JPH0240215B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0240215B2
JPH0240215B2 JP59112169A JP11216984A JPH0240215B2 JP H0240215 B2 JPH0240215 B2 JP H0240215B2 JP 59112169 A JP59112169 A JP 59112169A JP 11216984 A JP11216984 A JP 11216984A JP H0240215 B2 JPH0240215 B2 JP H0240215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
button
chip
wiring board
integrated circuit
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59112169A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS605534A (ja
Inventor
Sumoorii Robaato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp
Original Assignee
TRW Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TRW Inc filed Critical TRW Inc
Publication of JPS605534A publication Critical patent/JPS605534A/ja
Publication of JPH0240215B2 publication Critical patent/JPH0240215B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
    • H05K7/1053—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
    • H05K7/1061—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by abutting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15717—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400 C and less than 950 C
    • H01L2924/15724—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20757—Diameter ranges larger or equal to 70 microns less than 80 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20758—Diameter ranges larger or equal to 80 microns less than 90 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20759—Diameter ranges larger or equal to 90 microns less than 100 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路（IC）チツプをプリント配
線板に接続する技術に係わる。
通常集積回路チツプはセラミツクのパツケージ
にのせた後、多層プリント配線板に接続される。
一般に多層プリント配線板は縁周部で普通は「母
板」と呼ばれているそれより大型のプリント配線
板にさし込み接続（プラグ・イン）される。各集
積回路チツプ（以下チツプと略称する）は数千の
超小型トランジスターから構成され、これらの超
小型トランジスターはチツプ縁部に配列され外部
への接続端子となる導電性パツドに最終的に接続
される。この電気接点の形成は極細のワイヤを各
パツドにハンダ付けし、各ワイヤはセラミツク・
パツケージの周縁に配置したピンにそれぞれ接続
される。該ピンは多層プリント配線板に設けられ
た対応する受口（コンセント）に差し込まれる。
大規模集積（LSI）システムにチツプを接続す
る上記の従来技術に伴う問題点のひとつはチツプ
上のバツドとセラミツク・パツケージにワイヤー
を接合するのに高価な機械設備と熟練した腕を要
し、通常接合作業は工場のみで行われていた。接
続により、ワイヤー間のインダクタンスが増大す
る一方セラミツク・パツケージに依り系統の総キ
ヤパシタンスが増大するので高速作業が出きな
い。さらに、セラミツク・パツケージにヒート・
シンクが装着されているような場合、セラミツ
ク・パツケージ自体がチツプとヒート・シンク間
の熱伝達を妨げ、結果的にチツプの動作温度の上
昇をきさす。さらにまた、各パツドと多層プリン
ト板と間では４箇所でのワイヤ接続を必要とす
る。即ち、各パツドには各ワイヤの両端が接続さ
れ、各ピンの両端はセラミツク・パツケージに接
続される。この事が全体としての接続作業に対し
質的な限界を付与する。最後に、セラミツク・パ
ツケージの各ピン間に所定の間隔をとる必要があ
り、このためセラミツク・パツケージはチツプそ
れ自体よりも３〜４倍に表面積を大きくする必要
がある。この為、所与の多層プリント配線板のチ
ツプの数は必然的に限られてくる。
本発明に於いて、チツプと多層プリント配線板
の間の確実な組み付けと接続がセラミツク・パツ
ケージ、ハンダ付けのワイヤ及び特別な機械と熟
練等を必要せずに可能である。
本発明では、チツプは金属等を材料とし且つヒ
