JPH0242904B2 - - Google Patents

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JPH0242904B2
JPH0242904B2 JP12757182A JP12757182A JPH0242904B2 JP H0242904 B2 JPH0242904 B2 JP H0242904B2 JP 12757182 A JP12757182 A JP 12757182A JP 12757182 A JP12757182 A JP 12757182A JP H0242904 B2 JPH0242904 B2 JP H0242904B2
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peeling
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JP12757182A
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JPS5920471A (ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/34Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は剥離剤,特に銀,銅,金等の剥離に好
適な剥離剤に関する。
従来既知の剥離剤には種々のタイプのものがあ
るけれども、そのいずれもが液の管理が複雑でし
かも剥離した金属の回収が大変なものである。例
えば銀メツキ処理に於いては素地に銅ストライク
メツキを予め施しその上に本メツキとして銀メツ
キを施し次の剥離工程では銀メツキの施されてい
ない銅ストライクメツキの部分を剥離剤を用いて
剥離するようにしているが、従来の種々の剥離剤
を使用すると本メツキ部分の光沢が落ちていわば
半光沢乃至は無光沢に近くなり、その分本メツキ
の性状が悪くなるという不具合がある。これは銅
ストライクのみならず銀本メツキも剥離されるか
らであり、このため従来の銀メツキ処理では後処
理での剥離を想定して予め銀本メツキをその分厚
くメツキする必要があり、しかも剥離した銀の回
収は液のろ過,目詰り対策等と共に液の管理をよ
り一層複雑なものとしている。
本発明はこのような従来の不具合に着目してな
されたもので、キレート剤を含有することにより
剥離させたくない金属(例えば銅ストライクメツ
キ上の銀メツキ)の剥離速度を抑制することによ
り上記従来の不具合を解決せんとしている。
具体的には、本発明に係る剥離剤は、液組成が ・シアン化カリウム又はシアン化ナトリウム: 1〜100g/ ・アルキルベンゼンスルフオン酸塩: 1〜100g/ ・キレート剤: 0.1〜50g/ である。
シアン化合物は銅等を剥離する際の主体となる
成分であり、溶けた銅が剥離液中で安定した錯体
となるための必須成分である。このシアン化合物
が1g/未満であると、剥離速度が遅くなつた
り、剥離能力が低下したりする。また、多過ぎる
と剥離処理には支障ないが、排水処理が面倒にな
るので、100g/以下が実用上の濃度である。
アルキルベンゼンスルフオン酸塩は、銅を酸化
して、シアン化合物に容易に溶解できるようにす
る働きをする。この量が1g/末満だと銅の酸
化が非常に遅くなり、剥離時間が長くなる。ま
た、100g/を越すと、前述のシアン化合物と
同様に排水処理上の問題が生じてしまうと共に、
銅のみでなく、銀の剥離速度も速くなつてしまう
ため、実用的には100g/が上限と言える。
キレート剤としては、EDTA(エチレンジアミ
ン四酢酸)化合物が好適である。このキレート剤
が0.1g/未満だと、従来の剥離剤と同様に銀剥
離が抑制されず、また50g/を超すと銅剥離も
抑制され、剥離剤として実用上使用不能となつて
しまう。
尚、PHの安定剤として水酸化カリウムや水酸化
ナトリウムを含んでも剥離剤としての機能上問題
ない。
次に、実験例を示す。
シアン化ナトリウム25g/およびアルキルベ
ンゼンスルフオン酸18g/含む液を従来の剥離
剤とし、これにEDTA2Na(EDTA2Kでも可)
2g/加えたものを本発明の剥離剤として、銅
ストライク―銀本メツキ製品に適用したところ従
来の剥離剤では銅剥離/30escが0.3μそして銀剥
離/30secが0.7μであつたものが本発明に係る剥
離剤では銅剥離/30secが0.2μそして銀剥離/
30escが0.3μであつた。
即ち銀剥離は0.7μより0.3μにまで剥離速度が抑
制されて剥離量の減少していることが確認でき
た。
更に本発明に係る剥離剤で金の剥離を試してみ
たところ、剥離速度は遅いものの従来の剥離剤に
比べて均一な剥離が達成でき、ソフトエツチング
に最適であること並びに素地(例えば,42アロイ
と称する鉄―ニツケル合金)を傷めることが殆ん
どないこと等が判明した。
尚、キレート剤としてEDTAの例につき説明
を行なつたがEDTA以外のキレート剤例えば以
下のものが使用可能である。D.T.P.A(ジエチレ
ントリアミンペンタ酢酸),T.T.H.A(トリエチ
レンテトラミンヘキサ酢酸),NTA,エチレン
ジアミン(ニトリロトリ酢酸エチレンジアミン)
等及びその塩。
以上説明してきたように、本発明に係る剥離剤
はキレート剤を含んでいるために金属の剥離速度
を抑制することができ、しかも銅ストライク―銀
本メツキの如く剥離させたくない金属である銀本
メツキの剥離量を大幅に抑制することが可能で、
銀本メツキの光沢を落とすことなく銅ストライク
メツキ部分の剥離を達成でき、しかも全体的に剥
離に因る沈澱物の量が減少するのでその分液の管
理が容易となり、ろ過や目詰り対策が楽になると
いう多くの効果がある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 液組成が、 ・シアン化カリウム又はシアン化ナトリウム: 1〜100g/ ・アルキルベンゼンスルフオン酸塩: 1〜100g/ ・キレート剤: 0.1〜50g/ である剥離剤。 2 キレート剤としてEDTA化合物を含む特許
    請求の範囲第1項記載の剥離剤。
JP12757182A 1982-07-23 1982-07-23 剥離剤 Granted JPS5920471A (ja)

Priority Applications (1)

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JP12757182A JPS5920471A (ja) 1982-07-23 1982-07-23 剥離剤

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JP12757182A JPS5920471A (ja) 1982-07-23 1982-07-23 剥離剤

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Publication Number Publication Date
JPS5920471A JPS5920471A (ja) 1984-02-02
JPH0242904B2 true JPH0242904B2 (ja) 1990-09-26

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ID=14963331

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JP12757182A Granted JPS5920471A (ja) 1982-07-23 1982-07-23 剥離剤

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0444503A (ja) * 1990-06-11 1992-02-14 Nippon Doro Kodan 鋼製伸縮継手

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JPS5920471A (ja) 1984-02-02

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