JPH0555123A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0555123A JPH0555123A JP24276691A JP24276691A JPH0555123A JP H0555123 A JPH0555123 A JP H0555123A JP 24276691 A JP24276691 A JP 24276691A JP 24276691 A JP24276691 A JP 24276691A JP H0555123 A JPH0555123 A JP H0555123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged beam
- correction table
- beam exposure
- forming method
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料上に形成されるパターンの寸法精度を向
上させる。 【構成】 描画フィールド面内の荷電ビームの偏向収差
量の分布を測定し、上記測定された荷電ビームの偏向収
差量の分布から描画フィールド内の寸法ばらつきを補正
するための補正テーブルを作成し、上記補正テーブルを
用いて荷電ビーム露光でパターン形成を行う。 【効果】 上記補正テーブルを用いて荷電ビーム露光を
行うことにより、描画フィールド内の寸法ばらつきが低
減され、その結果、試料内に形成されるパターンの寸法
精度を向上させる効果を奏する。
上させる。 【構成】 描画フィールド面内の荷電ビームの偏向収差
量の分布を測定し、上記測定された荷電ビームの偏向収
差量の分布から描画フィールド内の寸法ばらつきを補正
するための補正テーブルを作成し、上記補正テーブルを
用いて荷電ビーム露光でパターン形成を行う。 【効果】 上記補正テーブルを用いて荷電ビーム露光を
行うことにより、描画フィールド内の寸法ばらつきが低
減され、その結果、試料内に形成されるパターンの寸法
精度を向上させる効果を奏する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路の製造
の際のパターン形成方法に関するものである。
の際のパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術について可変成形型電子ビーム
露光装置を例にとって図について説明する。図３は可変
成形型電子ビーム露光装置の描画フィールド面上の電子
ビーム強度の概略図である。図において、１は電磁レン
ズの中心軸、５０は電子ビームのプロファイル、６は描
画フィールド面である。
露光装置を例にとって図について説明する。図３は可変
成形型電子ビーム露光装置の描画フィールド面上の電子
ビーム強度の概略図である。図において、１は電磁レン
ズの中心軸、５０は電子ビームのプロファイル、６は描
画フィールド面である。
【０００３】可変成形型電子ビーム露光装置でパターン
形成を行う場合、描画フィールド内はビームの偏向のみ
でパターンを描画する。そのため、電子ビームが電磁レ
ンズの中心軸１からずれることにより、偏向収差が生じ
る。その結果、電磁レンズの中心軸１から離れたところ
の電子ビームプロファイル２０は、電磁レンズの中心軸
１付近にある電子ビームプロファイル３０と比べてビー
ムだれの量が多くなり、形成されるパターンは電子ビー
ムプロファイルに影響されるため、結果として形成され
るパターンは描画フィールド内でパターンエッジ形状に
ばらつきが生じる。
形成を行う場合、描画フィールド内はビームの偏向のみ
でパターンを描画する。そのため、電子ビームが電磁レ
ンズの中心軸１からずれることにより、偏向収差が生じ
る。その結果、電磁レンズの中心軸１から離れたところ
の電子ビームプロファイル２０は、電磁レンズの中心軸
１付近にある電子ビームプロファイル３０と比べてビー
ムだれの量が多くなり、形成されるパターンは電子ビー
ムプロファイルに影響されるため、結果として形成され
るパターンは描画フィールド内でパターンエッジ形状に
ばらつきが生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のパ
ターン形成方法では、描画フィールド内で描画パターン
のパターンエッジ形状のばらつきが生じるため、結果と
して試料上のパターンの寸法精度を低下させるという問
題点があった。
ターン形成方法では、描画フィールド内で描画パターン
のパターンエッジ形状のばらつきが生じるため、結果と
して試料上のパターンの寸法精度を低下させるという問
題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、試料上に描画されるパターンの
寸法精度を向上させることのできるパターン形成方法を
得ることを目的とする。
ためになされたもので、試料上に描画されるパターンの
寸法精度を向上させることのできるパターン形成方法を
得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るパターン
形成方法は、荷電ビーム露光を用いたパターン形成方法
において、描画フィールド内の荷電ビームの偏向収差量
の分布を測定し、上記測定された荷電ビームの偏向収差
量の分布から描画フィールド内の寸法ばらつきを補正す
るための補正テーブルを作成し、上記補正テーブルを用
いて荷電ビーム露光を行うものである。
