JPH023991A

JPH023991A - 光半導体装置

Info

Publication number: JPH023991A
Application number: JP63152623A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Hino; 敦司日野
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1988-06-20
Filing date: 1988-06-20
Publication date: 1990-01-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、発光半導体素子もしくは受光半導体素子の
ような光半導体素子を備えた光半導体装置に関するもの
である。

〔従来の技術〕

発光ダイオード等の発光半導体素子、フォトダイオード
等の受光半導体素子、ＣＣＤ型やＭＯＳ型の固体撮像素
子、アモルファスシリコンイメージセンザー等を備えた
光半導体装置は、ランプ。

センサー　フォトカブラあるいはカメラやファクシミリ
等の心臓部等として目覚ましい発展を続けている。これ
に伴って、これら光半導体装置の光の発光効率の向上や
受光効率の向上を目的として上記発光半導体素子や受光
半導体素子の表面に各種の皮膜を形成することが行われ
ている。このような皮膜としては、一般に５ｉＯｚから
なるものが知られている。ＳｉＯ□膜は上記のような発
光効率向上作用ないしは受光効率向上作用を有している
が５ｉＯｚ膜を形成するためには高価なスパッタリング
装置を必要とするため、製品にコスト高をもたらすとい
う欠点を有している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このため、最近では上記無機系の皮膜に代えてポリイミ
ド皮膜を用いることが検討されている。

ポリイミド皮膜の形成は、上記無機系皮膜のようなスパ
ッタリング装置を必要としないため容易であり、しかも
、生成皮膜は、良好な特性を備えている。

しかしながら、ポリイミド皮膜は、その製造に至る苛酷
な熱履歴により黄色ないしは黄褐色に着色しており、１
μｍ程度の薄膜にしてもその着色状態が残り、それによ
って光の透過率の低下を招くため、これを用いると、発
光効率ないしは受光効率が理論値よりも低下するという
難点を生じる。このような傾向は皮膜を厚膜にした場合
に顕著になる。そのうえ、ポリイミド皮膜が上記のよう
に着色しているため、これを用いた発光半導体装置では
着色皮膜により発光波長特性が変化し所望の色を出しに
くいというような問題も生じている。このような問題は
、無色透明なポリイミド皮膜を提供することにより解決
することができる。

一方、上記ＳｉＯ□膜を表面保護に用いたフォトダイオ
ードや、カラーフィルターを有する固体撮像装置のよう
な光半導体素子の表面層の屈折率は１．４０〜１．６０
である。他方、ポリイミド皮膜は一般に高屈折率を有し
ていることはよく知られており、通常、１．６８以上で
ある。一般に、２つの層の界面を光が透過する場合、そ
の界面での光の反射率（Ｒ）はつぎのように表される。

上記式から、２つの層の屈折率の差が小さいほど反射率
が減少し、光の透過率が増加することがわかる。ところ
が、ポリイミド皮膜は前述のように一般に屈折率が高い
ため光半導体素子の表面の屈折率との差が大きく、光半
導体素子表面にポリイミド皮膜を形成した場合上記界面
における光の反射率が高くなり、その結果光の透過率が
減少してしまう。また、ポリイミド皮膜内での光の多重
反射が原因となる干渉縞の発生により、光半導体素子の
感度が悪化するという問題が生じてくる。

このような問題は、光半導体素子上に無色透明で、かつ
低屈折率を有するポリイミド皮膜を形成することにより
解決される。

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光
半導体素子を低屈折率の無色透明なポリイミド成形体で
被覆し、発光効率ないし受光効率を向上させることを目
的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的を達成するため、この発明の光半導体装置は
、光半導体素子が、下記の一般式（Ｉ）で表される繰り
返し単位、−船人（ｎ）で表される繰り返し単位、−船
人（ＩＩ［）で表される繰り返し単位および一般式（Ｉ
Ｖ）で表される繰り返し単位からなる群から選択された
少なくとも一つの繰り返しを主成分とする無色透明なポ
リイミド成形体で被覆されているという構成をとる。な
お、この発明において、「主成分とする」とは、全体が
主成分のみで構成されている場合も含む趣旨である。

