JPH0242723A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0242723A JPH0242723A JP63193831A JP19383188A JPH0242723A JP H0242723 A JPH0242723 A JP H0242723A JP 63193831 A JP63193831 A JP 63193831A JP 19383188 A JP19383188 A JP 19383188A JP H0242723 A JPH0242723 A JP H0242723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- sin
- metal
- ion etching
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は１／２ｐｍ前後もしくはそれ以下の線幅の微細
パターンを精度よく形成する技術に関する。
パターンを精度よく形成する技術に関する。
（従来の技術）
従来１／２ｐｍ前後もしくはそれ以下の微細パターンを
形成する技術としてジャーナルオブバキュウムサイエン
スアンドテクノロジ第１９巻第４号８９２頁（１９８１
年） （Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
１９（４）８９２）に報告された斜め蒸着法がある。
形成する技術としてジャーナルオブバキュウムサイエン
スアンドテクノロジ第１９巻第４号８９２頁（１９８１
年） （Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
１９（４）８９２）に報告された斜め蒸着法がある。
この方法は例えば第２図（ａ）〜（ｅ）に示す用に、電
子ビーム露光技術を用いて基板２１上に形成したレジス
トパターン２２の上方から、真空蒸着法により所定の金
属を堆積せしめ、レジストパターン２２を除去して該金
属をリフトオフして金属パターン２３を形成する。しか
る後反応性イオンエツチングもしくはイオンミリングな
どの方法により、金属パターン２３をマスクにして基板
２１の表面をエツチングして金属パターン２３を化学エ
ツチング法により除去する。次に前記基板表面のパター
ンの斜め上方より所望の金属２４を真空蒸着したのち、
イオンミリングにより基板表面パターン上部に堆積した
金属をエツチングすればパターン側壁に堆積した金属膜
厚に対応する線幅の金属パターン２４′が得られる。
子ビーム露光技術を用いて基板２１上に形成したレジス
トパターン２２の上方から、真空蒸着法により所定の金
属を堆積せしめ、レジストパターン２２を除去して該金
属をリフトオフして金属パターン２３を形成する。しか
る後反応性イオンエツチングもしくはイオンミリングな
どの方法により、金属パターン２３をマスクにして基板
２１の表面をエツチングして金属パターン２３を化学エ
ツチング法により除去する。次に前記基板表面のパター
ンの斜め上方より所望の金属２４を真空蒸着したのち、
イオンミリングにより基板表面パターン上部に堆積した
金属をエツチングすればパターン側壁に堆積した金属膜
厚に対応する線幅の金属パターン２４′が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記の方法は非常に複雑であり、また得ら
れる金属パターンは、基板表面に形成したパターン側壁
に付随した形になるため、例えばＸ線マスクのような応
用に際しては高コントラストのマスクを作製するのが困
難である。
れる金属パターンは、基板表面に形成したパターン側壁
に付随した形になるため、例えばＸ線マスクのような応
用に際しては高コントラストのマスクを作製するのが困
難である。
本発明は、縦横比の大きい自立した金属等のパターンを
極めて簡単かつ高精度に形成できる方法を提供するもの
である。
極めて簡単かつ高精度に形成できる方法を提供するもの
である。
（課題を解決するための手段）
本発明の微細パターン形成方法においては、電子ビーム
露光法等で形成したレジストパターンを反応性イオンエ
ツチング法を用いて一旦下層の厚いＳｉＮ ： Ｈ膜に
転写し、このＳｉＮ ： Ｈパターンの側壁に所望の金
属あるいは半導体あるいは超伝導体を斜め蒸着あるいは
イオンプレーディング等の指向性の良い情報で形成する
。その後金属等を一定量エッチングしてＳｉＮ ： Ｈ
パターンの上面に堆積した金属等を除去し、最後に緩衝
系フッ酸等を用いてＳｉＮ ： Ｈパターンをエツチン
グする。
露光法等で形成したレジストパターンを反応性イオンエ
ツチング法を用いて一旦下層の厚いＳｉＮ ： Ｈ膜に
転写し、このＳｉＮ ： Ｈパターンの側壁に所望の金
属あるいは半導体あるいは超伝導体を斜め蒸着あるいは
イオンプレーディング等の指向性の良い情報で形成する
。その後金属等を一定量エッチングしてＳｉＮ ： Ｈ
パターンの上面に堆積した金属等を除去し、最後に緩衝
系フッ酸等を用いてＳｉＮ ： Ｈパターンをエツチン
グする。
（作用）
水素を多量に含むＳｉＮ ： Ｈ膜は、フレオン系ガス
を用いた反応性イオンエツチング法によるエツチング速
度が非常に大きい。このため上記の方法によれば、薄い
レジストパターンを、−回の工程で基板に対し垂直な側
壁を有する厚いＳｉＮ ： Ｈパターンに変換でき、こ
のＳｉＮ ： Ｈパターンの側壁に金属を斜め蒸着する
ことにより、縦横比が大きく、より垂直度が高く、しか
もピッチも正確なパターンを得ることができる。
を用いた反応性イオンエツチング法によるエツチング速
度が非常に大きい。このため上記の方法によれば、薄い
レジストパターンを、−回の工程で基板に対し垂直な側
壁を有する厚いＳｉＮ ： Ｈパターンに変換でき、こ
のＳｉＮ ： Ｈパターンの側壁に金属を斜め蒸着する