形成方法は、荷電ビーム露光を用いたパターン形成方法
において、描画フィールド内の荷電ビームの偏向収差量
の分布を測定し、上記測定された荷電ビームの偏向収差
量の分布から描画フィールド内の寸法ばらつきを補正す
るための補正テーブルを作成し、上記補正テーブルを用
いて荷電ビーム露光を行うものである。
【０００７】また、上記寸法ばらつきの補正テーブルは
描画フィールド内の位置と描画図形サイズの変調量で表
現され、上記補正テーブルを描画図形データ内の各図形
に反映させた描画図形データを作成し、この描画図形デ
ータを用いて荷電ビーム露光を行うものである。
描画フィールド内の位置と描画図形サイズの変調量で表
現され、上記補正テーブルを描画図形データ内の各図形
に反映させた描画図形データを作成し、この描画図形デ
ータを用いて荷電ビーム露光を行うものである。
【０００８】あるいは、上記寸法ずれの補正テーブルは
描画フィールド内の位置と荷電ビームサイズの変調量で
表現され、上記補正テーブルを荷電ビーム露光装置内の
記憶装置に保持し、描画時にリアルタイムで補正テーブ
ルから必要な補正値を読み出して補正をかけながら荷電
ビーム露光を行うものである。
描画フィールド内の位置と荷電ビームサイズの変調量で
表現され、上記補正テーブルを荷電ビーム露光装置内の
記憶装置に保持し、描画時にリアルタイムで補正テーブ
ルから必要な補正値を読み出して補正をかけながら荷電
ビーム露光を行うものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、荷電ビーム露光を用いた
パターン形成方法において、目的のパターンを形成する
前に描画フィールド内の寸法ばらつきを補正するための
テーブルを作成し、上記補正テーブルを用いて荷電ビー
ム露光を行うことにより、描画フィールド内の寸法ばら
つきが低減される。
パターン形成方法において、目的のパターンを形成する
前に描画フィールド内の寸法ばらつきを補正するための
テーブルを作成し、上記補正テーブルを用いて荷電ビー
ム露光を行うことにより、描画フィールド内の寸法ばら
つきが低減される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を可変成形型電子
ビーム露光装置を例にとって図について説明する。図１
は上記可変成形型電子ビーム露光装置の描画フィールド
面上の電子ビーム強度の概略図である。図において、１
は電磁レンズの中心軸、５は電子ビームプロファイル、
６は描画フィールド面である。
ビーム露光装置を例にとって図について説明する。図１
は上記可変成形型電子ビーム露光装置の描画フィールド
面上の電子ビーム強度の概略図である。図において、１
は電磁レンズの中心軸、５は電子ビームプロファイル、
６は描画フィールド面である。
【００１１】図２は電子ビームのビームサイズとビーム
だれの関係を示した図で、ビームサイズが大きくなるに
つれビームだれ量が多くなっている。従って、ある図形
を描画するときに１回で描画するよりも描画を数回に分
け、その図形のエッジに当たる部分のビームサイズを小
さくして、ビームだれ量の少ないビームで描画すれば結
果として得られるパターンはエッジ部分が急峻なパター
ン形状となる。
だれの関係を示した図で、ビームサイズが大きくなるに
つれビームだれ量が多くなっている。従って、ある図形
を描画するときに１回で描画するよりも描画を数回に分
け、その図形のエッジに当たる部分のビームサイズを小
さくして、ビームだれ量の少ないビームで描画すれば結
果として得られるパターンはエッジ部分が急峻なパター
ン形状となる。
【００１２】次に図１について説明する。上記方法を利
用するために、まず描画フィールド内の電子ビームの偏
向収差量の分布を測定する。描画図形を描画する電子ビ
ームプロファイル５のエッジ形状が描画フィールド面６
内で等しくなるように描画を数回に分け、エッジ部分に
あたる電子ビームに注目して電子ビームの偏向収差の度
合いに応じてビームサイズを変調する。本実施例では描
画を符号２，３，４の３回に分け、エッジ部分にあたる
電子ビームサイズを偏向収差の度合いに応じて小さく
し、中央部分の電子ビームは両端の電子ビームサイズの
決定に応じてビームサイズを決定する。このビームサイ
ズの変調量と描画フィールド内の位置で補正テーブルを
作成する。上記補正テーブルを電子ビーム露光装置内の
記憶装置に保持し、描画時にリアルタイムで補正テーブ
ルから必要な補正値を読み出して補正をかけながら荷電
ビーム露光を行う。
用するために、まず描画フィールド内の電子ビームの偏
向収差量の分布を測定する。描画図形を描画する電子ビ
ームプロファイル５のエッジ形状が描画フィールド面６
内で等しくなるように描画を数回に分け、エッジ部分に
あたる電子ビームに注目して電子ビームの偏向収差の度
合いに応じてビームサイズを変調する。本実施例では描
画を符号２，３，４の３回に分け、エッジ部分にあたる
電子ビームサイズを偏向収差の度合いに応じて小さく
し、中央部分の電子ビームは両端の電子ビームサイズの
決定に応じてビームサイズを決定する。このビームサイ
ズの変調量と描画フィールド内の位置で補正テーブルを
作成する。上記補正テーブルを電子ビーム露光装置内の
記憶装置に保持し、描画時にリアルタイムで補正テーブ
ルから必要な補正値を読み出して補正をかけながら荷電
ビーム露光を行う。
【００１３】上記実施例では描画フィールド位置と電子
ビームサイズの変調量で補正テーブルを構成したが、他