〔作用］すなわち、この発明者は、光半導体素子の皮膜に最適な
ポリイミドを得るために一連の研究を重ねた結果、上記
の一般式（１）で表される繰り返し単位、−形式（ＩＩ
）で表される繰り返し単位−形式（ＩＩＩ）で表される
繰り返し単位および一般式（ＩＶ）で表される繰り返し
単位の少なくとも一つの繰り返し単位を主成分とする無
色透明で、かつ低屈折率のポリイミドを使用すると所期
の目的を達成しうろことを見いだしこの発明に到達した
。

（１）で表される繰り返し単位、−形式（Ｉ［）で表さ
れる繰り返し単位、−形式（ＩＩ［）で表される繰り返
し単位および一般式（ｒＶ）で表される繰り返し単位の
少なくとも一つの繰り返し単位を主成分とする無色透明
で、かつ低屈折率のポリイミド成形体（以下「低屈折率
かつ無色透明ポリイミド成形体」と略す）と光半導体素
子とを用いて得られる。

上記低屈折率かつ無色透明なポリイミド成形体は、下記
の式（Ｖ）下記の一般式（ＶＩ）ないしくＩＸ）で表される芳香族
ジアミノ化合物からなる群から選択された少なくとも一
つのジアミノ化合物との反応によって得られる。

１１ｚＮ＜ＸＶｏ−ＮＨｚ　　−（Ｖｌ　））１ｚＮＣ
Ｏ※Ｘ２ぺΣ０−Ｃ）−ＮＨ、・・・（■）Ｘ。

Ｉｔ　ｚＮ−０−０−ｆｃｊＦＯｉＮＨｚ・・・　（Ｉ
Ｘ）で表すれる２、２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）へキサフルオロプロパンニ無水物と、上記芳香族ジ
アミノ化合物のうち、−形式（■）で表される芳香族三
核体ジアミンの代表例としては、下記のものがあげられ
る。

ｔｌｚＮ−（ツー０−（ツーＮｌｌ。

ＨｚＮ−ｃ＞５Ｏｚ−（シーＮＨｚ１１□Ｎ＋　Ｓ−−イ”：＋ＮＨ。

１１ｚＮ−４Ｄ−ＣＨｚ−（シーＮＨ２Ｐ３１１□Ｎ＋０−Ｑ−Ｃ−０＞−０ベフーＮｉ１□ＣＦ。

上記−船人（■）で表される芳香族−核体ジアミンの代
表例としては、下記のものがあげられる。

メタフェニレンジアミンまた、上記−船人（■）で表される芳香旅回核体ジアミ
ンの代表例としては、下記のものがあげられる。

１１□Ｎ−ｅ−０−ｅ−５Ｏ□（）←０（）−ＮＨ。

１ｈ１１□Ｎ＋　０　＜シーＣ（フヒ０（シーＮＨ２（以下
余白）２４−トルエンジアミン４．６−シメチルメタフエニレンジアミン２．４−ジア
ミノメシチレン４−クロルメタフェニレンジアミン５−ニトロメタフェニレンジアミンまた、上記−船人（ＩＸ）で表される芳香族三核体ジア
ミンの代表例としては、下記のものがあげられる。

Ｈｚ　ＮｔＯ−Ｑ−０−１０１−ＮＨ□Ｉｔ　ｚ　ｔＯ
？Ｏ？ＮＨｚ上記芳香族三核体ジアミン、芳香旅回核体ジアミン、芳
香族−核体ジアミンおよび芳香族三核体ジアミンはそれ
ぞれ単独で用いてもよいし、適宜組み合わせて用いても
よい。

上記のような２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）へキサフルオロプロパンニ無水物と上記の芳香族
ジアミンとを組み合わせることにより初めて、前記−船
人（Ｉ）ないしくＩＶ）で表される繰返し単位の１種も
しくは２種以上を主成分とする低屈折率かつ無色透明ポ
リイミド成形体が得られるのである。