ートシンク及びハーメチツク・シール双方の役目
をするハウジングに組み付ける。このハウジング
はチツプがぴつたり収まる凹部を有する。周囲に
接続パツドを設け薄膜集積回路を形成してあるチ
ツプの上面はハウジング面に対向していない。絶
縁材を含むボタン板はチツプの上面を覆つており
該ボタン板にはチツプ周縁部の各接続パツドと対
応する複数の円筒状の穴が形成されている。
ボタン板の各円筒状穴の中にはフアズ・ボタ
ン、即ち円筒状の固く圧縮した巻きワイヤから成
る巻きワイヤ接続子が保持されている。このワイ
ヤ接続子、即ちフアズ・ボタンは、接触面に対し
圧縮した時、多数の点で電気接続する固く巻いた
単一のワイヤから形成されることが望ましい。こ
の種の機械的接続子はハンダ付けの接続子又はワ
イヤを巻きつけた接続子よりも大きな利点有し、
その接続の完全性と確実性は高い。ハンダ付けに
よる接続に比較して、本接続子は接続性能に影響
を及ぼし得る変数が少い。事実、本接続子に於け
る重要な変数は寸法と接続時の圧縮力のみであ
り、寸法に関してはかなりの程度まで自由に調整
が可能であり圧縮力についても同様に簡単に制御
できる。本円筒状フアズ・ボタンの長さはボタン
板の厚さよりも大きいので、ボタン板の両面から
飛び出して設けられ、その下のチツプと接続す
る。
ボタン板及び複数のフアズ・ボタン上の多層プ
リント配線板はボタン板に向い合う底面に特別な
パターンの導電部を有し、この導電部の別個の接
触点はボタン板の各穴のフアズ・ボタンとそれぞ
れ対応する。従つて多層プリント配線板はフア
ズ・ボタンを介しチツプ上の各パツドと電気的接
続関係を有することになる。該多層プリント配線
板の上面を覆つてのせるクランプに依り優れたオ
ーム接触が確保できる。該クランプは各フアズ・
ボタンをその下のパツドと上のプリント配線板底
面の接触点で圧縮するように、ハウジングに固定
される。この時クランプの圧着によりフアズ・ボ
タンは圧着力に対応して変形し、高性能の電気的
接続となる。フアズ・ボタンの変形は弾性変形で
ある事が望ましい。この場合、圧縮を除くと、フ
アズ・ボタンは元の形状に戻る。
本発明の利点のひとつはセラミツク・パツケー
ジ及びびそれに付随するハンダ付けワイヤーが不
要だということである。従つて、チツプをプリン
ト配線板に接続するのに特別の道具及び熟練した
腕を必要としない。実際、チツプの交換も簡単な
道具で特別な手間も必要とせずに、工場でなくて
も可能である。さらに、ハンダ付けワイヤの接続
に依るインダクタンス及びセラミツク・パツケー
ジの誘電キヤパシタンスという幣害も排除でき
る。チツプの各パツドと多層プリント配線板、即
ち、対応フアズ・ボタンの間だけが接続されるだ
けで、この接続は極めて高性能の電気的接続とな
る。セラミツク・ハウジングが不要であるという
ことは、ハウジングを形成するヒートシンクとセ
ラミツク・パツケージ間の熱伝達を妨げる主原因
を取り除くということである。最後に、チツプ上
のパツドと多層プリント配線板に接続する最終端
子間にフアン・アウト接続がないので、本発明に
依る多層プリント配線板のチツプ密度を既知技術
に依るものよりも約３倍以上にできる。本発明の
最重要とも言える利点は既知技術に於いてチツプ
上のパツドとセラミツク・パツケージを個々にワ
イヤでハンダ付けするに必要な特別の機械と熟練
を不要とすることから得られる経済性である。
本発明はコンピユータ、おもちや、軍事及び一
般利用エレクトロニクス技術分野に於ける集積回
路接続に応用されるであろう。
第１図に於いて、ハウジング２はハーメチツ
ク・シール及びヒートシンクとしての機能を併せ
もつ。例えばハウジング２は厚さ約0.055インチ
（1.397mm）の平たいアルミ基板から構成されその
上面に深さ約0.035インチ（0.889mm）の凹部４を
形成している。（第１図の実施例）。集積回路チツ
プ（以下チツプと称す）６は本実施例では厚さが
0.025インチ（0.635mm）台で、この凹部４にぴつ
たりとはまる。チツプ６の上面は薄膜集積回路及
び周縁に複数の接続パツド８を含みハウジング２
の上面には向い合つていない。ボタン板１０もま
た凹部４にびつたりと収まりチツプ６の上面にの
せられる。ボタン板の厚さは本実施例では0.010
インチ（0.254mm）台である。凹部４、チツプ６
及びボタン板１０は組み付けがびつたりとなるよ
うに互いに相似であることが望ましい。ボタン板
１０は複数の穴１２を形成し、各穴１２は中にそ
の両端から突出するフアズ・ボタン１４即ち巻い
たワイヤの接続子を一個づつ保持する。
フアズ・ボタン１４は固く巻いた極細のワイヤ
から構成される。各穴１２は直径0.04インチ
（0.102mm）の円形でボタン板１０の全断面に渡つ
て延び、チツプ６縁周部の各接続パツド８と対応
する位置にある。各フアズ・ボタン１４は直径
0.04インチ（0.102mm）（従つて穴１２にびつたり
はまる）高さ0.016インチ（0.406mm）の円筒形に
巻かれた、径が0.0003〜0.0005インチ（0.0076〜
0.0127mm）のベリリユウム−銅合金のワイヤであ
る。
フアズ・ボタン１４は他に銅98.5％、銀1.5％
の銅−銀合金のワイヤ又は燐−青銅の合金ワイヤ
でもよい。このワイヤを固い形状（望ましい形と
ししては円筒形）に絞つて体積密度30％のフア
ズ・ボタン１４を形成する。
望ましくは多層プリント配線板である配線板１
６はハウジング２、チツプ６及びボタン板１０上
を覆い、ハウジング２にクランプ２０とねじ２２
で圧着する。配線板１６の底面は各フアズ・ボタ
ン１４に対向する複数の導電性接触点１８を有す
る。チツプ６の各パツド８と各導電性接触点１８
の間で、各フアズ・ボタン１４はクランプ２０の
圧縮作用で最初の0.016インチ（0.406mm）からボ
タン板１０の厚さとほぼ等しい0.010インチ
（0.254mm）に長さが縮まる。このように各フア
