【考案の詳細な説明】[Detailed explanation of the idea]
（産業上の利用分野）
本考案はシールド電極を備えた表面波装置に関
する。
（従来技術）
従来より、たとえば第１図ａおよび第１図ｂに
示すように、無アルカリガラス等の絶縁性基板１
の表面に入力側インターデイジタル電極２、出力
側インターデイジタル電極３およびその引出電極
４，５，６および７を形成し、これら引出電極
４，５，６および７を除いて絶縁性基板１の表面
にZnO等の圧電材料からなる圧電薄膜９を形成す
る一方、上記絶縁性基板１の裏面全体にシールド
電極１０を形成し、上記引出電極４，５，６，７
およびシールド電極１０に夫々リード端子１１，
１２，１３，１４および１５を半田付けし、上記
入力側インターデイジタル電極２、出力側インタ
ーデイジタル電極３の外側の圧電薄膜９上に表面
波を吸収するダンピング材１６，１７を塗布して
絶縁性基板１の外部を外装樹脂１８で被覆した表
面波装置では、上記シールド電極１０の材料とし
て、ニツケルNiが使用されていた。
ところで、シールド電極１０の材料として、上
記のように、ニツケルを使用すると、ニツケルは
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１に対す
る接着強度が弱く、リード端子１５にストレスが
加わると、シールド電極１０がリード端子１５の
半田付け部分で剥離してしまうといつた信頼性に
欠ける問題があつた。
（考案の目的）
本考案は従来の表面波装置における上記欠点を
解消すべくなされたものであつて、インターデイ
ジタル電極を静電シールドするシールド電極の材
料をモネルメタルとすることにより、シールド電
極の接着強度を高さ、リード端子に加えられるス
トレスに対する信頼性の向上を図つた表面波装置
を提供することを目的としている。
（実施例）
以下、添付図面を参照して本考案の実施例を説
明する。
本考案は、インターデイジタル電極の静電シー
ルド用のシールド電極を表面波基板の裏面に備え
てなる表面波装置において、上記シールド電極の
材料をモネルメタルとしたものである。より具体
的には、たとえば、第１図ａおよび第１図ｂに
夫々絶縁性基板１の表面側および裏面側の電極構
成を示す表面波装置の場合、スパツタリング等の
手法で絶縁性基板１の裏面にモネルメタルからな
るシールド電極１０を形成する。
上記のように、シールド電極１０の材料として
モネルメタルを使用した場合と、シールド電極１
０の材料としてニツケルを使用した場合のリード
端子１５の引張強度を測定した結果、次の表に示
すような結果を得た。
(Field of Industrial Application) The present invention relates to a surface wave device equipped with a shield electrode. (Prior Art) Conventionally, as shown in FIGS. 1a and 1b, for example, an insulating substrate 1 made of alkali-free glass, etc.
The input side interdigital electrode 2, the output side interdigital electrode 3, and their extraction electrodes 4, 5, 6, and 7 are formed on the surface of the insulating substrate 1, except for these extraction electrodes 4, 5, 6, and 7. A piezoelectric thin film 9 made of a piezoelectric material such as ZnO is formed on the substrate, and a shield electrode 10 is formed on the entire back surface of the insulating substrate 1.
and a lead terminal 11 on the shield electrode 10, respectively.
12, 13, 14 and 15 are soldered, and damping materials 16 and 17 that absorb surface waves are applied to the piezoelectric thin film 9 on the outside of the input-side interdigital electrode 2 and the output-side interdigital electrode 3 to provide insulation. In a surface acoustic wave device in which the outside of the substrate 1 is coated with an exterior resin 18, nickel (Ni) is used as the material for the shield electrode 10. By the way, when nickel is used as the material for the shield electrode 10, as mentioned above, nickel has a weak adhesive strength to the insulating substrate 1 made of non-alkali glass, etc., and when stress is applied to the lead terminal 15, the shield electrode 10 There was a problem of lack of reliability when the soldered portion of the lead terminal 15 peeled off. (Purpose of the invention) The present invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of conventional surface wave devices, and by using monel metal as the material of the shield electrode that electrostatically shields the interdigital electrode, the shield electrode can be bonded. The object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device that has high strength and improved reliability against stress applied to lead terminals. (Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention is a surface acoustic wave device comprising a shield electrode for electrostatic shielding of an interdigital electrode on the back surface of a surface wave substrate, in which the material of the shield electrode is monel metal. More specifically, for example, in the case of a surface acoustic wave device whose electrode configurations are shown on the front side and the back side of the insulating substrate 1 in FIGS. 1a and 1b, respectively, the insulating substrate 1 is A shield electrode 10 made of monel metal is formed on the back surface. As described above, when monel metal is used as the material for the shield electrode 10 and when the shield electrode 1 is used,
As a result of measuring the tensile strength of the lead terminal 15 when nickel was used as the material, the results are shown in the following table.