この場合において、低屈折率かつ無色透明ポリイミド成
形体の主成分となる上記−船人（１）ないしくＩＶ）で
表される繰返し単位の含有量が多いほど得られるポリイ
ミド成形体の無色透明性および低屈折率が高まる。なお
、得られるポリイミド成形体の屈折率は、１．４６〜１
．６２が好ましい。

しかしながら、上記の一般式（１）ないしくＩＶ）で表
される繰返し単位の少なくとも一つが、７０モル％以上
含有されていれば少なくともこの発明で求める無色透明
性が確保される。したがって、その範囲内において、上
記２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキ
サフルオロプロパンニ無水物以外のその他の芳香族テト
ラカルボン酸二無水物および上記芳香族ジアミン以外の
その他のジアミノ化合物を用いることができる。しかし
、上記−船人（１）ないしくＩＶ）で表される繰返し単
位の少なくとも一つの含有量の好ましい範囲は７０モル
％以上であり、最も好ましい範囲は９５モル％以上であ
る。

また、ポリイミド成形体の無色透明性を損なわない範囲
で、例えば、下記の（イ）〜（ト）に示すようなシリコ
ーン系ジアミンおよび下記の（１）〜（８）に示すよう
なシランカップリング剤等を上記芳香族テトラカルボン
酸二無水物およびジアミノ化合物とともに加えることが
できる。

ＣＬ　　ＣＨ３！１□Ｎ−（Ｃ！（−１＋Ｔ−３ｉ−０−３１−ＨＣＩ
ｌ□トロＮ１１．　　　・・・　（イ）Ｃ１１３Ｃ）！
。

Ｃ６１（Ｓ　　Ｃ６Ｈ３ＨｚＮ−Ｈｃｎ、テ「Ｓｉ　ＯＳｉ−→ＣＨハゴーＮＨ
。

Ｃ６Ｈ５Ｃ６Ｈ５・・・　（ニ）ＣＨ，ＣＨ３（以下余白）ＣＨ３Ｃ１＋、１ＨｚＮ→ＣＨ斤Ｓｉ→コトＳｉ云ＣＨ辻ｒＮＨｚ　　−
（ハ）Ｃ１１３ＣＨ３ＨｚＮＣＨｚＣＨｚＮＨＣＨｚＣＨｚＣＨｚＳｉ　（Ｏ
ＣＨ３）　：１・・・（１）１１□ＮＣ０ＮＨＣＨｔＣＩＩ２ＣＨ□Ｓｔ　（ＯＣｚ
ｔｌｓ）　３　　　　　　・・・（２）Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＣＨ□５ｔ（ＯＣｔＨ６）、　　　　　　　　・・
・（３）Ｈ２ＮＣｔｌ　ｚＣ！１ｚＮＩＩｃＨ（ＣＨ３
）　Ｃ８２Ｓ　ｉ　（ＣｂＨｓ）　（ＯＣＨ３）　ｔ　
”・（４）１１□ＮＣＩ□ＣＩ　（Ｎ　Ｈｔ　）　ＣＨ
□Ｓｉ　（ＯＣＯＣＨ３）　ｓ　　　　　・・・（８）
上記物質を用いることにより、特に、形成されたポリイ
ミド皮膜が光半導体素子表面に強固に密着し、より一層
信顛性が向上する。