ズ・ボタン１４はその一端で対応するパツド８と
他端でプリント配線板上の対応する接触点１８の
間に挾まれて高性能の電気的接続を付与する。フ
アズ・ボタン１４の圧縮は弾性圧縮であることが
望ましい。それにより、圧縮を及ぼしているクラ
ンプ２０を取り除くとフアズ・ボタン１４が元の
形に戻る。チツプ６の交換の際、フアズ・ボタン
１４及びボタン板１０は取りはずして交換を行つ
た後に再び使用させる。
通常チツプ上の接続パツド８はチツプ６の周縁
に金属融射に依る四角い薄膜であり、各パツド８
は一辺が0.004インチ（0.102mm）でチツプ６の縁
から0.005インチ（0.127mm）内側を中点として配
置されている。上記の詳細な記述は典型例に就い
てのもので本発明の実施例に基づいている。しか
し、変形が可能である。例えば、フアズ・ボタン
１４の断面は円形でなく方形でもよい。この場
所、穴１２も方形となる。さらに、上述の寸法も
典型例として述べたもので、本発明の範囲から逸
脱しないかぎりハウジング２の厚さ、凹部４の深
さ、チツプ６の厚さ、ボタン板１０の厚さ等は上
述したのとは異う寸法であつてもよい。最後に、
ハウジング２はアルミニユームを材料としなくて
もよいしまたヒートシンクとしての機能を果すも
のでなくてもよい。例えば、チツプ６と接するハ
ウジング２の部分のみがヒートシンク部を構成し
他の部分は放熱性がなくてもよい。さらに、フア
ズ・ボタン１４と接続パツド８に対応して結合す
るのに凹部４とクランプ２０以外の方法を用いて
もよい。
ボタン板１０はエポキシのような硬質プラスチ
ツクを材料としてもよい。多層プリント配線板１
６の唯一の必要条件はその底面の各接触点１８が
各フアズ・ボタン１２、ボタン板の穴１２及びチ
ツプ上の接続パツド８に対向する配置であるとい
うことである。さらに、配線板１６は必ずしも多
層プリント配線板である必要はない。
チツプ６に機能上の障害があつた場合、プリン
ト配線板８を含む系統は単に個々のチツプ６を交
換するだけで修理が可能である。この修理は簡単
で単にねじ２２をゆるめクランプ２０、配線板１
６、ボタン板１０（フアズ・ボタン１４は各穴１
２に入れたままにしておく）を取りはずし、チツ
プ６を交換してから上述の分解作業手順を逆にた
どつて組み付ける。本発明は添付の図面を参照に
して明細書を読むことで一層の理解が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のボタン板を有する集積回路チ
ツプの分解斜視図である。 ２……ハウジング、４……凹部、６……チツ
プ、８……接続パツド、１０……ボタン板、１２
……穴、１４……フアズ・ボタン、１６……プリ
ント配線板、１８……接触点、２０……クラン
プ、２２……ねじ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 多数の接続パツド８を周辺に配置した集積回
    路チツプ６を収容する凹所４を有する熱伝導性材
    料のハウジング２と、 前記の集積回路チツプの周辺に一致する枠板と
    前記の接続パツド８の位置に一致した位置に枠板
    に開けた穴１２に挿入した巻いたワイヤーの接続
    子１４とから成るボタン板１０と、 前記の集積回路チツプの周辺に一致する位置に
    配置した導電性接触点１８を有する配線板１６
    と、 前記のハウジング２とネジで係合するクランプ
    ２０と を備え、前記の凹所は前記の集積回路チツプ６と
    前記のボタン板１０とを収容する深さとなつてお
    り、そして前記の接続子１４は前記のハウジング
    ２とクランプ２０とのクランプによつて圧縮され
    て前記の接続パツド８と前記の導電性接触点１８
    とを電気的に接続することを特徴とした集積回路
    とプリント配線板との組立体。
JP59112169A 1983-05-31 1984-05-31 集積回路とプリント配線板との組立体 Granted JPS605534A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US49913783A 1983-05-31 1983-05-31
US499137 1995-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS605534A JPS605534A (ja) 1985-01-12
JPH0240215B2 true JPH0240215B2 (ja) 1990-09-10

Family

ID=23983990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59112169A Granted JPS605534A (ja) 1983-05-31 1984-05-31 集積回路とプリント配線板との組立体

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0127377B1 (ja)
JP (1) JPS605534A (ja)
KR (1) KR910006953B1 (ja)
DE (1) DE3480984D1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8530098D0 (en) * 1985-12-06 1986-01-15 Boudry M R Image reproduction
US4733172A (en) * 1986-03-08 1988-03-22 Trw Inc. Apparatus for testing I.C. chip

