JPH0240910A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH0240910A JPH0240910A JP63191675A JP19167588A JPH0240910A JP H0240910 A JPH0240910 A JP H0240910A JP 63191675 A JP63191675 A JP 63191675A JP 19167588 A JP19167588 A JP 19167588A JP H0240910 A JPH0240910 A JP H0240910A
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- rectangular
- shaping
- deflection
- electron beam
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 41
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路のパターン発生に使用する電子
ビーム露光装置に関する。
ビーム露光装置に関する。
［従来の技術］
従来の電子ビーム露光装置は電子ビーム銃がら発射され
た電子ビームを予め設定された所定のサイズの矩形ビー
ムに整形し、これを偏向することにより、所定の位置へ
矩形ビームを照射するようにしている。矩形ビームの整
形のための条件はビームサイズが決定されれば固定され
る。
た電子ビームを予め設定された所定のサイズの矩形ビー
ムに整形し、これを偏向することにより、所定の位置へ
矩形ビームを照射するようにしている。矩形ビームの整
形のための条件はビームサイズが決定されれば固定され
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の電子ビーム露光装置は偏向に伴う
電子ビーム形状の悪化（以下、偏向収差という）が存在
し、この結果、描画パターン寸法の変動が生じるという
欠点がある。一般にこの偏向収差はｒ２αに比例する。
電子ビーム形状の悪化（以下、偏向収差という）が存在
し、この結果、描画パターン寸法の変動が生じるという
欠点がある。一般にこの偏向収差はｒ２αに比例する。
但し、ｒは描画面での電子光学軸と偏向ビーム位置まで
の距離、αは開口数である。現実の可変矩形電子ビーム
露光装置での偏向収差は、各装置により多少の差はある
が、４ｍｍＸ４ｍｍの偏向範囲で０．４７ｘｍ生じる。
の距離、αは開口数である。現実の可変矩形電子ビーム
露光装置での偏向収差は、各装置により多少の差はある
が、４ｍｍＸ４ｍｍの偏向範囲で０．４７ｘｍ生じる。
なお、偏向収差の数値表現はビーム電流量の１０％と９
０％の寸法差で示す。このことにより、描画パターンは
レジストの種類で異なるが、一般的な０ＥＢＲ−１００
レジストを用いた場合、０．３μｍの偏向収差により偏
向中央とコーナーとて差が発生するという問題点があっ
た。
０％の寸法差で示す。このことにより、描画パターンは
レジストの種類で異なるが、一般的な０ＥＢＲ−１００
レジストを用いた場合、０．３μｍの偏向収差により偏
向中央とコーナーとて差が発生するという問題点があっ
た。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
偏向収差による描画パターン形状の変動を防止できる電
子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
偏向収差による描画パターン形状の変動を防止できる電
子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る電子ビームの露光装置は、電子ビームを発
生させる電子ビーム発生手段と、この電子ビーム発生手
段から発生された電子ビームを所定の矩形ビームに整形
するビーム整形手段と、このビーム整形手段で整形され
た前記矩形ビームを指定された照射位置に偏向する位置
決め偏向手段と、前記矩形ビームの照射位置に応じて生
ずる矩形ビーム形状の悪化を相殺するように前記矩形ビ
ームの整形矩形サイズに補正を加える手段とを具備した
ことを特徴とする。
生させる電子ビーム発生手段と、この電子ビーム発生手
段から発生された電子ビームを所定の矩形ビームに整形
するビーム整形手段と、このビーム整形手段で整形され
た前記矩形ビームを指定された照射位置に偏向する位置
決め偏向手段と、前記矩形ビームの照射位置に応じて生
ずる矩形ビーム形状の悪化を相殺するように前記矩形ビ
ームの整形矩形サイズに補正を加える手段とを具備した
ことを特徴とする。
［作用コ
本発明によれば、矩形ビームの照射位置に応じて、矩形