この発明に用いる低屈折率かつ無色透明ポリイミド成形
体は、上記の２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）へキサフルオロプロパンニ無水物およびジアミノ
化合物を有機極性溶媒中において、８０°Ｃ以下の温度
で重合させることによりポリアミド酸溶液をつくり、こ
のポリアミド酸溶液を用いて所望の形状の賦形体（例え
ば、光半導体素子表面に対する皮膜）を形成し、この賦
形体を空気中または不活性ガス中において、温度＝５０
〜３５０°Ｃ２圧カニ常圧もしくは減圧の条件下で有機
極性溶媒を蒸発除去すると同時にポリアミド酸を脱水閉
環してポリイミドにすること等により得られる。また、
上記ポリアミド酸をピリジンと無水酢酸のベンゼン溶液
等を用い、脱溶媒とイミド化を行いポリイミドにするこ
と等、化学的イミド化方法によっても得ることができる
。さらに、上記ポリアミド酸溶液を適当な方法によりポ
リイミド化しこのポリイミド溶液を用いて所望の賦形体
を形成し、この賦形体を空気中または不活性ガス中にお
いて、温度５０〜２５０°Ｃ２圧カニ常圧もしくは減圧
の条件下で有機極性溶媒を蒸発除去することでも得られ
る。この方法によれば、沸点が１７０°Ｃ以下の比較的
低沸点の溶媒を用いることにより単に溶媒を除去するこ
とだけで低屈折率かつ無色透明ポリイミド成形体を得る
ことができる。そのため、従来からの加熱による脱水閉
環と比較して非常に低い温度での成形が可能となる。こ
れにより、光半導体自身の熱劣化、例えば、フルカラー
固体礒像素子におけるカラーフィルターのように掻めて
熱劣化を生じ易いものに対しても劣化を招くことなく用
いることができる。なお、ポリイミド溶液の生成方法は
、ポリアミド酸溶液を空気中あるいは不活性ガス中にお
いて、温度８０〜２５０°Ｃで加熱還流しポリアミド酸
を脱水閉環することにより得られる。また、このように
して得られるポリイミド溶液を溶媒置換により、低沸点
の溶媒に溶解させれば低温での成形が容易になる。さら
に、ポリイミド溶液は、上記ポリアミド酸に無水酢酸の
ような脱水剤とピリジンに代表される触媒等を組み合わ
せてイミド化する方法によっても得ることができる。こ
の場合、イミド化後溶媒置換によりピリジンおよび無水
酢酸を除去することが好ましい。

上記ポリアミド酸の合成時に使用する有機極性溶媒とし
ては、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ’−ジ
メチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テ
トラエチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロビル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、Ｔ−ブチロラクトン、シクロヘキサン、アセトフ
ェノン、テトラヒドロフラン、ジクライム等が好適であ
る。特に、Ｎ、Ｎ’ジメチルアセトアミド、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、シクロヘキサン、テトラヒ
ドロフラン、ジクライムのような沸点が１７０　’Ｃ以
下のものが好ましい。これらの有機極性溶媒は単独で用
いてもよいし、２種以上を混合して用いても支障はない
。ただし、上記有機極性溶媒としてＮ−メチル−２−ピ
ロリドンを用いることは避けることが好ましい、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドンは、ポリアミド酸溶液の賦形体を
加熱し、脱水閉環してポリイミド化する際の加熱によっ
て一部分解し、その分解物が残存して黒褐色を呈するよ
うになり、これが生成ポリイミド成形体を黄褐色に着色
する傾向が見られるからである。有機極性溶媒として、
上記に例示したＮ、Ｎ’　−ジメチルアセトアミド等の
各溶媒は、沸点が低いため、上記の加熱によって分解す
る前に揮散してしまい、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの
ようなポリイミド成形体に対する着色を生じない。しか
しながら、重合溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン
中用い、ポリアミド酸あるいはポリイミド合成後、溶媒
置換により、上記例示の好適な溶媒に生成ポリアミド酸
あるいはポリイミドを溶解するようにすれば、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドンの上記弊害を排除しうる。この場合
、上記例示の好適な溶媒は希釈溶媒となる。上記ポリイ
ミド成形体の製造に際しては、このように、重合溶媒と
希釈溶媒とを別種のものにし、溶媒置換によって生成ポ
リアミド酸あるいはポリイミドを希釈溶媒に溶解するよ
うにしてもよいのである。