ことにより、縦横比が大きく、より垂直度が高く、しか
もピッチも正確なパターンを得ることができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を主要工程順に示す模式断面
図である。任意の基板１１の一表面上にプラズマＣＶＤ
法を用いて表１に示す条件で約１ｐｍ厚のＳｉＮ ：
Ｈ膜１２を堆積し、このＳｉＮ ： Ｈ膜１２上に電子
ビーム露光技術を用いて任意のレジシストパターン１３
を形成する（（ａ）図）。
図である。任意の基板１１の一表面上にプラズマＣＶＤ
法を用いて表１に示す条件で約１ｐｍ厚のＳｉＮ ：
Ｈ膜１２を堆積し、このＳｉＮ ： Ｈ膜１２上に電子
ビーム露光技術を用いて任意のレジシストパターン１３
を形成する（（ａ）図）。
表１
つぎにレジストパターン１３をマスクにしてＣＦ４ガス
を用いた反応性イオンエツチング法により、下層のＳｉ
Ｎ ： Ｈ膜をエツチングし、レジストを灰化除去して
ＳｉＮ ： Ｈパターン１２を得る（（ｂ）図）。
を用いた反応性イオンエツチング法により、下層のＳｉ
Ｎ ： Ｈ膜をエツチングし、レジストを灰化除去して
ＳｉＮ ： Ｈパターン１２を得る（（ｂ）図）。
真空蒸着法によりＳｉＮ ： Ｈパターン１２の斜め上
方から所定の金属を堆積し、イオンエツチング法もしく
は反応性イオンエツチング法を用いてＳｉＮ：Ｈパター
ンの上面に堆積した金属を除去したのち、ＳｉＮ：Ｈパ
ターンを緩衝系フッ酸を用いて除去すれば所望の金属パ
ターン１４が得られる（（Ｃ）図）。尚上記の工程にお
いて金属の代わりに半導体や超伝導体例えばＳｉやＧｅ
、 Ｎｂ、 ＹＢａＣｕＯ等を用いることももちろん可
能である。
方から所定の金属を堆積し、イオンエツチング法もしく
は反応性イオンエツチング法を用いてＳｉＮ：Ｈパター
ンの上面に堆積した金属を除去したのち、ＳｉＮ：Ｈパ
ターンを緩衝系フッ酸を用いて除去すれば所望の金属パ
ターン１４が得られる（（Ｃ）図）。尚上記の工程にお
いて金属の代わりに半導体や超伝導体例えばＳｉやＧｅ
、 Ｎｂ、 ＹＢａＣｕＯ等を用いることももちろん可
能である。
（発明効果）
本発明によれば、薄いレジストパターンを基板に垂直な
側壁を有する厚いＳｉＮ ： Ｈパターンに変換したの
ち、その側壁を利用して斜め蒸着法により所望のパター
ンを形成するため、縦横比の大きい微細パターンを容易
に得ることが出来る。
側壁を有する厚いＳｉＮ ： Ｈパターンに変換したの
ち、その側壁を利用して斜め蒸着法により所望のパター
ンを形成するため、縦横比の大きい微細パターンを容易
に得ることが出来る。
第１図は本発明の微細パターン形成方法を工程順に説明
する模式断面図、第２図は従来技術を説明する模式図で
ある。 図中の番号は下記のものを示す。 １１、２１は基板、１２はＳｉＮ ： Ｈ膜、１３．２
２はレジストパターン、１４．２３．２４’は金属パタ
ーン、２４は金属。
する模式断面図、第２図は従来技術を説明する模式図で
ある。 図中の番号は下記のものを示す。 １１、２１は基板、１２はＳｉＮ ： Ｈ膜、１３．２
２はレジストパターン、１４．２３．２４’は金属パタ
ーン、２４は金属。
Claims (1)
- 基板上にＳｉＮ：Ｈ膜を堆積し、このＳｉＮ：Ｈ膜をレ
ジストパターンをマスクにしてパターニングしたのち、
ＳｉＮ：Ｈパターンの側壁に金属または半導体もしくは
超伝導体を蒸着しＳｉＮ：Ｈパターンをエッチングして
所望の金属または半導体もしくは超伝導体のパターンを
形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193831A JPH0242723A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193831A JPH0242723A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242723A true JPH0242723A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16314466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193831A Pending JPH0242723A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242723A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007021501A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Topre Corp | 深絞り成形方法 |
| US7236324B2 (en) | 2005-10-18 | 2007-06-26 | Hitachi Global Storage Technologies | Apparatus, method and system for fabricating servo patterns on high density patterned media |
| US7553426B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus, system, and method for increasing data storage density in patterned media |
| US7667929B2 (en) | 2005-04-04 | 2010-02-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus, method and system for fabricating a patterned media imprint master |