ビームの整形矩形サイズに補正を加えるので、偏向収差
による矩形ビーム形状の悪化を十分に相殺し得るように
補正を加えることによって、偏向中央とコーナ部分との
間の差をなくすことができる。
ビームの整形矩形サイズに補正を加えるので、偏向収差
による矩形ビーム形状の悪化を十分に相殺し得るように
補正を加えることによって、偏向中央とコーナ部分との
間の差をなくすことができる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係る電子ビーム露光装
置の概略図である。電子ビーム銃１から放射された電子
ビームＥＢは照射レンズ２を介して第１アパーチヤー３
で集束され、矩形ビームに整形される。第１アパーチヤ
ー３を通過した矩形ビームは、２段の整形偏向器４によ
り整形される。
置の概略図である。電子ビーム銃１から放射された電子
ビームＥＢは照射レンズ２を介して第１アパーチヤー３
で集束され、矩形ビームに整形される。第１アパーチヤ
ー３を通過した矩形ビームは、２段の整形偏向器４によ
り整形される。
この整形は第２アパーチヤー５を通過する矩形ビームが
所望のサイズになるように行われる。、整形された矩形
ビームは第２アパーチヤー５に照射される。第２アパー
チヤー５を通過した所望の矩形ビームは投影レンズ６及
び位置決め偏向器７を介してフォトマスク８に照射され
る。位置決め偏向器７は所望のフォトマスク８上の位置
に矩形ビームを偏向するものである。ステージ９は位置
決め偏向器７の偏向範囲の完了後、次の偏向範囲にフォ
トマスク８を移動させるものである。
所望のサイズになるように行われる。、整形された矩形
ビームは第２アパーチヤー５に照射される。第２アパー
チヤー５を通過した所望の矩形ビームは投影レンズ６及
び位置決め偏向器７を介してフォトマスク８に照射され
る。位置決め偏向器７は所望のフォトマスク８上の位置
に矩形ビームを偏向するものである。ステージ９は位置
決め偏向器７の偏向範囲の完了後、次の偏向範囲にフォ
トマスク８を移動させるものである。
次に、所望の矩形サイズ及び位置に関する信号系につい
て説明する。先ず、位置の信号系について説明すると、
データコントローラ１１から矩形位置情報が補正データ
回路１２及び位置決め偏向加算器１３に送られる。補正
データ回路１２には予め偏向位置に対する矩形サイズ補
正値が記憶されている。補正データ回路１２は、送られ
た位置情報から偏向位置での矩形サイズの補正値に基き
、位置補正の情報（この値はサイズ補正に対して発生す
る位置ズレ補正値である）を求め、これを位置決め偏向
用の加算器１３に出力する。位置決め偏向用の加算器１
３は、データコントローラ１１からの位置情報と補正デ
ータ回路１２からの位置補正情報とを加算する。この加
算値は、Ｄ／Ａ変換器１４でＤ／Ａ変換された後、実際
に矩形ビームを偏向させる位置決め偏向器７に出力され
る。
て説明する。先ず、位置の信号系について説明すると、
データコントローラ１１から矩形位置情報が補正データ
回路１２及び位置決め偏向加算器１３に送られる。補正
データ回路１２には予め偏向位置に対する矩形サイズ補
正値が記憶されている。補正データ回路１２は、送られ
た位置情報から偏向位置での矩形サイズの補正値に基き
、位置補正の情報（この値はサイズ補正に対して発生す
る位置ズレ補正値である）を求め、これを位置決め偏向
用の加算器１３に出力する。位置決め偏向用の加算器１
３は、データコントローラ１１からの位置情報と補正デ
ータ回路１２からの位置補正情報とを加算する。この加
算値は、Ｄ／Ａ変換器１４でＤ／Ａ変換された後、実際
に矩形ビームを偏向させる位置決め偏向器７に出力され
る。
次に、矩形サイズの信号系について説明する。
データコントローラ１１から出力される矩形サイズ情報
は、整形偏向用の加算器１５に送られる。
は、整形偏向用の加算器１５に送られる。
整形偏向用の加算器１５では矩形サイズ情報と、補正デ
ータ回路１２からの偏向位置での矩形サイズ補正値とを
加算する。この加算値はＤ／Ａ変換器１６でＤ／Ａ変換
された後、実際に矩形サイズを決定する整形偏向器４に
出力される。
ータ回路１２からの偏向位置での矩形サイズ補正値とを
加算する。この加算値はＤ／Ａ変換器１６でＤ／Ａ変換
された後、実際に矩形サイズを決定する整形偏向器４に
出力される。
次に、整形矩形サイズの補正値をどのように決定するか
について説明する。第２図（Ａ）は偏向範囲中央部の整
形矩形ビームの形状である。なお、ここで縦軸は電流量
である。第２図（Ｂ）は偏向範囲のコーナ一部の整形矩
形ビームの形状である。
について説明する。第２図（Ａ）は偏向範囲中央部の整
形矩形ビームの形状である。なお、ここで縦軸は電流量
である。第２図（Ｂ）は偏向範囲のコーナ一部の整形矩
形ビームの形状である。