なお、上記に例示した好適な有機極性溶媒を使用する際
に、上記溶媒に、エタノール５　トルエン、ベンゼン、
キシレン、ニトロベンゼン等の、透明性を損なわない貧
溶媒または良溶媒を、溶解性を損なわない範囲内におい
て一種もしくは二種以上適宜混合して用いてもよい。た
だし、これらの溶媒は、多量に使用すると、生成ポリア
ミド酸あるいはポリイミドの溶解性に悪影響を及ぼすよ
うになる。したがって、その使用量は溶媒全体の５０重
量％未満に制限することが妥当であり、最も好ましいの
は３０重四％までにとどめることである。

上記のようにして、低屈折率かつ無色透明ポリイミド成
形体を製造する際に、ポリアミド酸溶液あるいはポリイ
ミド溶液の対数粘度は０．３〜５．０の範囲にあること
が好ましい。より好適なのは０゜４〜２．０である。上
記対数粘度は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中０．５ｇ
／Ｌｏｏｒｌｄｌの濃度で測定した値である。この対数
粘度が低すぎると得られるポリイミド成形体の機械的強
度が低くなるため好ましくない。また、対数粘度が高す
ぎるとポリアミド酸溶液あるいはポリイミド溶液を適当
な形状に賦形する際に流延させにくく作業が困難となる
ため好ましくない。また、ポリアミド酸溶液あるいはポ
リイミド溶液の濃度も、作業性等の見地から、１０〜７
０重量％に設定することが好ましい。

なお、上記対数粘度はつぎの式で計算されるものであり
、式中の粘度は毛細管粘度計により測定されるものであ
る。

ポリアミド酸溶液を用いての賦形の方法は、目的とする
成形体の形状により異なるが、例えば光半導体素子表面
にポリイミド膜を形成する場合には上記光半導体素子の
表面にポリアミド酸溶液を一定の厚みになるように塗布
流延し、１００〜３５０°Ｃの温度で徐々に加熱して脱
水閉環させ、ポリアミド酸をイミド化することが行われ
る。ポリアミド酸溶液からのポリイミド膜形成における
有機極性溶媒の除去およびポリアミド酸のイミド化のた
めの加熱は、連続して行ってもよく、またこれらの工程
を減圧下もしくは不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。

さらに、短時間であれば４００°Ｃ前後まで最終的に加
熱することにより生成ポリイミド膜の特性を向上させる
ことができる。また、ポリイミド溶液を用いての賦形方
法としては、空気中あるいは不活性ガス雰囲気中で、常
圧あるいは減圧下１００〜２５０°Ｃの温度で溶媒を除
去することによって行われる。

このようにして得られるポリイミド膜は、屈折率が１．
４６〜１．６２と低く、かつ無色透明であって従来のよ
うに黄色ないしは黄褐色に着色されていないため、厚膜
であっても極めて透明性が良好である。

なお、上記ポリアミド酸溶液あるいはポリイミド溶液を
用いての賦形は、上記のようなポリイミド膜の形成に限
るものではなく、それ以外の形状の成形体の形成にも適
用できるものであり、その場合におけるポリアミド酸の
イミド化も前記のような加熱イミド化および化学的イミ
ド化のいずれかを適宜に選択しうるちのである。

以上のようにして、ポリアミド酸溶液をイミド化してポ
リイミドとする場合あるいはポリイミド溶液を蒸発乾燥
する場合において、生成ポリイミドは、特性の点から対
数粘度（９７％硫酸中０．５ｇ／ｄｆｌの濃度で３０″
Ｃのもとて測定）を０．３〜４゜０の範囲内に設定する
ことが好ましい。最も好ましいのは０．４以上である。

このようにして得られたポリイミド成形体は、従来のも
のとは全く異なり、無色透明であって極めて透明度が高
いものである。なお、この発明において、無色透明とは
、膜厚５０±５μｍのポリイミドフィルムに対する可視
光線（５００ｎｍ）透過率が７０％以上であって黄色度
（イエローネスインデックス）が４０以下のもののこと
をいう。なお、上記透過率はＡＳＰＭ　Ｄ　１００３に
準じて測定でき、黄色度はＪＩＳ　Ｋ　７１０３に準じ
て測定できる。

