現像を行い、
上層のホトレジストに所望のパターンを形成し、
続いて上層のホトレジストをマスクとしてドライ
現像することにより下層のホトレジスト２にパタ
ーンを形成することができる。
レジスト２の上に、例えばフエノールノボラツク
樹脂系のホトレジストを回転塗布し、写真食刻法
により上層のホトレジストに露光、現像を行い、
上層のホトレジストに所望のパターンを形成し、
続いて上層のホトレジストをマスクとしてドライ
現像することにより下層のホトレジスト２にパタ
ーンを形成することができる。
このように、フエノールノボラツク樹脂系のホ
トレジスト２に紫外光を全面照射することで、レ
ジストの耐熱性を低下させ、後に熱処理を加える
ことで、下地の凹凸部は、パターン密度に関係な
く平坦化でき、これを多層構造レジストプロセス
の下層有機層に用いることで、上層レジストから
のパターン転写を、非常に精度良く行うことが可
能になる。
トレジスト２に紫外光を全面照射することで、レ
ジストの耐熱性を低下させ、後に熱処理を加える
ことで、下地の凹凸部は、パターン密度に関係な
く平坦化でき、これを多層構造レジストプロセス
の下層有機層に用いることで、上層レジストから
のパターン転写を、非常に精度良く行うことが可
能になる。
発明の効果
以上、本発明によると、多層構造レジストプロ
セスの下層有機層に、たとえばフエノールノボラ
ツク樹脂系のホトレジストを用いて、下地凹凸の
パターン密度に関係なく、その表面の平坦化が可
能となり、安定した多層構造レジストプロセスを
提供し得るものである。
セスの下層有機層に、たとえばフエノールノボラ
ツク樹脂系のホトレジストを用いて、下地凹凸の
パターン密度に関係なく、その表面の平坦化が可
能となり、安定した多層構造レジストプロセスを
提供し得るものである。
第１図および第２図は本発明実施例の工程順断
面図である。 １……凹凸のある半導体基板、２……フエノー
ルノボラツク樹脂系ホトレジスト。
面図である。 １……凹凸のある半導体基板、２……フエノー
ルノボラツク樹脂系ホトレジスト。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に多層構造レジストプロセスの
下層として、フエノールノボラツク樹脂系のポジ
型ホトレジスト層を回転塗布で形成した後、前記
ポジ型ホトレジスト層全領域に紫外光を照射し、
しかる後、200℃以上の熱処理を加えて前記ポジ
型ホトレジスト層を平坦化する工程と、前記ポジ
型ホトレジスト層の上に上層のホトレジスト層を
回転塗布する工程と、前記上層と下層のホトレジ
スト層をパターン形成するホトリソグラフイー工
程とをそなえた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017591A JPS60161621A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017591A JPS60161621A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60161621A JPS60161621A (ja) | 1985-08-23 |
| JPH0244140B2 true JPH0244140B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=11948137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017591A Granted JPS60161621A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60161621A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH079875B2 (ja) * | 1985-09-19 | 1995-02-01 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6286823A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| DE59206289D1 (de) * | 1991-09-27 | 1996-06-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung eines Bottom-Resists |
| EP1048980B1 (de) | 1999-04-28 | 2009-09-30 | Qimonda AG | Bottomresist |
| JP2009179226A (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Toyota Motor Corp | 燃料タンク構造 |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59017591A patent/JPS60161621A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60161621A (ja) | 1985-08-23 |
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