前述したように偏向収差により中央部に比してコーナ一
部の形状は悪化している。電子ビーム露光による描画パ
ターンサイズの変動の大半は、レジスト特性と偏向収差
による電子ビーム形状変化に伴う電子ビームエツジ部の
照射量との違いにより起こる。
部の形状は悪化している。電子ビーム露光による描画パ
ターンサイズの変動の大半は、レジスト特性と偏向収差
による電子ビーム形状変化に伴う電子ビームエツジ部の
照射量との違いにより起こる。
第２図（Ｃ）、（Ｄ）に電子ビーム照射量の７５％［第
２図（Ａ）、（Ｂ）のＩのレベルコが描画パターンサイ
ズになるレジストを使用した際の描画パターン断面図を
示す。第２図（Ｅ）、（Ｆ）には電子ビーム照射量の２
５％［第２図（Ａ）（Ｂ）の■のレベル］が描画パター
ンサイズになるレジストを使用した際の描画パターン断
面図を示す。図から分かるように偏向範囲の中央とコー
ナー描画パターンサイズが変動している。また、補正値
はレジスト特性により変更する必要があることはこのこ
とにより分かる。補正値は第２図（Ｃ）、（Ｄ）のレジ
ストの場合は、第３図（Ａ）で示すようにγ値が補正随
となる。γ値は偏向中央とコーナ一部の照射量７５％が
一致する値、つまり、γ＝２α−２α′である。同じく
第２図（Ｅ）、（Ｆ）のレジストの場合は、γ′値はγ
′−２β−２β′となる９以上のように補正値はレジス
ト特性により、また偏向位置の偏向収差により決定され
る。
２図（Ａ）、（Ｂ）のＩのレベルコが描画パターンサイ
ズになるレジストを使用した際の描画パターン断面図を
示す。第２図（Ｅ）、（Ｆ）には電子ビーム照射量の２
５％［第２図（Ａ）（Ｂ）の■のレベル］が描画パター
ンサイズになるレジストを使用した際の描画パターン断
面図を示す。図から分かるように偏向範囲の中央とコー
ナー描画パターンサイズが変動している。また、補正値
はレジスト特性により変更する必要があることはこのこ
とにより分かる。補正値は第２図（Ｃ）、（Ｄ）のレジ
ストの場合は、第３図（Ａ）で示すようにγ値が補正随
となる。γ値は偏向中央とコーナ一部の照射量７５％が
一致する値、つまり、γ＝２α−２α′である。同じく
第２図（Ｅ）、（Ｆ）のレジストの場合は、γ′値はγ
′−２β−２β′となる９以上のように補正値はレジス
ト特性により、また偏向位置の偏向収差により決定され
る。
第４図は本発明の第２の実施例に係る電子ビーム露光装
置における矩形サイズ及び位置に関する信号系を示すブ
ロック図である。この実施例では第１の実施例の信号系
ブロック図に位置決め偏向用微小補正部１７と整形偏向
用の微小補正部１８とを追加したものである。
置における矩形サイズ及び位置に関する信号系を示すブ
ロック図である。この実施例では第１の実施例の信号系
ブロック図に位置決め偏向用微小補正部１７と整形偏向
用の微小補正部１８とを追加したものである。
この実施例は信号系の最小単位以下の微小補正を整形偏
向器４及び位置決め偏向器７に伝えるものである。即ち
、矩形サイズ補正値の矩形サイズ信号系の単位で表現で
きる補正値は先の第１の実施例と同様に整形偏向用の加
算器１５に送り、更に、矩形サイズ信号系の単位で表現
できなかった補正値（以下、微小補正値という）を整形
偏向用の微小補正部１８に送る。整形偏向用のＤ／Ａ変
換器１６は整形偏向用の加算器１５からの信号を通常通
りＤ／Ａ変換した後、整形閤向用の微小補正部１８の微
小補正値に対してＤ／Ａ変換し、そのアナログ量を前に
求めたアナログ量に加える。
向器４及び位置決め偏向器７に伝えるものである。即ち
、矩形サイズ補正値の矩形サイズ信号系の単位で表現で
きる補正値は先の第１の実施例と同様に整形偏向用の加
算器１５に送り、更に、矩形サイズ信号系の単位で表現
できなかった補正値（以下、微小補正値という）を整形
偏向用の微小補正部１８に送る。整形偏向用のＤ／Ａ変
換器１６は整形偏向用の加算器１５からの信号を通常通
りＤ／Ａ変換した後、整形閤向用の微小補正部１８の微
小補正値に対してＤ／Ａ変換し、そのアナログ量を前に
求めたアナログ量に加える。
また、位置決め信号系も矩形サイズ信号系と同様に微小
補正値は補正データ回路１２から位置決め偏向用の微小
補正部１７を介して位置決め偏向用のＤ／Ａ変換器１４
で処理される。このことにより矩形サイズ及び矩形位置
とも２こ微小単位で補正が可能となる。この実施例によ
れば、信号系の最小単位以下の微小補正が可能となり、
高精度補正が可能になるという利点をもつ。
補正値は補正データ回路１２から位置決め偏向用の微小
補正部１７を介して位置決め偏向用のＤ／Ａ変換器１４
で処理される。このことにより矩形サイズ及び矩形位置
とも２こ微小単位で補正が可能となる。この実施例によ
れば、信号系の最小単位以下の微小補正が可能となり、