この発明の対象となる光半導体素子としては、先に述べ
たように発光ダイオード等の発光半導体素子、フォトダ
イオード等の受光半導体素子、ＣＣＤ型、ＭＯＳ型ある
いはアモルファスシリコンを用いた固体撮像素子、イメ
ージセンサ−等があげられる。このような素子を上記の
ようにポリイミド成形体で被覆することにより目的とす
る光半導体装置が得られる。

〔発明の効果］以上のように、この発明の光半導体装置は、光半導体素
子を、低屈折率でかつ無色透明のポリイミド成形体で被
覆しているため、従来の高屈折率で黄色ないし黄褐色着
色ポリイミド膜のような不都合を生じず、信頼性が向上
し充分実用に耐えうるようになる。したがって、発光半
導体素子および受光半導体素子表面に形成されたポリイ
ミド膜が光の反射防止膜としての作用を発揮し受光３発
光効率の向上効果が得られるようになる。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明す〔実施例
１〜７．比較例１〜３〕１２のセパラブルフラスコに後記の第１表に示す溶媒と
ジアミノ化合物を入れてジアミノ化合物が完全に溶解す
るまで室温でよく混合した。この場合、上記溶媒の使用
量は、上記ジアミノ化合物および後記の第１表に示す芳
香族テトラカルボン酸二無水物のモノマー仕込み濃度が
２０重量％となるように設定した。

つぎに、上記フラスコ中に同表に示す芳香族テトラカル
ボン酸二無水物を、発熱による温度の上昇を抑制しなが
ら徐々に添加した。ついで室温で４時間撹拌しながら反
応させ、第１表に示す対数粘度をもつポリアミド酸の溶
液を得た。

なお、上記ポリアミド酸溶液から得られるポリイミド成
形体の無色透明性および屈折率を調べるため、上記ポリ
アミド酸の溶液をガラス板上に流延して皮膜を形成し、
この皮膜を熱風乾燥機中１２０　’Ｃで６０分間、さら
に１８０　’Ｃで６０分間、ついで２５０°Ｃで６時間
加熱してイミド化させることにより厚み５０±５μｍの
ポリイミドフィルムをつ（す、これのイエローネスイン
デックスおよび屈折率を測定するとともに、可視光線（
５０Ｑｎｍ）における透過率を測定し第１表に併せて示
した。なお、上記フィルムについて赤外線吸収スペクト
ルを測定したところ、アミド酸の特有の吸収はみられず
、１７８０ｃｍ−’付近にイミド基の特性吸収がみられ
た。

〔実施例８，９、比較例４〕実施例２，５で得られたポリアミド酸溶液を温度１５０
°Ｃまで加熱し、その状態で６時間加熱撹拌することに
よりポリイミド溶液を得た。得られたポリイミド溶液は
加熱による溶媒等の分解により僅かに黄色に着色してい
た。そのためこの着色を除去するためメタノール中に上
記ポリイミド溶液を滴下し再沈澱させることにより粉末
化しこれを濾過後、減圧乾燥して白色のポリイミド粉末
を得た。得られたポリイミド粉末を後記の第１表に示す
溶媒に仕込み濃度が２０重量％になるように設定し溶解
させてポリイミド溶液を得た。

このポリイミド溶液をガラス板上に流延して皮膜を形成
し、この皮膜を熱風循環乾燥機中で１５０″Ｃで２時間
加熱乾燥させることにより厚み５０±５μｍのポリイミ
ドフィルムをつくり、これのイエローネスインデックス
および屈折率を測定するとともに、可視光線（５００ｎ
ｍ）における透過率を測定し第１表に併せて示した。