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5792843A (en) * 1980-11-29 1982-06-09 Toshiba Corp Semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE31114E (en) * 1975-11-13 1982-12-28 Tektronix, Inc. Electrical connector
CA1073557A (en) * 1976-06-30 1980-03-11 Ven Y. Doo Multilayer interconnect system, and method of making
JPS536872A (en) * 1976-07-07 1978-01-21 Minnesota Mining & Mfg Connector
DE2912202B1 (de) * 1979-03-28 1980-10-02 Metz App Werke Inh Paul Metz Anordnung einer integrierten Schaltung auf einer Leiterplatte
US4387388A (en) * 1980-07-14 1983-06-07 Ncr Corporation Package and connector receptacle
US4395084A (en) * 1981-07-06 1983-07-26 Teledyne Industries, Inc. Electrical socket for leadless integrated circuit packages
US4437718A (en) * 1981-12-17 1984-03-20 Motorola Inc. Non-hermetically sealed stackable chip carrier package

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5792843A (en) * 1980-11-29 1982-06-09 Toshiba Corp Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0127377B1 (en) 1990-01-03
JPS605534A (ja) 1985-01-12
KR910006953B1 (ko) 1991-09-14
KR850000905A (ko) 1985-03-09
EP0127377A2 (en) 1984-12-05
EP0127377A3 (en) 1985-04-10
DE3480984D1 (de) 1990-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5315481A (en) Packaging construction for semiconductor wafers
TW381328B (en) Dual substrate package assembly for being electrically coupled to a conducting member
US4459607A (en) Tape automated wire bonded integrated circuit chip assembly
JP4988908B2 (ja) ランド・グリッド・アレイ・コネクタのためのキャリア
US5282111A (en) Thermal transfer plate and integrated circuit chip or other electrical component assemblies including such plate
US3984166A (en) Semiconductor device package having lead frame structure with integral spring contacts
JPH0654695B2 (ja) コネクタ
US5206188A (en) Method of manufacturing a high lead count circuit board
JPH05205832A (ja) フレキシブルテープ構造及びフレキシブルテープ形成プロセス
US6392887B1 (en) PLGA-BGA socket using elastomer connectors
US4885662A (en) Circuit module connection system
US3366914A (en) Solderless connector for printed board circuits
US6723927B1 (en) High-reliability interposer for low cost and high reliability applications
US4254446A (en) Modular, hybrid integrated circuit assembly
US4046442A (en) Pluggable semiconductor device package
JPH0240215B2 (ja)
EP0449150B1 (en) Thermal transfer plate and integrated circuit chip or other electrical component assemblies including such plate
JPS61259470A (ja) 半導体チツプに直接相互連結させるための圧着式電気ソケツト
JPH0738290A (ja) 半導体実装装置
JP3252255B2 (ja) Ｉｃソケット
JP2504486B2 (ja) 混成集積回路構造
JPH02134890A (ja) 回路素子実装基板
JP2000277885A (ja) 電気コネクタおよびその製造方法
US4397510A (en) Capsule connector
JPH05275838A (ja) 電子装置用モジュール