高精度補正が可能になるという利点をもつ。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は偏向収差による描画パター
ンの寸法変動に見合った補正値を整形矩形サイズに加え
ることにより偏向収差による描画パターンの変動をなく
すことがきるという効果がある。具体的には、例えば、
偏向収差０．４μｍである電子ピーｌ＼露光装置におい
て、補正単位０．０１μｍで偏向収差に見合った補正値
を加えると描画パターン変動を０．３μｍから０．０２
μｍ以下の略々０に近い値にすることができる。
ンの寸法変動に見合った補正値を整形矩形サイズに加え
ることにより偏向収差による描画パターンの変動をなく
すことがきるという効果がある。具体的には、例えば、
偏向収差０．４μｍである電子ピーｌ＼露光装置におい
て、補正単位０．０１μｍで偏向収差に見合った補正値
を加えると描画パターン変動を０．３μｍから０．０２
μｍ以下の略々０に近い値にすることができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係る電子ビーム露光装
置の概略ブロック図、第２図は偏向収差による描画パタ
ーンの変動を示す図、第３図は矩形ザイズに補正を加え
る方法を示す原理図、第４図は本発明の第２の実施例に
係る電子ビーム露光装置の信号系のブロック図である。 １；電子ビーム銃、２：照射レンズ、３；第１アパーチ
ヤー、４；整形偏向器、５；第２アパーチヤー、６；投
影レンズ、７：位置決め偏向器、８；フォトマスク、９
；ステージ、１１；データコントローラ、１２；補正デ
ータ回路、１３；位置決め偏向用の加算器、１４；位置
決め偏向用のＤ／Ａ変換器、１５；整形偏向用の加算器
、１６整形偏向用のＤ／Ａ変換器、１７．１８：微小補
正部
置の概略ブロック図、第２図は偏向収差による描画パタ
ーンの変動を示す図、第３図は矩形ザイズに補正を加え
る方法を示す原理図、第４図は本発明の第２の実施例に
係る電子ビーム露光装置の信号系のブロック図である。 １；電子ビーム銃、２：照射レンズ、３；第１アパーチ
ヤー、４；整形偏向器、５；第２アパーチヤー、６；投
影レンズ、７：位置決め偏向器、８；フォトマスク、９
；ステージ、１１；データコントローラ、１２；補正デ
ータ回路、１３；位置決め偏向用の加算器、１４；位置
決め偏向用のＤ／Ａ変換器、１５；整形偏向用の加算器
、１６整形偏向用のＤ／Ａ変換器、１７．１８：微小補
正部
Claims (1)
- （１）電子ビームを発生させる電子ビーム発生手段と、
この電子ビーム発生手段から発生された電子ビームを所
定の矩形ビームに整形するビーム整形手段と、このビー
ム整形手段で整形された前記矩形ビームを指定された照
射位置に偏向する位置決め偏向手段と、前記矩形ビーム
の照射位置に応じて生ずる矩形ビーム形状の悪化を相殺
するように前記矩形ビームの整形矩形サイズに補正を加
える手段とを具備したことを特徴とする電子ビーム露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191675A JPH0240910A (ja) | 1988-07-31 | 1988-07-31 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191675A JPH0240910A (ja) | 1988-07-31 | 1988-07-31 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240910A true JPH0240910A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16278586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191675A Pending JPH0240910A (ja) | 1988-07-31 | 1988-07-31 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555123A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
-
1988
- 1988-07-31 JP JP63191675A patent/JPH0240910A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555123A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
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