| JP2010167782A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Seagate Technology Llc | パターン・メディア用テンプレートおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193831A patent/JPH0242723A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7553426B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus, system, and method for increasing data storage density in patterned media |
| US7667929B2 (en) | 2005-04-04 | 2010-02-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus, method and system for fabricating a patterned media imprint master |
| JP2007021501A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Topre Corp | 深絞り成形方法 |
| US7236324B2 (en) | 2005-10-18 | 2007-06-26 | Hitachi Global Storage Technologies | Apparatus, method and system for fabricating servo patterns on high density patterned media |
| JP2010167782A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Seagate Technology Llc | パターン・メディア用テンプレートおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4576678A (en) | Pattern forming method | |
| US5154797A (en) | Silicon shadow mask | |
| US5393646A (en) | Method for selective formation of a deposited film | |
| JPH0242723A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| Wise et al. | Solid-state processes to produce hemispherical components for inertial fusion targets | |
| JPS58169150A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| US5328554A (en) | Fabrication process for narrow groove | |
| JP2558128B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPS63119239A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5923104B2 (ja) | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH01114041A (ja) | 微細パタン形成方法 | |
| JPH0143453B2 (ja) | ||
| JP2558127B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| Chan et al. | Defined etching of carbon-diamond films on silicon using an oxygen plasma with titanium masking | |
| JPS58225639A (ja) | 有機物エツチング方法 | |
| JPS6410096B2 (ja) | ||
| GB2331843A (en) | Patterning thin films on substrates | |
| JPH11236686A (ja) | ドライエッチング方法、及びｘ線マスクの製造方法 | |
| Wetzel | Preparation of cross‐sectional transmission electron microscopy samples by electron beam lithography and reactive ion etching | |
| Wetzel et al. | On the preparation of cross-sectional TEM samples using lithographic processing and reactive ion-etching | |
| JPH0247848B2 (ja) | ||
| JPS63137423A (ja) | Ｘ線マスクパタ−ン形成方法 | |
| JPH01173716A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0481876B2 (ja) | ||
| JPH04133426A (ja) | 半導体装置の製造方法 |