【表】
(注) 単位：グラム
ただし、上記表は、シールド電極１０の厚さが
0.3μmのときのデータであつて、はリード端子
１５の平均引きはがし強度、σは標準偏差、
Maxはリード端子１５の最大きはがし強度、
Minはリード端子１５の最小引きばがし強度であ
り、Ｒは（Max−Min）値である。
上記表からも明らかなように、シールド電極１
０の材料としてモネルメタルを使用した場合、シ
ールド電極１０の材料としてニツケルを使用した
場合に比較して、リード端子１５の平均引きはが
し強度は190グラムから400グラムと２倍以上と
なり、最小引きはがし強度も４倍以上となり、リ
ード端子１５のシールド電極１０に対する半田付
けの接着強度が大巾に向上する。
上記実施例において、表面波装置は、第２図ａ
および第２図ｂに示すように、入力側インターデ
イジタル電極２の引出電極４，５は、ダンピング
材１６の両端部の外側に位置する絶縁性基板１の
２つのコーナ部に形成され、出力側インターデイ
ジタル電極３の引出電極６，７は、ダンピング材
１７の両端部の外側に位置する絶縁性基板１の２
つのコーナ部に形成され、これら引出電極４，
５，６，７を除いて圧電膜９を形成する一方、絶
縁性基板１の裏面にシールド電極１０が形成され
たものであつてもよい。
本考案は、ガラス基板１を使用しないタイプの
表面波装置、すなわち、具体的には図示しない
が、圧電板の表面にインターデイジタル電極を形
成する一方、圧電板の裏面にシールド電極を形成
した表面波装置にも適用することができる。
（考案の効果）
以上、詳述したことからも明らかなように、本
考案は、表面波装置のシールド電極の材料として
大きな接着強度を有するモネルメタルを使用する
ようにしたから、シールド電極に半田付けされた
リード端子にストレスが加えられてもシールド電
極が剥離することはなく、信頼性の高い表面波装
置を得ることができる。[Table] (Note) Unit: Grams However, in the above table, the thickness of the shield electrode 10 is
The data is for 0.3 μm, where is the average peeling strength of the lead terminal 15, σ is the standard deviation,
Max is the maximum peeling strength of lead terminal 15,
Min is the minimum peeling strength of the lead terminal 15, and R is the (Max-Min) value. As is clear from the table above, shield electrode 1
When Monel metal is used as the material for the shield electrode 10, the average peel strength of the lead terminal 15 is more than double from 190 grams to 400 grams, and the minimum peel strength is The strength of the soldering of the lead terminal 15 to the shield electrode 10 is greatly improved. In the above embodiment, the surface wave device is shown in FIG.
As shown in FIG. 2b, the extraction electrodes 4 and 5 of the input-side interdigital electrode 2 are formed at two corners of the insulating substrate 1 located outside both ends of the damping material 16, and The lead electrodes 6 and 7 of the interdigital electrode 3 are connected to the two ends of the insulating substrate 1 located outside both ends of the damping material 17.
These extraction electrodes 4,
The shield electrode 10 may be formed on the back surface of the insulating substrate 1 while the piezoelectric film 9 is formed except for 5, 6, and 7. The present invention is a surface wave device of a type that does not use a glass substrate 1, that is, although not specifically shown, interdigital electrodes are formed on the front surface of a piezoelectric plate, and shield electrodes are formed on the back surface of the piezoelectric plate. It can also be applied to wave devices. (Effects of the invention) As is clear from the detailed explanation above, the invention uses monel metal, which has a high adhesive strength, as the material for the shield electrode of the surface acoustic wave device. Even if stress is applied to the lead terminals, the shield electrode will not peel off, making it possible to obtain a highly reliable surface acoustic wave device.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]
第１図ａおよび第１図ｂは夫々本考案を適用し
た表面波装置の絶縁性基板の表面側および裏面側
の平面図、第２図ａおよび第２図ｂは夫々本考案
を適用したいま一つの表面波装置の絶縁性基板の
表面側および裏面側の平面図である。
１……絶縁性基板、２……入力側インターデイ
ジタル電極、３……出力側インターデイジタル電
極、９……圧電薄膜、１０……シールド電極、１
１〜１５……リード端子。
Figures 1a and 1b are plan views of the front and back sides of an insulating substrate, respectively, of a surface wave device to which the present invention is applied, and Figures 2a and 2b are plan views, respectively, of a surface wave device to which the present invention is applied. FIG. 3 is a plan view of the front side and the back side of an insulating substrate of one surface wave device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Insulating substrate, 2... Input side interdigital electrode, 3... Output side interdigital electrode, 9... Piezoelectric thin film, 10... Shield electrode, 1
1 to 15...Lead terminal.