一方、比較例２で得られたポリアミド酸溶液を１５０°
Ｃで加熱撹拌したところポリイミド微粉末が析出してし
まい、ポリイミド溶液を得ることはできなかった。

なお、後記の表において、６Ｆ−ＤＡは２，２−ビス（
３，４−ジカルボキシフェニル）へキサフルオロブロバ
ンニ無水物、５−ＢＰＤＡは３゜３’、４．４’　−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ＰＭＤＡはピロメ
リット酸二無水物、ＢＦＰＡは２，２−ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロパ
ン、３゜３’−ＢＡＰＳは４，４′−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン、３．３’　−ＤＤＳ
は３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、３３’−Ｄ
ＤＥは３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４
’−ＤＤＥは４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
ＤＭＡｃはＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ＤＭＦはＮ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ＮＭＰはＮ−メチルピロ
リドン、ＭＣＡはメチルセロソルブアセテートを示す。

（以下余白）表から明らかなように、実施例１〜１０のポリイミドフ
ィルムはいずれもイエローネスインデックスが３０以下
であり、かつ透過率が８０％以上であって無色透明であ
ることがわかる。これに対して比較例１は、イエローネ
スインデックスおよび透過率は実施例のものよりそれ程
劣ってはないが屈折率が高くなっている。また、比較例
２．３はイエローネスインデックスおよび透過率の双方
がかなり悪く、屈折率も劣っている。特に、比較１列３
はン容媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを用いてい
るため、比較例２よりも一層黄色度が高く、黄褐色にフ
ィルムが着色していることがわかる。

つぎに、実施例１，９および比較例１．２で得られたポ
リアミド酸溶液を１０重量％に希釈し、これをガラス板
上にスピンコーターを用いて塗布し、上記に示したのと
同様の方法で加熱イミド化することにより厚み５μｍの
ポリイミドフィルムをガラス板上に形成した。このポリ
イミドフィルムが形成されたガラス板の光の透過率を分
光光度計を用いて測定し、その結果を図に示した。なお
、実施例１は曲線Ｂ、実施例９は曲線Ａ、比較例１は曲
線Ｃ２比較例２は曲線りに各々対応する。

図より明らかなように、実施例１，９は光の透過率が良
好であるのに対し、比較例１．２では透過率がかなり劣
りポリイミドフィルム内での光の干渉により透過率曲線
が波うつ現象が生じた。これは、実施例でのポリイミド
フィルムは光半導体装置表面のＳｉｎ、膜や表面に形成
されたカラーフィルム層と同じ屈折率を有するガラス板
（ＮａＤ線での屈折率１．５２　）に近い屈折を有して
いるため、界面での光の反射損失が軽減されポリイミド
フィルムの無色透明性と相まって高い透過率が実現した
。それに対して、比較例１，２は有色透明の場合はもち
ろんたとえ無色透明であっても屈折率が高いため、反射
損失の増大や光の干渉が生じ上記のような現象が生じて
しまう。

【図面の簡単な説明】

図はポリイミドフィルムが形成されたガラス板の光の透
過率を示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光半導体素子が、下記の一般式（ I ）で表され
る繰り返し単位、一般式（II）で表される繰り返し単位
、一般式（III）で表される繰り返し単位および一般式
（IV）で表される繰り返し単位からなる群から選択され
た少なくとも一つの繰り返し単位を主成分とする無色透
明なポリイミド成形体で被覆されていることを特徴とす
る光半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼…（ I ）〔式（ I ）において、Ｘ＿１はＯ、Ｓ、ＳＯ＿２、Ｃ
Ｈ＿２、ＣＦ＿２、Ｃ（ＣＨ＿３）＿２、Ｃ（ＣＰ＿３
）＿２またはＣＯである。〕▲数式、化学式、表等があ
ります▼…（II）〔式（II）において、Ｘ＿２はＳＯ＿２、Ｃ（ＣＨ＿３
）＿２またはＣ（ＣＨ＿３）＿３である。〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…（III）〔式（III）において、Ｘ＿３〜Ｘ＿６はＨ、Ｆ、Ｃｌ
、ＣＨ＿３、Ｃ＿２Ｈ＿５、ＮＯ＿２またはＣＦ＿３で
あり、相互に同じであつてもよいし異なつていてもよい
。〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…（IV）
（２）上記無色透明なポリイミド成形体の屈折率が１．
４６〜１．６２である請求項（１）記載の光半導体装置
。