の実施例として上記補正テーブルを描画フィールド位置
と描画図形サイズ変調量で構成し、上記補正テーブルを
描画図形データ内の各図形に反映させた描画図形データ
を作成するようにしてもよく、上記と同様の効果が期待
できる。
ビームサイズの変調量で補正テーブルを構成したが、他
の実施例として上記補正テーブルを描画フィールド位置
と描画図形サイズ変調量で構成し、上記補正テーブルを
描画図形データ内の各図形に反映させた描画図形データ
を作成するようにしてもよく、上記と同様の効果が期待
できる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、荷電
ビーム露光を用いたパターン形成方法において、描画フ
ィールド内の荷電ビームの偏向収差を補正するためのテ
ーブルを作成し、上記補正テーブルを用いて荷電ビーム
露光を行うことにより描画フィールド内の寸法ばらつき
が低減され、その結果、試料内に形成されるパターンの
寸法精度を向上できるという効果が得られる。
ビーム露光を用いたパターン形成方法において、描画フ
ィールド内の荷電ビームの偏向収差を補正するためのテ
ーブルを作成し、上記補正テーブルを用いて荷電ビーム
露光を行うことにより描画フィールド内の寸法ばらつき
が低減され、その結果、試料内に形成されるパターンの
寸法精度を向上できるという効果が得られる。
【図１】この発明の一実施例による可変成形型電子ビー
ム露光装置の描画フィールド面上の電子ビーム強度の概
略図である。
ム露光装置の描画フィールド面上の電子ビーム強度の概
略図である。
【図２】上記実施例で利用する方法の説明に用いた電子
ビームのビームサイズとビームだれの関係を示した図で
ある。
ビームのビームサイズとビームだれの関係を示した図で
ある。
【図３】従来技術による可変成形型電子ビーム露光装置
の電子光学系の概略図である。
の電子光学系の概略図である。
１ 電子レンズの中心軸 ２ 電子ビームプロファイル ３ 描画フィールド面
Claims (3)
- 【請求項１】 荷電ビーム露光を用いたパターン形成方
法において、 描画フィールド内の荷電ビームの偏向収差量の分布を測
定し、 上記測定された荷電ビームの偏向収差量の分布から描画
フィールド内の寸法ばらつきを補正するための補正テー
ブルを作成し、 上記補正テーブルを用いて荷電ビーム露光を行うことを
特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のパターン形成方法におい
て、 寸法ばらつきを補正するための補正テーブルは描画フィ
ールド内の位置と荷電ビームサイズの変調量で表現さ
れ、 上記補正テーブルを荷電ビーム露光装置内の記憶装置に
保持し、 描画時にリアルタイムで補正テーブルから必要な補正値
を読み出して補正をかけながら荷電ビーム露光を行うこ
とを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のパターン形成方法におい
て、 寸法ばらつきの補正テーブルは描画フィールド内の位置
と描画図形サイズの変調量で表現され、 上記補正テーブルを描画図形データ内の各図形に反映さ
せた描画図形データを作成し、 この描画図形データを用いて荷電ビーム露光を行うこと
を特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276691A JPH0555123A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276691A JPH0555123A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555123A true JPH0555123A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17093962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24276691A Pending JPH0555123A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555123A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240910A (ja) * | 1988-07-31 | 1990-02-09 | Nec Corp | 電子ビーム露光装置 |
| JPH03138842A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-13 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP24276691A patent/JPH0555123A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240910A (ja) * | 1988-07-31 | 1990-02-09 | Nec Corp | 電子ビーム露光装置 |
| JPH03138842A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-13 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
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